JPS606827A - 液面レベル検知装置 - Google Patents
液面レベル検知装置Info
- Publication number
- JPS606827A JPS606827A JP11277683A JP11277683A JPS606827A JP S606827 A JPS606827 A JP S606827A JP 11277683 A JP11277683 A JP 11277683A JP 11277683 A JP11277683 A JP 11277683A JP S606827 A JPS606827 A JP S606827A
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- microswitch
- level
- float
- electromagnet
- solder
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/30—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by floats
- G01F23/56—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by floats using elements rigidly fixed to, and rectilinearly moving with, the floats as transmission elements
- G01F23/60—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by floats using elements rigidly fixed to, and rectilinearly moving with, the floats as transmission elements using electrically actuated indicating means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は液槽に浮べたフロートと、そのフロートの上下
に応じて開閉するマイクロスイッチからなるレベル検知
装置の改良に関するものである。
に応じて開閉するマイクロスイッチからなるレベル検知
装置の改良に関するものである。
〈従来技術〉
レベル検知装置は液槽のレベルを一定に保持するために
使用される。例えば、フローＩ・とマイクロスイッチか
らなる半田槽のレベル検知装置は、レベルが下限を切る
と、フロートがマイクロスイッチのレバーを押して半田
供給装置を起動させ、一定量の半田を半田槽に補給して
レベルを維持する。しかし、マイクロスイッチの接点は
オフからオンになるメイク位置とオンからオフになるブ
レーク位置に差があり、レベル検知信号はメイク位置と
ブレーク位置の間の接点領域でなされるので、ブレーク
位置とメイク位置の差に基づく検知誤差はさけられなか
った。しかもその差はレバーによって拡大するから、レ
ベルの下限を正確に検知することはできなかった。例え
ば、精密プリント基板に高精度、な半田付けを施すため
には、半田槽のレベルの下限誤差をＯ〜０．３＋ｎｍ以
内に押えなければならないが、従来のフロートとマイク
ロスイ・ソチのレベル検知装置はレベル限度の検知精度
が悪いため、レベルの下限の精度を０．３ｍｍ以内に押
えることは側底不可能であった。
使用される。例えば、フローＩ・とマイクロスイッチか
らなる半田槽のレベル検知装置は、レベルが下限を切る
と、フロートがマイクロスイッチのレバーを押して半田
供給装置を起動させ、一定量の半田を半田槽に補給して
レベルを維持する。しかし、マイクロスイッチの接点は
オフからオンになるメイク位置とオンからオフになるブ
レーク位置に差があり、レベル検知信号はメイク位置と
ブレーク位置の間の接点領域でなされるので、ブレーク
位置とメイク位置の差に基づく検知誤差はさけられなか
った。しかもその差はレバーによって拡大するから、レ
ベルの下限を正確に検知することはできなかった。例え
ば、精密プリント基板に高精度、な半田付けを施すため
には、半田槽のレベルの下限誤差をＯ〜０．３＋ｎｍ以
内に押えなければならないが、従来のフロートとマイク
ロスイ・ソチのレベル検知装置はレベル限度の検知精度
が悪いため、レベルの下限の精度を０．３ｍｍ以内に押
えることは側底不可能であった。
〈発明の目的〉
