JPS6066847A - 半導体整流装置 - Google Patents
半導体整流装置Info
- Publication number
- JPS6066847A JPS6066847A JP58176605A JP17660583A JPS6066847A JP S6066847 A JPS6066847 A JP S6066847A JP 58176605 A JP58176605 A JP 58176605A JP 17660583 A JP17660583 A JP 17660583A JP S6066847 A JPS6066847 A JP S6066847A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk
- solder
- rectifier
- embossed part
- metal
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/22—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections
- H10W40/226—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections characterised by projecting parts, e.g. fins to increase surface area
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(−の発明(よ、四えぽ車両用の交流光重1幾にJlい
(11,Ij用される/15!熱211宋をイJりる半
ラク体整)h装置に閏 リ ベ5 、。
(11,Ij用される/15!熱211宋をイJりる半
ラク体整)h装置に閏 リ ベ5 、。
151えば、車両用受流光電f′AにJjいて牝牛電圧
を↑イ1シ整流りる半’rr 14、整流装置にあって
は、tの大川動作111にd5い(人き2.−熱を発生
りるらのであるため、放熱1戊!、%j :%、、 H
,+、1えCいるしのCdりる。第1図はこのような半
75. n〜整流技罫の構成を承りものであって、冷却
フィンを構成づる敢ごIi電(Φ11に形成したエンボ
ス部12に対して半導体整流器13を?4′田14によ
ってろう11け固定するようにしでいる。こコテ、上記
整流器13ハ整)71〜動作’;i !、1 ル半49
i4t f:yプ15を半田16を介してデ5rスク
171’二接続固定りると共に、この半導体チップ15
に対しくリ−1・線18を同じく半田19で接続固定し
、デ(スフ1フ内にシリコンゴム20を充填して気密封
11−Jるように偶成するものである。
を↑イ1シ整流りる半’rr 14、整流装置にあって
は、tの大川動作111にd5い(人き2.−熱を発生
りるらのであるため、放熱1戊!、%j :%、、 H
,+、1えCいるしのCdりる。第1図はこのような半
75. n〜整流技罫の構成を承りものであって、冷却
フィンを構成づる敢ごIi電(Φ11に形成したエンボ
ス部12に対して半導体整流器13を?4′田14によ
ってろう11け固定するようにしでいる。こコテ、上記
整流器13ハ整)71〜動作’;i !、1 ル半49
i4t f:yプ15を半田16を介してデ5rスク
171’二接続固定りると共に、この半導体チップ15
に対しくリ−1・線18を同じく半田19で接続固定し
、デ(スフ1フ内にシリコンゴム20を充填して気密封
11−Jるように偶成するものである。
このような整流装置において、半l1114は整流器1
3と放熱電極11との間の電気的接続状態の1ITi促
、Jlよび外部からの鍜械的な衝撃にJ、る放熱用1]
11の変形、等の歪み影響を整流器13に対しくIjえ
41いJ:うにり゛る、歪み緩和のlこめの中V9 /
、C役割を果!こしている1、シlこがつC1このI’
lft ’lllの層(7ン19さの管理は、この挿
整流装首のL”+ ’jlQ T(lの向1のために重
要な問題である。
3と放熱電極11との間の電気的接続状態の1ITi促
、Jlよび外部からの鍜械的な衝撃にJ、る放熱用1]
11の変形、等の歪み影響を整流器13に対しくIjえ
