JPS6269543A - 整流装置 - Google Patents
整流装置Info
- Publication number
- JPS6269543A JPS6269543A JP60210844A JP21084485A JPS6269543A JP S6269543 A JPS6269543 A JP S6269543A JP 60210844 A JP60210844 A JP 60210844A JP 21084485 A JP21084485 A JP 21084485A JP S6269543 A JPS6269543 A JP S6269543A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- rectifier
- metal material
- cylindrical
- disk portion
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/136—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections perpendicular to the conductive base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07354—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/341—Dispositions of die-attach connectors, e.g. layouts
- H10W72/347—Dispositions of multiple die-attach connectors
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば車両のバッテリを充電する車両用交流発
電機に用いられる整流装置に関するものである。
電機に用いられる整流装置に関するものである。
従来のものは、第１図に示すように、有底筒状の金属材
料１内に固定された半導体チップ３上に、リード２の円
盤部４を半田付けで接続すると共に、金属材料１内に気
密防止用樹脂であるシリコンゴム６を充填している。
料１内に固定された半導体チップ３上に、リード２の円
盤部４を半田付けで接続すると共に、金属材料１内に気
密防止用樹脂であるシリコンゴム６を充填している。
ところが、上述した従来のものでは、塩害地、高湿地等
の悪環境地域で整流装置に、直接、塩水や泥水が付着し
、この付着した状態で整流装置が長時間使用されると、
リード２と金属材料ｌとの間でリーク電流が流れ、半導
体子ツブ３を保護しているシリコンゴム６が、金属材料
１界面又はリード２とシリコンゴム６の密着面より剥が
れ、エンジンの始動、停止時の熱サイクルも加わって、
この剥がれが促進され、かつ半導体チップ３への水の進
入経路（矢印Ａ）ができると、整流器の劣化、ショート
という不具合を生ずるという問題点がある。
の悪環境地域で整流装置に、直接、塩水や泥水が付着し
、この付着した状態で整流装置が長時間使用されると、
リード２と金属材料ｌとの間でリーク電流が流れ、半導
体子ツブ３を保護しているシリコンゴム６が、金属材料
１界面又はリード２とシリコンゴム６の密着面より剥が
れ、エンジンの始動、停止時の熱サイクルも加わって、
この剥がれが促進され、かつ半導体チップ３への水の進
入経路（矢印Ａ）ができると、整流器の劣化、ショート
という不具合を生ずるという問題点がある。
そこで、本発明は−１−記問題点に鑑み、耐環境性能の
優れた整流装置を提供するものである。
優れた整流装置を提供するものである。
凹部が形成された冷却フィンと、
前記凹部内に固定された有底筒状の金属材料と、この有
底筒状の金属材料内に固定された半導体チップと、 この半導体チップ」−に接続される円盤部と、この円盤
部の外周から屈曲してのびる筒部とを有するリードと、 前記金属材料内に、前記リードの円盤部および筒部と共
に、充填した気密封１１−用樹脂と、を備えた整流装置
とすることである。
底筒状の金属材料内に固定された半導体チップと、 この半導体チップ」−に接続される円盤部と、この円盤
部の外周から屈曲してのびる筒部とを有するリードと、 前記金属材料内に、前記リードの円盤部および筒部と共
に、充填した気密封１１−用樹脂と、を備えた整流装置
とすることである。
以下本発明を図に示す実施例について説明する。
第１図において、
１は車両用交流発電機の整流装置の整流機能を果たす整
流器であり、冷却フィン８の四部８ａ内に半田＋、４９
によって固着されている。
流器であり、冷却フィン８の四部８ａ内に半田＋、４９
によって固着されている。