本発明は液槽のレベルを高精度で検知する装置を提供し
ようとするものである。
ようとするものである。
〈発明の構成〉
前記目的を達成するため本発明の装置は液槽に装架され
るフレームと、そのフレームに固定されるマイクロスイ
ッチと、液槽に浮んでそのマイクロスイッチをオンオフ
させるフロートと、周期的に作動する電磁石と、その電
磁石により上下してマイクロスイッチをオンオフさせる
強磁性体と、マイクロスイッチのオン信号を取り出す回
路とからなり、その回路はマイクロスイッチのオン信号
を電磁石が作用しない期間中にのみ取り出す。
るフレームと、そのフレームに固定されるマイクロスイ
ッチと、液槽に浮んでそのマイクロスイッチをオンオフ
させるフロートと、周期的に作動する電磁石と、その電
磁石により上下してマイクロスイッチをオンオフさせる
強磁性体と、マイクロスイッチのオン信号を取り出す回
路とからなり、その回路はマイクロスイッチのオン信号
を電磁石が作用しない期間中にのみ取り出す。
永久磁石等の強磁性体をフロートの軸棒の先端を取付け
ると、周期的に作動する電磁石はフロー）・に固定され
た永久磁石を介してフロートを周期的に押し下げ、その
つど、フロートはマイクロスイッチを確実にオフからオ
ンに変える。レベルの下限はマイクロスイッチ接点のブ
レーク位置に合わせる。レベルが下限以上であれば、電
磁石の作動停止Ｆと共にフロートが浮１． してマイク
ロスイッチはオンからオフに変るから、回路が電磁石の
非作動時に取出すマイクロスイッチの信号はオフであり
、レベル検知はなされない。しかし、レベルが少しでも
下限を切ると、電磁石の作動後も、マイクロスイッチが
オンのままであるから、回路はマイクロスイッチのオン
信号を取出しレベル検知がなされる。このように、本発
明の磁石はマイクロスイッチ接点のブレーク位置のみに
よってレベル検知を行い、ブレーク位置とメイク位置の
間の接点領域でレベル検知をしていた従来の装置とは異
なり、レベル検知の精度は蓑しく高くなる。
ると、周期的に作動する電磁石はフロー）・に固定され
た永久磁石を介してフロートを周期的に押し下げ、その
つど、フロートはマイクロスイッチを確実にオフからオ
ンに変える。レベルの下限はマイクロスイッチ接点のブ
レーク位置に合わせる。レベルが下限以上であれば、電
磁石の作動停止Ｆと共にフロートが浮１． してマイク
ロスイッチはオンからオフに変るから、回路が電磁石の
非作動時に取出すマイクロスイッチの信号はオフであり
、レベル検知はなされない。しかし、レベルが少しでも
下限を切ると、電磁石の作動後も、マイクロスイッチが
オンのままであるから、回路はマイクロスイッチのオン
信号を取出しレベル検知がなされる。このように、本発
明の磁石はマイクロスイッチ接点のブレーク位置のみに
よってレベル検知を行い、ブレーク位置とメイク位置の
間の接点領域でレベル検知をしていた従来の装置とは異
なり、レベル検知の精度は蓑しく高くなる。
なお、電磁石が作動を停止１−シた時点からフロートが
自由に浮くまでの遅れに合わせて、回路がマイクロスイ
ッチの信号を取出す期間の始点も電磁石の作動停止１−
直後から少しＨ延させることが望ましい。
自由に浮くまでの遅れに合わせて、回路がマイクロスイ
ッチの信号を取出す期間の始点も電磁石の作動停止１−
直後から少しＨ延させることが望ましい。
〈実施例〉
本発明の装置を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第１図に示すように、半田槽ｌｏの槽壁ｊ１にフレーム
１８を取付け、そのフレームから架台２゜を半田槽上へ
突出させる。架台２ｏの先端部にガイド２１を取付け、
ガイド２１にフロー）１５の軸棒１６を昇降自在に挿通
する。軸棒１６の上端部にドッグ１７を位置調整可能に
固定する。フロー）１５は半田槽ｌＯ内の溶融半田上に
浮び、半田槽のレベル１２と共に上下する。ドッグ１７
はマイクロスイッチ１３のし八−１４に掛り、フロート
１５と共に上下してマイクロスイッチ１３をオンオフさ
せる。フレーム１９の上部からアーム１８を突出させ、
そのアームに電磁石２３を取付ける。他方、フロート１
５の軸棒１６の先端部に永久磁石２２を取付ける。電磁
石２３に通電して励磁させると、矢印Ａで示すように、
永久磁石２２は反発してフロート１５を所定の位置まで
下降させる。その位置でドッグ１７はレバー１４を押し
下げてマイクロスイッチ１３の接点をオフからオンに変
えるメイク位置まで押し込み確実にオンさせる。電磁石
２３の通電を停止にすると、矢印Ｂで示すように、フロ
