JPS6187866A - アルミニウム蒸着法 - Google Patents
アルミニウム蒸着法Info
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- JPS6187866A JPS6187866A JP21102484A JP21102484A JPS6187866A JP S6187866 A JPS6187866 A JP S6187866A JP 21102484 A JP21102484 A JP 21102484A JP 21102484 A JP21102484 A JP 21102484A JP S6187866 A JPS6187866 A JP S6187866A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路用リードフレームのアルミニウ
ム蒸着法に関し、更に詳しくは鉄、銅合金または鉄−ニ
ッケル合金からなる半導体集積回路用リードフレームに
アルミニウムを薄層コーティングするイオンプレーティ
ング法に関する。
ム蒸着法に関し、更に詳しくは鉄、銅合金または鉄−ニ
ッケル合金からなる半導体集積回路用リードフレームに
アルミニウムを薄層コーティングするイオンプレーティ
ング法に関する。
従来技術
半導体集積回路装置（以下簡単のためＩｃという）のパ
ッケージにおいて、添付第１図に示すように、リードフ
レーム１と半導体チップ２とは半導体チップ２上のアル
ミニウム電極３を介してボンディングワイヤ４によって
相互に結合され、外部電極（図示せず）と接続されてい
る。また、リードフレーム１上にはリードフレーム１と
ボンディングワイヤ４との結合を容易にするための蒸着
膜、電気メツキ膜あるいはロールクラッド処理による金
属もしくは合金膜５が施されている。
ッケージにおいて、添付第１図に示すように、リードフ
レーム１と半導体チップ２とは半導体チップ２上のアル
ミニウム電極３を介してボンディングワイヤ４によって
相互に結合され、外部電極（図示せず）と接続されてい
る。また、リードフレーム１上にはリードフレーム１と
ボンディングワイヤ４との結合を容易にするための蒸着
膜、電気メツキ膜あるいはロールクラッド処理による金
属もしくは合金膜５が施されている。
このリードフレーム１上の電気メツキ膜５は、一般にそ
の大半がＡｕ、 Ａｇ等の貴金属であり、これらは極め
て高価である。更に、ボンディングワイヤ４としてアル
ミニウムを使用した場合、八ｕ Ａｌ、Ａｇ−Ａｌ間
に複雑な金属間化合物が形成され脆し）合金層が形成さ
れるためにボンディング部の脆化が大きな問題となって
いた。
の大半がＡｕ、 Ａｇ等の貴金属であり、これらは極め
て高価である。更に、ボンディングワイヤ４としてアル
ミニウムを使用した場合、八ｕ Ａｌ、Ａｇ−Ａｌ間
に複雑な金属間化合物が形成され脆し）合金層が形成さ
れるためにボンディング部の脆化が大きな問題となって
いた。
そこで、アルミニウム膜をリードフレーム１上にロール
クラッド法により形成する方法も考えられたが、アルミ
ニウム膜をクラッドする際の方向性、精度により制約さ
れる点もあって、すべてのリードフレーム形状に適合さ
せることはできなかった。
クラッド法により形成する方法も考えられたが、アルミ
ニウム膜をクラッドする際の方向性、精度により制約さ
れる点もあって、すべてのリードフレーム形状に適合さ
せることはできなかった。
このような状況の下で、第２図に示すような真空蒸着法
、即ち真空チェンバー６内を排気管７を介して１０−２
〜１０−５ｔｏｒｒ程度まで排気し、るつぼ８内に収納
されたアルミニウムを電子銃９からの電子ビーム１０に
より気化（１１） Ｌ、チェンバー上方に置かれたリー
ドフレーム１にアルミニウムを蒸着させる方法も提案さ
れた。
、即ち真空チェンバー６内を排気管７を介して１０−２
〜１０−５ｔｏｒｒ程度まで排気し、るつぼ８内に収納
されたアルミニウムを電子銃９からの電子ビーム１０に
より気化（１１） Ｌ、チェンバー上方に置かれたリー
ドフレーム１にアルミニウムを蒸着させる方法も提案さ
れた。
しかしながら、このような蒸着法によりアルミニウム薄
膜を蒸着したＩｃＩＪ−ドフレームには、以下のような
