JPS6351629A

JPS6351629A - シリコン基板への電極形成法

Info

Publication number: JPS6351629A
Application number: JP19404786A
Authority: JP
Inventors: Kinji Sugiyama; 欣二杉山
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 1986-08-21
Filing date: 1986-08-21
Publication date: 1988-03-04
Also published as: JPH0581049B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、シリコン基板への電極形成法、特にアルゴン
プラズマを利用してイオンブレーティングを行うシリコ
ン基板への電極形成法に関連する。

焚米立投帆汎用形パワートランジスタ及び整流ダイオード等の個別
半導体装置におけるシリコン基板電極の形成法としては
、無電解ニッケルメッキ法が多用されている。無電解ニ
ッケルメッキ法を使用する理由は、ニッケルに対する半
田の濡れ性が良好で。

また、前記半導体装置の製造の際、金属製リード材やス
テ１１材等の外部電極とシリコン基板とを半田で接続す
ると、良好な電気的特性、熱的特性及び大きな機械的強
度の接続を得ることができるからである。

次に、無電解ニッケルメッキ法によってシリコン基板に
電極を形成する里程を示す第４図（ａ）〜（ｄ）に従っ
て説明する０図中（ａ）において、４１は、既に熱拡散
法による不純物導入でＰ−Ｎ接合が形成されたシリコン
基板である。４２は、シリコン基板４１の表面に無電解
ニッケルメッキ法で形成されたニッケルを主成分とする
ニッケルメッキの第１層である。

第４図（ｂ）は、（ａ）のシリコン基板を窒素ガス中。

５５０〜７００℃で３０分〜１時間熱処理を施した状態
を示す、４２ａは、第１層４２の一部が熱処理によりシ
リコン基板４１に拡散した残部である。４３は、第１層
４２がシリコン基板４１に拡散して形成されたニッケル
シリサイド層である。

熱処理前の状態（ａ）の第１層４２は、シリコン基板４
１への密着力が弱い上に、半導体装置の電気的特性とし
て必要な抵抗性接触（オーミック接触）は得られない、
しかし、熱処理後の状態（ｂ）では、密着力が強化され
、抵抗性接触も得られる。

ただし、外部電極と接続するため残部４２ａに溶融半田
を接触させても、濡れ性を得ることはできない、即ち、
無電解ニッケルメッキ法に使用されるメッキ浴は、主成
分である塩化ニッケルと添加剤のフォスフイン酸ソーダ
とを含み、フォスフイン酸の還元作用を利用してニッケ
ルをシリコン基板上に析出させる。従って、析出したニ
ッケル層中には多量（３〜１０重量％）の燐が含有され
ている。この析出したニッケル層は、熱処理によって相
変化を起こし、非晶質から結晶質に転じ燐化ニッケル（
ＮｉｉＰ）を生じる。この際、反応に関与しない余剰の
燐成分は気中に蒸発する。燐化ニッケルは化学的にも安
定な成分であり、燐化ニッケルを含むニッケル層では溶
融半田に対する濡れ性を得ることができないのである。

従って、溶融半田に対する濡れ性を得るためには、更に
下記の処理が必要である。

第４図（ｃ）は、（ｂ）の表面層である残部４２ａを王
水又は熱硝酸を主成分とするエツチング剤で溶解除去し
た状態を示す、（ｄ）は、ニッケルシリサイド［４３の
上に、更に、無電解ニッケルメッキ法により、ニッケル
層４４を形成した状態を示す。

ニッケル層４４は、多量の燐を含有するが、熱処理を行
っていないから、溶融半田に対する濡れ性を得ることが
できる。

上述のように無電解ニッケルメッキ法によって形成され
るニッケル電極は、下記問題を発生する。

■　シリコン基板上に付着する析出物が、燐とニッケル
との混合物及び化合物を含むため、後の熱処理で相変化
及び組成変化を起こす、また、溶融半田を接触させたと
き燐ガスが蒸発し、凝固した半田内に微少気泡を残す。

