JPS6067631A - 真空しや断器用Ｃｕ−Ｃｒ接点の製造方法 - Google Patents
真空しや断器用Ｃｕ−Ｃｒ接点の製造方法Info
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- JPS6067631A JPS6067631A JP17557583A JP17557583A JPS6067631A JP S6067631 A JPS6067631 A JP S6067631A JP 17557583 A JP17557583 A JP 17557583A JP 17557583 A JP17557583 A JP 17557583A JP S6067631 A JPS6067631 A JP S6067631A
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- Japan
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- powder
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- vacuum
- cr23c6
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
- H01H1/0206—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches containing as major components Cu and Cr
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は吸蔵ガスを低減させる真空しゃ断器用（１：ｕ
−Ｃｒ接点の製造方法に関する。
−Ｃｒ接点の製造方法に関する。
大電流しゃ断性能を要求される真空しゃ断器に用いられ
る接点相料としては、従来、Ｃｕ−Ｂ１系合らの中、Ｃ
ｕ−１３ｉ系合金はしゃ断性能、耐溶着性などの点です
ぐれているが、この接点合金中に含まれているＢｉが真
空しゃ断器の耐ＭＬ圧特性を劣化させる要因になシやず
いという欠点をもっている。
る接点相料としては、従来、Ｃｕ−Ｂ１系合らの中、Ｃ
ｕ−１３ｉ系合金はしゃ断性能、耐溶着性などの点です
ぐれているが、この接点合金中に含まれているＢｉが真
空しゃ断器の耐ＭＬ圧特性を劣化させる要因になシやず
いという欠点をもっている。
これに対してＣｕ−（：ｒ系合金は、しゃ断性能、耐電
圧特性、電流さい断行性が相対的にすぐれ、この接点の
構成元素となっているＣｒがガスを吸収するゲッタ作用
を有するため、真空しゃ断器用として有効な接点である
ことが一般に認められている。
圧特性、電流さい断行性が相対的にすぐれ、この接点の
構成元素となっているＣｒがガスを吸収するゲッタ作用
を有するため、真空しゃ断器用として有効な接点である
ことが一般に認められている。
このＣｕ−（：ｒ系合金は、元来ＣｕとＣｒが互に溶融
し難いために、通常はＣｕとＣｒのそれぞれの粉末を、
Ｈ■定の比率に秤量、混合してこれを加圧成形し７た後
、真空もしくは還元性雰囲気中で焼結する固相焼結法に
よりつくられるが、Ｃｒを４０〜６０重ｎ％含むもので
は、はじめにＣｒの焼結体をつくっておき、これにＣｕ
を溶浸させてＣｒ焼結体の空孔を埋めることによシｃｕ
−Ｃｒ接点拐料’を製造する焼結・溶浸法が用いられる
。
し難いために、通常はＣｕとＣｒのそれぞれの粉末を、
Ｈ■定の比率に秤量、混合してこれを加圧成形し７た後
、真空もしくは還元性雰囲気中で焼結する固相焼結法に
よりつくられるが、Ｃｒを４０〜６０重ｎ％含むもので
は、はじめにＣｒの焼結体をつくっておき、これにＣｕ
を溶浸させてＣｒ焼結体の空孔を埋めることによシｃｕ
−Ｃｒ接点拐料’を製造する焼結・溶浸法が用いられる
。
一方真空しゃ断器は、電流しゃ断を真空容器内で行うと