諸問題点が存在することが明らかとなっている。
膜を蒸着したＩｃＩＪ−ドフレームには、以下のような
諸問題点が存在することが明らかとなっている。
（ｉ）！Ｊ−ドフレーム表面の油、異物等の付着はコー
テイング後のアルミニウム薄膜の剥離や加熱発泡の原因
となっていた。
テイング後のアルミニウム薄膜の剥離や加熱発泡の原因
となっていた。
（ｉｉ）前記蒸着法では、アルミニウム原子がり−ドフ
レーム上で柱状結晶状に形成され、かつ粗大化するため
、その柱状結晶界面において水分などの浸食を受は易い
。例えば、レジンモールドされるＩＣでは、レジン中の
水分による粒界浸食を受けるためにＩＣの信頼性が低下
する結果となる。
レーム上で柱状結晶状に形成され、かつ粗大化するため
、その柱状結晶界面において水分などの浸食を受は易い
。例えば、レジンモールドされるＩＣでは、レジン中の
水分による粒界浸食を受けるためにＩＣの信頼性が低下
する結果となる。
そこで、これらの問題を改善する目的で、アルミニウム
原子をイオン化させ、基板表面上に衝突させるイオンプ
レーティング法（第３図参照）が提案された。
原子をイオン化させ、基板表面上に衝突させるイオンプ
レーティング法（第３図参照）が提案された。
該イオンプレーティング法は、るつぼ８内に収納された
アルミニウムを電子銃９からの電子ビームにより蒸発さ
せ、気化したアルミニウム１１を例えば高周波励起コイ
ル１２でイオン化（アルミニウムイオン：１３）Ｌ、一
方リードフレーム１には負のバイアス１４を印加して、
フレーム１上にアルミニウム薄膜を形成することからな
る。
アルミニウムを電子銃９からの電子ビームにより蒸発さ
せ、気化したアルミニウム１１を例えば高周波励起コイ
ル１２でイオン化（アルミニウムイオン：１３）Ｌ、一
方リードフレーム１には負のバイアス１４を印加して、
フレーム１上にアルミニウム薄膜を形成することからな
る。
−この方法はリードフレームとアルミニウム薄膜との密
着性並びに該薄膜の耐食性を向上させる上で好ましいも
のであるとされているが、この方法をＩＣ用リードフレ
ームに適応させるための薄膜形成条件、工業規模での形
成条件は今のところ十分に研究されていないのが実状で
あった。
着性並びに該薄膜の耐食性を向上させる上で好ましいも
のであるとされているが、この方法をＩＣ用リードフレ
ームに適応させるための薄膜形成条件、工業規模での形
成条件は今のところ十分に研究されていないのが実状で
あった。
発明の目的
本発明の目的はＩＣ用リードフレームのアルミニウム蒸
着のために最適のイオンプレーティング法を（是（共す
ることにある。
着のために最適のイオンプレーティング法を（是（共す
ることにある。
発明の構成
本発明者は前記の如き従来法の現状に鑑みて、特にＩＣ
用リードフレームのアルミニウム薄膜コーティングに適
した蒸着法を開発すべく種々検討、研究した結果、まず
被蒸着リードフレームを所定の条件下でイオンスパッタ
リング処理にかけ、次いで同様に所定の条件下でイオン
プレーティング処理することが前記従来法の諸欠点を克
服する上で極めて有効であることを知った。本発明はこ
のような新規知見に基づくものである。
用リードフレームのアルミニウム薄膜コーティングに適
した蒸着法を開発すべく種々検討、研究した結果、まず
被蒸着リードフレームを所定の条件下でイオンスパッタ
リング処理にかけ、次いで同様に所定の条件下でイオン
プレーティング処理することが前記従来法の諸欠点を克
服する上で極めて有効であることを知った。本発明はこ
のような新規知見に基づくものである。
即ち、本発明の蒸着法は、被蒸着体としてのリードフレ
ームをｌ、 Ｑｔｏｒｒ以下のアルゴンガス中に維持し
、該アルゴンガスをイオン化させ、一方で該リードフレ
ームに０．１にＶ以上の負のバイアスを印加させて、３
〜２０分間該リードフレームをイオンスパッタリング処
理し、次いでアルゴンガスを注入しつつ１０−２〜１０
−５ｔｏｒｒＯ下でアルミニウムを気化させ、かつイオ
ン化させ、該リードフレームに０．１〜３ＫＶの負のバ
イアスを印加してアルミニウムイオンを該リードフレー
ム上にイオンプレーティングすることを特徴とする。