これらのため、半田の接着強度が不十分となる。

■　ニッケルの析出速度がシリコン基板の表面状態及び
雁歴に影響され易いこともあって、ニッケルの厚さを正
確に制御することが困難である。

■　シリコン基板のＰ形不純物が拡散された面とＮ形不
純物が拡散された面とで析出速度が異なる。

これは、両不純物の表面瀝度に差がある場合顕著となる
。

■　シリコン基板の表面に微かな汚れがあるとメッキの
不析出部ができ易い。

■　メッキ工程の前処理及び後処理で多量の水を使用す
る。

■　メッキ廃液処理が必要である。

■　半導体装置の電気的特性として必要な電極の抵抗性
接触を得るためには、熱処理が必要である。

■　溶融半田に対する濡れ性を確保するため、上記熱処
理後、再度メッキ処理を行う必要がある。

上記無電解ニッケルメッキ法の欠点を改善するため、真
空蒸着法を利用することも行われている。

真空蒸着法で半田接続可能なニッケルの電極を形成する
場合、シリコン基板に直接にニッケルを蒸着したのでは
、充分な密着性及び抵抗性接触は得られない。このため
、チタン、クロム、モリブデン等のベース金属をシリコ
ン基板に蒸着し、その上にニッケルを蒸着するという二
層構造とする。

■が解　しようとするり　　、しかし、上記蒸着法でも下記の欠点がある。

■　ベース金属及びニッケルを単に蒸着した状態では、
電極として密着力が不十分である。充分な密着力を得る
ためには、無電解ニッケルメッキ法の場合と同様に、蒸
着後、更に熱処理を必要とする。

■　蒸着前に行われるシリコン基板への洗浄処理の良否
が電極の密着力に大きな影響を与えるので、電極密着力
の低下及びバラツキ幅の拡大が生じ易い。また、電極密
着力の低下及びバラツキ幅の拡大を最小限の抑えるため
に、蒸着前のシリコン基板の洗浄処理及び取扱いを極め
て厳密に行う必要がある。

本発明は、熱処理を行わない場合でも、高い電極′Ｊｌ
ｉ着力及び低抵抗性接触が安定して得られるシリコン基
板への電極形成法を提供することを目的とする。

慣」ｈ［１解淋］＝褌だプ０−ｓ反本発明のシリコン基板への電極形成法は、高周波プラズ
マ励起用コイルを介して蒸発源供給部に対向して配置さ
れたシリコン基板の雰囲気をチタン、クロム又はモリブ
デンから選択されたベース金属及びニッケルの蒸発が可
能な真空度まで排気する排気工程、前記蒸発源供給部に
対して前記シリコン基板部分が負となる直流電圧を印加
し、前記雰囲気中に希ガスを導入すると共に、前記高周
波プラズマ励起用コイルに高周波電力を供給して希ガス
のプラズマを発生させ、前記シリコン基板に希ガスのイ
オンでＷＲ撃を与えてシリコン基板の表面をクリーニン
グするクリーニング工程、前記直流電圧の印加状態でか
つ前記プラズマの発生状態で前記蒸発源供給部からベー
ス金属を蒸発させ、クリーニングした前記シリコン基板
の表面にベース金属層を形成するベース金属層形成工程
、及び前記直流電圧の印加状態でかつ前記プラズマ発生
状態で前記蒸発源供給部からニッケルを蒸発させ、前記
ベース金属層の上にニッケル層を形成するニッケル層形
成工程、を含む。

旦蒸発源供給部に対してシリコン基板部分が負となる直流
電圧を印加し、高周波プラズマ励起用コイルに高周波電
力を供給して希ガスのプラズマを発生させ、シリコン基
板の表面に加速された希ガスのイオンで衝撃を与えるこ
とにより、シリコン基板の表面は、予めクリーニングさ
れる。その後。

蒸発源供給部から蒸発したベース金属粒子は、希ガスの
プラズマ領域において、高周波プラズマ励起用コイルに
供給される高周波電力のエネルギを受けて、励起粒子、
イオン粒子又は中性粒子となって加速されてシリコン基
板に到達する。この結果、シリコン基板の表面に強固に
付着したベース金属層が形成される０次に、蒸発源供給
部からニッケル粒子が蒸発すると、同様の作用で、上記
ベース金属層に強固に付着したニッケル層が形成される
。

