JPS6066815A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6066815A JPS6066815A JP58175844A JP17584483A JPS6066815A JP S6066815 A JPS6066815 A JP S6066815A JP 58175844 A JP58175844 A JP 58175844A JP 17584483 A JP17584483 A JP 17584483A JP S6066815 A JPS6066815 A JP S6066815A
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- JP
- Japan
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- alloy
- target
- semiconductor wafer
- layer
- phosphorus
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/42—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a gas or vapour
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分訝
イ；光明は半り、７体装置のオーミックコンタクトの形
成方法に関する。
成方法に関する。
ｌ」、従りＩＳ技術
エピタキシートル型半１１７体装置、たとえばトランジ
スタは゛：１導体導体サブスレート上に形成したエピタ
キシャルＤに不純物拡散を行ってデバイスを形成してい
るが、半導体サブストレートにＧｔ 、ｌ；ｉ （例え
ばコレクタ電極）を形成する場合、その抵抗率が比ＣＸ
的大きいため直接金属層を被着形成しても抵抗値が大き
く良好なオーミックコンタクトがｉηられない。なオン
、主し７体・リフ゛ストレーＩ−の抵抗率が大きい理由
は、不純ｑｒ：ｔ （７月１’Ｉ結晶シリコンへの固溶
限界や、低不純物濃疋のエピタキシャル層の形成時に半
導体ザブスＩＬ・−１・が外方拡散した不純物がエピタ
キシャルＢｉに入り込んでくる、いわゆるオートドーピ
ング等のため、半導体ザブストレートの製造工程におい
て、その不純物濃度を一定値以上にてきないからである
。そこで半導体す・ブスｌレー１−１の電極形成は、電
極全屈層の被着に化コン、って、その表面に高濃度の不
純物拡散層を形成し、電極形成部の抵抗率を低下さゼて
いる。
スタは゛：１導体導体サブスレート上に形成したエピタ
キシャルＤに不純物拡散を行ってデバイスを形成してい
るが、半導体サブストレートにＧｔ 、ｌ；ｉ （例え
ばコレクタ電極）を形成する場合、その抵抗率が比ＣＸ
的大きいため直接金属層を被着形成しても抵抗値が大き
く良好なオーミックコンタクトがｉηられない。なオン
、主し７体・リフ゛ストレーＩ−の抵抗率が大きい理由
は、不純ｑｒ：ｔ （７月１’Ｉ結晶シリコンへの固溶
限界や、低不純物濃疋のエピタキシャル層の形成時に半
導体ザブスＩＬ・−１・が外方拡散した不純物がエピタ
キシャルＢｉに入り込んでくる、いわゆるオートドーピ
ング等のため、半導体ザブストレートの製造工程におい
て、その不純物濃度を一定値以上にてきないからである
。そこで半導体す・ブスｌレー１−１の電極形成は、電
極全屈層の被着に化コン、って、その表面に高濃度の不
純物拡散層を形成し、電極形成部の抵抗率を低下さゼて
いる。
上記１ａｉｅ度不純物拡散層の形成は、例えばパワート
ランジスタの場合、薄エビ法と称さ４ｙ、る次のような
