JPS6233331Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6233331Y2 JPS6233331Y2 JP1982080000U JP8000082U JPS6233331Y2 JP S6233331 Y2 JPS6233331 Y2 JP S6233331Y2 JP 1982080000 U JP1982080000 U JP 1982080000U JP 8000082 U JP8000082 U JP 8000082U JP S6233331 Y2 JPS6233331 Y2 JP S6233331Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat dissipation
- semiconductor device
- metal cap
- heat
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は気密封止形半導体装置の金属冷却体
（放熱フイン）取付に係り、特に作業性に優れ、
耐熱強度に有効な取付構造に関する。
（放熱フイン）取付に係り、特に作業性に優れ、
耐熱強度に有効な取付構造に関する。
(b) 技術の背景
一般に半導体素子は特性上又は信頼性の点から
許される最高許容温度がありシリコン半導体では
75〜200℃、ゲルマニウム半導体では75〜110℃で
ある。
許される最高許容温度がありシリコン半導体では
75〜200℃、ゲルマニウム半導体では75〜110℃で
ある。
装置の熱特性は一般に熱抵抗という値で表され
る。電力用又は大電流容量の半導体素子は一種の
発熱体をなすから特性変動を防止するための熱抵
抗を小さくする放熱構造を備えるのが一般的でそ
の一例として放熱フインを取付けて放熱する方法
がある。装置の表面から空気中までの熱抵抗は外
部熱抵抗とよばれ１／hs（ｈ：熱伝導率、ｓ：
表面積）なる式で表わされる。ｈを定数と見なす
と、表面積の総和が大きい程有効に作用する。
る。電力用又は大電流容量の半導体素子は一種の
発熱体をなすから特性変動を防止するための熱抵
抗を小さくする放熱構造を備えるのが一般的でそ
の一例として放熱フインを取付けて放熱する方法
がある。装置の表面から空気中までの熱抵抗は外
部熱抵抗とよばれ１／hs（ｈ：熱伝導率、ｓ：
表面積）なる式で表わされる。ｈを定数と見なす
と、表面積の総和が大きい程有効に作用する。
(c) 従来技術と問題点
気密封止形半導体装置に放熱フインを取付けた
従来体例を第１図及び第２図に示す。
従来体例を第１図及び第２図に示す。
第１図は両端のセラミツク面に樹脂接着した例
であり、第２図は金属又はセラミツクキヤツプに
直接樹脂接着した従来例を示す。
であり、第２図は金属又はセラミツクキヤツプに
直接樹脂接着した従来例を示す。
第１図の例ではセラミツク基板２の凹部に半導
体素子３を実装し、素子の周辺部に設けた信号線
接続用パツドとセラミツク基板２に設けたメタラ
イズ導体とをワイヤ４を介してボンデング接続
し、セラミツク又は金属のキヤツプ５を金、錫半
田でシールする気密封止形の半導体装置１を形成
する。中央に凹部を設けた斜線で示す放熱フイン
６を半導体装置１の上面に接着固定する。放熱フ
イン６は熱伝導性のよいアルミ合金で形成され表
面積を増すための突起片８を複数個備え、軽量化
を計つている。また放熱フイン６の底面には凹部
を備え、半導体装置１のキヤツプ５に間隙を持た
せ両端を図のようにエポキシ樹脂７で接着固定す
る。
体素子３を実装し、素子の周辺部に設けた信号線
接続用パツドとセラミツク基板２に設けたメタラ
イズ導体とをワイヤ４を介してボンデング接続
し、セラミツク又は金属のキヤツプ５を金、錫半
田でシールする気密封止形の半導体装置１を形成
する。中央に凹部を設けた斜線で示す放熱フイン
６を半導体装置１の上面に接着固定する。放熱フ
イン６は熱伝導性のよいアルミ合金で形成され表
面積を増すための突起片８を複数個備え、軽量化
を計つている。また放熱フイン６の底面には凹部
を備え、半導体装置１のキヤツプ５に間隙を持た
せ両端を図のようにエポキシ樹脂７で接着固定す
る。
第２図の例では金属又はセラミツクのキヤツプ
５に底面が平坦な放熱フイン６′を直接エポキシ
樹脂７′で接着固定したものである。
５に底面が平坦な放熱フイン６′を直接エポキシ
樹脂７′で接着固定したものである。
しかしこの接着方法はエポキシ樹脂７，７′を
塗布し、150℃前後で熱硬化させるため、樹脂層
は熱ストレス等の環境試験等において脆弱となり
熱膨張係数の差異により影響を受け易く劣化す
る。場合によつては剥離するおそれも生ずる。
塗布し、150℃前後で熱硬化させるため、樹脂層
は熱ストレス等の環境試験等において脆弱となり
熱膨張係数の差異により影響を受け易く劣化す
る。場合によつては剥離するおそれも生ずる。
(d) 考案の目的
本考案は上記の欠点に鑑み、放熱フインを半導
体装置の金属キヤツプに樹脂接着するとともに該
放熱フインを金属キヤツプの両端で係止させる、
熱ストレスに強い取付構造の提供を目的とする。
体装置の金属キヤツプに樹脂接着するとともに該
放熱フインを金属キヤツプの両端で係止させる、
熱ストレスに強い取付構造の提供を目的とする。
(e) 考案の構成
上記目的は本考案によれば半導体素子の収容さ
れた容器を封止するＵ字型金属キヤツプの端部
が、放熱器に設けられた孔に挿入され、前記端部
を折り曲げることによつて前記放熱器が前記金属
キヤツプに固定されることによつて達せられる。