ームをｌ、 Ｑｔｏｒｒ以下のアルゴンガス中に維持し
、該アルゴンガスをイオン化させ、一方で該リードフレ
ームに０．１にＶ以上の負のバイアスを印加させて、３
〜２０分間該リードフレームをイオンスパッタリング処
理し、次いでアルゴンガスを注入しつつ１０−２〜１０
−５ｔｏｒｒＯ下でアルミニウムを気化させ、かつイオ
ン化させ、該リードフレームに０．１〜３ＫＶの負のバ
イアスを印加してアルミニウムイオンを該リードフレー
ム上にイオンプレーティングすることを特徴とする。
本発明の蒸着法を更に詳しく説明する。
本発明の方法によれば、アルミニウムを蒸着すべきリー
ドフレームはまずイオン化アルゴンガスによるスパッタ
リング処理に付される。このスパッタリング処理は被蒸
着体表面の洗浄効果を有し、その結果後の蒸着工程にお
いて該被蒸着体表面に対する蒸着物質の付着強度を高め
る上で極めて重要な工程である。即ち、この工程におい
て、従来法においてみられた被蒸着体上の油分、異物等
が有効に除去されることになる。
ドフレームはまずイオン化アルゴンガスによるスパッタ
リング処理に付される。このスパッタリング処理は被蒸
着体表面の洗浄効果を有し、その結果後の蒸着工程にお
いて該被蒸着体表面に対する蒸着物質の付着強度を高め
る上で極めて重要な工程である。即ち、この工程におい
て、従来法においてみられた被蒸着体上の油分、異物等
が有効に除去されることになる。
このスパッタリング処理においてリードフレームに印加
すべき負のバイアス並びにスパッタリング時間は臨界的
である。前者は０．ＩＫＶ以上、好ましく ハ０．１〜
１．０ＫＶ〕範囲内テアリ、０．１ＫＶ１．：満だない
場合にはスパッタリング効果が期待できない。尚、ｌＫ
Ｖを越えるバイアスを印加してもそれ程大きな効果が期
待てきないので経済的には望ましくない。一方、スパッ
タリング時間は３〜２０分、好ましくは５〜１０分の範
囲内であり、３分に満たない場合には前述の被蒸着面の
洗浄効果、ひいては蒸着物質の十分な付着強度を得るこ
とが不可能となり、蒸着膜の剥離等の問題を解決するこ
とができず、また、上限の２０分を越えてスパッタリン
グ処理しても上記効果はそれ程大きな改善が期待できず
、経済的観点、工業生産的観点からも望ましくない。
すべき負のバイアス並びにスパッタリング時間は臨界的
である。前者は０．ＩＫＶ以上、好ましく ハ０．１〜
１．０ＫＶ〕範囲内テアリ、０．１ＫＶ１．：満だない
場合にはスパッタリング効果が期待できない。尚、ｌＫ
Ｖを越えるバイアスを印加してもそれ程大きな効果が期
待てきないので経済的には望ましくない。一方、スパッ
タリング時間は３〜２０分、好ましくは５〜１０分の範
囲内であり、３分に満たない場合には前述の被蒸着面の
洗浄効果、ひいては蒸着物質の十分な付着強度を得るこ
とが不可能となり、蒸着膜の剥離等の問題を解決するこ
とができず、また、上限の２０分を越えてスパッタリン
グ処理しても上記効果はそれ程大きな改善が期待できず
、経済的観点、工業生産的観点からも望ましくない。
前記第１段階において、アルゴンのイオン化は種々の公
知法を利用できるが、特に高周波励起法または直流電界
法を例示できる。
知法を利用できるが、特に高周波励起法または直流電界
法を例示できる。
かくして、第１段階としてのイオンスパッタリング処理
に付され、表面が清浄化され、かつ蒸着物質に対する付
着強度が改善されたリードフレームの表面上には、次い
でイオンプレーティング法によりアルミニウム薄膜が形
成される。
に付され、表面が清浄化され、かつ蒸着物質に対する付
着強度が改善されたリードフレームの表面上には、次い
でイオンプレーティング法によりアルミニウム薄膜が形
成される。
ここで、アルミニウムの気化は特に制限はなく、従来公
知の各種方法に従って実施でき、典型的な例としては電
子ビーム加熱法、高周波加熱法、抵抗加熱法などをあげ
ることができる。また、気化されたアルミニウム原子の
イオン化もその手段に制限はなく、例えば高周波励起法
、直流電界法等で実施できる。
知の各種方法に従って実施でき、典型的な例としては電
子ビーム加熱法、高周波加熱法、抵抗加熱法などをあげ
ることができる。また、気化されたアルミニウム原子の