整流器１は熱伝導性の良い有底筒状の金属材１０ （以
下ディスクと呼ぶ）十に、整流機能の役目をする半導体
チップ（ペレット）３が手口１材７により接着固定され
、更に半導体ペレット３上には熱伝導率の良いリード２
のリードヘッド４が半田材７により接着固定されている
。
下ディスクと呼ぶ）十に、整流機能の役目をする半導体
チップ（ペレット）３が手口１材７により接着固定され
、更に半導体ペレット３上には熱伝導率の良いリード２
のリードヘッド４が半田材７により接着固定されている
。
そして、半導体ペレット３は気密封止用樹脂であるシリ
コン系樹脂（シリコンゴム）６で覆われており保護され
る。図示していない異極冷却フィン」二に配設された整
流器１ （通常６ケ又は８ケ）は絶縁材である端子台と
共に固定され、整流装置が構成される。
コン系樹脂（シリコンゴム）６で覆われており保護され
る。図示していない異極冷却フィン」二に配設された整
流器１ （通常６ケ又は８ケ）は絶縁材である端子台と
共に固定され、整流装置が構成される。
そして、リードヘッダ４は、ペレット３に接続される円
盤部４ａと、この円盤部４ａの外周から直角方向に屈曲
した筒部４ｂとから形成されている。また、円盤部４ａ
と筒部４ｂとの間の夕１周は、曲面で形成されている。
盤部４ａと、この円盤部４ａの外周から直角方向に屈曲
した筒部４ｂとから形成されている。また、円盤部４ａ
と筒部４ｂとの間の夕１周は、曲面で形成されている。
次に、リード２のリードヘッダ４の製造を、第２図ｆａ
ｔから第２図（１１）に沿って、順次説明していくと、
第２図（ａｌは丸棒のり−Ｆ ２を示してあり、この丸
棒リード２を第２図（ｂｌに示すように、外周より、矢
印Ｂに示す如く、リード固定冶具２０で固定すると共に
、このリード固定治具２０により、下端内周側には、円
柱状の空間２１が形成されることとなる。また、丸棒リ
ード２の下端には、空間２Ｉの径に合う円盤状の丸棒り
一］・圧接治具２２が配置されている。そして、リード
固定治具２０で、丸棒リード２を固定すると共に丸棒リ
ード圧接治具２２を矢印Ｃの如く、上側に所定縦押すこ
とで、丸棒リード２の先端が、つぶれて、第２図（０１
に示すように、所定の厚みｔを有する円盤状のリードヘ
ッダ４が形成される。また、リード固定治具２０の突起
２０ａにより、リード２に、径の小さい小径部２ａが同
時に形成されることとなる。ここで、第２図ｆｂｌに示
すように、リード固定治具２０と丸棒リード圧接治具２
２との間の距離Ｌ （丸棒リード２がリード固定冶具２
０より突出している長さ）を変えることで、第２図ｆｏ
ｌに示すリードヘッダ４の径φＤ２を任意に変えること
ができる。そして、小径φＤ１は、ペレット３に接続さ
れる円盤部４ａの径となる。
ｔから第２図（１１）に沿って、順次説明していくと、
第２図（ａｌは丸棒のり−Ｆ ２を示してあり、この丸
棒リード２を第２図（ｂｌに示すように、外周より、矢
印Ｂに示す如く、リード固定冶具２０で固定すると共に
、このリード固定治具２０により、下端内周側には、円
柱状の空間２１が形成されることとなる。また、丸棒リ
ード２の下端には、空間２Ｉの径に合う円盤状の丸棒り
一］・圧接治具２２が配置されている。そして、リード
固定治具２０で、丸棒リード２を固定すると共に丸棒リ
ード圧接治具２２を矢印Ｃの如く、上側に所定縦押すこ
とで、丸棒リード２の先端が、つぶれて、第２図（０１
に示すように、所定の厚みｔを有する円盤状のリードヘ
ッダ４が形成される。また、リード固定治具２０の突起
２０ａにより、リード２に、径の小さい小径部２ａが同
時に形成されることとなる。ここで、第２図ｆｂｌに示
すように、リード固定治具２０と丸棒リード圧接治具２
２との間の距離Ｌ （丸棒リード２がリード固定冶具２
０より突出している長さ）を変えることで、第２図ｆｏ
ｌに示すリードヘッダ４の径φＤ２を任意に変えること
ができる。そして、小径φＤ１は、ペレット３に接続さ
れる円盤部４ａの径となる。
次に、第２図ｆｄｌに示すように、リードヘッダ４の下
側に、円周径がφＤ１である凹部２３ａを有する下側パ
ンチ２３が配置される。この下側パンチ２３の凹部２３
は、底部と側面との間が曲面で形成されている。また、
上側パンチ２４は、下側パンチ２３の凹部２３ａの内周
よりも約幅を小さい筒状の突部２４ａと、この突部２４
ａの中心を通り、リード２が挿入される凹部２４ｂとか
ら挿入される。そして、第２図ｔｅ＋に示す如く、上側
パンチ２４を矢印り方向に押さえることにより、」二側
パンチ２４の突部２４ａで、リード２のリードヘッダ４
を押さえて、突部２４ａと、下側パンチ２３の凹部２３
ａとの間で、【１字形状に折り曲げる。
側に、円周径がφＤ１である凹部２３ａを有する下側パ