とにより、仙の層別のものに１＋べて、寸ぐれた消弧性
と絶縁性を有し、しゃ断性能も高い。
とにより、仙の層別のものに１＋べて、寸ぐれた消弧性
と絶縁性を有し、しゃ断性能も高い。
したがって真空しゃ断器に用いられる接点はガスの吸蔵
量ができるだけ少いことが好ましい。すなわち、接点に
吸蔵されているガスの量が多くなると、接点の開閉の都
度、金属蒸気の発生とともに、その吸蔵ガスが真空容器
中に放散されるので、真空度が劣化し、消１ｉｌ１１特
性や絶縁特性が損われるからである。開閉頻度の高い中
・低容量の１（空しゃ断器においては、とくに接点に吸
蔵されているガスの月が重俊な問題となっている。
量ができるだけ少いことが好ましい。すなわち、接点に
吸蔵されているガスの量が多くなると、接点の開閉の都
度、金属蒸気の発生とともに、その吸蔵ガスが真空容器
中に放散されるので、真空度が劣化し、消１ｉｌ１１特
性や絶縁特性が損われるからである。開閉頻度の高い中
・低容量の１（空しゃ断器においては、とくに接点に吸
蔵されているガスの月が重俊な問題となっている。
接点中の吸蔵ガス量は接点の製造法にも深い関係があり
、例えば前述の焼結溶浸法では製造過程において７＋、
９ 雰囲気中で処理されるため、水素雰囲気などに比
べて酸化物の還元性が低く、原拐料として用いられるＣ
ｒ粉末は表面にはＣｒ ２０３の形で酸化Ｂａが形成さ
れているので、Ｃｒ粉末の焼結時に内部に含１れている
ガスが表面に拡散シフ、外部に放出される薪は少い。Ｃ
ｒ焼結体に溶浸するＣｕは真空溶解により十分脱ガスさ
れた高純度のものを用いるので、これに金子される酸素
、窒素、水素などの溶存ガス量は］、 Ｏｐｐｍ以下で
あって、焼結体を形成すべきＣｒ粉末に吸蔵されている
ガス量に比べると非常に少く、シたがって焼結溶浸法で
はＣｕを溶浸することによって、ガス量が増加すること
はな（、Ｃｕ−Ｃｒ接点に残存するガス量は、専ら原料
粉末に吸蔵されているガスの量に支配される。例えは原
材料として用いられる電解Ｃｒ粉末は酸素量６．３００
ｐｐｍ、窒素約３３０ ｐｐｍ、 水素約１１００ｐ
ｐ。
、例えば前述の焼結溶浸法では製造過程において７＋、
９ 雰囲気中で処理されるため、水素雰囲気などに比
べて酸化物の還元性が低く、原拐料として用いられるＣ
ｒ粉末は表面にはＣｒ ２０３の形で酸化Ｂａが形成さ
れているので、Ｃｒ粉末の焼結時に内部に含１れている
ガスが表面に拡散シフ、外部に放出される薪は少い。Ｃ
ｒ焼結体に溶浸するＣｕは真空溶解により十分脱ガスさ
れた高純度のものを用いるので、これに金子される酸素
、窒素、水素などの溶存ガス量は］、 Ｏｐｐｍ以下で
あって、焼結体を形成すべきＣｒ粉末に吸蔵されている
ガス量に比べると非常に少く、シたがって焼結溶浸法で
はＣｕを溶浸することによって、ガス量が増加すること
はな（、Ｃｕ−Ｃｒ接点に残存するガス量は、専ら原料
粉末に吸蔵されているガスの量に支配される。例えは原
材料として用いられる電解Ｃｒ粉末は酸素量６．３００
ｐｐｍ、窒素約３３０ ｐｐｍ、 水素約１１００ｐ
ｐ。
などを総量で約７，０００ ｐｐｍも含んでおシ、この
原料を基にしてつくられるＣｕ−Ｃｒ接点はかなり多く
のガスが吸蔵されることになるが、真空しゃ断器用接点
としては、２０００ｐｐｍ以下であることが望まれる。
原料を基にしてつくられるＣｕ−Ｃｒ接点はかなり多く
のガスが吸蔵されることになるが、真空しゃ断器用接点
としては、２０００ｐｐｍ以下であることが望まれる。
これに対して従来Ｃｕ−Ｃｒ接点の吸蔵ガスを低減させ
るための製造方法に、羽村的見地からは特に真空溶解し
て脱ガスされた高純度Ｃｒを粉砕し、さらに還元処理し
たものをＣｒ粉末原刺として用いることも行われるが、
この方法でＶｉ原料粉末が非常に高価なものとなシ、シ
かもＣｒは元来酸化しやすい金属であるからその取扱い
もむつかしい。また市販されている電解Ｃｒ粉は真空溶
解のものに比べて安価ではあるが前述のように約７，０