ス」１匹以下、本発明の実施例を図面について説明する。

第１図は１本発明によるシリコン基板への電極形成法に
使用するイオンブレーティング装置の概略図である０図
中、１はベースプレート、２はステンレス製ペルジャー
、３は真空チェンバ、４はベース金属としてのチタン及
びニッケルを入れた回転切換式のルツボ（図示せず）を
備えた蒸発源供給部、５は蒸発源供給部４に対向して基
板ホルダ６に取付けたシリコン基板、７は蒸発源供給部
４とシリコン基板５との間に配置された高周波プラズマ
励起用コイル、８は高周波電源、９は高周波電源８と高
周波プラズマ励起用コイル７の間にあるマツチングボッ
クス、１０は蒸発源を加熱する電子銃（図示せず）に電
力を供給する蒸発用電源、１１はシリコン基板に向かっ
て移動する正イオンを加速する直流電圧を印加する加速
用直流電源。

１２は真空チェンバ３内に供給する希ガスの流量を制御
する制御バルブである。

上記構成において、予め表面を清浄に処理した複数のシ
リコン基板５を基板ホルダ６に取り付け。

ベルジャ２を閉鎖して、真空チェンバ３内を排気する。

真空チェンバ３内が、５　Ｘ　１０”２Ｐａ　（パスカ
ル）以下の真空度に達したとき、制御バルブ１２を開弁
して、真空チェンバ３内にアルゴンガスを導入し、その
分圧を４Ｘ１０−２Ｐａに保持する。その後、高周波プ
ラズマ励起用コイル７にｓｏｏｗの高周波電力を供給す
ると、高周波プラズマ励起用コイル７を中心として蒸発
源供給部４とシリコン基板５を含む広い範囲にアルゴン
のプラズマが発生する。このとき、シリコン基板５の表
面は、電子とイオンの易動度の差によるセルフ・バイア
ス効果により直流電界が印加された状態と等価となる。

更に、アルゴンイオンの移動速度を加速するため、蒸発
源供給部４を接地し、これと基板ホルダ６との間に基板
ホルダ６側を負とする５００ｖの直流電圧を印加する。

従って、アルゴンイオンは、基板ホルダ６とほぼ同電位
となるシリコン基板５に向かって高速度で移動し、シリ
コン基板５の表面に衝突（ボンバードメント）する。

従って、シリコン基板５の表面はイオンエツチングによ
りクリーニングされる。このクリーニング工程の時間は
、約２０分である。

その後、５００ｖの直流電圧の印加はそのままに、アル
ゴン圧力をやや低めて２ＸＩＯ−２Ｐａに保持し、蒸発
源供給部４に置かれたベース金属としてのチタンに電子
銃から発せられた電子ビームを当ててチタンを蒸発させ
る。蒸発したチタン粒子は、アルゴンプラズマの中心領
域である高周波プラズマ励起用コイル７の付近で高周波
電力のエネルギを受けて励起粒子、イオン粒子又は中性
粒子となり、高速度でシリコン基板５に向かって移動し
てこれに付着し、チタンのベース金属層を形成する。こ
の場合、ベース金属層は、５Å／秒の形成速度で、約４
，０００人の膜厚に形成される。

ベース金属層の形成後、蒸発源をニッケルに切換え、上
記チタンの蒸発工程と同条件で蒸発源供給部４からニッ
ケルを蒸発させる。従って、ニッケル粒子は、高周波プ
ラズマ励起用コイル７の付近で高周波電力のエネルギを
受けて励起粒子、イオン粒子又は中性粒子となり、高速
度でシリコン基板５に向かって移動してこれに付着し、
前記ベース金属Ｍの上にニッケル層を形成する。この場
合、ニッケル層は、１０Å／秒の形成速度で、約４　、
０００人の膜厚に形成される。従って、第２図に示すよ
うに、シリコン基板５には、このシリコン基板５上に付
着したベース金属層１３及びベース金属層１３上に付着
したニッケル層１４からなる電極が形成される。

本発明のシリコン基板への電極形成法では、充分に低抵
抗の抵抗性接触特性（オーミック接触）が得られる。こ
の抵抗性接触特性は、比抵抗０．０１８Ω・口、厚さ２
８０μＩのＮ形シリコンウェハに表面不純物濃度Ｉ　Ｘ
　１０′ｉｃｍ−’、深さ１．７μｍのＮΦ形拡散層を
形成したものに本発明の方法により電極を形成したとき
のデータで、接触抵抗値は９ｍΩである。一方、シリコ
ン母材比抵抗と２．２ｍｍ角（４，８４ｍｎ＋”）に切
り出したチップ寸法から計算で求められた抵抗値は１０
．４ｍΩである。従って、完全に近い抵抗性接触特性を
得ている。

