JPS6068346A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度でＳＮ比〔光電流（ＩＰ）／
暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクトル
特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有すること
、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用
時において人体に対して無公害であること、更には固体
撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理す
ることができること等の特性が要求される。殊に、事務
機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込ま
れる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時に
おける無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−８ｉと表記す）があ
シ、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同＠　
２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として
、独国公開＠　２９３３４１１号公報には光電変換読取
装置への応用が記載されている。

百年ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると。

繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ずる所
請ゴースト現象を発する様になる、或いは、高速で繰返
し使用すると応答性が次第に低下する、等の不都合な点
が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されている・・ロゲンランプ
や螢光灯ヲ光源とする場合、長波長側の光を有効に使用
し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が
残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする根太きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

或いは又、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合があった
。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よシの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、例えで、クリーニングに、ブレ
ードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と言われている所謂画像欠陥が生じ九シしていた。

又、多湿雰囲気中で使用したシ、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗に言う画像のボケが
生ずる場合が少なくなかった。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又は・・ロゲン原
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモル７
７　ス材料ｓ　Ｗｒ　制水素化アモルファスシリコン。

ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有
水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記
として［ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成さ
れ、光導電性を示す光受容層を有する光導電部材の層構
成を以後に説明される様な特定化の下に設計されて作成
された光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばか
シでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点
において凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部
材として著しく優れた特性を有していること及び長波長
側に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出
した点に基いている。

本発明社電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境（制限を受けない全環境型であ）
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の僧形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高（、−−−７）−ン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ること
が容易にできる電子写真用の光導電部材を提供すること
である。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
で構成され、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持
体側よシ順に設けられた層構成の第１の層と、シリコン
原子と酸素原子とを含む非晶質材料で構成された第２の
層とを有し、前記第１の層領域中に於けるゲルマニウム
原子の分布状態が層厚方向に不均一であって、前記第１
の層領域に伝導性を支配する物質が含有されている事を
特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れ良電気的、光学的。

光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用僧形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高８Ｎを有するものであ
って、射光疲労。

繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定して
繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就いて詳細
に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、第１０層（Ｉ）１０２と第２の
層（ＩＩ）　１０５とを有し、該層（Ｕ）１０５は自由
表面１０６を一方の端面に有している。第１の層（１）
、１０２は、支持体１０１側よシゲルマニウム原子を含
有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）Ｊと略記すゐ）で構成された第１の層領域（Ｇ）　
１０３と履−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され、光導電性を
有する第２の層領域（８）１０４とが願に積層された層
構造を有する。

Ｉｓｌの層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるゲルマニ
ウム原子は、該第１の層領域（Ｇ）　１０３の層厚方向
には連続的であって且つ前記支持体１０Ｉの設けられで
ある側とは反対の＠（第２の層（１）　１０５側）の方
に対して前記支持体１０１側の方に多く分布した状態と
なる様に前記第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有され
る。

本発明の光導電部材１００に於いては、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）　１０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ
）が含有されておシ、第１の層領域（Ｇ）　１０３に所
望の伝導特性が与えられている０ 本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）　１０３に含有
される伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１０層領域
（Ｇ）　１０　Ｂの全層領域に万遍なく均一に含有され
ても良く、第１の層領域（Ｇ）１０３の一部の層領域に
偏在する様に含有されても良い０ 本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層領域（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層領
域（Ｇ）中に含有させる場合には前記物質＜Ｃ＞の含有
される層領域（ＰＮ）は、第１の層領域（Ｇ）の端部層
領域として設けられるのが望ましいものである。殊に、
第１の層領域（Ｇ）の支持体側の端部層領域として前記
層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、核層領域（ＰＮ
）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量
を所望に応じて適宜選択することによって支持体から層
中への特定の極性の電荷の注入を効果的に阻止する事が
出来る。