００ ｐｐｍのガスを吸蔵しているので、とのＣｒ粉末
を用いるときは、できる限りＣｒ含有量の低い接点相料
となるように配合比を決めなければならないが、このよ
うにして得られた接点では、所期の電気的特性を保証で
きなくなるなどの欠点が生ずる。
るための製造方法に、羽村的見地からは特に真空溶解し
て脱ガスされた高純度Ｃｒを粉砕し、さらに還元処理し
たものをＣｒ粉末原刺として用いることも行われるが、
この方法でＶｉ原料粉末が非常に高価なものとなシ、シ
かもＣｒは元来酸化しやすい金属であるからその取扱い
もむつかしい。また市販されている電解Ｃｒ粉は真空溶
解のものに比べて安価ではあるが前述のように約７，０
００ ｐｐｍのガスを吸蔵しているので、とのＣｒ粉末
を用いるときは、できる限りＣｒ含有量の低い接点相料
となるように配合比を決めなければならないが、このよ
うにして得られた接点では、所期の電気的特性を保証で
きなくなるなどの欠点が生ずる。
本発明の目的は上述の欠点を除去し、多量のガスを吸蔵
した市販の％ｗ４Ｃｒ粉末を用いて製造されるＣｕ−Ｃ
ｒ接点に残存するガス量を低減させることのできるＣｕ
−Ｃｒ接点の製造方法を提供することにある。
した市販の％ｗ４Ｃｒ粉末を用いて製造されるＣｕ−Ｃ
ｒ接点に残存するガス量を低減させることのできるＣｕ
−Ｃｒ接点の製造方法を提供することにある。
本発明は電解Ｃｒ粉末にクロムカーバイト粉末（Ｃｒ２
３Ｃ６）を５〜３０重量％添加し、焼結溶浸法により得
られるＣ１１−Ｃｒ接点に残存するガス狙を減少させる
Ｃｕ−Ｃｒ接点の製造方法である。
３Ｃ６）を５〜３０重量％添加し、焼結溶浸法により得
られるＣ１１−Ｃｒ接点に残存するガス狙を減少させる
Ｃｕ−Ｃｒ接点の製造方法である。
以下本発明を実施例に基づき説明する〇先づ電解Ｃｒ粉
に還元剤として添加するクロムカーバイトにはＣｒｙＣ
ａ ＊ Ｃｒ５Ｃｚ、 Ｃｒ２３Ｃ６などがあるが、別
途実験の結果Ｃｒ２３０６が最も優れているとの結論を
得、−１００〜＋３２５メツシュの１＋、 澹Ｃｒ粉と
一３００メツシュのＣｒ２３Ｃ６粉とを乳鉢でよく混ぜ
た後、Ｖ型ミキサーに移して２時間混合した。このよう
にしてＣｒ２３Ｃ６の添加量を変えた７種類の混合粉を
作製し、この混合粉を十分加熱し脱ガスした黒鉛るつほ
に充填してこれを真空炉中で１２５０℃、１時間保持と
、１４００℃、１時間保持との２条件で焼結を行った。
に還元剤として添加するクロムカーバイトにはＣｒｙＣ
ａ ＊ Ｃｒ５Ｃｚ、 Ｃｒ２３Ｃ６などがあるが、別
途実験の結果Ｃｒ２３０６が最も優れているとの結論を
得、−１００〜＋３２５メツシュの１＋、 澹Ｃｒ粉と
一３００メツシュのＣｒ２３Ｃ６粉とを乳鉢でよく混ぜ
た後、Ｖ型ミキサーに移して２時間混合した。このよう
にしてＣｒ２３Ｃ６の添加量を変えた７種類の混合粉を
作製し、この混合粉を十分加熱し脱ガスした黒鉛るつほ
に充填してこれを真空炉中で１２５０℃、１時間保持と
、１４００℃、１時間保持との２条件で焼結を行った。
得られた焼結体に含まれる酸素量の分析結果を第１表に
示す。′ｆｋ、解Ｃｒ粉末に吸蔵されているガスは、前
述のように殆ど酸素なので、第１表には酸素のみの分析
値を挙け、また比較のためＣｒ２３Ｃ６を添加しないも
のについても併記してあ第 １ 表 第１表かられかるように、Ｃｒ２３Ｃ６粉を１蓮、柑チ
添加することによって、焼結条件が真空中１２５０℃、
１時間保持の場合でＣｒ焼結体中の残存酸素量は、無維
加のものに比べて２３チ減少し、５重量％添加すると１
／２以下となる。さらにＣｒ２３Ｃ６の添加量を増すと
１０重量係で１２８０ ｐｐ＋ｎまで減少するがそれ以
上の添加１ｉ１＝ Ｋなると逆に残存酸素量は徐々に増
加し始め、４０重邦チになると遂にＣｒ２３Ｃ６の無添
加のものとほぼ同じレベルになってしまう。この傾向は
焼結条件が真空中１４００℃。
示す。′ｆｋ、解Ｃｒ粉末に吸蔵されているガスは、前
述のように殆ど酸素なので、第１表には酸素のみの分析