第３図は、２．１ｍ’の面積を有するシリコン基板に本
発明の方法、真空蒸着法及び無電解ニッケルメッキ法に
より電極を形成した上で、これらに半田を介してリード
線を接続し、引張試験にて電極の密着力を測定した結果
を示す。この引張試験では、各電極に対し２０個のサン
プルを準備した（図中の丸印がそれぞれの測定値を示す
）。図中。

Ａは、本発明で得られたチタンとニッケルの二層電極の
密着力を示す。Ｂは、真空蒸着法で得られた同じくチタ
ンとニッケルの二層電極の密着力を示す。Ｃは、無電解
ニッケルメッキ法で得られたニッケルシリサイドとニッ
ケルの二層電極の密着力を示す。この図から明らかな通
り、Ａは、三角形印で示される平均値で１１．５ｋｇの
密着力を示し、かつ破断個所は電極部でなくシリコン基
板結晶内である。これに対し、Ｂ及びＣの平均密着力は
、それぞれ７．５ｋｇ及び１０．４　ｋ　ｇで、Ａより
かなり低く、かつ上下限のバラツキが非常に大きい、な
お。

真空蒸着法によるＢのデータは、蒸着後の熱処理を施し
ていないものである。しかし、蒸着後に熱処理を施した
としても、Ｃと同程度の電極密着力が得られるだけで、
平均値及びバラツキのいずれにおいてもＡより劣ってい
る。

本発明のシリコン基板への電極形成法では、真空チェン
バ３内に供給する希ガスは、実用的にはアルゴンが最適
である。また、アルゴン圧力は、クリーニング工程’ｔ
［２Ｘ　１０−”　〜６　Ｘ　１０−２Ｐａ（パスカル
）、ベース金属層形成工程及びニッケル層形成工程では
１．５Ｘ１０−’〜４Ｘ１０−２Ｐａの範囲で好結果が
得られる。即ち、クリーニング工程でのアルゴン圧力が
２　Ｘ　１０””　Ｐ’ａ未満では、アルゴンイオンの
量が不足し、シリコン基板表面のクリーニング効果が不
十分となり、電極の密着力が低下する。逆に、アルゴン
圧力が６×１０−２Ｐａを越えると、アルゴンイオンの
量が過剰になり、シリコン基板以外のものをエツチング
して、それ等の残渣がシリコン基板に付着し、やはり電
極の密着力が低下する。クリーニング工程でのアルゴン
圧力は、高い電極の密着力を得るため、３　Ｘ　１０−
”５　Ｘ　１０−２Ｐａの範囲が更に望ましい。

ベース金ａ層形成工程及びニッケル層形成工程でのアル
ゴン圧力は、クリーニング工程と同様にｅｘｉｏ−”ｐ
ａが電極の密着力からすると上限値である。しかし実際
には、アルゴン圧力が４×１０２Ｐａを越えると、付着
したベース金属層やニッケル層がアルゴンイオンの衝突
によってエツチングされ、このためベース金属層又はニ
ッケル層の形成速度がかなり低下する現象が現れる。ベ
ース金属層形成工程及びニッケル層形成工程ではクリー
ニング作用を強力に行う必要はないから、アルゴン圧力
を４Ｘ１０−２Ｐａ以下とするのが効率的である。なお
、アルゴン圧力が１．５Ｘ１０−２Ｐａ未満では、アル
ゴンの安定したプラズマ状態が得られない。

本発明のシリコン基板への電極形成法では、各粒子を加
速するため、蒸発源供給部とシリコン基板部分との間に
直流電圧を印加する。この直流電圧を大きくすると、シ
リコン基板に到達するイオン（アルゴンイオン、ベース
金属イオン、ニッケルイオン）の運動エネルギが大きく
なり、アルゴンイオンによるクリーニング効果が大きく
なり、またベース金属イオン及びニッケルイオンのシリ
コン基板へのくい込み力が高まる。しかし、電極の密着
力がシリコン基板の剥離強度で制限されることから、蒸
着源供給部とシリコン基板の間の空間の電界強度がＩＯ
Ｖ／ａｍ程度で電極の密着力は飽和の傾向を示す。また
、この電界強度が３０Ｖ／ａ１１程度を越えると、付着
したベース金属層あるいはニッケル層がイオンのスパッ
タリング作用によって荒れてしまうので好ましくない。

