JPS6067470A - 光学活性オキサゾリジン−２−オン誘導体の製造法 - Google Patents
光学活性オキサゾリジン−２−オン誘導体の製造法Info
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- JPS6067470A JPS6067470A JP17558583A JP17558583A JPS6067470A JP S6067470 A JPS6067470 A JP S6067470A JP 17558583 A JP17558583 A JP 17558583A JP 17558583 A JP17558583 A JP 17558583A JP S6067470 A JPS6067470 A JP S6067470A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光学活性エボギシ化合物の立体配置を反転す
ると共に、オキサゾリドン環に置換する光学活性オキサ
ゾリジン−２−オン誘導体の新規な製造法に関するもの
である。更に詳しくは、〔※は不斉炭素を示す。几ｌは
０１〜Ｃ４の低級アルキル基を示す。Ｒ２は０１〜Ｃ４
の低級アルキル基、ベンジル基又は置換ベンジル基を示
す。〕で表わされる光学活性エポキシ化合物を、酸と反
応させることを特徴とする、 〔※は不断炭素ケ示す。Ｒ１は０１〜Ｃ４の低級アルキ
ル基を示す。〕 で表わされる出発物質の立体配置が反転した光学活性５
−ヒ１くロキシメチルーＮ−置換オキサゾリジン−２−
オンの装造法に関するものである。
ると共に、オキサゾリドン環に置換する光学活性オキサ
ゾリジン−２−オン誘導体の新規な製造法に関するもの
である。更に詳しくは、〔※は不斉炭素を示す。几ｌは
０１〜Ｃ４の低級アルキル基を示す。Ｒ２は０１〜Ｃ４
の低級アルキル基、ベンジル基又は置換ベンジル基を示
す。〕で表わされる光学活性エポキシ化合物を、酸と反
応させることを特徴とする、 〔※は不断炭素ケ示す。Ｒ１は０１〜Ｃ４の低級アルキ
ル基を示す。〕 で表わされる出発物質の立体配置が反転した光学活性５
−ヒ１くロキシメチルーＮ−置換オキサゾリジン−２−
オンの装造法に関するものである。
光学活性の５−ヒドロキシメチル−Ｎ−置換オキサゾリ
ジン−２−オンは、その立体配置が（Ｓ）体の化合物は
、ツＣ学活作のβ−受容体遮断薬の有用な合成中間体で
あることか知られている。Ｎ（７）置換基についてはイ
ソプロピル基およびｔ−ブチル基が薬効の面から重要で
ある。
ジン−２−オンは、その立体配置が（Ｓ）体の化合物は
、ツＣ学活作のβ−受容体遮断薬の有用な合成中間体で
あることか知られている。Ｎ（７）置換基についてはイ
ソプロピル基およびｔ−ブチル基が薬効の面から重要で
ある。
本発明の出願人は既に上記の有用な光学活性５−ヒドロ
キシメチル−Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オンの酵素
的製法を発明した（特願昭５７−１４１５７４．５７−
１４１５７５．５７−１９０５８５）。
キシメチル−Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オンの酵素
的製法を発明した（特願昭５７−１４１５７４．５７−
１４１５７５．５７−１９０５８５）。
式１に示すように、（Ｒ−８）体の５−アシルオキシメ
チル−Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オンを酵素により
光学分割する方法であるが、この方法の際、所望とする
光学活性の５−ヒドロキシメチル−Ｎ−置換オキサゾリ
ジン−２−オンと逆の立体配置を有する光学異性体の有
効利用が、工業的従来、前記の５−ヒドロキシメチル−
Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オンの有効な所望とする
光学活性体への反転方法は、報告例はなく、さらに有効
なラセミ化方法さえ見出されていなかった。
チル−Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オンを酵素により
光学分割する方法であるが、この方法の際、所望とする
光学活性の５−ヒドロキシメチル−Ｎ−置換オキサゾリ
ジン−２−オンと逆の立体配置を有する光学異性体の有
効利用が、工業的従来、前記の５−ヒドロキシメチル−
Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オンの有効な所望とする
光学活性体への反転方法は、報告例はなく、さらに有効
なラセミ化方法さえ見出されていなかった。
本発明者らは、この点に関し検討し、光学活性の５−ヒ
ドロキシメチル−Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オンか
ら誘導されるエポキシ化合物を酸で処理すると、庶＜べ
きことに、不斉炭素の立体配置が反転すると同時に、オ
キサゾリドン環に変換し、−挙に所望とする立体配置を
有する５−ヒドロキシフチルーＮ−置換オキサゾリジン
−２−オンが生成することを見出して本発明を完成させ
た。具体的に本発明の反転方法を示すと、式２の如くに
表わされる。
ドロキシメチル−Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オンか
ら誘導されるエポキシ化合物を酸で処理すると、庶＜べ