値を挙け、また比較のためＣｒ２３Ｃ６を添加しないも
のについても併記してあ第 １ 表 第１表かられかるように、Ｃｒ２３Ｃ６粉を１蓮、柑チ
添加することによって、焼結条件が真空中１２５０℃、
１時間保持の場合でＣｒ焼結体中の残存酸素量は、無維
加のものに比べて２３チ減少し、５重量％添加すると１
／２以下となる。さらにＣｒ２３Ｃ６の添加量を増すと
１０重量係で１２８０ ｐｐ＋ｎまで減少するがそれ以
上の添加１ｉ１＝ Ｋなると逆に残存酸素量は徐々に増
加し始め、４０重邦チになると遂にＣｒ２３Ｃ６の無添
加のものとほぼ同じレベルになってしまう。この傾向は
焼結条件が真空中１４００℃。
１時間保持のときも同じで４）す、Ｃｒ２３Ｃ６１重ｉ
％の添加によってＣｒ焼結体中に残存する酸素量は無添
加のものに比べ２／３程度となり、５重ｆＡチの添加で
酸素量は一挙に１／３以下となる。さらにＣｒ２３Ｃ６
の添加量を増し、１０重ｆｔ％になると残存酸素量は３
００ ｐｐｍと格段に減少する。しかしこれ以上Ｃｒ２
３Ｃ６の添加量を増加してゆくと、焼結条件が真空中１
２５０℃、１時間保持の場合と同様に酸素量は逆に増加
するようになるが、焼結温度が高い方がＣｒ焼結体中の
脱酸素の量も多い。
％の添加によってＣｒ焼結体中に残存する酸素量は無添
加のものに比べ２／３程度となり、５重ｆＡチの添加で
酸素量は一挙に１／３以下となる。さらにＣｒ２３Ｃ６
の添加量を増し、１０重ｆｔ％になると残存酸素量は３
００ ｐｐｍと格段に減少する。しかしこれ以上Ｃｒ２
３Ｃ６の添加量を増加してゆくと、焼結条件が真空中１
２５０℃、１時間保持の場合と同様に酸素量は逆に増加
するようになるが、焼結温度が高い方がＣｒ焼結体中の
脱酸素の量も多い。
このように、本発明によればＣｒ２３Ｃ６の添加量は電
解Ｃｒ粉末に対して５〜３０１量チが適当であって、５
重量−以下ではＣｒ粉末とＣｒ２３Ｃ６との接触界面が
少なく、両者の反応が制限され脱ガスが十分性われず、
また３０Ｍ量チ以上のＣｒ２３Ｃ６を加えると電解Ｃｒ
粉末との反応に寄与しない過剰のＣｒ２３ＣＩ＋がその
まま残存するようになる。（Ｊ２３Ｃ６粉末に吸蔵され
ている酸素量はＣｒ粉末よシも極めて多く、約１６，０
００ ｐｐｍもあるからＣｒ２３Ｃ６がそのまま残され
た状態では、その添加量によっては、Ｃｒ粉末焼結体の
吸蔵酸１■よ却って増大しでしまう。すなわちＣｒ粉末
に対するＣｒ２３Ｃ６粉末の添加量は１０重量％前後が
Ｃｒ２Ｏ３と過不足なく還元反応を進行させることがで
きる範囲であシ、５〜１５重月、チとするのが好ましい
。
解Ｃｒ粉末に対して５〜３０１量チが適当であって、５
重量−以下ではＣｒ粉末とＣｒ２３Ｃ６との接触界面が
少なく、両者の反応が制限され脱ガスが十分性われず、
また３０Ｍ量チ以上のＣｒ２３Ｃ６を加えると電解Ｃｒ
粉末との反応に寄与しない過剰のＣｒ２３ＣＩ＋がその
まま残存するようになる。（Ｊ２３Ｃ６粉末に吸蔵され
ている酸素量はＣｒ粉末よシも極めて多く、約１６，０
００ ｐｐｍもあるからＣｒ２３Ｃ６がそのまま残され
た状態では、その添加量によっては、Ｃｒ粉末焼結体の
吸蔵酸１■よ却って増大しでしまう。すなわちＣｒ粉末
に対するＣｒ２３Ｃ６粉末の添加量は１０重量％前後が
Ｃｒ２Ｏ３と過不足なく還元反応を進行させることがで
きる範囲であシ、５〜１５重月、チとするのが好ましい
。
例えば電解Ｃｒ粉末にＣｒ２３Ｃ６粉末１０重量％添加
し、この混合粉を真空中１４００℃で焼結した後、無酸
素（’ｕを溶浸した５０Ｃｕ−５０Ｃｒ接点に残存する
ガスの総量は約２００ ｐｐｍとなシ、Ｃｒ２３Ｃ６を
添加しない従来法では数千ｐｐｍであったのに対し、大
巾に低減された。寸だこの娶蒜＋真空しゃ断器に用いた
ときに接点の霜、似的特性は十分に仕様を満足するもの
であることが確認されている。
し、この混合粉を真空中１４００℃で焼結した後、無酸
素（’ｕを溶浸した５０Ｃｕ−５０Ｃｒ接点に残存する
ガスの総量は約２００ ｐｐｍとなシ、Ｃｒ２３Ｃ６を
