JPS6066846A - 半導体整流装置 - Google Patents
半導体整流装置Info
- Publication number
- JPS6066846A JPS6066846A JP58176604A JP17660483A JPS6066846A JP S6066846 A JPS6066846 A JP S6066846A JP 58176604 A JP58176604 A JP 58176604A JP 17660483 A JP17660483 A JP 17660483A JP S6066846 A JPS6066846 A JP S6066846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- disk
- protrusion
- semiconductor chip
- solder layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/22—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections
- H10W40/226—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections characterised by projecting parts, e.g. fins to increase surface area
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/136—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections perpendicular to the conductive base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07354—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/341—Dispositions of die-attach connectors, e.g. layouts
- H10W72/347—Dispositions of multiple die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えば自動車用の交流発電機内に組み込ま
れて使用され、大きな電力で発熱動作を伴う状態で使用
される半導体整流装置に関する。
れて使用され、大きな電力で発熱動作を伴う状態で使用
される半導体整流装置に関する。
例えば、自動車用の交流発電薇において使用される整流
装置は、第１図に示すような状態で構成されている。す
なわち、整流作用を行なう半導体ヂンブ１１は有底筒状
の金属材料でなるディスク１２に対して取り付は設定さ
れるもので、具体的にはディスク１２の底部分の内面上
に半田層１３を介して半導体チップ１１を接着固定する
。そして、この半導体チップ１１の他方の面には同じく
半田層１４を介してリード１５を取り付は接続し、ディ
スク１２の内部に気密封止の作用をするシリコンゴム１
Ｇを法人硬化する。このようにして、整流器が基本的に
（お成されるもので、この整流器は半田層１７を介して
冷却フィン１８に取り付は固定され、整流装置として使
用される状態となるものである。
装置は、第１図に示すような状態で構成されている。す
なわち、整流作用を行なう半導体ヂンブ１１は有底筒状
の金属材料でなるディスク１２に対して取り付は設定さ
れるもので、具体的にはディスク１２の底部分の内面上
に半田層１３を介して半導体チップ１１を接着固定する
。そして、この半導体チップ１１の他方の面には同じく
半田層１４を介してリード１５を取り付は接続し、ディ
スク１２の内部に気密封止の作用をするシリコンゴム１
Ｇを法人硬化する。このようにして、整流器が基本的に
（お成されるもので、この整流器は半田層１７を介して
冷却フィン１８に取り付は固定され、整流装置として使
用される状態となるものである。
このように構成される整流装置にあっては、半導体チッ
プ１１の両面が半田層１３および１４によってディスク
１２、リード１５に対して固着されているしのであるた
め、整流装置として実際に使用されている状態で、この
接合部に対して熱サイクルか加わり、構成部材である半
導体チップ１１、ディスク１２、リード１５の持つ熱膨
張係数の差にＪ：す、半ｒＪＪ層１３．１４に繰り返し
せん断力が加わる状態となる。
プ１１の両面が半田層１３および１４によってディスク
１２、リード１５に対して固着されているしのであるた
め、整流装置として実際に使用されている状態で、この
接合部に対して熱サイクルか加わり、構成部材である半
導体チップ１１、ディスク１２、リード１５の持つ熱膨
張係数の差にＪ：す、半ｒＪＪ層１３．１４に繰り返し
せん断力が加わる状態となる。
このため、この装置全体としての）ｊ命が低下づるよう
になる。
になる。
すなわち、半導体デツプ１１の強度分布のすそ野郎であ
るデツプ１１の周縁部１．１ａに対応Ｊる半田層１３に
対して繰り返しせん断力か作用し、チップ１１の許容応
力を越える状態となるとチップ１１のこの部分に欠け、
割れ等の損傷か発生し、逆耐圧特性の低下、逆漏れ電流
の増大の状態となって、整流機能を失うような状態とな
る。
るデツプ１１の周縁部１．１ａに対応Ｊる半田層１３に
対して繰り返しせん断力か作用し、チップ１１の許容応
力を越える状態となるとチップ１１のこの部分に欠け、
割れ等の損傷か発生し、逆耐圧特性の低下、逆漏れ電流
の増大の状態となって、整流機能を失うような状態とな
る。
この発明は上記のよう°な点に鑑みなされたもので、半
導体チップの特に周縁部に対して不要な繰り返しせｌυ
断力が作用しないようにして、ディスクに対して半導体
チップが強固に固定設定されるようにすると共に、その
寿命を充分に増大させることができるようにする半導体