イオン化もその手段に制限はなく、例えば高周波励起法
、直流電界法等で実施できる。
このイオンプレーティング処理においてもリードフレー
ムに印加すべき負のバイアスは本発明の方法において臨
界的であって、０．１〜３ＫＶ、好ましくは０．５〜３
．０ＫＶの範囲内でなければならない。
ムに印加すべき負のバイアスは本発明の方法において臨
界的であって、０．１〜３ＫＶ、好ましくは０．５〜３
．０ＫＶの範囲内でなければならない。
バイアスが下限の０．１にＶに満たない場合には、従来
法と同様にイオン化されたアルミニウム粒子はリードフ
レーム上で微細な柱状晶を形成する傾向が大きく、また
上限の３ＫＶを越えるバイアスで印加しても、微細結晶
化効果において有意な差を与えず、設備コスト上割高と
なるので経済的もしくは工業生産的観点から好ましくな
い。
法と同様にイオン化されたアルミニウム粒子はリードフ
レーム上で微細な柱状晶を形成する傾向が大きく、また
上限の３ＫＶを越えるバイアスで印加しても、微細結晶
化効果において有意な差を与えず、設備コスト上割高と
なるので経済的もしくは工業生産的観点から好ましくな
い。
更に、蒸着後に半導体チップをバッキングする際に、ア
ルミニウムからなるボンディングワイヤとアルミニウム
被覆を有するリードフレームとを自動ボンダーで結合す
るためには、アルミニウム蒸着薄膜の厚さを０．５〜８
μ、好ましくは０．８〜５μの範囲とすることが有利で
あることが、本発明者の経験によってわかった。従って
、特にボンディングワイヤを自動ボンダーで結合するた
めにはアルミニウム被覆の厚さは臨界的であって、上記
範囲内としなければならない。
ルミニウムからなるボンディングワイヤとアルミニウム
被覆を有するリードフレームとを自動ボンダーで結合す
るためには、アルミニウム蒸着薄膜の厚さを０．５〜８
μ、好ましくは０．８〜５μの範囲とすることが有利で
あることが、本発明者の経験によってわかった。従って
、特にボンディングワイヤを自動ボンダーで結合するた
めにはアルミニウム被覆の厚さは臨界的であって、上記
範囲内としなければならない。
尚、本発明の蒸着方法を適用するためのリードフレーム
は、鉄、鉄−ニッケル合金、銅合金等である。しかし、
本発明の蒸着法は目的とするＩＣリードフレーム以外に
ついても当然適用することができ、同様に十分な効果を
期待できるものと理解すべきである。前記リードフレー
ム以外の応用例としては、セラミック、その池の無機物
、有機物（プラスチック等）等を挙げることができ、同
様に密着性並びに耐食性に優れたアルミニウム薄膜を形
成し得ることがわかっている。
は、鉄、鉄−ニッケル合金、銅合金等である。しかし、
本発明の蒸着法は目的とするＩＣリードフレーム以外に
ついても当然適用することができ、同様に十分な効果を
期待できるものと理解すべきである。前記リードフレー
ム以外の応用例としては、セラミック、その池の無機物
、有機物（プラスチック等）等を挙げることができ、同
様に密着性並びに耐食性に優れたアルミニウム薄膜を形
成し得ることがわかっている。
発明の効果
本発明の蒸着法によれば、まず所定の条件下でイオン化
されたアルゴンガスによりイオンスパッタリングし、次
いで所定条件下でアルゴン雰囲気下にイオン化されたア
ルミニウムガスをイオンプレーティングすることにより
、従来問題となっていた被蒸着体表面上の油、異物等に
基づく蒸着膜の剥離、柱状晶形成、これに基づく後の水
分等による浸食等を効果的に回避することを可能とし、
微細な結晶構造の安定な蒸着膜を形成することができる
。
されたアルゴンガスによりイオンスパッタリングし、次
いで所定条件下でアルゴン雰囲気下にイオン化されたア
ルミニウムガスをイオンプレーティングすることにより
、従来問題となっていた被蒸着体表面上の油、異物等に
基づく蒸着膜の剥離、柱状晶形成、これに基づく後の水
分等による浸食等を効果的に回避することを可能とし、
微細な結晶構造の安定な蒸着膜を形成することができる
。
更に説明すると、以下の実施例において証明されるであ
ろうように、本発明の蒸着法により得られるアルミニウ
ム薄膜は耐熱性、耐食性並びに耐発泡剥離性において極
めて優れている。
ろうように、本発明の蒸着法により得られるアルミニウ