ンチ２３が配置される。この下側パンチ２３の凹部２３
は、底部と側面との間が曲面で形成されている。また、
上側パンチ２４は、下側パンチ２３の凹部２３ａの内周
よりも約幅を小さい筒状の突部２４ａと、この突部２４
ａの中心を通り、リード２が挿入される凹部２４ｂとか
ら挿入される。そして、第２図ｔｅ＋に示す如く、上側
パンチ２４を矢印り方向に押さえることにより、」二側
パンチ２４の突部２４ａで、リード２のリードヘッダ４
を押さえて、突部２４ａと、下側パンチ２３の凹部２３
ａとの間で、【１字形状に折り曲げる。
従って、第２図ｆｆｌに示す如く、リード２の先端には
、径がφ１１１の円盤部４ａと、この円盤部４ａの外周
から屈曲した筒部４ ｂとが形成されることとなる。そ
して、円盤部４ａと筒部４ｈとの間の折り曲げＲは、板
厚ｔよりも大きくしである。
、径がφ１１１の円盤部４ａと、この円盤部４ａの外周
から屈曲した筒部４ ｂとが形成されることとなる。そ
して、円盤部４ａと筒部４ｈとの間の折り曲げＲは、板
厚ｔよりも大きくしである。
最後に、第２図（ｇｌに示すように、ヘンド形状の第１
のバンチ冶具２５には、突出部２５ａが形成され、第２
のバンチ冶具２６には、突出部２５ａに挿入される凹部
２６ａが形成され、第１、第２のバンチ冶具２５．２６
をそれぞれ矢印Ｅ方向および矢印Ｆ方向に押さえること
により、第２図（ｈｌに示すように、リード２の小径部
２ａに、ストレス吸収用のリードヘッダ１１を形成する
。
のバンチ冶具２５には、突出部２５ａが形成され、第２
のバンチ冶具２６には、突出部２５ａに挿入される凹部
２６ａが形成され、第１、第２のバンチ冶具２５．２６
をそれぞれ矢印Ｅ方向および矢印Ｆ方向に押さえること
により、第２図（ｈｌに示すように、リード２の小径部
２ａに、ストレス吸収用のリードヘッダ１１を形成する
。
従って、車両用交流発？ｌｉ機の整流装置として塩水等
がかかる悪環境地域で使用されると、ディスク１０とリ
ード２の異極間で電気分解を生し、Ｎａ０Ｈ（水酸化ナ
トリウム）が生成され、シリコンゴム６がリード２のシ
リコンラバー界面５より剥がれ、電極露出部大となり、
更に、リーク電流が増大、腐食が促進され、矢印Ａｔこ
示すご吉く、塩水が侵入しようとするが、上述したよう
に、本発明においては、リード２のリードヘッダ４の円
盤部４ａの外周に、筒部４ｂを一体形成することにより
、筒部４ｂにより、シリコンラバー界面５から半導体ペ
レット３までの距離を従来の２倍以上にアップでき、半
導体ペレット３に到達しにくくすると共に、従来のり一
ド２の加工に対して、第２図＋ｄｌ、ｔｅ＋に示す折り
曲げ工程を追加するのみで、容易に可能としたものであ
る。
がかかる悪環境地域で使用されると、ディスク１０とリ
ード２の異極間で電気分解を生し、Ｎａ０Ｈ（水酸化ナ
トリウム）が生成され、シリコンゴム６がリード２のシ
リコンラバー界面５より剥がれ、電極露出部大となり、
更に、リーク電流が増大、腐食が促進され、矢印Ａｔこ
示すご吉く、塩水が侵入しようとするが、上述したよう
に、本発明においては、リード２のリードヘッダ４の円
盤部４ａの外周に、筒部４ｂを一体形成することにより
、筒部４ｂにより、シリコンラバー界面５から半導体ペ
レット３までの距離を従来の２倍以上にアップでき、半
導体ペレット３に到達しにくくすると共に、従来のり一
ド２の加工に対して、第２図＋ｄｌ、ｔｅ＋に示す折り
曲げ工程を追加するのみで、容易に可能としたものであ
る。
また、本発明のリードヘッダ４の形状にすることにより
、第３図に示す如く、半導体ペレット３とリードヘッダ
４の円盤部４ａの外径近傍との間の半田厚りは厚くあり
、半田材７に生ずるせん断歪は小さくなる。従って、半
ｌｆｆ０熱疲労寿命は大幅に向上できる効果もある。半
田材７に生ずるせん断歪Ｔは次式で表される。
、第３図に示す如く、半導体ペレット３とリードヘッダ
４の円盤部４ａの外径近傍との間の半田厚りは厚くあり
、半田材７に生ずるせん断歪は小さくなる。従って、半
ｌｆｆ０熱疲労寿命は大幅に向上できる効果もある。半
田材７に生ずるせん断歪Ｔは次式で表される。
γ＝（１（α３Ｔ３−α４ Ｔ４ ） ｌ ／ｈここで
、αｉ：部材１の熱膨張係数 Ｔに部材ｉの温度 すなわち、半田厚りを大きくすれば、よりせん断歪γを
小さくすることができる。
、αｉ：部材１の熱膨張係数 Ｔに部材ｉの温度 すなわち、半田厚りを大きくすれば、よりせん断歪γを
小さくすることができる。
なお、筒部４ｂを円盤部４ａの端部から直角方向に屈曲
させたが、第４図に示すように、筒部４ｂが円盤部４ａ
の端部から、外周側に拡がって形成されているようにし
てもよい。
させたが、第４図に示すように、筒部４ｂが円盤部４ａ
の端部から、外周側に拡がって形成されているようにし
てもよい。