れた容器を封止するＵ字型金属キヤツプの端部
が、放熱器に設けられた孔に挿入され、前記端部
を折り曲げることによつて前記放熱器が前記金属
キヤツプに固定されることによつて達せられる。
(f) 考案の実施例
以下本考案の実施例について図面により詳述す
る。
る。
第３図は本考案の一実施例である放熱フインを
取付けた半導体装置を示す断面図である。
取付けた半導体装置を示す断面図である。
第４図は本考案の一実施例を示す半導体装置の
斜視図である。
斜視図である。
気密封止形半導体装置１１の金属キヤツプ１２
をＵ字形に形成する。金属キヤツプ１２はセラミ
ツク基板１３に金−錫半田で封止し、放熱フイン
１４を取付ける。放熱フイン１４には金属キヤツ
プ１２の両端に設けたＵ字形をなす突起部を貫通
させる角孔１４ａにより上面より挿着される。
をＵ字形に形成する。金属キヤツプ１２はセラミ
ツク基板１３に金−錫半田で封止し、放熱フイン
１４を取付ける。放熱フイン１４には金属キヤツ
プ１２の両端に設けたＵ字形をなす突起部を貫通
させる角孔１４ａにより上面より挿着される。
金属キヤツプ１２に放熱フイン１４を取付ける
構造として、予じめ金属キヤツプ１２にＵ字形の
突起片１２ａを設けて放熱フイン１４を搭載し、
突起片１２ａを折曲させて放熱フイン１４を係止
させる。このとき、従来と同様に、樹脂接着を併
用することもできる。
構造として、予じめ金属キヤツプ１２にＵ字形の
突起片１２ａを設けて放熱フイン１４を搭載し、
突起片１２ａを折曲させて放熱フイン１４を係止
させる。このとき、従来と同様に、樹脂接着を併
用することもできる。
このように樹脂固定と機械的な固定方法を併用
することにより従来に比して接合強度は更に向上
する。
することにより従来に比して接合強度は更に向上
する。
金属キヤツプ１２は鉄合金、銅合金何れでもよ
く実験に供した素材は42アロイ、コバール等を用
いたが何れも効果がある。熱ストレスにも十分耐
えられる構造とすることができ利用範囲は広い。
く実験に供した素材は42アロイ、コバール等を用
いたが何れも効果がある。熱ストレスにも十分耐
えられる構造とすることができ利用範囲は広い。
(g) 考案の効果
以上詳細に説明したように本考案の放熱フイン
取付構造とすることにより環境試験に耐えられる
熱ストレスに優れた効果があり応用範囲が広く、
その実用効果は著しい。
取付構造とすることにより環境試験に耐えられる
熱ストレスに優れた効果があり応用範囲が広く、
その実用効果は著しい。
第１図は両端のセラミツク面に樹脂接着した放
熱フイン取付構造の従来例を示す断面図、第２図
は半導体装置のキヤツプ面に樹脂接着した放熱フ
イン取付を示す従来例の断面図、第３図は本考案
の一実施例である放熱フインを取付けた半導体装
置を示す断面図、第４図は本考案の一実施例であ
る半導体装置の斜視図である。 図において、１１は半導体装置、１２は金属キ
ヤツプ、１３はセラミツク基板、１４は放熱フイ
ン、１５は接着樹脂を示す。
熱フイン取付構造の従来例を示す断面図、第２図
は半導体装置のキヤツプ面に樹脂接着した放熱フ
イン取付を示す従来例の断面図、第３図は本考案
の一実施例である放熱フインを取付けた半導体装
置を示す断面図、第４図は本考案の一実施例であ
る半導体装置の斜視図である。 図において、１１は半導体装置、１２は金属キ
ヤツプ、１３はセラミツク基板、１４は放熱フイ
ン、１５は接着樹脂を示す。
Claims (1)
- 半導体素子の収容された容器を封止するＵ字型
金属キヤツプの端部が、放熱器に設けられた孔に
挿入され、前記端部を折り曲げることによつて前
記放熱器が前記金属キヤツプに固定されてなるこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982080000U JPS58182434U (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982080000U JPS58182434U (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182434U JPS58182434U (ja) | 1983-12-05 |
| JPS6233331Y2 true JPS6233331Y2 (ja) | 1987-08-26 |
Family
ID=30089159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982080000U Granted JPS58182434U (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182434U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4546335B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2010-09-15 | 富士通株式会社 | パッケージ冷却装置 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP1982080000U patent/JPS58182434U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58182434U (ja) | 1983-12-05 |
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