41いJ:うにり゛る、歪み緩和のlこめの中V9 /
、C役割を果!こしている1、シlこがつC1このI’
lft ’lllの層(7ン19さの管理は、この挿
整流装首のL”+ ’jlQ T(lの向1のために重
要な問題である。
また、省資源、省エネ等の社会的ニースによって整流装
置の軽量化が要求され、i:i IJIフィシf (I
Il成する放熱用1iI!11の材質をアルミニューム
?7の4ji金属(二度1グ2する171 r’yi
l二dうる1、シかし、このJ、うなiii舎、日冷J
jlフィンを使用した場合、♀ス、5+4等の祠買に比
較して烈膨11; I糸数が人きくまた機成的強度の劣
るしの(ある1、このため、このJ、うな整流装置に(
りつC14、?i’! iiiこ7:;l:!にjうえ
られる熱;l〒み、)幾);1(的j。みの影ンヘ・か
心だ(的に大きくなる。
置の軽量化が要求され、i:i IJIフィシf (I
Il成する放熱用1iI!11の材質をアルミニューム
?7の4ji金属(二度1グ2する171 r’yi
l二dうる1、シかし、このJ、うなiii舎、日冷J
jlフィンを使用した場合、♀ス、5+4等の祠買に比
較して烈膨11; I糸数が人きくまた機成的強度の劣
るしの(ある1、このため、このJ、うな整流装置に(
りつC14、?i’! iiiこ7:;l:!にjうえ
られる熱;l〒み、)幾);1(的j。みの影ンヘ・か
心だ(的に大きくなる。
i、LJζから知られCいる半li]層の厚さの管理手
段は、半UNす1ノイ品1り、](田…の管]甲にJ−
るbの−C7tうるが、整流2313のΦ5、半田イ:
J(〕)品度、゛1′−田量等にハ少ツ1−かd)るた
めに、実1’lltの半1−11 (」+)後の平田層
の厚さには人さld−変動がある。したがって、(1を
金属によるiii IJI)rンの歪み影響を効果的に
緩filりることの(きないらのであり、このため整流
+ii+ l +j (1破損!するj、うなお(1シ
も多い乙の(ある。
段は、半UNす1ノイ品1り、](田…の管]甲にJ−
るbの−C7tうるが、整流2313のΦ5、半田イ:
J(〕)品度、゛1′−田量等にハ少ツ1−かd)るた
めに、実1’lltの半1−11 (」+)後の平田層
の厚さには人さld−変動がある。したがって、(1を
金属によるiii IJI)rンの歪み影響を効果的に
緩filりることの(きないらのであり、このため整流
+ii+ l +j (1破損!するj、うなお(1シ
も多い乙の(ある。
、Ll/)光間(311記のJ、)イヱ点に鑑みなされ
たもの” 、j:i 7JIノfンを(ン1成jlる/
lり熱雷(ルをアルミニュL+ハ、]、J ’LL Q
’i、社!iii +711’I C’構成りるJ:)
な場合でJ) ’) (”b、この(、l、 ;’:’
:小回ど半導体整if!j器との結含仏fg、 @ 、
’+’l″i気的接j℃1人態を充分なしのどりるど共
に、 !il+域的J8 i’; +1.1d二ム整流
器に対して熱的歪み、磯賊的歪力の悪影響かうえらIC
7,<いよ)にしく、信頼性を充分に向上させることI
)ICさるJ、)にづる半導体整流装置を提供しようj
−JるしのC(0る。
たもの” 、j:i 7JIノfンを(ン1成jlる/
lり熱雷(ルをアルミニュL+ハ、]、J ’LL Q
’i、社!iii +711’I C’構成りるJ:)
な場合でJ) ’) (”b、この(、l、 ;’:’
:小回ど半導体整if!j器との結含仏fg、 @ 、
’+’l″i気的接j℃1人態を充分なしのどりるど共
に、 !il+域的J8 i’; +1.1d二ム整流
器に対して熱的歪み、磯賊的歪力の悪影響かうえらIC
7,<いよ)にしく、信頼性を充分に向上させることI
)ICさるJ、)にづる半導体整流装置を提供しようj
−JるしのC(0る。
づなわら、この光間に係る?1′々(1・、整流11W
り1,1、冷却フィンを構成り−る軽金属よりむる敢ヌ
j)電恒(、二対して、ろう着可能な金属板状体を金属
4・−4合によって一体的に固着結合づるど共に、この
金属板状t、t ニi L テ半[J] ニJ: ッ”
C整流器k +12す(・j(ノル、1、)にし、上記
金属板状(本に対しく 1;1 、 整流器の1j向に
向けて整流器どの間隔を設定(Jる〜故の突起4形成す
るにうにしたものである。。
り1,1、冷却フィンを構成り−る軽金属よりむる敢ヌ
j)電恒(、二対して、ろう着可能な金属板状体を金属
4・−4合によって一体的に固着結合づるど共に、この
金属板状t、t ニi L テ半[J] ニJ: ッ”
C整流器k +12す(・j(ノル、1、)にし、上記
金属板状(本に対しく 1;1 、 整流器の1j向に
向けて整流器どの間隔を設定(Jる〜故の突起4形成す
るにうにしたものである。。
Jズ下図面を参照してこの光間の 実施例”:’: i
JJ明づる。第2図はイのPli面構迄を小!1(Jσ
]−C’ 、 i’i: IJIツインを構成する放熱
型(ル111.j、 !’、7舎屈(、i );1則え
ばj′ルミニコームにJ:って(8成さ4I(い〈:)
7、でしC1この放R1!電(Φ11のエンボス部12
(Jλjし・C第1図(小したと同様に構成される(同
一)11成部分は同1・′I舅で示しでいる)半導体整
流;、:、l! l 、T、 4取りf」+ノるもので
あるか、このエンボス部+ 2 に2.J してろ’:
) F+可能な金属材料で゛なる金属(反4N1゛本2
1が取り(、J 1.1られる。この今屈11ン仏1ホ
21は、放熱型(tllに対し−C固層接合状態−(−
1,4、的に結合づるもので、この一体向結合手段は
+51えは金属Iri状1ホ21を放熱電極11にi=
I L、 ’u−1111斤しなからこの板状1ホ21
にM1音波振動、61、たは畠周:I!/振動を加える
。づな4つら、金属)反lI(捧21どb’l熱゛爪(
・π11との相Hの接合面に介在づるn’J 11B被
膜がね11シしC純粋な金属面が露出される状態どなり
、したかつて接合圧力で上記接合面が原」−間隔に近f
」さ、−6の接合部に強固な金属結合か生づ゛るように
(fるものである。
JJ明づる。第2図はイのPli面構迄を小!1(Jσ
]−C’ 、 i’i: IJIツインを構成する放熱
型(ル111.j、 !’、7舎屈(、i );1則え
ばj′ルミニコームにJ:って(8成さ4I(い〈:)
7、でしC1この放R1!電(Φ11のエンボス部12
(Jλjし・C第1図(小したと同様に構成される(同
一)11成部分は同1・′I舅で示しでいる)半導体整
流;、:、l! l 、T、 4取りf」+ノるもので
あるか、このエンボス部+ 2 に2.J してろ’:
) F+可能な金属材料で゛なる金属(反4N1゛本2
1が取り(、J 1.1られる。この今屈11ン仏1ホ
21は、放熱型(tllに対し−C固層接合状態−(−
1,4、的に結合づるもので、この一体向結合手段は
+51えは金属Iri状1ホ21を放熱電極11にi=
I L、 ’u−1111斤しなからこの板状1ホ21
にM1音波振動、61、たは畠周:I!/振動を加える
。づな4つら、金属)反lI(捧21どb’l熱゛爪(
・π11との相Hの接合面に介在づるn’J 11B被
膜がね11シしC純粋な金属面が露出される状態どなり
、したかつて接合圧力で上記接合面が原」−間隔に近f
」さ、−6の接合部に強固な金属結合か生づ゛るように
(fるものである。
ここC1上記金属1反状休21は、整流器13を構成I
Jろ−I(スフ17どは(五等しい熱膨張係数をイjし
、か艷ユニ!f−導1′1、”l’ +11 fJ +
プ良好な金属材わ1、例えば1!1.、、、 iM構成
f(るbの−C’ &3 ル。
Jろ−I(スフ17どは(五等しい熱膨張係数をイjし
、か艷ユニ!f−導1′1、”l’ +11 fJ +
プ良好な金属材わ1、例えば1!1.、、、 iM構成
f(るbの−C’ &3 ル。
ししく、この今1.・Vi 1I21人1本21(二λ
、1しては、整f%を器1;(の4’−(ス′)1iの
方向に向LJ ’C7!2?iの同し^さの突起22;
+ 、22b 、・・を形成りるbのC1この突起22
;+ 、ン21)、・・(J−1、> T ’Ri流ル
813か金属板状体21ど甲IJ状態で支1”j設定さ
れるJ、うにづる3、この場自突起22a、 221+
、−は、少なくとb3個以上であることが望ましい。そ
し−にの金属板状14〜21と整流器13との間は、半
田14によ・)C−1ホに11!j i’3するもので
ある。
、1しては、整f%を器1;(の4’−(ス′)1iの
方向に向LJ ’C7!2?iの同し^さの突起22;
+ 、22b 、・・を形成りるbのC1この突起22
;+ 、ン21)、・・(J−1、> T ’Ri流ル
813か金属板状体21ど甲IJ状態で支1”j設定さ
れるJ、うにづる3、この場自突起22a、 221+
、−は、少なくとb3個以上であることが望ましい。そ
し−にの金属板状14〜21と整流器13との間は、半
田14によ・)C−1ホに11!j i’3するもので
ある。
Jなわら、上記のJ:うに構成さ1LるI′うn1憧1
1)7流装置にあっては、整流器13を支えるl′11
11 I+の囮の厚さは突起22a 、 22b 、・
・・にJ、って均一的(ご設定されるようになるもの−
(あり、この半111111層の役割である(幾械的歪
み緩和等の効果を最大1′!′llにlL揮させること
が非常に容易となるものCある。し1こがって、機能発
揮上て重要な整iZt器13の]Q傷の発生が充分少な
い状態とづることのCさるしの(、高品質の半導体整流
装置を(&成りるに9JJ!T!的く−ある。
1)7流装置にあっては、整流器13を支えるl′11
11 I+の囮の厚さは突起22a 、 22b 、・
・・にJ、って均一的(ご設定されるようになるもの−
(あり、この半111111層の役割である(幾械的歪
み緩和等の効果を最大1′!′llにlL揮させること
が非常に容易となるものCある。し1こがって、機能発
揮上て重要な整iZt器13の]Q傷の発生が充分少な
い状態とづることのCさるしの(、高品質の半導体整流
装置を(&成りるに9JJ!T!的く−ある。
ここで、突起22a 、 22b 、・・・は4Jら出
しにJ、って構成されるような背面部に四部の(IOし
な(’ 4R態で形成されるしの−Cあり、しl、かλ
(整流F:;13部の発熱を効果的【ご放熱型(11λ
11す<14戸)i?’+ 1.11ツインに伝達りる
ことのできるしの(ル]す、 /Iシ熱<、<11果を
充分なものとし−C整流器13のiW度の−1,、’I
=i ’aΔノ牙3約3的止することのできるもの(あ
る。こび)J場合、突起22a 、221)、・・は金
属板状体21を放熱電極11(ご固Flq接白’It;
!ざ(体化りる圧接過捏C形成りることのてさるしの
Cあり、1う別の加エエ稈を必要とりるものてl;1.
%い。
しにJ、って構成されるような背面部に四部の(IOし
な(’ 4R態で形成されるしの−Cあり、しl、かλ
(整流F:;13部の発熱を効果的【ご放熱型(11λ
11す<14戸)i?’+ 1.11ツインに伝達りる
ことのできるしの(ル]す、 /Iシ熱<、<11果を
充分なものとし−C整流器13のiW度の−1,、’I
=i ’aΔノ牙3約3的止することのできるもの(あ
る。こび)J場合、突起22a 、221)、・・は金
属板状体21を放熱電極11(ご固Flq接白’It;
!ざ(体化りる圧接過捏C形成りることのてさるしの
Cあり、1う別の加エエ稈を必要とりるものてl;1.
%い。
Jス」−のようにこの花明によれは、冷却−フィンをI
ff m &’!X (Jわl−C仔1成’J ルヨウ
lj JM 台c−アー)−C’b、整、Aj器を容易
かつ1llf実に上記1θ却フインに対し−C取り(J
+)ることのCさるもの(あり、しかも整流器を熱的
歪み、)浅(成的歪み等からの悪影響から効果的に守る
ことのCさる6のCあり、この件整流装置の1、−・!
+n Clを向1−おけるために非富に人さな効果・3
b IIりるしのCある、 尚、実施例C(11rl F、:! ila (I l
+ ニ対1.テ11AI(7)F流器13をIIR&
) f=J’ l:Jる]人〔呂で示しているが、bl
うろん1つの放熱電1j11にλ・]シて復数詞の整流
器を取り1;JllろJ、うにしくし良いことはもらろ
んCある。
ff m &’!X (Jわl−C仔1成’J ルヨウ
lj JM 台c−アー)−C’b、整、Aj器を容易
かつ1llf実に上記1θ却フインに対し−C取り(J
+)ることのCさるもの(あり、しかも整流器を熱的
歪み、)浅(成的歪み等からの悪影響から効果的に守る
ことのCさる6のCあり、この件整流装置の1、−・!