以上述べたように、本発明においては、リードの先端に
、半導体チップに接続される円盤部の外周から屈曲して
のびる筒部を形成したから、気密封止用樹脂とリードと
の間から、塩水等が侵入しても、筒部により、半導体チ
ップに伝わるまでの沿面距離を長くして、整流装置の寿
命の向上を計ることができると共に、筒部を円盤部の外
周に折り曲げるのみで容易に形成することができるとい
う優れた効果がある。
、半導体チップに接続される円盤部の外周から屈曲して
のびる筒部を形成したから、気密封止用樹脂とリードと
の間から、塩水等が侵入しても、筒部により、半導体チ
ップに伝わるまでの沿面距離を長くして、整流装置の寿
命の向上を計ることができると共に、筒部を円盤部の外
周に折り曲げるのみで容易に形成することができるとい
う優れた効果がある。
第１図は本発明整流装置の一実施例を示す断面図、第２
図ｆａｔないし第２図ｔｈ＋はリードの形成工程を示す
要部断面図、第３図は本発明整流装置の要部を示す断面
図、第４図は本発明におけるリードの他の実施例を示す
要部断面図、第５図は従来の整流装置を示す断面図であ
る。 ２・・・リード、３・・・半導体チップ、４・・・リー
ドへフィン、８ａ・・・凹部、１０・・・有底筒状の金
属材料をなすディスク。
図ｆａｔないし第２図ｔｈ＋はリードの形成工程を示す
要部断面図、第３図は本発明整流装置の要部を示す断面
図、第４図は本発明におけるリードの他の実施例を示す
要部断面図、第５図は従来の整流装置を示す断面図であ
る。 ２・・・リード、３・・・半導体チップ、４・・・リー
ドへフィン、８ａ・・・凹部、１０・・・有底筒状の金
属材料をなすディスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 凹部が形成された冷却フィンと、 前記凹部内に固定された有底筒状の金属材料と、この有
底筒状の金属材料内に固定された半導体チップと、 この半導体チップ上に接続される円盤部と、この円盤部
の外周から屈曲してのびる筒部とを有するリードと、 前記金属材料内に、前記リードの円盤部および筒部と共
に、充填した気密封止用樹脂と、 を備えた整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210844A JPH0618243B2 (ja) | 1985-09-23 | 1985-09-23 | 整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210844A JPH0618243B2 (ja) | 1985-09-23 | 1985-09-23 | 整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269543A true JPS6269543A (ja) | 1987-03-30 |
| JPH0618243B2 JPH0618243B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=16596048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210844A Expired - Lifetime JPH0618243B2 (ja) | 1985-09-23 | 1985-09-23 | 整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618243B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63198370U (ja) * | 1987-06-06 | 1988-12-21 | ||
| US7498669B2 (en) * | 2005-08-04 | 2009-03-03 | Denso Corporation | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-09-23 JP JP60210844A patent/JPH0618243B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63198370U (ja) * | 1987-06-06 | 1988-12-21 | ||
| US7498669B2 (en) * | 2005-08-04 | 2009-03-03 | Denso Corporation | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618243B2 (ja) | 1994-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |