JPS6066465A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6066465A
JPS6066465A JP58175001A JP17500183A JPS6066465A JP S6066465 A JPS6066465 A JP S6066465A JP 58175001 A JP58175001 A JP 58175001A JP 17500183 A JP17500183 A JP 17500183A JP S6066465 A JPS6066465 A JP S6066465A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wiring
semiconductor device
substrate
tin
Prior art date
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Pending
Application number
JP58175001A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58175001A priority Critical patent/JPS6066465A/ja
Publication of JPS6066465A publication Critical patent/JPS6066465A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の配線構造に関する。
従来、半導体装置の配［＆造は第１図に断面図で示す如
き構造をとっていた。すなわち、８１基板１の表面には
拡散層、２及び絶縁膜３が形成され、該絶縁膜６を介し
て、該絶縁ｖ８３に開けられたコンタクト穴４を通して
Ａｔ配線層５が形成されて成るのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、Ａｔと下地８１との接
触抵抗が大となるという欠点があった本発明はかかる従
来技術の欠点をなくし、電極配線と下地８１との接触抵
抗が小なる半導体装置の配線構造を提供することを目的
とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、半導体表面に形成された絶縁膜を介し
、該絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して８１層と
、Ｔｉ、Ｔａ、Ｏｕ、ＷあるいはＴｉｎ、ＴａＮあるい
はＴ１８１．Ｔａ８１等のシリサイド層とＡ　Ｌ　層か
らなる多層＜ｉｌｌ造の電極配線が形成されて成ること
を特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置の配線構造
の断面図である。すなわち、８１基板１１の表面には拡
散層１２１絶縁膜１６が形成され、該絶縁Ｗ；１１３を
介し、該絶縁膜１６に開けられたコンタクト穴１４を通
して、５ｉＪｖ１５゜ＴｉＮ層１６．ＡＡＩ帝１７の３
層構造からなる電極配線が形成されて成る。゛ 上記の如く、下地８１とＳ１層配線とは接触抵抗がなく
接続され、該８１層配線上にＴ、ｉＮ等のノーをはさん
でｈｔ）ｙｊを形成することによりＡＡ層のＡｔが８１
層に拡散することなく、かつ接触抵抗が小となる効果が
ある。
８１配線層とＡｔ配装ｔｆｉ１層との間の中間層として
、ＴｉＮの他、Ｔｉ、Ｔａ、Ｏｕ、Ｗ、ＴｉＥ］ｉ、Ｔ
ａ８１．Ｔａｎ等の中間Ｍを用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による半導体装置の配線構造を示す断
１１ｉｊ図、群Ｓ２図は本発明の一実施例を示す半導体
装置の配線構造の断面図である。 １．１１・・・・・・半導体基板 ２．１２・・・・・・拡散層 ６．１３・・・・・・絶縁膜 ４．１４・・・・・・コンタクト穴 ５．１７・・・・・・Ａｔ配線層 １５・・・・・・・・・・・・８１配線層１６・・・・
・・・・・・・・配線中間層基　上 出願人゛株式会社諏訪精工舎 代理人　弁理士　最上　務

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　半導体基板表面に形成された絶縁膜を介し、該絶
    縁膜に開けられたコンタクト穴を通して８１層と、Ｔｉ
    、Ｔａ、Ｏｕ、ＷあるいはＴｉｎ。 ＴａｎあるいはＴｉ８１　、Ｔａ８１等のシリサイド層
    とｈｔ層からなる多層４７Ｈ造の電極配線が形成されて
    成ることを特徴とする半導体装置。
JP58175001A 1983-09-21 1983-09-21 半導体装置 Pending JPS6066465A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931845A (en) * 1987-11-05 1990-06-05 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having an ohmic contact between an aluminum-silicon alloy metallization film and a silicon substrate
US4990997A (en) * 1988-04-20 1991-02-05 Fujitsu Limited Crystal grain diffusion barrier structure for a semiconductor device
US5498572A (en) * 1993-06-25 1996-03-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5583253A (en) * 1978-12-19 1980-06-23 Fujitsu Ltd Semiconductor device

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