整流装置を提供し２ようとづるものである。
導体チップの特に周縁部に対して不要な繰り返しせｌυ
断力が作用しないようにして、ディスクに対して半導体
チップが強固に固定設定されるようにすると共に、その
寿命を充分に増大させることができるようにする半導体
整流装置を提供し２ようとづるものである。
ずなわら、この発明に係る半導体装置は、ディスクに対
して半導体チップとほぼ同じ面積の突出部を形成すると
共に、この突出部の周縁部の立ち上がり型部分は、曲線
状に構成してなり、このディスク上に半導体チップを半
田層を介して接着固定するように構成するものである。
して半導体チップとほぼ同じ面積の突出部を形成すると
共に、この突出部の周縁部の立ち上がり型部分は、曲線
状に構成してなり、このディスク上に半導体チップを半
田層を介して接着固定するように構成するものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。第
２図はその断面構造を示づもので、その基本的構成はＭ
１図で示したものと同一であるので、同一部分は同一符
号を付してその説明は省略する。すなわち、この半導体
装置にあっては、ディスク１２の底板部のチップ１１の
面に対向する部分に突出部２０を設ける。この突出部２
０は、半導体デツプ１１の面の外径とほぼ同じかそれよ
りやや小径に構成されるもので、この突出部２０に対し
で９１′田＠１３を形成し、半導体デツプ１１を取り（
＝Ｊけ固定づる。
２図はその断面構造を示づもので、その基本的構成はＭ
１図で示したものと同一であるので、同一部分は同一符
号を付してその説明は省略する。すなわち、この半導体
装置にあっては、ディスク１２の底板部のチップ１１の
面に対向する部分に突出部２０を設ける。この突出部２
０は、半導体デツプ１１の面の外径とほぼ同じかそれよ
りやや小径に構成されるもので、この突出部２０に対し
で９１′田＠１３を形成し、半導体デツプ１１を取り（
＝Ｊけ固定づる。
第３図は、このディスク１２を取り出して示したので、
突出部２０の面のデツプ１１との対向面には突起２１を
設け、この突起２１上にデツプ１１が載置される状態と
なるようにする。そして、ディスク１２の突出部２０と
チップ１１との間の半田層１３の厚さが所定の状態に設
定されるようにする。この場合、」−記突起２１は例え
ば第４図の（Ａ ）に示づように同心円上に配置された
３個の突起２１ａ〜２１ｃｃ−偶成されるもので、チッ
プ１１が安定してディスク１２の突出部２０の面に平行
な状態で設定されるような構造とする。このような突起
′２．１は、また同図の（Ｂ）に示すように、同心円状
の突出帯２１ｄで１（Ｉ成してもよいものであり、この
ような突起２１は例えばプレス加工等によって形成すれ
ばよいものである。
突出部２０の面のデツプ１１との対向面には突起２１を
設け、この突起２１上にデツプ１１が載置される状態と
なるようにする。そして、ディスク１２の突出部２０と
チップ１１との間の半田層１３の厚さが所定の状態に設
定されるようにする。この場合、」−記突起２１は例え
ば第４図の（Ａ ）に示づように同心円上に配置された
３個の突起２１ａ〜２１ｃｃ−偶成されるもので、チッ
プ１１が安定してディスク１２の突出部２０の面に平行
な状態で設定されるような構造とする。このような突起
′２．１は、また同図の（Ｂ）に示すように、同心円状
の突出帯２１ｄで１（Ｉ成してもよいものであり、この
ような突起２１は例えばプレス加工等によって形成すれ
ばよいものである。
そして、上記突出部２０の周縁部はＲ状曲線による立ち
上がり壁２２ａによって構成されているもので、半田層
１３はこの立ち上がりｖ２２ａまても含む状態で形成さ
れるようになる。
上がり壁２２ａによって構成されているもので、半田層
１３はこの立ち上がりｖ２２ａまても含む状態で形成さ
れるようになる。
すなわち、このように構成される整流装置にあっては、
半導体チップ１１の周縁部に対応する半田層１３の厚さ
は、突出部２０ａによる曲線状立ち上がり壁２２ａ部ま
でも含み充分肉厚の状態で形成される状態となり、チッ
プ１１の周縁部１１ａが充分に強固に固定設定される状
態となる。
半導体チップ１１の周縁部に対応する半田層１３の厚さ
は、突出部２０ａによる曲線状立ち上がり壁２２ａ部ま
でも含み充分肉厚の状態で形成される状態となり、チッ
プ１１の周縁部１１ａが充分に強固に固定設定される状
態となる。
したがって、大きな湿度変化が発生したような状態とな
っても、半導体チップ１１の周縁部１１ａに生ずる応力
は充分に緩和することのできるものであり、半導体チッ
プ１１の特に周縁部１１ａの欠【プ、割れ等の発生を確
実に防止することが可能となるものである。
っても、半導体チップ１１の周縁部１１ａに生ずる応力
は充分に緩和することのできるものであり、半導体チッ
プ１１の特に周縁部１１ａの欠【プ、割れ等の発生を確
実に防止することが可能となるものである。
また、この突出部２０は、ディスク１２に対してリブを
設けたと同様の状態となるものであり、ディスク１２の
Ａｌｌ性の向上に対しても大きな効果を発揮するように
なり、機械的外力が作用したような場合においても、機
械的歪み緩和効果を９ＪＩ果的に果たす状態となる。
設けたと同様の状態となるものであり、ディスク１２の
Ａｌｌ性の向上に対しても大きな効果を発揮するように
なり、機械的外力が作用したような場合においても、機
械的歪み緩和効果を９ＪＩ果的に果たす状態となる。
以上のようにこの発明によれば、実使用時の光熱により
大きな熱の変化が生したような場合ｃｄ’１つでも、熱
膨張係数の差によって生ずる応ツノを充分緩和さぜる状
態となり、特に半導体チップの周縁部に対して繰り返し
ｌ！／ｖ断歪みの加わるような状態が発生することを確
実に防止づることのでさるもので、半導体整流装置の動
作特性の安定化と共に、その寿命を長くするために人き
な効果を光揮するものである。
大きな熱の変化が生したような場合ｃｄ’１つでも、熱