ム薄膜は耐熱性、耐食性並びに耐発泡剥離性において極
めて優れている。
尚、蒸着膜の厚さを所定範囲内に制御した場合には自動
ボンダーによるボンディング性においても極めて良好な
結果を与える。
ボンダーによるボンディング性においても極めて良好な
結果を与える。
ス韮男
以下、本発明を実施例に従って更に具体的に説明する。
ただし、これら実施例は単に例示のためのものであり、
本発明の範囲を何隻制限しない。
本発明の範囲を何隻制限しない。
厚さ０．２５ｍｒｎの４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）
あるいは銅合金（オリーン１９５など）製のリードフレ
ームを、まず真空炉内で排気しつつアルゴンガスを注入
し、１０−１〜１０−２ｔｏｒｒの圧力下でリードフレ
ームに０．１〜１．０ＫＶの範囲の種々の負のバイアス
を印加し、一方直流電界法によりアルゴンガスをイオン
化させて、該イオンをリードフレーム表面に３〜２０分
の範囲の種々の時間照射することによりイオンスパッタ
リング処理した。
あるいは銅合金（オリーン１９５など）製のリードフレ
ームを、まず真空炉内で排気しつつアルゴンガスを注入
し、１０−１〜１０−２ｔｏｒｒの圧力下でリードフレ
ームに０．１〜１．０ＫＶの範囲の種々の負のバイアス
を印加し、一方直流電界法によりアルゴンガスをイオン
化させて、該イオンをリードフレーム表面に３〜２０分
の範囲の種々の時間照射することによりイオンスパッタ
リング処理した。
次いで、前記のようにイオンスパッタリング処理を施し
た後、ただちに１０−３〜１０−’ｔｏｒｒのアルゴン
雰囲気下で、アルミニウムを電子ビームにより気化し、
かつ高周波（１３，５６ＭＨｚ ； １００Ｗ ）で励
起してイオン化し、一方リードフレームに０．１〜３．
０ＫＶの範囲内の種々の負のバイアスを印加して、イオ
ン化されたアルミニウムガスをリードフレーム表面に蒸
着させた。蒸着時間は、夫々形成されるアルミニウム蒸
着薄膜の厚さが０．２〜９．０μの範囲内の所定の値と
なるように決めた。
た後、ただちに１０−３〜１０−’ｔｏｒｒのアルゴン
雰囲気下で、アルミニウムを電子ビームにより気化し、
かつ高周波（１３，５６ＭＨｚ ； １００Ｗ ）で励
起してイオン化し、一方リードフレームに０．１〜３．
０ＫＶの範囲内の種々の負のバイアスを印加して、イオ
ン化されたアルミニウムガスをリードフレーム表面に蒸
着させた。蒸着時間は、夫々形成されるアルミニウム蒸
着薄膜の厚さが０．２〜９．０μの範囲内の所定の値と
なるように決めた。
これとは別に、比較の目的で従来の蒸着法および単なる
イオンプレーティング法に従って、同じリードフレーム
上にアルミニウム薄膜を夫々形成した。
イオンプレーティング法に従って、同じリードフレーム
上にアルミニウム薄膜を夫々形成した。
詳しい製造条件を以下の表に示す。
かくして種々の条件下で形成されたアルミニウム蒸着薄
膜を４５０℃にて１０分間維持する加熱テス） ；
１２０℃、１００％湿度、２気圧なる条件で行われるＰ
［：Ｔ （プレッシャー・クツカーテスト）、自動ボン
ダーによるボンディングテストに供し、各種物性を測定
し、併せて比較のために従来法による薄膜の結果をも以
下の表に示した。
膜を４５０℃にて１０分間維持する加熱テス） ；
１２０℃、１００％湿度、２気圧なる条件で行われるＰ
［：Ｔ （プレッシャー・クツカーテスト）、自動ボン
ダーによるボンディングテストに供し、各種物性を測定
し、併せて比較のために従来法による薄膜の結果をも以
下の表に示した。
以下の結果から明らかな如く、本発明の製造条件の範囲
内にある試料ｃ、Ｄ、Ｆについては十分な特性を有して
いることがわかる。イオンスパッタリング時間が短いＡ
については剥離性の点て劣り、イオンプレーティング処
理を施してないＢは耐食性において問題があり、蒸着膜
の膜厚が厚すぎる（９μ）Ｅでは予想通リボンディング
性において不十分であり、かつ逆に蒸着膜が薄すぎる（
０，２μ）Ｇについてもボンディング性に劣っているこ
とがわかる。
内にある試料ｃ、Ｄ、Ｆについては十分な特性を有して
いることがわかる。イオンスパッタリング時間が短いＡ