本発明の光導電部材に於いてば、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、層の一部を構成する第１０層
領域（Ｇ）中に、前記した様に該層領域（Ｇ）の全域に
万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様【含有させるも
のであるが、更には、第１の層領域（Ｇ）上に設けられ
る第２の層領域（Ｓ）中にも前記物質（Ｃ）を含有させ
ても良いものである。

第２の層領域（８）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場
合には、第１の層領域（Ｇ）中に含有される前記物質（
Ｃ）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、
第２の層領域（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類や
その含有量、及びその含有の仕方が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
層領域（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質を
含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いては、酊記物質（Ｃ）は第２の層領域（Ｓ
）の全層領域に万逼なく含有させても良いし、或いは、
その一部の層領域に均一に含有させても良いものである
。

第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（８）の両方に伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層
領域（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ”）が含有されている
層領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）
が含有されている層領域とが、互いに接触する様に設け
るのが望ましい。

又、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（８）とに含有
される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域（Ｇ）と第２の
層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であっても曳
く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも異っ
ていても良い。

百年ら、本発明に於いては、各層領域に含有される前記
物質（Ｃ）が両者に於いて同種類であゐ場合には、第１
の層領域（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（Ｃ）を、所望の各層領域
に、夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも、第１の層（１）を構成
する第１の層領域（Ｇ）中に１伝導特性を支配する物質
（Ｃ）を含有させることによシ、該物質（Ｃ）の含有さ
れる層領域〔第１の層領域（Ｇ）の一部又は全部の層領
域のいずれでも良い〕の伝導特性を所望に従って任意に
制御することが出来るものであるが、この様な物質（Ｃ
）としては、所謂、半導体分野で言われる不純物を挙げ
ることが出来、本発明に於いては、形成される第１の層
（１）を構成するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）や、ａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）　に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純
物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが
出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　、Ａｌ（
アルミニウム）、Ｇ、ａ（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）、Ｔ７（タリウム）等があ）、ｎ型
不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第■族
原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）　、　ｓｂ　（
アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に
、好適に用いられるのけ、Ｐ。

Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｑが含有さ
れる層領域（ＰＮ）に於けるその含有量け、該層領域（
ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｑの含有
量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｑの含有量としては、好ましくは、
０．０１〜５　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　Ｉ）Ｉｎ、よ
り好適には、０．５〜ｌ　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐ、最適には、１〜５　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃ　１
ｔｙｘとされるのが望ましいものである。

本発Ｆ？Ｈｌ／ｍ於いて、伝導特性を支配する物質０が
含有されるＮ領域（ＰＮ）に於ける該物質０の含有」を
好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ卿以上、より好適には５
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐＱ以上、最適には、１００１０
０ａｔｏ　１１戸以上とすることによって、例えけ該貧
有させる物質０が前記のｎ型不純物の場合には、第２の
ＩΔ（Ｈ）の自由表面かの極性に帯電処理を受けた際に
支持体側からの第１の層（Ｉ）中への電子の注入を効果
的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｑ
が前記のｎ型不純物の場合には、第２の層ω）の自由表
面がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から第１
の層（１）中への正孔の注入を効果的に阻止することか
出来る。

上記の様な場合には、前述した株に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（イ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質０の伝導型の極性と
け別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｑを含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝
導特性を支配する物質０を、層領域（ＰＮ）に含有させ
る実際のｔＲよりも一段と少ない量にして含有させても
良いものである。

この様な場合、前記層領域（４中に含有される前記伝導
特性を支配する物質（Ｑの含有量としては、層領域（Ｐ
Ｎ）　ｖｃ金含有れる前記物質０の極性や含有量に応じ
て所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましく
は、ｏ、ｏｏｔ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　、よ
り好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ卿、最適に
けＯ，１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが
望ましいものである。

本５Ｒ：明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域り）に
同権の伝導性を支配する物質（Ｑを含有させる場合には
、層領域（イ）に於ける含有量としては、好ましくけ３
０　ａｔｏｍｉｃ　Ｉ］ｌｌ［１以下とするのが望まし
いものである。

本発明に於いては、第１の層（１）中に、一方の極性の
伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有させたＲ領
域と、他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物
質を含有させた層領域とを直に接触する様ＩＣ設けて、
該接触領域に所謂空乏層分設けることも出来る。詰り、
例えば、第１のＪｌ（Ｉ）中に、前記のｎ型不純物を含
イＪするＨ領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域と
を直に接触する様に設けて所謂ｐ　−ｎ接合を形成して
、空乏層を設けることが出来る。

本発明の光導電部材においては、第１の層領域０中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが昭ましい
ものである。

本発明に於いては、第１の層領域０上に設けられる第２
の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されて
おらず、この様な層構造に第１の層（Ｉ）を形成するこ
とによって、可視光領域を含Ｔｒ　ｓ比較的短波長から
比較的長波長途の全領域の波長の光に対して光感度が優
れている光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域０中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し
、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが変長ｆ＄
、側より第２の層領域（Ｓ）に向って減少する変化か与
えられているので、第１の層領域０と第２の層領域１（
Ｓ）との１片に於ける親和性にｆをれ、且つ舊述する様
に、支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分イσ濃
度Ｃを極端に大きくすイ）ことにより、半浩困レーザ等
を使用１−た場合の、第２の層領域（ＳＪでは殆んと吸
収し９Ｊれない長波長側の光を第１のｗｊ層領域に於い
て、実質的に完全に吸収することが出来、支持体面から
の反射による干渉をＩ’ｒｊｊ止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いてに、第１の層領域０と
第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々かシ
リコン原子という共通の構成、要素を有しているので、
ａ１層界ｍ１に於いて化学的な！！２定性の確保か充分
成されている。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第１の層領域０中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１θ図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域００層厚を示し
、ｔＢは支持体側の第１の層領域０の端面の位置を、ｔ
Ｔは支持体側とけ反対側の第１の層領域０の端面の位置
を示す。卯ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層
領域０はｔ側より１Ｔ側に向って層形成がなされる。

第２図には、第１の層領域０中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域０が形成される表面と該第１の層領域０
の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、
ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値を取
り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層領域０に
含有され、位置ｔ、よりけ濃度ｑより界面位置ｔＴｖｃ
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位９ｔＴ
においてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣけＣ８とされ
る。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ＩＢより位置ｔＴに到るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的りて減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ０となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位Ｉｉ！７ｔＢより位置ｔ２までは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とさ
れ、位ｉ　ｔｔと位＠ｔＴとの間において、徐々に連続
的に減少され、位置ｔＴＶｃおいて、分布濃度Ｃけ実質
的に零とされている（ここで実質的に零とけ検出限界坩
未滴の場合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置１Ｂより位置ｔＴに到るまで、濃度Ｃ６より連続的に
徐々に減少きれ、位置ｔＴＶｃおいて実質的に零とされ
ている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは１位置ｔｎと位置ｔ３間においては、濃・度Ｃ，
と一定値であシ、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩＧとされ
る。位置ｔ、と位置ｔｙとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ、よ多位置１１に至るまで減少されてい
る。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔｕ
よ多位置ｔ４″！では濃度Ｃ１１の一定値を取り１位置
ｔ４よ）位置１１″！、では濃度ＣＩ！より濃度Ｃ６ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては１位置ｔＢより位置を丁に至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４よ
如実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては１位置ｔＢよ多位置ｔ、に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ，Ｂよシ濃度
Ｃ１１ｌまで一次関数的に減少され、位置ｔ。

と位置を丁との間においては、濃度ＣＩ６の一定値とさ
れた例が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ’Ｆであシ、位
置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７　よシ初めはゆつく
シと減少されｓ　ｔｌｌの位置付近においては、急激に
減少されて位置ｔ６では濃度Ｃ１１ｌとされる。

位置ｔ、と位置ｔ、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となシ１位置ｔ７と位置ｔ、との間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔｓにおいて、濃
度ＣｔｏＫ至る。位置ｔ８と位置を丁の間においては、
濃度Ｃ２Ｇよシ実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、第１の層領域（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面ＬＴ側においては、前記分布濃度Ｃ
は支持体側に較べて可成シ低くされた部分を有するゲル
マニウム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。

本発明に於ける光導電部材を構成する第１の層（１）を
構成する第１の層領域（Ｇ）は好ましくは上記し九様に
支持体側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域囚を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（４）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔａよシ５
μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於いては、上記局在領域（４）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（４）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又社会
部とするかは、形成される第１の層（１）に要求される
特性に従って適宜法められる。

局在領域（４）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値ＣｍａＸがシリコン原子との和に対して、好
ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上、より好適
には５０００　ａｔｏｍｉ　ｃ　Ｔ）ｐｍ以上。

最適にはＩ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｌ）ｐｍ以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち１本発明においては、ゲルマニウムＭ子の含有され
る第１の層領域（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５μ以
内（ｂから５μ厚の層領域）Ｋ分布濃度の最大値ｃ　ｍ
ａｘが存在する様に形成されるのが好ましいものである
。

本発明において、第１の層領域（０中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的
に達成される様に所望に従って適宜法められるが、シリ
コン原子との和に対して、好ましくは１〜９．５　Ｘ　
１０’　ａ　ｔｏｍｉ　ｅ　ｐｐｍ　ｋよジ好ましくは
１００〜８ＸＩ　Ｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐＪ）ｍ　、最適
には５００〜７　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉ　ｃ　Ｉ）ｐ
ｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層領域０と第２の層領域（ｓ）と
の層厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要
な因子の１つであるので形成される光導電部材に所望の
特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際に充
分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好
ましくは３０λ〜５０μ、よシ好ましくは４０λ〜４０
μ、最適には５０λ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０、５
〜９０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（０の層厚−と第２の層領域（Ｓ）の層厚
のＴの和（ＴＢ　”　Ｔ　）としては、両層領域に要求
される特性と第１の層（Ｉ）全体に要求される特性との
相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設針の
際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（Ｔａ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、よシ好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ま
しい。

本発明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくはＴＢ／　Ｔ　、Ｓ　０．９　％
最適にはＴＢ　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様
に層厚Ｔ８及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいも
のである。

本発ＦＩＪＫ於いて、第１の層領域ＣＧｌ中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０’ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｒｎ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の
層厚ＴＢとしては、可成シ薄くされるのが望ましく、好
ましくけ３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適
には２０μ以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて、第１の層（１）を構成
する第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含
有されるハロゲン原子（３）としては、具体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨク索が挙げられ、殊にフッ素、塩素
を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、　ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層領域（Ｇ）を形成するＫは例えば、グロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）で構成される第１の層領域（６）を形成するには、
基本的にはシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（５）
導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（３）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から
なる層を形成させれは良い。又、スパッタリング法で形
成する場合には５例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又は
これ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔ
で構成されたターゲット、或いは、該ターゲットとＧｅ
で構成されたターゲットの二枚を使用して、又は、Ｓｔ
とＧｅの混合されたターゲットを使用して、必要に応じ
てＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈され九Ｇｅ供給用の原
料ガスを、必要に応じて、水素原子（６）又は／及びハ
ロゲン原子（３）導入用のガスをスパッタリング用の堆
積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成する
と共Ｋ。

前記Ｇｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲
線に従って制御し乍ら、前記のターゲットをスパッタリ
ングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボー）Ｋ収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク）ｏンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、Ｓ　ｉＨ４ｙ　Ｓ　１ｔＨａ　＋　
Ｓ’１ｓＨａ　ＰＳｉ＋Ｈｔ。等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ。

Ｓｔ供給効率の良さ等の点でＳ　ｉＨ＋　、　Ｓ　１ｔ
Ｈａが好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ４Ｈａ　、Ｇｅ５Ｈａ　、Ｇｅ４Ｈｔｏ　ｔ　
Ｇｅ５ＨＨ、Ｇｅ４Ｈｔｏ　ｔＧｅｒＨ４ｓ　＋Ｇａｇ
Ｈ＋ａ　ｔ　ＧｅｅＨｍ等のガス状態の又はガス化し得
る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、　Ｇｅ供給
効率の良さ等の点でｓ　ＧｅＨ４ｅ　ＧｅｔＨａ　ｅＧ
ｅｌＨｌが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、　ＢｒＦ　、　ＣＪＦ　、　ＣｊＦ、　。

ＢｒＦａ　ｐ　ＢｒＦｘ　ｌ　ＩＦｓ　ｒ　ＩＦ７　、
　ＩＣＩ　、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては。

具体的には例えばＳｉＦ、　ｔ　Ｓｉ＊Ｆｓ　、　５ｉ
ＣＪ、　、　５ｉＢｔａ等のハロゲン化硅素が好ましい
ものとして挙げることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｌを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅか
ら成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（（２）を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供
給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ□Ｈｅ等の
ガス等を所定の混合化とガス流量になる様にして第１の
層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
Ｋよって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｑを形成し
得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容
易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形
成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ６、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い０ 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＰ、Ｈｅｌ！。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉＨ，Ｆ、
　、　８　ｉＨ，Ｉ、　。

８ｉＨ，Ｃ／ｌ、　５ｉＨＣ１！、、　ＳｉＨ，Ｂｒ、
、　５ｉＨＢｒ、等ツバ０　）７７置換水素化硅素、及
びＧｅＩ（Ｆ、　、　ＧｅＨ，Ｆ、　、　ＧｅＨ，Ｐ　
。

ＧｅＨＣｒ、　、　ＧｅＨ，Ｃ／ｌ　、　ＧｅＨ，Ｃ／
　、　ＧｅＨＢｒ５　、　ＧｅＨ，Ｂｒ、　。

ＧｅＨ，Ｂｒ　、　ＧｅＨＩ、、　、　ＧｅＨｌＩ、　
、　ＧｅＨ，Ｉ　等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等
の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、Ｇｅ
Ｆ４．　ＧｅＣｚ４．　ＧｅＢｒ、　。

ＧｅＩ４．　ＧｅＦ、　、　Ｇｅｅ／＊　、　ＧｅＢｒ
、　、　ＧｅＩ２等ノハロゲン化ゲルマニウム、等々の
ガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領
域（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第１
の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ７、或いはＳｉＨ４，８ｉ、Ｈ，。

８ｉ、Ｈ，、５ｉ４Ｈ，。、等の水素化硅素をＧｅを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、ＧｅＨ，、Ｇｅ、Ｈ，、Ｇｅ、Ｈ，、Ｇｅ、Ｈ，
。、　Ｇｅ、）（、、。

Ｇｅ、Ｈ，４，ＧｅアＨ，６，Ｇｅ５Ｈ，８，Ｇｅ、Ｈ
，。等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリ
コン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放
電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（（））中に含有される水素原子（社）の
量又はハロゲン原子■の量又は水素原子とハロゲン原子
の量の和（Ｈ十Ｘ）は好ましくは０．０１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ　Ｘｌ　より好適には０．０５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ　Ｘと
されるのが望捷しい。