添加しない従来法では数千ｐｐｍであったのに対し、大
巾に低減された。寸だこの娶蒜＋真空しゃ断器に用いた
ときに接点の霜、似的特性は十分に仕様を満足するもの
であることが確認されている。
以上のどと（Ｃｒ粉床焼結体の脱ガスにＣｒ２３Ｃ６の
添加が効果的に寄与するのはＣｒ粉末表面に形成さいる
酸素が表面に拡散し放出する妨げとならないからである
ｏ Ｃｒ２Ｏ３とＣｒ２３Ｃ６との反応過程は次式％式
％ ものを使うこともＣｕ−Ｃｒ接点中のガス値の低減には
有効である。
添加が効果的に寄与するのはＣｒ粉末表面に形成さいる
酸素が表面に拡散し放出する妨げとならないからである
ｏ Ｃｒ２Ｏ３とＣｒ２３Ｃ６との反応過程は次式％式
％ ものを使うこともＣｕ−Ｃｒ接点中のガス値の低減には
有効である。
以上実施例で説明したように、真空１−や＾Ｃｕ−Ｃｒ
接点を焼結溶浸法によって製造する際に、原材料に電解
Ｃｒ粉を用いて、これＫ Ｃｒ２３Ｃ６粉を５〜３０重
景チ添加することにより、ｃｒ焼結体に吸蔵される酸素
量を大幅に低減することができ、真空しゃ断器では大き
な障害となるむ２点からのガス放散がしゃ断性能や絶縁
特性に彩管を及はさない程く、経済的効果も大きい。
接点を焼結溶浸法によって製造する際に、原材料に電解
Ｃｒ粉を用いて、これＫ Ｃｒ２３Ｃ６粉を５〜３０重
景チ添加することにより、ｃｒ焼結体に吸蔵される酸素
量を大幅に低減することができ、真空しゃ断器では大き
な障害となるむ２点からのガス放散がしゃ断性能や絶縁
特性に彩管を及はさない程く、経済的効果も大きい。
含耳人イト理十 山 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）電解Ｃｒ粉末にＣｒ２３Ｃ６粉末を添加混合した後
焼結体とし、ついで該焼結体に無酸素Ｃｕを溶浸するこ
とを特徴とするＸ待しゃ断器用ｃｕ−ｃｒ接点の製造方
法０ ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、Ｃｒ２
３Ｃ６粉末の添加量が５〜３０重ｉｔ％好ましくは５〜
１５重月チであることを何機とする真空しゃ断器用Ｃｕ
−Ｃｒ接点の螺進方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17557583A JPS6067631A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 真空しや断器用Ｃｕ−Ｃｒ接点の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17557583A JPS6067631A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 真空しや断器用Ｃｕ−Ｃｒ接点の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067631A true JPS6067631A (ja) | 1985-04-18 |
Family
ID=15998476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17557583A Pending JPS6067631A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 真空しや断器用Ｃｕ−Ｃｒ接点の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067631A (ja) |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17557583A patent/JPS6067631A/ja active Pending
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