+n Clを向1−おけるために非富に人さな効果・3
b IIりるしのCある、 尚、実施例C(11rl F、:! ila (I l
+ ニ対1.テ11AI(7)F流器13をIIR&
) f=J’ l:Jる]人〔呂で示しているが、bl
うろん1つの放熱電1j11にλ・]シて復数詞の整流
器を取り1;JllろJ、うにしくし良いことはもらろ
んCある。
、1.た、上記実施1−1(−は半導(ホブツブ)a
’l’ IJJを介しくlイス9M 3J L−C接続
固定りるど其に、この゛1′♂ρ目1.17ノ(JχJ
L(リー1−線を同じく゛1′田C接F;(固定し、
)” (/、’、’内にシリ:1ンゴムを充填しCチッ
プ部を気密封止するようにしくT It”i成した゛に
29体整流器を取り1」(Jる状態で示し文いる。しか
し、これはもらろん半田でろうf、J IJ固定づるし
のCあれば、いかなる半導体整流器v ++’+ =、
+ ’Cb J:いものCある。
’l’ IJJを介しくlイス9M 3J L−C接続
固定りるど其に、この゛1′♂ρ目1.17ノ(JχJ
L(リー1−線を同じく゛1′田C接F;(固定し、
)” (/、’、’内にシリ:1ンゴムを充填しCチッ
プ部を気密封止するようにしくT It”i成した゛に
29体整流器を取り1」(Jる状態で示し文いる。しか
し、これはもらろん半田でろうf、J IJ固定づるし
のCあれば、いかなる半導体整流器v ++’+ =、
+ ’Cb J:いものCある。
さらに、上記実施例では成熱゛市1チに1−ン小ス部を
形成した状態C示し−Cいるか、こtL kl、 t)
らろんエンボス部を形成しない状態てii3+ −)C
b J、いb (7)である。
形成した状態C示し−Cいるか、こtL kl、 t)
らろんエンボス部を形成しない状態てii3+ −)C
b J、いb (7)である。
第1図は従来の半導体整流装置を示!1’ 1tli面
図、第2図はこの几明の一実施例に1糸る半冑体整i1
:j共置を説明りるl17i面構成図である。 11・・・放熱電極(冷却フィン)、12・・・I−ン
・1ニス部、13・・・半導1本整流器、14・・・半
田、1jI・・・半導体1ソゾ、21・・・金属板状体
、22a 、 22b 、=突起、。
図、第2図はこの几明の一実施例に1糸る半冑体整i1
:j共置を説明りるl17i面構成図である。 11・・・放熱電極(冷却フィン)、12・・・I−ン
・1ニス部、13・・・半導1本整流器、14・・・半
田、1jI・・・半導体1ソゾ、21・・・金属板状体
、22a 、 22b 、=突起、。
Claims (1)
- 軽金属製の敢ソ、す電)勇に対してろう着可能な金属板
状体を金属結合により一体的に固着結合するとJl、1
こ、この金属板状体に対して半田層を介して半Jり1本
−に流器取りf=J tll 、上記全屈板状(ホには
複数の突起を;すけ、この突起によって上記金属(ル状
1ホど上記′−I′−導1本整流;;スとの間隔を一定
に保たせるようにしl二ことを持j叔どりる半導体整流
H置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176605A JPS6066847A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176605A JPS6066847A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066847A true JPS6066847A (ja) | 1985-04-17 |
| JPH0534829B2 JPH0534829B2 (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=16016485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176605A Granted JPS6066847A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0345641U (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-26 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5361970A (en) * | 1976-11-16 | 1978-06-02 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor element |
| JPS55130135A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS5756218A (en) * | 1980-09-18 | 1982-04-03 | Toyota Motor Corp | Manufacture of polyurethane resin molding |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58176605A patent/JPS6066847A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5361970A (en) * | 1976-11-16 | 1978-06-02 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor element |
| JPS55130135A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0345641U (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0534829B2 (ja) | 1993-05-25 |
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