中に含有される水素原子（Ｈ）又け／及びハロゲン原子
■の量を制御するには、例えば支持体温度又は／及び水
素原子σＤ１或いはハロゲン原子（３）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電電力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　で構成される第
２の層領域（８）を形成するには、前記した第１の層領
域（Ｇ）形成用の出発物質（Ｔ′）の中よす、Ｇ供給用
の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層
領域（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１
の層領域（ｑを形成する場合と同様の方法と条件に従っ
て行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の層領域Ｃ８’）を形成するには、基本
的には前記したシリコン原子（Ｓｉ　）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子σ（
）導入用の又は／及びハロゲン原子■導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されで
ある所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　からな
る層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｉ′Ｄ又は／及びハロ
ゲン原子（鳩導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される第１の層（Ｄを構成する第
２の層領域（８）中に含有される水素原子（Ｉ−１）の
量又はハロゲン原子（３）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは、１〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏ＋ｎｉｃ％
、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい。

第１の層（Ｉ）を構成する層領域中に、伝導特性を制御
する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子
を構造的に導入して前記物質（（−’）の含有された層
領域（ＰＮ）を形成するには、層形成の際に、第■族原
子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質
をガス状態で堆積室中に、第１の層（Ｉ）　ｔｌ−′形
成する為の他の出発物質と共に導入してやればよい。こ
の様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい
。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的に
は硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈｅ　−Ｂ４ＨＩ　ｏ
　、ＢｓＨｏ　、　ＢＩＩＨＩ　＋　−ＢａＨ＋ｏ　−
ＢｅＨ＋　ｔ　−Ｂｅ’Ｌ　４等の水素化硼素、ＢＦ、
、　ＢＣ１！、、　ＢＢｒｓ等のノ・ロゲン化硼素等が
挙げられる。この他、ｋｌＣｊ！５−ＧａＣｌ、　、　
Ｇａ　（ＣＨ，）ｓ　、　Ｉｎｋ！！、　、　ＴｌＣｌ
＊等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質としては、本発明において
有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，
、Ｐ、Ｈ４等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ。

ＰＦｚ、　ＰＦＢ、　ＰＣｌｓｔ　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ
、、　ＰＨｒＳ、　ｐｌ：、等のハロゲン比隣が挙げら
れる。この他、ＡＳＨ，。

ＡＳＦ３．　ＡＳＣ／、、　ＡｓＢｒ、、　ＡｓＦ、、
　５ｂＨｓ、　８ｂＦ、、　ＳｂＦ、。

ｓｂｃ／、　、　ＳｂＣ／’ｌ　、　ＢｉＨ！　Ｉ　Ｂ
ｉＣ／ｆｉ　Ｉ　Ｂ１Ｂｒ１　等も第Ｖ族原子導入用の
出発物質の有効なものとして挙げることが出来る。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第１の層
（Ｉ’）　１０２上に形成される第２の層（「）１０５
は自由表面１０６を有し、主に耐湿性。

連続繰返１〜使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、
耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に設けられる
。

又、本発明に於いては、第１の層（１’）　１０２と第
２の層（■）　１０５とを構成する非晶質材料の各々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されて
いる。

本発明に於ける第２の層（Ｉｔ）は、シリコン原子（Ｓ
＋）と酸素原子（０）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）
又け／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以
後、［ａ　（ＳｉｘＯ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ　Ｊ
と記す。但し％　ｏ＜ｘ＊　）’＜１　）で構成される
。

ａ−（ＳＩｘＯ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘｈ−ｙで構成される
第２の層（「）の形成はグロー放電法、スパッタリング
法。

エレクトロンビーム法等によって成される。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模
９作製される光導電部材に所望される特性等の要因によ
って適宜選択されて採用されるが、所望する特性を有す
る光導電部材を製造するための作製条件の制御が比較的
容易である、シリコン原子と共に酸素原子及びハロゲン
原子を、作製する第２の層（ＩＩ）中に導入するのが容
易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッター
リング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第２の層（Ｕ）を形
成してもよい。