方法によって行なわれていた。
ランジスタの場合、薄エビ法と称さ４ｙ、る次のような
方法によって行なわれていた。
まず第１図（ａ）に示すよ・）に、例えば４００ ｔｔ
の厚さのＮ物のサブストレート（１）」−に、例えば２
０〜６０メ１の厚さのＮ−型のエビタキソヤルｌｉ：＋
（２）を成長させる。次に第１１と１（ｂ）に示〕゛よ
うに半導体ザブストレート（１）を機械的に研必して全
体を半分程度（例えば２００〜２５０μ）のｊ５５さに
する。この状想で第１図（Ｃ）に示すよ・）にＮｌｐの
工ビクキシャル層（２）の」二に酸化膜（Ｓｉ０２）等
の保護膜（３）を形成して、ノ３き、この仔；ＨＩ２
（３）にフォトリソグラフィ法で形成した窓孔からＩ〕
型不純物を選択拡散してＩ）型のヘース領域Ｂを形成す
る。この後表面の保護Ｐ＋’Ａ （３）に前記窓孔より
も小さい窓孔を形成するとともに、二面の保護膜を除去
して、第１［１（（１）に示すようにＮ１のエピタキシ
ャルＩＨＵ（２）にＮｉ型のエミッタＥを形成すると同
時に、Ｎ″ハ１半弓（２トサブストレー１−（１）の裏
面にＮ型のｉ５ａ度不純物拡ｆｉｋ層（４）を形成し、
このｉＴ！＋ ＫＳ度不純り：り拡散層（５）上に真空
蒸発法等によりＣｒ−旧一へｙ−Ｃｒ−Ｎｉ −５ｎ−
ＡＢ又はＣｒ −Ｎ １−Ａｕ等の金ｆｉｒ５（５）を
蒸着してオーミックコンタク１−を形成する。
の厚さのＮ物のサブストレート（１）」−に、例えば２
０〜６０メ１の厚さのＮ−型のエビタキソヤルｌｉ：＋
（２）を成長させる。次に第１１と１（ｂ）に示〕゛よ
うに半導体ザブストレート（１）を機械的に研必して全
体を半分程度（例えば２００〜２５０μ）のｊ５５さに
する。この状想で第１図（Ｃ）に示すよ・）にＮｌｐの
工ビクキシャル層（２）の」二に酸化膜（Ｓｉ０２）等
の保護膜（３）を形成して、ノ３き、この仔；ＨＩ２
（３）にフォトリソグラフィ法で形成した窓孔からＩ〕
型不純物を選択拡散してＩ）型のヘース領域Ｂを形成す
る。この後表面の保護Ｐ＋’Ａ （３）に前記窓孔より
も小さい窓孔を形成するとともに、二面の保護膜を除去
して、第１［１（（１）に示すようにＮ１のエピタキシ
ャルＩＨＵ（２）にＮｉ型のエミッタＥを形成すると同
時に、Ｎ″ハ１半弓（２トサブストレー１−（１）の裏
面にＮ型のｉ５ａ度不純物拡ｆｉｋ層（４）を形成し、
このｉＴ！＋ ＫＳ度不純り：り拡散層（５）上に真空
蒸発法等によりＣｒ−旧一へｙ−Ｃｒ−Ｎｉ −５ｎ−
ＡＢ又はＣｒ −Ｎ １−Ａｕ等の金ｆｉｒ５（５）を
蒸着してオーミックコンタク１−を形成する。
しかしながら上記薄エビ法は工程数が多く処エゴ１時間
がＩえくかかり、オーミックコンタクト形成面に不純物
拡散する前に半導体ウェーハをＴ分程度に薄くする必要
があり拡散工程中に・：７エーハ割れが多発し易く歩留
りが悪くなる。このような現象は半導体ウェーハが大型
化するほと顕著になり、そのために半導体ウェーハの大
型化の障害となる。
がＩえくかかり、オーミックコンタクト形成面に不純物
拡散する前に半導体ウェーハをＴ分程度に薄くする必要
があり拡散工程中に・：７エーハ割れが多発し易く歩留
りが悪くなる。このような現象は半導体ウェーハが大型
化するほと顕著になり、そのために半導体ウェーハの大
型化の障害となる。
上記薄エビ法以外の方法による高濃度不純物拡散層を無
電解ニッケルノソキ法により形成するものがある。この
方法によって形成された；−ンケルメソキ屓中にはＮ型
の不ｔ・Ｌ物でＩ）るリンが一定の組成で混入し、この
Ｎ１−Ｐ５を被着形成した後熱処理をすれば良好な高濃
度不純１．Ｉ’Ｉ拡散層が形成され、また短い処理時間
でメッキが可能である。しかし無電解ニッケルノノキ法
を採用した場合、メッキ層を被着ずべきでない半導体ウ
ェーハのデバイス形成面にはワックス等を塗布してメッ
キ液から保護する必要があり、メッキ処理後このワック
スを有機洗浄してセリ除く工程等が必要となる。このよ
うな処理工程を経るため半導体ウェーハ上のデバイスＩ
ｔ： ｍ金０等の有害な不純物で汚染され易くなり、デ
バイス特性の劣化原因となることがあった。 ゛上記無
電解ニッケルメ・ツキ法の欠点はメ・ツキ液を使用する
ことに起因している。そこでメ・ツキ法によって生成さ
れるようなＮ１−Ｐ合金層をメッキ１１ソを使用しない
で真空葬着法等のドライ法によって形成することが考え
られた。
電解ニッケルノソキ法により形成するものがある。この
方法によって形成された；−ンケルメソキ屓中にはＮ型
の不ｔ・Ｌ物でＩ）るリンが一定の組成で混入し、この
Ｎ１−Ｐ５を被着形成した後熱処理をすれば良好な高濃
度不純１．Ｉ’Ｉ拡散層が形成され、また短い処理時間
でメッキが可能である。しかし無電解ニッケルノノキ法
を採用した場合、メッキ層を被着ずべきでない半導体ウ
ェーハのデバイス形成面にはワックス等を塗布してメッ
キ液から保護する必要があり、メッキ処理後このワック
スを有機洗浄してセリ除く工程等が必要となる。このよ
うな処理工程を経るため半導体ウェーハ上のデバイスＩ
ｔ： ｍ金０等の有害な不純物で汚染され易くなり、デ
バイス特性の劣化原因となることがあった。 ゛上記無
電解ニッケルメ・ツキ法の欠点はメ・ツキ液を使用する
ことに起因している。そこでメ・ツキ法によって生成さ
れるようなＮ１−Ｐ合金層をメッキ１１ソを使用しない
で真空葬着法等のドライ法によって形成することが考え
られた。
この方法としては、るつぼに収容された二・ノケルとリ
ンをヒータで加熱し、溶融・気化させる抵抗加！、；シ
フ！春法、また水冷されたるつぼ内にニッケルとリンを
収納し、電子ビームを照射してニッケルとリンを蒸発さ
せる電子ビーム蒸着法がある。しかしこれらの方法はい
ずれも蒸若ずべき全屈を溶ｆ１１；・気化させる方法で
あり、ニッケル（Ｎｉ ）とリン（Ｐ）にｎ：点暴気圧
の大きン；（差があるため、７Ｘ着時に低融点、低蒸気
圧のリン（Ｐ ）が先に蒸発する。そして、半導体ウェ
ーハのオーミックコンタク１−形成面には、下にリンの
ｒコ、その上にニッケルの眉が完全に、分ε：ｉして二
１背に形成されてしまう。この構造の場合、実験の結果
ＶＦ（、ＶＣＩＥ （ｓａｔ ） 、Ａ−ミンク特性等
の電気的特性は良好なことが確認されている。しかし半
導体ウェーハの界面でリンの濃度が高くなりずぎるため
、芦盾１Ωとしての物理的強度が弱くなり、パワーザイ
クル試験、温度ザイクル試験等の寿命試験に幻して％
１．ｒ ｆｆ（を満たすことができなくなる。
ンをヒータで加熱し、溶融・気化させる抵抗加！、；シ
フ！春法、また水冷されたるつぼ内にニッケルとリンを
収納し、電子ビームを照射してニッケルとリンを蒸発さ
せる電子ビーム蒸着法がある。しかしこれらの方法はい
ずれも蒸若ずべき全屈を溶ｆ１１；・気化させる方法で
あり、ニッケル（Ｎｉ ）とリン（Ｐ）にｎ：点暴気圧
の大きン；（差があるため、７Ｘ着時に低融点、低蒸気
圧のリン（Ｐ ）が先に蒸発する。そして、半導体ウェ
ーハのオーミックコンタク１−形成面には、下にリンの
ｒコ、その上にニッケルの眉が完全に、分ε：ｉして二
１背に形成されてしまう。この構造の場合、実験の結果
ＶＦ（、ＶＣＩＥ （ｓａｔ ） 、Ａ−ミンク特性等
の電気的特性は良好なことが確認されている。しかし半
導体ウェーハの界面でリンの濃度が高くなりずぎるため
、芦盾１Ωとしての物理的強度が弱くなり、パワーザイ
クル試験、温度ザイクル試験等の寿命試験に幻して％
１．ｒ ｆｆ（を満たすことができなくなる。
ハ０発明の目的
本発明は半導体ウェーハを有古な不純物で汚染しないで
、電気的・機械的に安定した特性を有するオーミックコ
ンタクトを短時間で形成する方法を提供することを目的
とする。
、電気的・機械的に安定した特性を有するオーミックコ
ンタクトを短時間で形成する方法を提供することを目的
とする。
二１発明の構成
本発明方法はリン等の導電型決定不純物を含むニッケル
等の金属屑と有するターゲノｌを用い、スパッタ法によ
り半導体ウェーハにオーミックコンタクトを形成するも
ので、半導体ウェーハ上にターゲノ！・の全屈をその組
成のまま被着することを特徴とする。
等の金属屑と有するターゲノｌを用い、スパッタ法によ
り半導体ウェーハにオーミックコンタクトを形成するも
ので、半導体ウェーハ上にターゲノ！・の全屈をその組
成のまま被着することを特徴とする。
ポ、実施例
ン１”光■シｊの一賓脇例について以下説明する。
よずノ、バ、・タリングに用いるターゲットをユ造する
。スパックする金１．％がＮｉ −Ｐ合金のＪＩｆｆ
％ ｍ ２ 図に示すようにターゲ７）（Ｇ）の１４’
ｌとして、例えばニッケル板（７）を用意し、これに：
”Ａ ’３１’−’ｊニッケルメッキにより、Ｎｉ −
Ｉの合金ｆ’：、 （７ａ）を被管・形成さセ・る。こ
のメーキＪ、”Ｅ ５ｍリンＣＰ）が含有されるのはニ
ノヶルノノキ液にＪｉｓＸ化ニッケル及び次亜リン酸ナ
トリとムを主成分とするものを使用するからであり、メ
ッキ条１／１−として７５±５℃、Ｐ１１８〜ＩＩ （
好まＬ＜ ４．１：Ｈ１□〜１１） ０）メッキ液を使
用すれば、リン（ｊ））のＮｉ −Ｐ合金に刻する含有
率を１０〜３ｗｔ％とすることができる。このようにし
て几成されノごＮｉ −Ｐ合金層はニッケルとリンカ路
部分において均一な分布を持つものである。
。スパックする金１．％がＮｉ −Ｐ合金のＪＩｆｆ
％ ｍ ２ 図に示すようにターゲ７）（Ｇ）の１４’
ｌとして、例えばニッケル板（７）を用意し、これに：
”Ａ ’３１’−’ｊニッケルメッキにより、Ｎｉ −
Ｉの合金ｆ’：、 （７ａ）を被管・形成さセ・る。こ
のメーキＪ、”Ｅ ５ｍリンＣＰ）が含有されるのはニ
ノヶルノノキ液にＪｉｓＸ化ニッケル及び次亜リン酸ナ
トリとムを主成分とするものを使用するからであり、メ
ッキ条１／１−として７５±５℃、Ｐ１１８〜ＩＩ （
好まＬ＜ ４．１：Ｈ１□〜１１） ０）メッキ液を使
用すれば、リン（ｊ））のＮｉ −Ｐ合金に刻する含有
率を１０〜３ｗｔ％とすることができる。このようにし
て几成されノごＮｉ −Ｐ合金層はニッケルとリンカ路
部分において均一な分布を持つものである。
一方拡ｊ：に処理によりデバイスが形成された印３しシ
１（ａ）に示す半導体ウェーハ（８）のオーミックコン
タクト形成面には前処理として第３１ｇ１（＋））に示
すようにホーニングを行いまたは■前処理を行ない表面
を粗化する。この第−ニス ングは、例えば＃８００〜
＃２００のカーボランダ５ ム（Ｓｉ Ｃ） 、フルミ
ナ（Ａ／２０３ ）ｆ空気（圧で吹き付けて行なわれる
。なおこのホーニングの最適な条件は＃３２０のカーボ
ランダム（Ｓｉ Ｃ）を３分間吹き付けるものである。
１（ａ）に示す半導体ウェーハ（８）のオーミックコン
タクト形成面には前処理として第３１ｇ１（＋））に示
すようにホーニングを行いまたは■前処理を行ない表面
を粗化する。この第−ニス ングは、例えば＃８００〜
＃２００のカーボランダ５ ム（Ｓｉ Ｃ） 、フルミ
ナ（Ａ／２０３ ）ｆ空気（圧で吹き付けて行なわれる
。なおこのホーニングの最適な条件は＃３２０のカーボ
ランダム（Ｓｉ Ｃ）を３分間吹き付けるものである。
上記ホーニングによる前処理がなされた半導体ウェーハ
（８）の１１１面（８ａ）に、上記ターゲ・ ′ ント
（６）を用いてスパッタリングを行なう。
（８）の１１１面（８ａ）に、上記ターゲ・ ′ ント
（６）を用いてスパッタリングを行なう。
なおスパッタリングとは、アルゴンイオン（八ｒ″゛）
のような重い荷電粒子をターゲット利に照射し、その衝
撃でターゲツト材から飛び出してきた粒子を対向する半
導体ウェーハにイＸＪ着さゼるものである。一般に数百
ｅＶ〜数Ｋ ｅ Ｖのｉ！！！動：（ネルギーを持つア
ルゴンイオンでターゲソ１を衝撃すると、たたき出され
た粒子の連兎し〔ネルーギーは、最大５００ｅＶのもの
が得られる。これは上記蒸着法によるものが最大０．２
ｅＶであるのと比軸して、桁違いに大きい。このため形
成されるスパック膜は半導体ウェーハに幻し１１？盾カ
ｌ）＜ ｄ、ｔｊ ＜玄ボしＩＳものとなる。またスバ
ンタ法によってＮｉ −Ｐの合金ＪＡが形成されたター
ゲノ１〜（６）からたたき出されたニッケルとリンの粒
子は、ニッケルとリンの夫々の融点、菖気圧の差にかか
わらず、この合金の組成に従ったｊｌｉ１合である。こ
のため第３図（Ｃ）に示すように半導体ウェーハ（８）
の粗面には、Ｎｉ −Ｐの合りのスパックＨｒ；、（ａ
）がターゲット （６）す、その最Ｂ Ｉｉ’ｌは５０
００上２０００ 久である。なお上記スパッタリングは
、マグネトロンスパッタ、・イオンブレーティング、ク
ライスターイオンビーム′、）によっで７．３：される
。
のような重い荷電粒子をターゲット利に照射し、その衝
撃でターゲツト材から飛び出してきた粒子を対向する半
導体ウェーハにイＸＪ着さゼるものである。一般に数百
ｅＶ〜数Ｋ ｅ Ｖのｉ！！！動：（ネルギーを持つア
ルゴンイオンでターゲソ１を衝撃すると、たたき出され
た粒子の連兎し〔ネルーギーは、最大５００ｅＶのもの
が得られる。これは上記蒸着法によるものが最大０．２
ｅＶであるのと比軸して、桁違いに大きい。このため形
成されるスパック膜は半導体ウェーハに幻し１１？盾カ
ｌ）＜ ｄ、ｔｊ ＜玄ボしＩＳものとなる。またスバ
ンタ法によってＮｉ −Ｐの合金ＪＡが形成されたター
ゲノ１〜（６）からたたき出されたニッケルとリンの粒
子は、ニッケルとリンの夫々の融点、菖気圧の差にかか
わらず、この合金の組成に従ったｊｌｉ１合である。こ
のため第３図（Ｃ）に示すように半導体ウェーハ（８）
の粗面には、Ｎｉ −Ｐの合りのスパックＨｒ；、（ａ
）がターゲット （６）す、その最Ｂ Ｉｉ’ｌは５０
００上２０００ 久である。なお上記スパッタリングは
、マグネトロンスパッタ、・イオンブレーティング、ク
ライスターイオンビーム′、）によっで７．３：される
。
このようにスパッタリングによってＮｉ −Ｐのｆン金
屑が形成されると、この上に第３図（ｄ）に示すように
八ｇ、八〇、又はＳｎ−へｇ等の金属屑（１０）を’Ａ
＋’Ｓ 私が、俗ニより３０００Ａ 〜３００００ス（
最適値は１００００ ±２０００ Ａ ）の膜厚で被管
形成する。
屑が形成されると、この上に第３図（ｄ）に示すように
八ｇ、八〇、又はＳｎ−へｇ等の金属屑（１０）を’Ａ
＋’Ｓ 私が、俗ニより３０００Ａ 〜３００００ス（
最適値は１００００ ±２０００ Ａ ）の膜厚で被管
形成する。
そして最後に３００℃〜５００°Ｃの窒素ガス雰囲気で
３０分〜３時間（最適値は４００１５０℃で６０分）熱
処理し、半導体ウェーハ（８）のシリコノン眉、Ｎ１−
Ｐの合金層（９）及び金Ｆｊ′Ｓ層（ｌＯ）の密着性を
高め機械的電気的に安定化する。
３０分〜３時間（最適値は４００１５０℃で６０分）熱
処理し、半導体ウェーハ（８）のシリコノン眉、Ｎ１−
Ｐの合金層（９）及び金Ｆｊ′Ｓ層（ｌＯ）の密着性を
高め機械的電気的に安定化する。
なお上記実施例はＮ１−Ｐの合金層（７ａ）で′Ｉ！′
Ｊ覆したターゲット（６）を用いていたが、ターゲット
に用いる合金の種類はこの実施ｆｆｌ＋に］：ｒ！られ
るものではなく、導電型決定不純物を一定の組成で含む
合金であればよい。
Ｊ覆したターゲット（６）を用いていたが、ターゲット
に用いる合金の種類はこの実施ｆｆｌ＋に］：ｒ！られ
るものではなく、導電型決定不純物を一定の組成で含む
合金であればよい。
へ０発明の効果
本発明は導電型決定不社ｑ！りを一定の組成で含む金Ｗ
ｍからなるターゲットを用いて、半えマ体つェーへにス
パッタリングを行うから、オーミックコンタクトを形成
する合金１５を、導ｆｉ ｇｊ、！ ｉツ一定不純物を
均一な組成で含み、且つ、半λ１（’Ｆ・“ノエーハに
密着性良いものとして形成できイ）。′ｊ゛なわち導電
型決定不純物の濃度が高くなり１゛ぎることがなく、！
特性が高い安定し７だ合金バ１となるので、機械的強度
が大きく、パワーザイクル等の寿命試験に対してＰ、々
Ｙな特性を示すものになる。また本発明方法は高り辺度
不純物Ｉゴの形成、＋、 ｉａ：及法によらず、スパッ
タ法により行うので、その処理Ｈ，Ｙ間を罵Ｓｊｌでき
口造中に発生ずる：１ ノ：、Ｊ、体ウェーハ（つ’、
：：：Ｊ ：：１．の先生率を低減化でき歩留りを向上
でｊる。また本発明方法の半導体ウェーハの処理：：Ｌ
ノノキｔ、Σを使用しないドライ法によって行なわれる
ので、メッキ液を使用した楊合のような半導体ウェーハ
の汚れがなくなり、Ｚ・、、！苗された′：Ｉｉ；：ワ
体装近の’ＰＨ生を良な了にすることができる。またＮ
ｉ Ｐの合金層を持つターゲソＩ−をトン用する′、！
：Ｊ合、その製造を、無電解ニッケルメッキとこまって
行なえるから、その合金層の２１成を均−ｊこてきる。
ｍからなるターゲットを用いて、半えマ体つェーへにス
パッタリングを行うから、オーミックコンタクトを形成
する合金１５を、導ｆｉ ｇｊ、！ ｉツ一定不純物を
均一な組成で含み、且つ、半λ１（’Ｆ・“ノエーハに
密着性良いものとして形成できイ）。′ｊ゛なわち導電
型決定不純物の濃度が高くなり１゛ぎることがなく、！
特性が高い安定し７だ合金バ１となるので、機械的強度
が大きく、パワーザイクル等の寿命試験に対してＰ、々
Ｙな特性を示すものになる。また本発明方法は高り辺度
不純物Ｉゴの形成、＋、 ｉａ：及法によらず、スパッ
タ法により行うので、その処理Ｈ，Ｙ間を罵Ｓｊｌでき
口造中に発生ずる：１ ノ：、Ｊ、体ウェーハ（つ’、
：：：Ｊ ：：１．の先生率を低減化でき歩留りを向上
でｊる。また本発明方法の半導体ウェーハの処理：：Ｌ
ノノキｔ、Σを使用しないドライ法によって行なわれる
ので、メッキ液を使用した楊合のような半導体ウェーハ
の汚れがなくなり、Ｚ・、、！苗された′：Ｉｉ；：ワ
体装近の’ＰＨ生を良な了にすることができる。またＮ
ｉ Ｐの合金層を持つターゲソＩ−をトン用する′、！
：Ｊ合、その製造を、無電解ニッケルメッキとこまって
行なえるから、その合金層の２１成を均−ｊこてきる。
因にこのＮｉ −Ｐ合金層す１を（、゛「つターゲット
を貫空熔ｆπ法で形成しようとしＣも、リン（■〕）が
低融点・低メ―気圧なのでリン（Ｐ ＞が先に気化して
しまい均・−な合金１１１ができない。ま）こ金属焼結
法で形成しようとしてもリン（■））が（ｒ５ Ｊ斤す
るので、やはり均一なメ■成と；２、！’、Ｓ ７：）
ない。
を貫空熔ｆπ法で形成しようとしＣも、リン（■〕）が
低融点・低メ―気圧なのでリン（Ｐ ＞が先に気化して
しまい均・−な合金１１１ができない。ま）こ金属焼結
法で形成しようとしてもリン（■））が（ｒ５ Ｊ斤す