ート１５は溶融半田の浮力により持−１−げられる。レ
ベル１２が下限以上であれば、し／＜−１４は」二がリ
マイクロスイッチ１３の接点はオンからオフになるブレ
ーク位置を越えるからオフになる。しかし、レベル１２
が下限より少しでも下であればレバー１４はマイクロス
イッチ１３の接点がブレーク位置を越えることを許さな
いから、マイクロスイ・ンチ１３はオンのままになる。
１８を取付け、そのフレームから架台２゜を半田槽上へ
突出させる。架台２ｏの先端部にガイド２１を取付け、
ガイド２１にフロー）１５の軸棒１６を昇降自在に挿通
する。軸棒１６の上端部にドッグ１７を位置調整可能に
固定する。フロー）１５は半田槽ｌＯ内の溶融半田上に
浮び、半田槽のレベル１２と共に上下する。ドッグ１７
はマイクロスイッチ１３のし八−１４に掛り、フロート
１５と共に上下してマイクロスイッチ１３をオンオフさ
せる。フレーム１９の上部からアーム１８を突出させ、
そのアームに電磁石２３を取付ける。他方、フロート１
５の軸棒１６の先端部に永久磁石２２を取付ける。電磁
石２３に通電して励磁させると、矢印Ａで示すように、
永久磁石２２は反発してフロート１５を所定の位置まで
下降させる。その位置でドッグ１７はレバー１４を押し
下げてマイクロスイッチ１３の接点をオフからオンに変
えるメイク位置まで押し込み確実にオンさせる。電磁石
２３の通電を停止にすると、矢印Ｂで示すように、フロ
ート１５は溶融半田の浮力により持−１−げられる。レ
ベル１２が下限以上であれば、し／＜−１４は」二がリ
マイクロスイッチ１３の接点はオンからオフになるブレ
ーク位置を越えるからオフになる。しかし、レベル１２
が下限より少しでも下であればレバー１４はマイクロス
イッチ１３の接点がブレーク位置を越えることを許さな
いから、マイクロスイ・ンチ１３はオンのままになる。
第２図に示すように、本発明の装置のプ・ンシュボタン
ＦＢＩを入れると、自己保持リレーＲ１のリレーが励磁
して回路は自己保持される。同時に調整可能な一定の周
期でオンオフを繰り返すタイマＴのリレーも励磁する。
ＦＢＩを入れると、自己保持リレーＲ１のリレーが励磁
して回路は自己保持される。同時に調整可能な一定の周
期でオンオフを繰り返すタイマＴのリレーも励磁する。
タイマＴがオンになると、直流ソレノイド２３と限時復
帰リレーＲ２のコイルが励磁しリレーＲ２はオフになる
。タイマＴがオンの期間中、励磁した電磁石２３の磁力
とフロート１５の軸棒１６の先端に付設された永久磁石
２２の磁力は反発するため、フロート１５は半田槽１ｏ
中に沈下し、ドッグ１７はレバー１４を介してマイクロ
スイ・ンチ１３の接点をメイク位置まで下げるから、マ
イクロスイッチ１３は確実にオンになる。しかし、リレ
ーＲ２がオフのためレベル検知信号発生回路（図示せず
）のリレーＲ３のコイルは励磁しない゛ので、レベル検
知信号は発信されない。タイマＴがオフになると、電磁
石２３は消磁し永久磁石２２を押し下げる力は消滅する
から、フロート１５は浮北する。同時に限時復帰リレー
Ｒ２のコイルも消磁するから、リレーＲ２はオンになる
。タイマＴがオフになってからリレーＲ２がオンになる
までの遅延時間はフロート１５が浮上し切るまでの時間
よりも長く設定される。このとき、半田槽１ｏのレベル
１２が下限よりも高ければ、マイクロスイッチ１３はオ
フになるから、リレーＲ３は励磁せず、レベル検知信号
は発信されない。しかし、半田槽１０のレベル１２が下
限又はそれより少しでも下にあれば、マイクロスイッチ
１３の接点はブレーク位置に達しないから、マイクロス
イッチ１３はオンのままである。その結果、リレーＲ３
のコイルは励磁しレベル検知信号が発信される。図示し
ていないが、レベル検知信号が発信されると、半田供給
装置が作動し一定量の半田を半田槽に供給し半田槽のレ
ベルを所定の範囲に保持する。なお、ブツシュボタンＰ
Ｂ２を押すと回路が切れ、装置は停市する。
帰リレーＲ２のコイルが励磁しリレーＲ２はオフになる
。タイマＴがオンの期間中、励磁した電磁石２３の磁力
とフロート１５の軸棒１６の先端に付設された永久磁石
２２の磁力は反発するため、フロート１５は半田槽１ｏ
中に沈下し、ドッグ１７はレバー１４を介してマイクロ
スイ・ンチ１３の接点をメイク位置まで下げるから、マ
イクロスイッチ１３は確実にオンになる。しかし、リレ
ーＲ２がオフのためレベル検知信号発生回路（図示せず
）のリレーＲ３のコイルは励磁しない゛ので、レベル検
知信号は発信されない。タイマＴがオフになると、電磁