グロー放電法によって第２の層（ＩＩ）を形成するにけ
ａ−（８’ｘＯｔ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体の設置しである真空堆積室に導入し、導
入されたガスを、グロー放電を生起させることでガスプ
ラズマ化して、前記支持体上に既に形成されである第１
の層（Ｄ上にａ−（Ｓｉｘｏ＋　−ｘ）ｙ（ＨｅＸ）　
Ｉ−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉｘＯＨ−）Ｏｙ（Ｈ，Ｘ）
１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（８ｉ
）、酸素原子（０）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（
１）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｑ、Ｈ，Ｘの中の一つとして８ｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子と
する原料ガスと、０を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、Ｏ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＯ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、　Ｓｔを構成原子とする原料ガスと
、Ｓｉ、Ｏ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は
、８ｉ、０及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに０
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＯを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ）中に含有されるハロ
ゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、ＣＪ、Ｂｒ。

■であり、殊にＦ、ＣＩ！が望ましいものである。

本発明に於いて、第２の層（Ｉｔ）を形成するのに有効
に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常
圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることができる。

第２の層（ＩＩ）を上記の非晶質材料で構成する場合の
層形成法としてはグロー放電法、スパッターリング法、
イオンインプランテーション法。

イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等が挙
げられる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模９作製される光導電部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが
′、所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作
製条件の制御が比較的容易である。シリコン原子と共に
酸素原子、必要に応じて水素原子やハロゲン原子を作製
する第２の層（ＩＩ）中に導入するのが３ 容易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッタ
ーリング法が好適に採用される。

史に本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリン
グ法とを同一−１ｒ＝ｔ・系内で併用して第２の１！　
（ＴＩ）を形成１−でも良い。

グロー放電法によって、ａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（ｎ）を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ＋供給用の原料ガスと酸
素原子（０）導入用の原料ガスと、必要に応じて水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の第１の層上にａ　Ｓ　１０　（（
−１，Ｘ　）又、スパッタリング法で第二の層（ＩＩ）
を形成する場合には、例えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等
のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中で８５で構成
されたターゲットをスパッタリングする際、酸素原子（
０）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スと共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導入して
やれば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳｔｏ
ｗで構成されたターゲットか、或いはＳｔで構成された
ターゲットと５ｉＯｚで構成されたターゲットの二枚か
、又はＳｉとＳｔｏｗとで構成されたターゲットを使用
することで形成される第二の層（ＩＩ）中へ酸素原子（
０）を導入することが出来る。この際、前記の酸素原子
（０）導入用の原料ガスを併せて使用すればその流量を
制御すること第二の層（ＩＩ）中に導入される酸素原子
（０）の量を任意に制御することが容易である。

第二の層（ＩＩ）中へ導入される酸素原子（０）の含有
量は、酸素原子（０）導入用の原料ガスが堆積室中へ導
入される際の流量を制御するか、又は酸素原子（０）導
入用のターゲット中に含有される酸素原子の割合を、該
ターゲットを作成する際に調整するか、或いは、この両
者を行うことによって、所望に従って任意に制御するこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、５ｉＪＬ　、５ｉｔＨａ　−８ｉＪ
ａ　＋　５ＬＨｔｏ等のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、　Ｓｉ供給効率
の良さ等の点で５ＩＴ（４ｔ　５１ｔＨａが好ましいも
のとして挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される第二の層（Ｉｔ）中にＳ
ｔと共にＨも導入し得る。

Ｓｔ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む硅
素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体、具体的には例えば、５ｉＦ４１５ｉｔＦｓ　＠　５
ｉＣ１４、５ｉＢｒｎ等のハロゲン化硅素が好ましいも
のとして挙げることが出来る。

更には、８ｉＨｔＦｔ　ｔ　５ＩＨｙＩ＊　＋　８１几
Ｃ４＋　５ｔＨＣｔ、　ＩＳｔ迅Ｂｒｔ　Ｉ　５ｉＨｔ
３ｒｓ等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の
或いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な第二の層（ｎ）の形成の為のＳｔ
供給用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によっ
て、形成される第二の層（ＩＩ）中にＳｉと共にＸを導
入することが出来る。