従って、この電界強度が１０〜３０Ｖ／Ｃｍの範囲とな
るように直流電圧を印加するのがよい。

本発明の方法では、電極の密着力は、電極の形成速度と
厚みに大きく左右される。これは、電極の形成速度と厘
みが電極内の残留応力及び電極系の応力バランスに関係
するためと思われる６種々実験の結果、３〜１０Å／秒
の形成速度で２，０００〜ｓ　、　ｏｏｏ人の厚さにチ
タンから成るベース金属層を形成し、５〜１３Å／秒の
形成速度で４　、０００〜８　、０００人の厚さにニッ
ケル層を形成すると良好な結果が得られた。即ち、ベー
ス金属層及びニッケル層とも形成速度は遅い方が良好な
結果が得られるが、形成時間を考慮すると、実用面から
ベース金属層で３Å／秒、ニッケル層で５Å／秒という
下限値が生じる。一方、形成速度がベース金属層で１０
Å／秒、ニッケル層で１３Å／秒を越えると、いずれも
電極の密着力が低下する。

上述の形成速度の範囲において、ベース金属層の厚みが
ｓ　、　ｏｏｏ人を越えると電極の密着力が低下する。

ベース金属層の厚みが２，０００人未満では、ニッケル
層又はその上に被着される半田やアルミニウム材等の金
属とシリコン基板とが反応を起こして電極の密着力が低
下する現象が起き易くなる。

また、ベース金属層とニッケル層を合わせた電極の厚み
は、上記半田やアルミニウム材等の金属とシリコン基板
との反応を防止するために数千人は必要である。また、
ニッケル層が薄すぎても電極系の応力バランスが崩れて
電極の密着力が低下する。これらのため、ニッケル層の
厚みは４，０００Å以上必要である。ニッケル層は、　
ｔｏ、ｏｏｏ人（１μｍ）を越えると電極の密着力もか
なり低下するし、これ以上厚くしても経済性を損なうだ
けで意味がない。

シリコン基板とニッケル層との間に介在させるベース金
属としては、チタン、クロム又はモリブデンのいずれで
も使用できる。ただし、本発明の方法によって形成した
クロ１１は、ケミカルエツチングによって加工するのが
困難である。また、リード線を半田接続する際に塩素系
のフラックスを使うと、クロム層が塩素で腐食して電極
の密着力が低下する。モリブデンは、モリブデン粒子が
弾けるように飛んでシリコン基板に付着する現象によっ
てベース金属層の膜質が低下し易い、このため、量産す
る上では品質の安定性に乏しい。ベース金属として使用
されるチタンは、電極の加工性、半田接続、量産する上
での安定性のいずれにおいても問題ない上に、電極の密
着力も最も大きい値が得られる０例えば、チタン、モリ
ブデン及びクロムを比較した実験では、下記の結果が得
られた。

ベース金属　　　　ＶＢ着力（ｋｇ）チタン　　　　　　１１・５モリブデン　　　　　１１．３クロム　　　　　　　１０．０従って、チタンをベース金属として介在させるのが最も
好適である。

なお、フラックスを使わないで半田接続を行う場合、ニ
ッケル面では半田に対する濡れ性が不足することがある
。このような場合は、ニッケル層１４の形成後に蒸発源
を銀に切換え、ニッケル層１４の上に１，０００〜４　
、０００人の銀層を形成すればよい。

溌ｊＩυ例米上記のように１本発明のシリコン基板への電極形成法で
は、シリコン基板上に順次ベース金属層及びニッケル層
が強固に付着する。従って、電極の熱処理工程を必要と
することなく、シリコン基板上に従来以上に高い密着力
で低抵抗接触性の電極が形成される。即ち、本発明のシ
リコン基板への電極形成法は、従来の無電解ニッケルメ
ッキ法あるいは真空蒸着法に比べ、下記の利点がある。

■　無電解ニッケルメッキ法と真空蒸着法のいずれに対
しても、電極の密着力が向上し、密着力のバラツキも少
ない。

■　無電解ニッケルメッキ法では、第１層目のメッキ、
熱処理及び第２層目のメッキ等の処理、及びこれらの処
理の前後処理を含む複雑かつ煩垣な処理工程を含み、必
然的に全処理工程時間が長くなる。これに対して本発明
の方法では、全処理工程時間を大幅に短縮することがで
きる。