石２３は消磁し永久磁石２２を押し下げる力は消滅する
から、フロート１５は浮北する。同時に限時復帰リレー
Ｒ２のコイルも消磁するから、リレーＲ２はオンになる
。タイマＴがオフになってからリレーＲ２がオンになる
までの遅延時間はフロート１５が浮上し切るまでの時間
よりも長く設定される。このとき、半田槽１ｏのレベル
１２が下限よりも高ければ、マイクロスイッチ１３はオ
フになるから、リレーＲ３は励磁せず、レベル検知信号
は発信されない。しかし、半田槽１０のレベル１２が下
限又はそれより少しでも下にあれば、マイクロスイッチ
１３の接点はブレーク位置に達しないから、マイクロス
イッチ１３はオンのままである。その結果、リレーＲ３
のコイルは励磁しレベル検知信号が発信される。図示し
ていないが、レベル検知信号が発信されると、半田供給
装置が作動し一定量の半田を半田槽に供給し半田槽のレ
ベルを所定の範囲に保持する。なお、ブツシュボタンＰ
Ｂ２を押すと回路が切れ、装置は停市する。
第３図に示すように、永久磁石２２をフレーム１８に軸
着したレバー２４の一端に固定し、その永久磁石の上の
フレーム１９に電磁石２３を取利けでもよい。電磁石２
３が作動すると、永久磁石が吸引されて上昇し、レバー
２４の他端がマイクロスイッチ１３のレバー１４を押し
下げてマイクロスイッチをオンにする。上記の相違点を
除くと、第３図の実施例は前実施例と全く同じである。
着したレバー２４の一端に固定し、その永久磁石の上の
フレーム１９に電磁石２３を取利けでもよい。電磁石２
３が作動すると、永久磁石が吸引されて上昇し、レバー
２４の他端がマイクロスイッチ１３のレバー１４を押し
下げてマイクロスイッチをオンにする。上記の相違点を
除くと、第３図の実施例は前実施例と全く同じである。
この回路のタイマはどのような形式のものでもよく、例
えば抵抗とコンデンサからなるＣＲ式タイマ、商用周波
数をクロックパルスとする電子式タイマ等が使用される
が、タイマのオンオフの周期は半田槽の半田付は作業周
期に合わせて調整可能であることが望ましい。実施例は
半田槽についてのみ示したが、本発明の装置は手口１槽
に限る必要はなく、液槽であればどのようなものにも適
用し得ることはいうまでもない。
えば抵抗とコンデンサからなるＣＲ式タイマ、商用周波
数をクロックパルスとする電子式タイマ等が使用される
が、タイマのオンオフの周期は半田槽の半田付は作業周
期に合わせて調整可能であることが望ましい。実施例は
半田槽についてのみ示したが、本発明の装置は手口１槽
に限る必要はなく、液槽であればどのようなものにも適
用し得ることはいうまでもない。
〈発明の効果〉
」−記の通り、本発明の装置はマイクロスイッチをオン
オフさせる強磁性体又はフロートを周期的に」１下させ
ることにより、マイクロスイ・ソチのブレーク位置のみ
でレベルの下限を検知するから、マイクロスイッチのブ
レーク接点とメイク接点の間の領域で検知していた従来
の装置とは異なり、ブレーク接点とメイク接点の差に基
づく精度不良は全く存在しない。したがって、従来のも
のと比較すると、検知精度は著しく向上する。強磁性体
又はフロートを上下させる機構は電磁式であり、装置と
しては機械的可動部分を持たないから、構造が簡単で耐
久性に優れている。
オフさせる強磁性体又はフロートを周期的に」１下させ
ることにより、マイクロスイ・ソチのブレーク位置のみ
でレベルの下限を検知するから、マイクロスイッチのブ
レーク接点とメイク接点の間の領域で検知していた従来
の装置とは異なり、ブレーク接点とメイク接点の差に基
づく精度不良は全く存在しない。したがって、従来のも
のと比較すると、検知精度は著しく向上する。強磁性体
又はフロートを上下させる機構は電磁式であり、装置と
しては機械的可動部分を持たないから、構造が簡単で耐
久性に優れている。
第１図は本発明の一実施例の装置を備えた半田槽の要１
部断面図、第２図は第１図の装置の回路を示す略図、第
３図は他の実施例の第１図に相当する図である。 図において、１０は半田槽、１２はレベル、１３はマイ
クロスイッチ、１５はフロート、１６は軸棒、１７はド
ッグ、１９はフレーム、２２は永久磁石（強ｍ性体）、
２３は電磁石 出願人 松尾ハンダ株式会社 第１図 １８ ノ 第２図 手続補正書 昭和５８年 ７月１８日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第１１２７７６号２、発明の名称 液面レベル検知装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 松尾／＼ンダ株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 自発 ６、補正により増加する発明の数 なし補 正 の 内