については剥離性の点て劣り、イオンプレーティング処
理を施してないＢは耐食性において問題があり、蒸着膜
の膜厚が厚すぎる（９μ）Ｅでは予想通リボンディング
性において不十分であり、かつ逆に蒸着膜が薄すぎる（
０，２μ）Ｇについてもボンディング性に劣っているこ
とがわかる。
一方、通常の蒸着法で形成した薄膜は発泡剥離性、耐食
性いずれについても不満足であるが、膜厚が本発明の範
囲内にあるＩについてはボンディング性は良好であり、
−力木発明の範囲外の膜厚を有する■では当然のことな
がらボンディング性も不十分てあり、本発明の意図する
ＩＣＩＪ−ドフレームとして使用することは難しい。
性いずれについても不満足であるが、膜厚が本発明の範
囲内にあるＩについてはボンディング性は良好であり、
−力木発明の範囲外の膜厚を有する■では当然のことな
がらボンディング性も不十分てあり、本発明の意図する
ＩＣＩＪ−ドフレームとして使用することは難しい。
第１図は、本発明の蒸着法で特に目的とする半導体集積
回路の半導体チップのバッキングにおけるリードフレー
ムと半導体チップの結合状態を示す概略図であり、 第２図および第３図は夫々従来の蒸着法を説明するため
の図である。 （主な参照番号） １：リードフレーム、２：半導体チップ、３：へｌ電極
、 ４：ボンディングワイヤ、５：メッキ層（
クラブト層）、 ６：真空チェンバー、７：排気管、 ８：るつぼ、 ９；電子銃、 ｌＯ：電子ビーム、１
１：Ａｌ蒸気、 １２；高周波励起コイノペ１３ニアル
ミニウムイオン、１４：バイアス特許出願人 住友電気
工業株式会社 新技術開発事業団
回路の半導体チップのバッキングにおけるリードフレー
ムと半導体チップの結合状態を示す概略図であり、 第２図および第３図は夫々従来の蒸着法を説明するため
の図である。 （主な参照番号） １：リードフレーム、２：半導体チップ、３：へｌ電極
、 ４：ボンディングワイヤ、５：メッキ層（
クラブト層）、 ６：真空チェンバー、７：排気管、 ８：るつぼ、 ９；電子銃、 ｌＯ：電子ビーム、１
１：Ａｌ蒸気、 １２；高周波励起コイノペ１３ニアル
ミニウムイオン、１４：バイアス特許出願人 住友電気
工業株式会社 新技術開発事業団
Claims (9)
- （１）被蒸着体を１．０ｔｏｒｒ以下のアルゴンガス雰
囲気内に維持し、該アルゴンガスをイオン化させ、一方
該被蒸着体に０．１ＫＶ以上の負のバイアスを印加して
、３〜２０分間該被蒸着体表面をイオンスパッタリング
し、次いでアルゴンガスを注入しつつ１０＾−＾２〜１
０＾−＾５ｔｏｒｒの下でアルミニウムを気化させ、か
つイオン化させ、一方該被蒸着体に０．１〜３ＫＶの負
のバイアスを印加して、該被蒸着体にアルミニウムをイ
オンプレーティングすることを特徴とするアルミニウム
蒸着方法。 - （２）前記被蒸着体が半導体集積回路用リードフレーム
であり、アルミニウム蒸着膜の膜厚が０．５〜８μの範
囲内である特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （３）該リードフレームが銅合金、鉄・ニッケル合金ま
たは鉄製である特許請求の範囲第２項記載の方法。 - （４）前記イオンスパッタリング時の負のバイアスが０
．１〜１．０ＫＶである特許請求の範囲第１〜３項のい
ずれか１項に記載の方法。 - （５）前記イオンスパッタリング時間が５〜１０分の範
囲内である特許請求の範囲第１〜４項のいずれか１項に
記載の方法。 - （６）前記アルゴンのイオン化を高周波励起法または直
流電界法により行うことを特徴とする特許請求の範囲第
１〜５項のいずれか１項に記載の方法。 - （７）前記イオンプレーティング時の負のバイアスが０
．５〜３．０ＫＶの範囲内である特許請求の範囲第１〜
６項記載の方法。 - （８）前記イオンプレーティング時のアルミニウムの気
化を電子ビーム加熱、高周波加熱または抵抗加熱で行う
特許請求の範囲第１〜７項のいずれか１項に記載の方法
。 - （９）前記イオンプレーティング時のアルミニウムのイ
オン化を高周波励起法または直流電界法により行う特許