■　真空蒸着法に対しても、電極の熱処理を必要としな
い分、全処理工程時間を短縮することができる。

■　無電解ニッケルメッキ法で必要な多量の化学薬品及
び水を使用することなく、これに伴って廃液処理という
問題もない。

■　無電解ニッケルメッキ法の場合の燐のような後工程
で不具合を招く成分を含ませないように電極を形成でき
る。従って、半田によるリード線接続のための熱処理工
程で不具合成分が電極から蒸発して接続不良を起こすよ
うなことはない。

■　真空蒸着法と比べて、電極の結晶方位がそろってお
り、密度も高い。従って、外部電極との接続状態が良好
かつ安定している。

■　真空蒸着法と比べて、電極形成前のシリコン基板の
処理によって電極の密着力が左右されない。

従って、シリコン基板の取扱が簡単であるし、上記■の
利点を生む一因ともなっている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるシリコン基板への電極形成法に
使用するイオンブレーティング装置の概略図、第２図は
、本発明のシリコン基板への電極形成法で電極が形成さ
れたシリコン基板の断面図、第３図は、本発明による電
極と従来の電極の密着力を示すグラフ、第４図は、従来
の無電解ニッケルメッキ法によるシリコン基板への電極
の形成状態を示す断面図である。１０．ベースプレート、　２０．ペルジャー、３０．真
空チェンバ、　４０．蒸発源供給部、５０．シリコン基
板、　６９．基板ホルダ、７．。高周波プラズマ励起用コイル、　８０．高周波電源、　
９０．マツチングボックス、　　１０３．蒸発用電源、
１１８．加速用直流電源、　　１２．。制御バルブ、１３０．ベース金属層、　　１４．。ニッケル層、　　　　　　　　　　　　　　。特許出願人　　　サンケン電気株式会社第１図第２図第３図 ′■−−− ＣＢ　　　　　　　　Ａ第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）高周波プラズマ励起用コイルを介して蒸発源供給
部に対向して配置されたシリコン基板の雰囲気をチタン
、クロム又はモリブデンから選択されたベース金属及び
ニッケルの蒸発が可能な真空度まで排気する排気工程、前記蒸発源供給部に対して前記シリコン基板部分が負と
なる直流電圧を印加し、前記雰囲気中に希ガスを導入す
ると共に、前記高周波プラズマ励起用コイルに高周波電
力を供給して希ガスのプラズマを発生させ、前記シリコ
ン基板に希ガスのイオンで衝撃を与えてシリコン基板の
表面をクリーニングするクリーニング工程、前記直流電圧の印加状態でかつ前記希ガスのプラズマの
発生状態で、前記蒸発源供給部から前記ベース金属を蒸
発させ、クリーニングした前記シリコン基板の表面にベ
ース金属層を形成するベース金属層形成工程、及び前記直流電圧の印加状態でかつ前記希ガスのプラズマの
発生状態で、前記蒸発源供給部からニッケルを蒸発させ
、前記ベース金属層の上にニッケル層を形成するニッケ
ル層形成工程、を含むシリコン基板への電極形成法。
（２）前記希ガスはアルゴンである特許請求の範囲第（
１）項記載のシリコン基板への電極形成法。
（３）前記アルゴンの圧力は、前記クリーニング工程で
は、２×１０＾−＾２〜６×１０＾−＾２Ｐａ（パスカ
ル）で、前記ベース金属層形成工程及びニッケル層形成
工程では、１．５×１０＾−＾２〜４×１０＾−＾２Ｐ
ａである特許請求の範囲第（２）項記載のシリコン基板
への電極形成法。
（４）前記直流電圧は、１０〜３０Ｖ／ｃｍの電界強度
を与える特許請求の範囲第（２）項又は第（３）項記載
のシリコン基板への電極形成法。
（５）前記ベース金属層は、３〜１０Å／秒の形成速度
で２，０００〜５，０００Åの厚さに形成され、前記ニ
ッケル層は、５〜１３Å／秒の形成速度で４，０００〜
１０，０００Åの厚さに形成される特許請求の範囲第（
１）項記載のシリコン基板への電極形成法。
（６）前記ベース金属は、チタンである特許請求の範囲
第（１）項記載のシリコン基板への電極形成法。