JPS6027166A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6027166A
JPS6027166A JP58134195A JP13419583A JPS6027166A JP S6027166 A JPS6027166 A JP S6027166A JP 58134195 A JP58134195 A JP 58134195A JP 13419583 A JP13419583 A JP 13419583A JP S6027166 A JPS6027166 A JP S6027166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
insulating film
semiconductor device
metal film
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58134195A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58134195A priority Critical patent/JPS6027166A/ja
Publication of JPS6027166A publication Critical patent/JPS6027166A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の配線構造に関〜する。
従来、平導体装置の配線構造は、第１図に断面構造とし
て示す如き構造が用いられているのが通例であった。す
なわち、Ｓｉ基板１の表面に形成された拡散層２と絶縁
膜３を介して形成されたＳｉ配線４とは絶縁膜乙に開け
られたコンタクト穴を通して接続され、且つ、ＲＺ配線
層４上の層間絶Ｆ＋嘩５を介して形成されたＡｔ配紗６
とＶｉ層間絶縁膜５に開けられたコンタクト穴を通して
接続して成るの、が通例であった。
しかし、上記従来技術によると、Ｓｉ配線の抵抗値が高
く、且つｓｉ配線上部のａ配線との接、粋抵抗が高いと
いう欠点があっに０ 本発明けかかる従来技術の欠点をなくし、配、線抵抗の
小さく、目つコンタクト抵抗も小さな配線構造を提供す
ることを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置において、Ｓｉ上にけ絶縁膜が形成され、該絶
縁膜に開けられたコンタクト穴を通して前記絶縁膜を介
してＳｉ配線が形成され。該Ｓｉ配線の少なくとも下部
及び上部とのコンタクト部表面を含む表面に金属膜が形
成されて成ること、及びＳｉ配線上の金属膜をＴｉとな
すこと、及びＳｉ配線上の金属膜をＣｕとなすこと、汲
びＳｉ配線上の金属膜をＴｉ　−Ａｔ、ａｌｔ−Ａｔ等
の多層金属膜となすこと、及びＳｉ配線上には金属膜が
形成され、その上の絶縁膜を介して形成されたＡｔ配線
と該絶縁膜に開けられたフンタクト穴を通して接続され
て成る事を特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明による一実施例を示す。すなわち、ｓｊ
基板１１０表面に形成された拡散層１２ＶＣは、Ｓｉ基
板１１の表面に形成された絶縁膜１３を介して形成され
た８ｉ配線１４と絶縁膜１３に開けられたコンタクト穴
を通して接続されると共に、Ｓｉ配線１４上にはＴｉ、
Ｃｕ等からなる金属膜１５が形成され、その上に形成さ
れた層間絶縁膜１６を介して形成されたα配線と、層間
絶縁膜１６に開けられたコンタクト穴を通して接続され
て成る。
本発明によると、Ｓｉ配線と下地ＳＺとは接触抵抗が小
なると共に、Ｓｉ配線の抵抗は金属膜により低下される
と共に、上部α配線と金属膜との接触抵抗も小となる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による半導体装置の配線構造を示す断
面図。 第２図は、本発明による半導体装置の配線構造の一実施
例を示す断面図である。 、、１．１１・・・・・・ｓｉ基板 ２．１２・・・・・・拡散層 ３．１３・・・・・・絶縁膜 ４．１４・・・・・・Ｓ＜配線層 ５．１６・・・・・・層間絶縁膜 ６．１７・・・・・・ｋｌ配線層 １５・・・・・・金属膜　以　上 手続補正書輸発） １．事件の表示 昭和５８年特許願第１！１４１９５号 ２、発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 代表取締役　中　村　恒　也 ４、代理人 〒１０４　東京都中央区京橋２丁目６番２１号１、図面
（第１図、第２図）を別紙の如く補正し添付する。 第１図 ２ １！２図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）　Ｓｉには絶縁膜が形成され、該絶縁膜に開はら
    れたコンタクト穴を通して前記絶縁膜を介してＳｉ配線
    が形成され、該Ｓｊ配線の少なくとも下部及び上部のコ
    ンタクト部表面を含む表面に金属膜が形成されて成るこ
    とを特徴とする半導体装置。 （２）　’Ｅｉ配線上の金属膜をＴｉとなすことを特徴
    とする特許請求範囲第１項記載の半導体装置。 （、！ｌ）　Ｂｉ配線上の金属膜を鴎となすことを特徴
    とする特許請求範囲第１項記載の半導体装置。 （４）　ｓｉ配線上の金属膜をＴｉ　−Ａｔ、ｃｕ　−
    Ａｔ等の多層金属膜となすことを特徴とする特許請求範
    囲第１項記載の半導体装置。 （５）　Ｂｉ配線上［Ｈ金属膜が形成され、その上の絶
    縁膜を介して形成されたａ配線と、該絶縁膜に開けられ
    たコンタクト穴を通して接続されて成る事を特徴とする
    半導体装置。
JP58134195A 1983-07-22 1983-07-22 半導体装置 Pending JPS6027166A (ja)

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JPS6027166A true JPS6027166A (ja) 1985-02-12

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62203693A (ja) * 1986-03-04 1987-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザトリミング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62203693A (ja) * 1986-03-04 1987-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザトリミング方法

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