膨張係数の差によって生ずる応ツノを充分緩和さぜる状
態となり、特に半導体チップの周縁部に対して繰り返し
ｌ！／ｖ断歪みの加わるような状態が発生することを確
実に防止づることのでさるもので、半導体整流装置の動
作特性の安定化と共に、その寿命を長くするために人き
な効果を光揮するものである。
第１図は従来の整流装置を説明り−るための断面図、第
２図はこの発明の一実施例に係る半導体整流装置を説明
づる断面構成図、第３図は」−記整流装置を構成するデ
ィスクを取り出して示す断面図、第４図の（Ａ＞および
（Ｂ）はそれぞれ上記ディスクの例を示す平面図である
。 １１・・・半導体チップ、１１ａ・・・周縁部、１２・
・・ディスク、１３．１４．１７・・・半田層、１８・
・・冷却フィン、２０・・・突出部、２１・・・突起、
２２ａ・・・立ら上がり壁。 出願人代理人 弁理士 鈴江弐彦 第１図 第３図 ノリ 第４図 （Ａ） （ｓ）
２図はこの発明の一実施例に係る半導体整流装置を説明
づる断面構成図、第３図は」−記整流装置を構成するデ
ィスクを取り出して示す断面図、第４図の（Ａ＞および
（Ｂ）はそれぞれ上記ディスクの例を示す平面図である
。 １１・・・半導体チップ、１１ａ・・・周縁部、１２・
・・ディスク、１３．１４．１７・・・半田層、１８・
・・冷却フィン、２０・・・突出部、２１・・・突起、
２２ａ・・・立ら上がり壁。 出願人代理人 弁理士 鈴江弐彦 第１図 第３図 ノリ 第４図 （Ａ） （ｓ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 整流動作をする半導体チップと、この半導体チップかが
半田層を介して取りイ」けられるディスクと、このディ
スクが半田層を介して取り付けられる冷却フィンとて構
成され、上記ディスクは半導体チップとほぼ同じ大きさ
の突出部を有し、この突出部の上記チップの外周縁に対
応する周縁部【３曲線状の立ち上がり壁で構成されるよ
うにしたことを特ｄｌとする半導体整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176604A JPS6066846A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176604A JPS6066846A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体整流装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066846A true JPS6066846A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=16016467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176604A Pending JPS6066846A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066846A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62114441U (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-21 | ||
| JP2010034278A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| EP4318578A1 (en) * | 2022-08-02 | 2024-02-07 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Package structure assembly for tvs devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552227A (en) * | 1978-10-12 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Semiconductor electrode structure |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58176604A patent/JPS6066846A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552227A (en) * | 1978-10-12 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Semiconductor electrode structure |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62114441U (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-21 | ||
| JP2010034278A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| EP4318578A1 (en) * | 2022-08-02 | 2024-02-07 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Package structure assembly for tvs devices |
| US12690472B2 (en) | 2022-08-02 | 2026-07-21 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Package structure assembly for TVS devices |
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