きことに、不斉炭素の立体配置が反転すると同時に、オ
キサゾリドン環に変換し、−挙に所望とする立体配置を
有する５−ヒドロキシフチルーＮ−置換オキサゾリジン
−２−オンが生成することを見出して本発明を完成させ
た。具体的に本発明の反転方法を示すと、式２の如くに
表わされる。
式２
（式中、※は不斉炭素を示す。几１、Ｒ２は前記と同一
。） 本発明による、効果的な反転法を利用して、所望とする
一方の立体配置を有する５−ヒドロキシメチル−Ｎ−置
換オキサゾリジン−２−オンが（几Ｓ）体のＮ−置換オ
キサゾリジン−２−オン誘尋体から収率良く得ることが
できる。
。） 本発明による、効果的な反転法を利用して、所望とする
一方の立体配置を有する５−ヒドロキシメチル−Ｎ−置
換オキサゾリジン−２−オンが（几Ｓ）体のＮ−置換オ
キサゾリジン−２−オン誘尋体から収率良く得ることが
できる。
本発明における反転工程の出発物質の化合物（１）、示
す。Ｒ１，几２は前記と同一）で表わされる光学活性エ
ポキシ化合物は、前記した本出願人の発明により得られ
る光学活性５−ヒドロキシメチル−Ｎ−置換オキサゾリ
ジン−２−オンをアルカリ加水分解して容易に取得でき
る光学活性Ｎｆｆｆ換アミノアミノプロパンジオール成
される。１光学活性Ｎ ＠換７Ｚノプロパンジオールか
ら立体配置の保持された光学活性エポキシ化合物中への
変換方法は種々の公知の反応を組み合わせて達成できる
。
す。Ｒ１，几２は前記と同一）で表わされる光学活性エ
ポキシ化合物は、前記した本出願人の発明により得られ
る光学活性５−ヒドロキシメチル−Ｎ−置換オキサゾリ
ジン−２−オンをアルカリ加水分解して容易に取得でき
る光学活性Ｎｆｆｆ換アミノアミノプロパンジオール成
される。１光学活性Ｎ ＠換７Ｚノプロパンジオールか
ら立体配置の保持された光学活性エポキシ化合物中への
変換方法は種々の公知の反応を組み合わせて達成できる
。
例として、弐８および式４に示す。
（１）
即ち、弐３に示すように、光学活性Ｎ−置換アミノプロ
パンジオールをＨＢｒ−酢酸と反応させ、次いでナトリ
ウムメチラート等の塩基でエポキシ誘導体に変換し、つ
いでクロル炭酸アルキルやクロル炭酸ベンジル等でアミ
ノ基をカルバメート基にして光学活性のエポキシ化合物
中を得ることができる。式４では、ＨＢｒ−酢酸の替り
にｐ−トルエンスルホニルクロリド等で光学活性のトシ
レート体に誘導し、ついでナトリウムメチラート等の塩
基で式８と同様のエポキシ誘導体に置換できる。
パンジオールをＨＢｒ−酢酸と反応させ、次いでナトリ
ウムメチラート等の塩基でエポキシ誘導体に変換し、つ
いでクロル炭酸アルキルやクロル炭酸ベンジル等でアミ
ノ基をカルバメート基にして光学活性のエポキシ化合物
中を得ることができる。式４では、ＨＢｒ−酢酸の替り
にｐ−トルエンスルホニルクロリド等で光学活性のトシ
レート体に誘導し、ついでナトリウムメチラート等の塩
基で式８と同様のエポキシ誘導体に置換できる。
これらの光学活性Ｎ−置換アミノプロパンジオールから
化合物（１）のエポキシ化合物に変換する工程では、不
斉炭素の立体配置は保持されている。
化合物（１）のエポキシ化合物に変換する工程では、不
斉炭素の立体配置は保持されている。
本発明における反転工程の出発原料の光学活性エポキシ
化合物（１）の置換基Ｒ１は０１〜ｃ４の低級アルキル
基から選択することができる。例えばメチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル基等が挙
げられるが、薬効のｉｔｆいβ−受谷体遮断薬に対応す
るアルキル基としてはイソプロピル基とｔ−ブチル基が
好適である。化合物（Ｉ）の置換基几２はアミノ基をカ
ルバメート基にする際の試薬により規定される。この試
薬としては、クロル炭酸メチル、クロル炭酸エチル、ク
ロル炭酸ベンジル又は、クロル炭酸置換ベンジルが使用
できる。これらに対応する置換基几２は、メチル、エチ
ル、ベンジルおよび置換ベンジル基である。
化合物（１）の置換基Ｒ１は０１〜ｃ４の低級アルキル
基から選択することができる。例えばメチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル基等が挙
げられるが、薬効のｉｔｆいβ−受谷体遮断薬に対応す
るアルキル基としてはイソプロピル基とｔ−ブチル基が
好適である。化合物（Ｉ）の置換基几２はアミノ基をカ
ルバメート基にする際の試薬により規定される。この試
薬としては、クロル炭酸メチル、クロル炭酸エチル、ク
ロル炭酸ベンジル又は、クロル炭酸置換ベンジルが使用
できる。これらに対応する置換基几２は、メチル、エチ
ル、ベンジルおよび置換ベンジル基である。
置換ベンジル基としては、ｐ−メトキシベンジル、ｐ−
ニトロベンジル、０−メトキシベンジル、〇−ニトロベ
ンジル等の置換ベンジル基が使用できる。上記の光学活
性エポキシ化合物（１）のアミノ基の置換基Ｒ２は、反
転工程において脱離する基であり、工業的には几２がメ
チルおよびエチル基が好ましい。
ニトロベンジル、０−メトキシベンジル、〇−ニトロベ
ンジル等の置換ベンジル基が使用できる。上記の光学活
性エポキシ化合物（１）のアミノ基の置換基Ｒ２は、反
転工程において脱離する基であり、工業的には几２がメ
チルおよびエチル基が好ましい。
これらの光学活性エポキシ化合物（Ｉ）を酸で処理する
ことにより、反転させると共に５−ヒドロキシメチル−