るので、やはり均一なメ■成と；２、！’、Ｓ ７：）
ない。
第１図（ａ）乃至第１図（ｃ））はｆｊｅ ３（Ｅ例で
ある薄エビ法によるオーミックコンタク］・形ｉｒＱ
、’１法の各工程を示す断面図、第２１ｙ１は本発明に
１芋。 るクーゲットの説明図、第３１！１（ａ）乃至第３図（
ｄ）は本発明の一実施例の各工程を示−１１−１ｔｉ面
図である。 （６）・・クーゲット、（７ａ）・・導電型；゛１ｚ定
不純物を含む金属層、（８）・・半ｉ、？７体つ工−ハ
、（９）・・スパッタ法により形ｈＩシさｔ＋、ん合金
層。 特Ｃ′［出願人 関西日本電気株式会？−！−：、’：
１ 、□１ 代 理 人 江 原 省 バ ゝ ′ 江 原 秀 ｉ ｊ １．□・□”！パ：ｉ°１□１・
−・［゛ １１１・、’ ｌ！ｊ’ｊ、” 、’ｉ ｌ ’Ｆ３ （４） ｆ５２図１ し１２図（０） 鰭？図（巻 ｉＪ ８図（、ｃ） 蕗３図（ｄ）
ある薄エビ法によるオーミックコンタク］・形ｉｒＱ
、’１法の各工程を示す断面図、第２１ｙ１は本発明に
１芋。 るクーゲットの説明図、第３１！１（ａ）乃至第３図（
ｄ）は本発明の一実施例の各工程を示−１１−１ｔｉ面
図である。 （６）・・クーゲット、（７ａ）・・導電型；゛１ｚ定
不純物を含む金属層、（８）・・半ｉ、？７体つ工−ハ
、（９）・・スパッタ法により形ｈＩシさｔ＋、ん合金
層。 特Ｃ′［出願人 関西日本電気株式会？−！−：、’：
１ 、□１ 代 理 人 江 原 省 バ ゝ ′ 江 原 秀 ｉ ｊ １．□・□”！パ：ｉ°１□１・
−・［゛ １１１・、’ ｌ！ｊ’ｊ、” 、’ｉ ｌ ’Ｆ３ （４） ｆ５２図１ し１２図（０） 鰭？図（巻 ｉＪ ８図（、ｃ） 蕗３図（ｄ）
Claims (1)
- ｆｊ−） 心電型決定不純！！力を含む金属層を有する
クーゲットを形成する工程と、上記ターゲットを用いス
パック法により半導体ウェーハにオーミノクコンクク１
〜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の型造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175844A JPS6066815A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175844A JPS6066815A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066815A true JPS6066815A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=16003200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175844A Pending JPS6066815A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066815A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02163971A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58175844A patent/JPS6066815A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02163971A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
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