容 （１）特許請求の範囲を次の通り訂正する。 ｌ）液槽に取伺けられたフレームと、前記フ１／−１８
に固定されたマイクロスイッチと、前記液槽に浮んで前
記マイクロスイッチをオンオフさゼるＩ・ラグを備えた
フロートと、前記マイクロスイッチの作動を検知する回
路からなり、前記１＆槽のレベルが１限を切ると前記ト
ングが前記マイクロスイッチを作動させてレベルを検知
する装置であって、周期的に作動する電磁石と、前記電
ｍイｊの作動により周期的に上下して前記マイクロスイ
ッチをオンオフさせる強磁性体とを備え、前記回路は前
記マイクロスイッチの信号を前記電磁石がｆ１動しない
期間中にのみ取り出すことを特徴とする液面レベル検知
装置。 ２）強磁性体は前記フロートに旧設されたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の液面レベル検知装置
。 ３）電磁石が強磁性体を」１下させる作動を停止してか
ら所定時間経過後の時点から作動を内聞するまでの期間
にマイクロスイッチのオン信号か取出されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の液面レ
ベル検知装置。 （２）明細書第４頁第４行第５行の「先端を取付けると
」を「先端に取伺けると」に訂正する。 手糸売補Ｔ１冊書 １８１１１５８年 ８月１３１１ 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 特願昭５８−１１２７７６号 ２、発明の名称 静画レベル検知装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 松尾ハンダ株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 自発 ６、補正により増加する発明の数 なし １、大ＬＩＪ
＆Ｑ目」止】０６
部断面図、第２図は第１図の装置の回路を示す略図、第
３図は他の実施例の第１図に相当する図である。 図において、１０は半田槽、１２はレベル、１３はマイ
クロスイッチ、１５はフロート、１６は軸棒、１７はド
ッグ、１９はフレーム、２２は永久磁石（強ｍ性体）、
２３は電磁石 出願人 松尾ハンダ株式会社 第１図 １８ ノ 第２図 手続補正書 昭和５８年 ７月１８日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第１１２７７６号２、発明の名称 液面レベル検知装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 松尾／＼ンダ株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 自発 ６、補正により増加する発明の数 なし補 正 の 内
容 （１）特許請求の範囲を次の通り訂正する。 ｌ）液槽に取伺けられたフレームと、前記フ１／−１８
に固定されたマイクロスイッチと、前記液槽に浮んで前
記マイクロスイッチをオンオフさゼるＩ・ラグを備えた
フロートと、前記マイクロスイッチの作動を検知する回
路からなり、前記１＆槽のレベルが１限を切ると前記ト
ングが前記マイクロスイッチを作動させてレベルを検知
する装置であって、周期的に作動する電磁石と、前記電
ｍイｊの作動により周期的に上下して前記マイクロスイ
ッチをオンオフさせる強磁性体とを備え、前記回路は前
記マイクロスイッチの信号を前記電磁石がｆ１動しない
期間中にのみ取り出すことを特徴とする液面レベル検知
装置。 ２）強磁性体は前記フロートに旧設されたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の液面レベル検知装置
。 ３）電磁石が強磁性体を」１下させる作動を停止してか
ら所定時間経過後の時点から作動を内聞するまでの期間
にマイクロスイッチのオン信号か取出されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の液面レ
ベル検知装置。 （２）明細書第４頁第４行第５行の「先端を取付けると