Ｎ−ｆａ換オキサゾリジン−２−オンに変換させること
ができる。
ことにより、反転させると共に５−ヒドロキシメチル−
Ｎ−ｆａ換オキサゾリジン−２−オンに変換させること
ができる。
本発明で使用する酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸
、硼酸等の鉱酸および、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、シ
ュウ酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、クエン酸、マレ
イン酸、フマール酸、安息香酸、ｐ−トルエンスルホン
酸等の有機カルボン酸や有機スルホン酸が使用できる。
、硼酸等の鉱酸および、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、シ
ュウ酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、クエン酸、マレ
イン酸、フマール酸、安息香酸、ｐ−トルエンスルホン
酸等の有機カルボン酸や有機スルホン酸が使用できる。
又、さらに塩化アルミニウム、フッ化硼素エーテル錯体
、塩化亜鉛、塩化スズ、塩化鉄等のいわゆるルイス酸触
媒も本発明における酸として利用できる。
、塩化亜鉛、塩化スズ、塩化鉄等のいわゆるルイス酸触
媒も本発明における酸として利用できる。
本反応における溶媒としては、ベンゼン、トルエンなど
の芳香族炭化水素；メタノール、エタノールなどのアル
コール類；塩化メチレン、クロロポルムなどのハロゲン
化炭化水素二ジオキサン、エチルエーテル、テトラヒド
ロフランなどのエーテル類；およびジメチルフォルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル等の極性
溶媒が使用できる。さらに工業的に経済的である水も使
用できる。
の芳香族炭化水素；メタノール、エタノールなどのアル
コール類；塩化メチレン、クロロポルムなどのハロゲン
化炭化水素二ジオキサン、エチルエーテル、テトラヒド
ロフランなどのエーテル類；およびジメチルフォルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル等の極性
溶媒が使用できる。さらに工業的に経済的である水も使
用できる。
反応は均−系でも不均一系でも、進行し、反応温度は室
温から使用する溶媒の還流温度までの範囲で選択できる
。好ましくは、室温から約５０°Ｃ４の範囲である。本
反応において使用する酸の量としては、基質の光学活性
エポキシ化合物（１）に対して触媒量から約１０倍モル
の量迄使用できる。これらの反応条件で本反応を実施す
ると、反応は数時間から４８時間の範囲で終了できる。
温から使用する溶媒の還流温度までの範囲で選択できる
。好ましくは、室温から約５０°Ｃ４の範囲である。本
反応において使用する酸の量としては、基質の光学活性
エポキシ化合物（１）に対して触媒量から約１０倍モル
の量迄使用できる。これらの反応条件で本反応を実施す
ると、反応は数時間から４８時間の範囲で終了できる。
反応後、反応液を水酸化ナトリウム水溶液などのアルカ
リ水溶液でアルカリ性にして、塩化メチレンや酢酸エチ
ルなどの有機溶媒で反応物を抽出できる。分液した有機
層を減圧下に濃縮していけば、目的とする立体配置が反
転した光学活性の５−ヒドロキシメチル−Ｎ−Ｈ換オキ
サゾリジン−２−オンが結晶として析出するので、これ
をＰ遇することにより容易に目的物を取得することがで
きる。必要によっては、酢酸エチル等の溶媒で再結晶し
精製することもできる。
リ水溶液でアルカリ性にして、塩化メチレンや酢酸エチ
ルなどの有機溶媒で反応物を抽出できる。分液した有機
層を減圧下に濃縮していけば、目的とする立体配置が反
転した光学活性の５−ヒドロキシメチル−Ｎ−Ｈ換オキ
サゾリジン−２−オンが結晶として析出するので、これ
をＰ遇することにより容易に目的物を取得することがで
きる。必要によっては、酢酸エチル等の溶媒で再結晶し
精製することもできる。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
参考例１
（５Ｂ）−３−ｔ−ブチル−５−ヒドロキシメチル−オ
キサゾリジン−２−オン〔α〕二〇＝矛４４．７゜（０
＝ １ 、 ＯＨ０６ｇ ） ８．０１を６Ｎ−ＮａＯ
Ｈ８０ｍｌに浴かし、９５°Ｃで８時間攪拌する。反応
後、反応液を塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減
圧留去すると（Ｒ＞−８−ｔ−ブチル−１，２−ジヒド
ロキシプロパンの白色結晶２．４ｙが得られる。（几）
−８−ｔ−ブチルアミノ−１，２−ジヒドロキシプロパ
ン２．４１を臭化水素−酢酸溶液（２５％）４０ｇ？に
加え、室温で８時間攪拌する。
キサゾリジン−２−オン〔α〕二〇＝矛４４．７゜（０
＝ １ 、 ＯＨ０６ｇ ） ８．０１を６Ｎ−ＮａＯ
Ｈ８０ｍｌに浴かし、９５°Ｃで８時間攪拌する。反応
後、反応液を塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減
圧留去すると（Ｒ＞−８−ｔ−ブチル−１，２−ジヒド
ロキシプロパンの白色結晶２．４ｙが得られる。（几）
−８−ｔ−ブチルアミノ−１，２−ジヒドロキシプロパ
ン２．４１を臭化水素−酢酸溶液（２５％）４０ｇ？に
加え、室温で８時間攪拌する。
反応後、反応液を減圧濃縮すると結晶が析出する。
この結晶をエーテルで洗浄ル、（Ｒ）−２−アセトキシ
−１−ブロモ−８−ｔ−ブチルアミノプロパンのＨ］３
ｒ塩４．９ｇが得られる。（Ｒ）−２−７セトキシー１
−ブロモ−ａ−ｔ−ブチルアミノプロパンのＥＩＢｒ塩
２ｆ全２ｆノール１０πｅに７合かし、この溶液にナト
リウムメトキシド（２８％メタノール溶ｅ）２．５１を
冷却しながら滴下する。滴下後８０分攪拌する。反応後
、反応液を減圧濃縮する。
−１−ブロモ−８−ｔ−ブチルアミノプロパンのＨ］３
ｒ塩４．９ｇが得られる。（Ｒ）−２−７セトキシー１
−ブロモ−ａ−ｔ−ブチルアミノプロパンのＥＩＢｒ塩
２ｆ全２ｆノール１０πｅに７合かし、この溶液にナト
リウムメトキシド（２８％メタノール溶ｅ）２．５１を
冷却しながら滴下する。滴下後８０分攪拌する。反応後
、反応液を減圧濃縮する。
水２０ｔｓｌを加え塩化メチレンで抽出する。塩化メチ
レン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレ
ンを減圧留去すると（几）−ａ−ｔ−ブチルアミノ−１
，２−エポキシプロパンの液体が得られる。これを全景
、塩化メチレン５ｍｌにとかし、さらに水５ｔｔｔｔ加
えたものに、クロル炭酸エチル０．８ｇを塩化メチレン
５耐にとかした溶液と炭酸カリウム１．１ノを水５ｍｌ
にとかした溶液を、冷却下、同時に滴下し、室温で８時
間攪拌する。反応後、反応液に２ Ｎ−ＮａＯＨ１０ｔ
ｘｔを加えて塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減
圧留去すると（Ｒ）−Ｎ−エトキシカルボニル−８−を
−ブチルアミノ−１，２−エポキシプロパン１．１ｆの
液体を得る。
レン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレ
ンを減圧留去すると（几）−ａ−ｔ−ブチルアミノ−１
，２−エポキシプロパンの液体が得られる。これを全景
、塩化メチレン５ｍｌにとかし、さらに水５ｔｔｔｔ加
えたものに、クロル炭酸エチル０．８ｇを塩化メチレン
５耐にとかした溶液と炭酸カリウム１．１ノを水５ｍｌ
にとかした溶液を、冷却下、同時に滴下し、室温で８時
間攪拌する。反応後、反応液に２ Ｎ−ＮａＯＨ１０ｔ
ｘｔを加えて塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減
圧留去すると（Ｒ）−Ｎ−エトキシカルボニル−８−を
−ブチルアミノ−１，２−エポキシプロパン１．１ｆの
液体を得る。
参考例２
（５Ｒ）−８−イソプロピル−５−ヒドロキシメチル−
オキサゾリジン−２−オン〔α〕乳’＝−５７．６゜（
０＝１． ＯＨ（Ｍａ）４．Ｏｇヲ６Ｎ−ＮａＯＨ８０
ｍｌにとかし９０°Ｃで８時間攪拌する。反応後、反応
液を塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減圧留去す
ると（几）−８−イソプロピル−１，２−ジヒドロキシ
プロパンの液体３．０ｇが得られる。
オキサゾリジン−２−オン〔α〕乳’＝−５７．６゜（
０＝１． ＯＨ（Ｍａ）４．Ｏｇヲ６Ｎ−ＮａＯＨ８０
ｍｌにとかし９０°Ｃで８時間攪拌する。反応後、反応
液を塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減圧留去す
ると（几）−８−イソプロピル−１，２−ジヒドロキシ
プロパンの液体３．０ｇが得られる。
（Ｒ）−８−イソプロピル−１，２−ジヒドロキシプロ
パンｓ、ｏｙをピリジン塩酸塩２．９ｇとピリジン１０
ゴを含む溶液にとかす。この溶液に冷却下、パラトルエ
ンスルホン酸クロライド４．４ｆを塩化メチレン１０ｔ
ｔｔｌにとかした溶液を滴下する。５時間室温でｇ拌す
る。反応後、反応液に炭酸カリウム１．６ｆを水５０ｇ
／にして加える。この溶液がら過剰のピリジンを減圧留
去した後、炭酸カリウム８．７ｆ加え塩化メチレンで抽
出する。塩化メチレン胴を無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。硫酸マグネシウムを濾過で除いた溶液にｐ−トル
エンスルホン酸４．８１を加え、塩化メチレンを減圧留
去するとｍ（Ｒ）−１，２−ジヒドロキシ−３−イソプ
ロピルアミノプロパン−ｉ −ｐ −トルエンスルホナ
ートのｐ−トルエンスルホン酸塩９．４ｆが得られる。
パンｓ、ｏｙをピリジン塩酸塩２．９ｇとピリジン１０
ゴを含む溶液にとかす。この溶液に冷却下、パラトルエ
ンスルホン酸クロライド４．４ｆを塩化メチレン１０ｔ
ｔｔｌにとかした溶液を滴下する。５時間室温でｇ拌す
る。反応後、反応液に炭酸カリウム１．６ｆを水５０ｇ
／にして加える。この溶液がら過剰のピリジンを減圧留
去した後、炭酸カリウム８．７ｆ加え塩化メチレンで抽
出する。塩化メチレン胴を無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。硫酸マグネシウムを濾過で除いた溶液にｐ−トル
エンスルホン酸４．８１を加え、塩化メチレンを減圧留
去するとｍ（Ｒ）−１，２−ジヒドロキシ−３−イソプ
ロピルアミノプロパン−ｉ −ｐ −トルエンスルホナ
ートのｐ−トルエンスルホン酸塩９．４ｆが得られる。
次に、この塩をイソプロピルアルコールで再結して得た
塩の一部５．８１をメタノール５０ｔｔｔｌにとかし、
この溶液にナトリウムメ（・キシド（２８％メタノール
溶液＞５．２ｆを冷却しながら滴下する。滴下後８０分
攪拌する。反応後、反応液を減圧濃縮する。水５０ｇｔ
を加え塩化メチレンで抽出スル。塩化メチレン胴を無水
硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減圧留去
すると（Ｒ，） −８−イソプロピルアミノ−１，２−
エポキシプロパンの液体が得られる。これを全量、塩化
メチレン１０ｇ／にとかじ、さらに水１ｏがｌ加えたも
のに、クロル炭酸エチル１．８ｇを塩化メチレン１θｄ
にとかした溶液と炭酸カリウム２．２ｇを水Ｌｏｇｔに
とかした溶液を、冷却下、同時に滴下し、室温で８時間
攪拌する。反応後、反応液に２ Ｎ −ＮａＯＨ２０π
を加えて塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減圧留
去すると（几）−Ｎ−エトキシカルボニル−３−イソプ
ロピルアミノ−１，２−エポキシプロパンの液体を１．
８ｆ得る。
塩の一部５．８１をメタノール５０ｔｔｔｌにとかし、
この溶液にナトリウムメ（・キシド（２８％メタノール
溶液＞５．２ｆを冷却しながら滴下する。滴下後８０分
攪拌する。反応後、反応液を減圧濃縮する。水５０ｇｔ
を加え塩化メチレンで抽出スル。塩化メチレン胴を無水
硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減圧留去
すると（Ｒ，） −８−イソプロピルアミノ−１，２−
エポキシプロパンの液体が得られる。これを全量、塩化
メチレン１０ｇ／にとかじ、さらに水１ｏがｌ加えたも
のに、クロル炭酸エチル１．８ｇを塩化メチレン１θｄ
にとかした溶液と炭酸カリウム２．２ｇを水Ｌｏｇｔに
とかした溶液を、冷却下、同時に滴下し、室温で８時間
攪拌する。反応後、反応液に２ Ｎ −ＮａＯＨ２０π
を加えて塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減圧留
去すると（几）−Ｎ−エトキシカルボニル−３−イソプ
ロピルアミノ−１，２−エポキシプロパンの液体を１．
８ｆ得る。
実施例１
、参考例１に示したように（５Ｒ）−８−ｔ−ブチル−
５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オン〔α
〕二〇＝−４４．７°（０＝ １ 、０ＨＯ４ｓ ）か
ら得られた（Ｅ、）−Ｎ−エトキシカルボニル−８−ｔ
−ブチルアミノ−１，２−エポキシプロパン１．１ｇを
塩化メチレン１０ｆ！Ｉｔにとかし、この溶液に酢酸１
．０ｇを加え室温で１０時間攪拌する。反応後、反応液
に水１０πｔを加え、水酸化ナトリウム溶液でアルカリ
性にする。塩化メチレンで抽出する。
５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オン〔α
〕二〇＝−４４．７°（０＝ １ 、０ＨＯ４ｓ ）か
ら得られた（Ｅ、）−Ｎ−エトキシカルボニル−８−ｔ
−ブチルアミノ−１，２−エポキシプロパン１．１ｇを
塩化メチレン１０ｆ！Ｉｔにとかし、この溶液に酢酸１
．０ｇを加え室温で１０時間攪拌する。反応後、反応液
に水１０πｔを加え、水酸化ナトリウム溶液でアルカリ
性にする。塩化メチレンで抽出する。
塩化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩
化メチレンを減圧留去すると結晶が得られる。ヘキサン
で洗浄し戸数すると、（５８）−８−１−ブチル−５−
ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オンの白色結
晶０．９ｇが得られろ。
化メチレンを減圧留去すると結晶が得られる。ヘキサン
で洗浄し戸数すると、（５８）−８−１−ブチル−５−
ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オンの白色結
晶０．９ｇが得られろ。
Ｃａ）乳０＝ ＋ ４４．７°（Ｃ＝ １ 、０ＨＯｈ
）ｍ、ｐ ８８〜８４℃ ’ＨＮＭ几（ＣｊＤＯｌｌｓ 、９０ＭＨｚ ） δｐ
ｐｍ ：１、；３９ （９Ｈ，Ｓ、 ０ （ＯＨｓ）ａ
）。
）ｍ、ｐ ８８〜８４℃ ’ＨＮＭ几（ＣｊＤＯｌｌｓ 、９０ＭＨｚ ） δｐ
ｐｍ ：１、；３９ （９Ｈ，Ｓ、 ０ （ＯＨｓ）ａ
）。
３．１２〜Ｂ、２８ （ＩＩｌ、 −０Ｉ（）。
３．４３〜８．９５ （４Ｌ −ａｍ２−ＣＨ−ＣＨ２
−ｏ−）。
−ｏ−）。
４．８２−〜４．５２ （１ｆ（、−０ｋ１２−ＯＨ−
ＯＩＬ＋ −〇 −）１＋″ 実施例２ 参考例２に示したように、（５几）−８−イソプロピル
−５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オン〔
α式’−−５７．６°◇０ ＝ １ 、 Ｏｆ−１（Ｍ
ａ）から得られた（Ｒ） −Ｎ−エトキシカルボニル−
８−イソプロピルアミノ−１，２−エポキシプロパン１
．８ｇを塩化メチレン２０ｍ１にとかし、これに酢酸１
．６１を加え室温で１０時間攪拌する。反応後、反応液
に水１０ｔｘｌを加え、氷酸化ナトリウム溶液でアルカ
リ性にする。塩化メチレンで抽出する。
ＯＩＬ＋ −〇 −）１＋″ 実施例２ 参考例２に示したように、（５几）−８−イソプロピル
−５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オン〔
α式’−−５７．６°◇０ ＝ １ 、 Ｏｆ−１（Ｍ
ａ）から得られた（Ｒ） −Ｎ−エトキシカルボニル−
８−イソプロピルアミノ−１，２−エポキシプロパン１
．８ｇを塩化メチレン２０ｍ１にとかし、これに酢酸１
．６１を加え室温で１０時間攪拌する。反応後、反応液
に水１０ｔｘｌを加え、氷酸化ナトリウム溶液でアルカ
リ性にする。塩化メチレンで抽出する。
塩化メチレン届を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩
化メチレンを減圧留去すると結晶が得られる。ヘキサン
で洗浄し戸数すると（５ｓ）−・３−イソプロピル−５
−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オンの白色
結晶１．４ノが得られる。
化メチレンを減圧留去すると結晶が得られる。ヘキサン
で洗浄し戸数すると（５ｓ）−・３−イソプロピル−５
−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オンの白色
結晶１．４ノが得られる。
（α）；；’ ＝ ＋５７．７°（０＝１． ａＨａｔ
ｔｓ＞ 。
ｔｓ＞ 。
ｍ、ｐ ５６〜５７℃
１ＨＮＭＩＬ （ＣＤ（Ｘ？ａ 、 ９０ ＭＨｚ ）
δｐｐｍ ：１．１８ （６１ｉ、 ｄ、 ０ＨＯ（Ｏ
Ｈｓ）２） 。
δｐｐｍ ：１．１８ （６１ｉ、 ｄ、 ０ＨＯ（Ｏ
Ｈｓ）２） 。
８．８°０〜４．２０ （５Ｈ，−０Ｈ２−ＯＨ−ＯＨ
２−ＯＨ） 。
２−ＯＨ） 。
／＋−Ａ＋＋１ ルい帛鳩 ＭＭ
参考例１と同様にして、（５Ｒ）−８−ｔ−ブチル−５
−ヒドロキシ−メチル−オキサゾリジン−２−オン（ｄ
）”＝−４４，７°（０＝ １ 、０ＩＩＯＩｓ ）カ
ら得られた（１υ−Ｎ−エトキシカルボニル−３−ｔ−
ブチル−アミノ−１，２−エポキシプロパン２、Ｏｆを
水２０耐に加え、この溶液ニ１２ Ｎ −）ｉｏｊｌｌ
ｍｌを加えて室温で５時間撹拌する。反応後、反応液を
水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性にし、塩化メチレン
で抽出する。塩化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥する。塩化メチレンを減圧留去すると結晶が得られ
る。これをヘキサンで洗浄し戸数すると（５８）−８−
ｔ−ブチル−５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−
２−オンの白色結晶１．５ｆが得られる。
−ヒドロキシ−メチル−オキサゾリジン−２−オン（ｄ
）”＝−４４，７°（０＝ １ 、０ＩＩＯＩｓ ）カ
ら得られた（１υ−Ｎ−エトキシカルボニル−３−ｔ−
ブチル−アミノ−１，２−エポキシプロパン２、Ｏｆを
水２０耐に加え、この溶液ニ１２ Ｎ −）ｉｏｊｌｌ
ｍｌを加えて室温で５時間撹拌する。反応後、反応液を
水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性にし、塩化メチレン
で抽出する。塩化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥する。塩化メチレンを減圧留去すると結晶が得られ
る。これをヘキサンで洗浄し戸数すると（５８）−８−
ｔ−ブチル−５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−
２−オンの白色結晶１．５ｆが得られる。
（α）、 ＝＋４４．７°ＣＯ＝ １ 、０Ｈ（Ｊａ
）実施例４ 参考例１と同様にして、（５几）−８−ｔ−ブチル−５
−ヒドロキシメチルーオキザゾリジン−２−オン（ａ）
七〇＝−４４，７°（ｃ−１，ｃＨｃ１８）かう得られ
た（Ｒ）−Ｎ−エトキシカルボニル−ａ−ｔ−ブチル−
アミノ−１，２−エポキシプロパン２．０ｇをエーテル
２０ゴにとかし、この溶液に塩化アルミニウム０．６ｇ
を加えて室温で６時間攪拌する。
）実施例４ 参考例１と同様にして、（５几）−８−ｔ−ブチル−５
−ヒドロキシメチルーオキザゾリジン−２−オン（ａ）
七〇＝−４４，７°（ｃ−１，ｃＨｃ１８）かう得られ
た（Ｒ）−Ｎ−エトキシカルボニル−ａ−ｔ−ブチル−
アミノ−１，２−エポキシプロパン２．０ｇをエーテル
２０ゴにとかし、この溶液に塩化アルミニウム０．６ｇ
を加えて室温で６時間攪拌する。
反応後、反応液を水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性に
し、塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減圧留去す
ると結晶が得られる。これをヘキサンで洗浄し、戸数す
ると（５８）−１３−ｔ −ブチル−５−ヒドロキシメ
チル−オキサゾリジン−２−オンの白色結晶１．３ノが
イソられる。
し、塩化メチレンで抽出する。塩化メチレン層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥する。塩化メチレンを減圧留去す
ると結晶が得られる。これをヘキサンで洗浄し、戸数す
ると（５８）−１３−ｔ −ブチル−５−ヒドロキシメ
チル−オキサゾリジン−２−オンの白色結晶１．３ノが
イソられる。
〔α）、＝＋４４．７°（（！ ＝ １ 、０１ｉＯｊ
！ａ ）実施例５ 参考例１と同様にして、（５几）−８−ｔ−ブチル−５
−とドロ子ジメチルーオキサゾリジン−２−オン〔りも
０＝−４４，７°（０＝ １ 、 ＣＩ（０４！ａ ）
から得られた（几）−Ｎ−エトキシカルボニル−８−を
−ブチル−アミノ−１，２−エポキシプロパン２．Ｏｆ
をエーテル２０ゴにとかし、これにクエン酸２．７ｇを
加え、速流下１２時間攪拌する。反応後、反応液を水酸
化ナトリウム溶液でアルカリ性にし、塩化メチレンで抽
出する。塩化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。塩化メチレンを減圧留去すると結晶が得られる。
！ａ ）実施例５ 参考例１と同様にして、（５几）−８−ｔ−ブチル−５
−とドロ子ジメチルーオキサゾリジン−２−オン〔りも
０＝−４４，７°（０＝ １ 、 ＣＩ（０４！ａ ）
から得られた（几）−Ｎ−エトキシカルボニル−８−を
−ブチル−アミノ−１，２−エポキシプロパン２．Ｏｆ
をエーテル２０ゴにとかし、これにクエン酸２．７ｇを
加え、速流下１２時間攪拌する。反応後、反応液を水酸
化ナトリウム溶液でアルカリ性にし、塩化メチレンで抽
出する。塩化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。塩化メチレンを減圧留去すると結晶が得られる。
これをヘキサンで洗浄し戸数すると（５８）−８−ｔ−
フチルー５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−
オンの白色結晶１．５ｇが得られる。
フチルー５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−
オンの白色結晶１．５ｇが得られる。
〔α：）２０−＋４４．７°（０＝ １．、０ＨＯ１ｓ
）実施例６ 参考例１に示したように、（５Ｂ）＝３−４−ブチル−
５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オン〔α
）”＝−４４，７６（０＝ １ 、０ＨＯｌｎ ）から
得られた（几）−Ｎ−エトキシカルボニル−８−ｔ−ブ
チルアミノ−１，２−エポキシプロパン２．Ｏｆを塩化
メチレン２（Ｊｔｔｔｔに溶解し、この溶液に濃硫酸１
γｔを加えて室温で４時間攪拌する。反応後、反応液を
水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性にし、塩化メチレン
で抽出する。塩化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥する。塩化メチレンを減圧留去すると結晶が得られ
る。これをヘキサンで洗浄し戸数すると（５８）−３−
ｔ−ブチル−５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−
２−オンの白色結晶１．０ｇが得られる。
）実施例６ 参考例１に示したように、（５Ｂ）＝３−４−ブチル−
５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オン〔α
）”＝−４４，７６（０＝ １ 、０ＨＯｌｎ ）から
得られた（几）−Ｎ−エトキシカルボニル−８−ｔ−ブ
チルアミノ−１，２−エポキシプロパン２．Ｏｆを塩化
メチレン２（Ｊｔｔｔｔに溶解し、この溶液に濃硫酸１
γｔを加えて室温で４時間攪拌する。反応後、反応液を
水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性にし、塩化メチレン
で抽出する。塩化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥する。塩化メチレンを減圧留去すると結晶が得られ
る。これをヘキサンで洗浄し戸数すると（５８）−３−
ｔ−ブチル−５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−
２−オンの白色結晶１．０ｇが得られる。
〔α〕ゎ＝＋４４．７°（０＝ １ 、．９ＨＯ１８）
実施例７ 参考例１に示したように、（５Ｒ）−、−８−ｔ−ブチ
ル−５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オン
〔α几０＝−４４．７°（０＝ １ 、 Ｏｆｆ（Ｍａ
）から得られた（Ｒ）−Ｎ−エトキシカルボニル−３
−ｔ−ブチルアミノ−１，２−エポキシプロパン２．Ｏ
ｆを塩化メチレン２０ｙｔにとかし、この溶液に三フッ
化硼素エチルエーテル溶液（４７％＞１ｍｔｆ、ｅ加え
室温で４時間攪拌する。反応後、反応液を水酸化ナトリ
ウム溶液でアルカリ性にし塩化メチレンで抽出する。塩
化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化
メチレンを減圧留去すると液体が得られる。これをヘキ
サンで洗浄し結晶化させ（５８）−８−ｔ−ブチル−５
−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オンの白色
結晶０．８ｇが得られる。
実施例７ 参考例１に示したように、（５Ｒ）−、−８−ｔ−ブチ
ル−５−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オン
〔α几０＝−４４．７°（０＝ １ 、 Ｏｆｆ（Ｍａ
）から得られた（Ｒ）−Ｎ−エトキシカルボニル−３
−ｔ−ブチルアミノ−１，２−エポキシプロパン２．Ｏ
ｆを塩化メチレン２０ｙｔにとかし、この溶液に三フッ
化硼素エチルエーテル溶液（４７％＞１ｍｔｆ、ｅ加え
室温で４時間攪拌する。反応後、反応液を水酸化ナトリ
ウム溶液でアルカリ性にし塩化メチレンで抽出する。塩
化メチレン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。塩化
メチレンを減圧留去すると液体が得られる。これをヘキ
サンで洗浄し結晶化させ（５８）−８−ｔ−ブチル−５
−ヒドロキシメチル−オキサゾリジン−２−オンの白色
結晶０．８ｇが得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔※は不斉炭素を示す。Ｒ，はａ１〜ｃ４の低級アルキ
ル基を示す。Ｒ２はｃ１〜ｃ４の低級アルキル基、ベン
ジル基又は置換ベンジル基を示す。〕 で表わされる光学活性エポキシ化合物を、酸と反応させ
ることを特徴とする、 〔※は不斉炭素を示す。几１はｏｌ〜ｃ４の低級アルキ
ル基を示す。〕 で表わされる出発物質の立体配置が反転した光学活性５
−ヒドロキシメチル−Ｎ−置換オキサゾリジン−２−オ
ンの製造法。 （２） Ｒｒがｔ−ブチル基又はイソプロピル基である
特許請求の範囲第１項記載の製造法。 （３） Ｒ２がメチル基又はエチル基である特許請求の
範囲第１項または第２項記載の製造法。 （４）酸が鉱酸又は有機酸である特許請求の範囲第１項
記載の製造法。 （５）鉱酸が塩酸である特許請求の範囲第４項記載の製
造法。 （６）有機酸が酢酸である特許請求の範囲第４項記載の
製造法。 （７）酸がルイス酸である特許請求の範囲第１項記載の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17558583A JPS6067470A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光学活性オキサゾリジン−２−オン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17558583A JPS6067470A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光学活性オキサゾリジン−２−オン誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067470A true JPS6067470A (ja) | 1985-04-17 |
| JPH045026B2 JPH045026B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15998652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17558583A Granted JPS6067470A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光学活性オキサゾリジン−２−オン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067470A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344381A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Daiso Co Ltd | 光学活性オキサゾリジノン誘導体の製法 |
| JPH0344380A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Daiso Co Ltd | 光学活性アミノ化合物の製法 |
| WO1995008530A1 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-30 | Kaneka Corporation | Process for producing 3-amino-2-hydroxy-1-propanol derivative |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17558583A patent/JPS6067470A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344381A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Daiso Co Ltd | 光学活性オキサゾリジノン誘導体の製法 |
| JPH0344380A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Daiso Co Ltd | 光学活性アミノ化合物の製法 |
| WO1995008530A1 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-30 | Kaneka Corporation | Process for producing 3-amino-2-hydroxy-1-propanol derivative |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH045026B2 (ja) | 1992-01-30 |
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