JPS6037748A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6037748A JPS6037748A JP14702883A JP14702883A JPS6037748A JP S6037748 A JPS6037748 A JP S6037748A JP 14702883 A JP14702883 A JP 14702883A JP 14702883 A JP14702883 A JP 14702883A JP S6037748 A JPS6037748 A JP S6037748A
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- JP
- Japan
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- film
- metal
- silicide
- wiring
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置における金属配線またはシリサイド
配線構造に関する。
配線構造に関する。
従来、半導体装置における金属配線やシリサイド配線は
第１図に示す如く、８１基板１の表面に形成された絶縁
膜２上にＴｉ、Ｔａ、Ｍｏ、ＡＡ等の金属膜やＭｏＳｉ
、ＴｉＳｉ、ＴａＳ：Ｌ等シリサイド膜３が形成されて
成るのが通例であった抵抗が小とならないこと及び、上
部あるいは下部配線との接触抵抗も必ずしも小とならな
い等の欠点があった。
第１図に示す如く、８１基板１の表面に形成された絶縁
膜２上にＴｉ、Ｔａ、Ｍｏ、ＡＡ等の金属膜やＭｏＳｉ
、ＴｉＳｉ、ＴａＳ：Ｌ等シリサイド膜３が形成されて
成るのが通例であった抵抗が小とならないこと及び、上
部あるいは下部配線との接触抵抗も必ずしも小とならな
い等の欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、低抵抗、低
接触抵抗が可能な金属あるいはシリサイド配線を提供す
ることを目的とする。
接触抵抗が可能な金属あるいはシリサイド配線を提供す
ることを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、金属配線またはシリサイド配線のいず
れかの側面１表面、底面または全周囲にはＳ１膜が形成
されて成ることを特徴とする。
導体装置に於て、金属配線またはシリサイド配線のいず
れかの側面１表面、底面または全周囲にはＳ１膜が形成
されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図乃至第４図は本発明の実施例を示す半導体装置に
おける配線構造の断面図である。すなわち、第２図では
８１基板１１の表面に形成された絶縁膜１２上にＳ１膜
１４．シリサイド膜または金属膜１３．Ｓｉ膜１５から
なる三層構造の配線構造が形成されて成る。第３図では
８１基板２１上の絶縁膜２２上に金属膜またはシリサイ
ド膜２４とそのｆｌ］１面に形設、六れたＥＩｉｌｌＨ
２４からなる配線構造が形成されて成る。第４図ではＳ
１基板６１上の絶縁膜３２上に金属膜またはシリサイド
膜３３の周囲にｓ１膜３４が形成されて成る配線構造か
ら成る。
おける配線構造の断面図である。すなわち、第２図では
８１基板１１の表面に形成された絶縁膜１２上にＳ１膜
１４．シリサイド膜または金属膜１３．Ｓｉ膜１５から
なる三層構造の配線構造が形成されて成る。第３図では
８１基板２１上の絶縁膜２２上に金属膜またはシリサイ
ド膜２４とそのｆｌ］１面に形設、六れたＥＩｉｌｌＨ
２４からなる配線構造が形成されて成る。第４図ではＳ
１基板６１上の絶縁膜３２上に金属膜またはシリサイド
膜３３の周囲にｓ１膜３４が形成されて成る配線構造か
ら成る。
上記の如く、金属膜やシリサイド膜からなる配線のいず
れかの表面に８１膜を形成することにより、低抵抗でか
つ多層配線時の低接触抵抗が可能な金属あるいはシリサ
イド配線が可能となる効果がある。
れかの表面に８１膜を形成することにより、低抵抗でか
つ多層配線時の低接触抵抗が可能な金属あるいはシリサ
イド配線が可能となる効果がある。
第１図は従来技術による半導体装置における金属あるい
はシリサイド配線構造を示す断面図、第２図乃至第４図
は本発明の実施例を示す金属またはシリサイド配線構造
を示す断面図である。 １．１１，２１，３１・・・・・・Ｓ１基板２．１２，
２２．３２・・・・・・絶縁膜３．１３，２３．３３・
・・・・・金Ｆ番月莫あるし）はシリサイド膜 １４．１５，２４，３４・・・８１膜 第２図
はシリサイド配線構造を示す断面図、第２図乃至第４図
は本発明の実施例を示す金属またはシリサイド配線構造
を示す断面図である。 １．１１，２１，３１・・・・・・Ｓ１基板２．１２，
２２．３２・・・・・・絶縁膜３．１３，２３．３３・
・・・・・金Ｆ番月莫あるし）はシリサイド膜 １４．１５，２４，３４・・・８１膜 第２図
Claims (1)
- １、 金属配線またはシリサイド配線のいずれかの側面
９表面、底面または全周囲にはＳ１膜が形成されて成る
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14702883A JPS6037748A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14702883A JPS6037748A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037748A true JPS6037748A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15420900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14702883A Pending JPS6037748A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037748A (ja) |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14702883A patent/JPS6037748A/ja active Pending
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