請求の範囲第１〜８項のいずれか１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21102484A JPS6187866A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | アルミニウム蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21102484A JPS6187866A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | アルミニウム蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187866A true JPS6187866A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16599089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21102484A Pending JPS6187866A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | アルミニウム蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187866A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164230A (en) * | 1989-11-08 | 1992-11-17 | U.S. Philips Corporation | Method of applying a boron layer to a steel substrate by a cvd process |
| US5217817A (en) * | 1989-11-08 | 1993-06-08 | U.S. Philips Corporation | Steel tool provided with a boron layer |
| KR100384449B1 (ko) * | 1999-12-13 | 2003-05-22 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 밀착력 및 증착효율이 향상된 알루미늄 피막의 제조방법 |
| KR100493187B1 (ko) * | 1997-11-13 | 2005-09-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 건식도금법을이용한리드프레임과그제조방법 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP21102484A patent/JPS6187866A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164230A (en) * | 1989-11-08 | 1992-11-17 | U.S. Philips Corporation | Method of applying a boron layer to a steel substrate by a cvd process |
| US5217817A (en) * | 1989-11-08 | 1993-06-08 | U.S. Philips Corporation | Steel tool provided with a boron layer |
| KR100493187B1 (ko) * | 1997-11-13 | 2005-09-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 건식도금법을이용한리드프레임과그제조방법 |
| KR100384449B1 (ko) * | 1999-12-13 | 2003-05-22 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 밀착력 및 증착효율이 향상된 알루미늄 피막의 제조방법 |
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