」を「先端に取伺けると」に訂正する。 手糸売補Ｔ１冊書 １８１１１５８年 ８月１３１１ 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 特願昭５８−１１２７７６号 ２、発明の名称 静画レベル検知装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 松尾ハンダ株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 自発 ６、補正により増加する発明の数 なし １、大ＬＩＪ
＆Ｑ目」止】０６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）液槽に取付けられたフレームと、前記フレームに固
定されたマイクロスイッチと、前記液槽に浮んで前記マ
イクロスイッチをオンオフさぜるドッグを備えたフロー
トと、前記マイクロスイッチの作動を検知する回路から
なり、前記液槽のレベルが下限を切ると前記ドッグが前
記マイクロスイッチを作動させてレベルを検知する装置
であって、周期的に作動する電磁石と、前記電磁石の作
動により周期的に上下して前記マイクロスイッチをオン
オフさせる強磁性体とを備え、前記回路は前記マイクロ
スイッチのオン信号を前記電磁石が作動しない期間中に
のみ取り出すことを特徴とする液面レベル検知装置。 ２）強磁性体は前記フロートに付設されたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の液面レベル検知装置
。 ３）電磁石が強磁性体を上下させる作動を停止してから
所定時間経過後の時点から作動を再開するまでの期間に
マイクロスイッチのオン信号が取出されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の液面レベ
ル検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11277683A JPS606827A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 液面レベル検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11277683A JPS606827A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 液面レベル検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606827A true JPS606827A (ja) | 1985-01-14 |
| JPS6315532B2 JPS6315532B2 (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=14595210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11277683A Granted JPS606827A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 液面レベル検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606827A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230024514A1 (en) * | 2019-12-20 | 2023-01-26 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | Electrochemical catalyst and preparation method therefor |
| KR102295730B1 (ko) * | 2020-03-11 | 2021-08-30 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 다공성 코어-쉘 촉매 구조체 및 이의 제조 방법 |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11277683A patent/JPS606827A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6315532B2 (ja) | 1988-04-05 |
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