上記した出発物質の中水素原子を含むノ・ロゲン化硅素
化合物は、第二の層（ＩＩ）の形成の際に層中にハロゲ
ン原子（Ｘ）の導入と同時に電気的或いは光電的特性の
制御に極めて有効な水素原子（’Ｅ（）も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン原子（Ｘ’）導入
用の出発物質とじて使用される。

本発明において第二の層（ＩＩ）を形成する際に使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素のノ・ロゲンガスＨＢ　ｒＦ　
ｇ　Ｃ６Ｆ　ＨＣｔＦＢ　＋　ＢｒＦ５　ｇ　ＢｒＦ５
　＋　ＩＦｓ　ＨＩＦ７　＋ＩＣ１，ＩＢｒ等のハロゲ
ン間化合物、ＨＦ、　Ｈｅ４　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素を挙げることが出来る。

第二の層（Ｈ）を形成する際に使用される酸素原子（０
）導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用さ
れる出発物質は、０を構成原子とする或いはＮとＯとを
構成原子とする例えば酸素（０，）　、オゾン（Ｏａ）
、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二
酸化窒素（ｙｔｏ　）　、三二酸化窒素（ＮｔＯｓ　）
　、四二酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）　、三二酸化窒素（Ｎ２
Ｏ５）　、三酸化窒素（ＮＯ，）、シリコン原子（Ｓｉ
）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とす
る、例えば、ジシロキサン（ＨｓＳｉＯ８ｉＨｓ）　。

トリシロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ，０８ｉＨ３）等の
低級シロキサン等を挙げることが出来る 本発明に於いて、第二の層（ＩＩ）をグロー放電法又は
スパッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　、　Ａ
ｒ　等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）は、その要求される特
性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、ＳＳ、Ｏ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｉ
ｘＯ＋−ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ　）ｔ−ｙが形成される様に
、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。

例えば、第二の層（Ｕ）を電気的耐圧性の向上を主な目
的として設けるにはａ−（ＳｉｚＯ＋　−ｘ）ｙ（ＢＬ
Ｘ）＋−ｙ　は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕
著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（ＴＩ）が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ　
−（５ｉｚＯ＋−ｘ　）　ｙ（Ｈ＋Ｘ）＋−ｙが作成さ
れる。

第一の層（１）の表面にａ　（５ｔ）（Ｏｔ−Ｘ　）　
ｙ　（Ｈｔ　Ｘ）１−ｙから成る第二の層（ＴＩ）の表
面にａ　−（５ｉｚＯ＋−ｚ　）ｙ　（）（ｓ　Ｘ　）
　、ｙから成る第二の層（１）を形成する際、層形成中
の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右す
る重要な因子であって、本発明に於いては、目的とする
特性を有するａ　−（５ｉｚＯ＋　ｘ　）ｙ（Ｈｙ　Ｘ
　）　＋　ｙが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制？＆１されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の層（ＴＩ）の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、第二の層（ｎ）の形成が実行されるが、好ま
しくは、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃
、最適ＶＣＩｔｉ　１．　ｏ　。

〜３００℃とされるのが望ましいものである。

第二の層（ｎ）の形成には、層を構成する原子の組成比
の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容
易である事等のために、グロー放電法やスパッタリング
法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の層
（Ｉｔ）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−（５ｉｚＯ
＋−ｘ　）　ｙ（ＨｌＸ）＋−ｙの特性を左右する重要
な因子の−っである。

本発明に於ける目的が達成されるだめの特性を有するａ
　−（Ｓｉｚｅｓ−ｘ）ｙ（Ｈ＋　Ｘ）＋　−ｙが生産
性良く効果的に作成されるための放電パワー条件として
は好ましくは１．０〜３００Ｗ、より好適には２，０〜
２５０Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとされるのが望ま
しいものである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜ＩＴｏｒｒｘ
　より好適には、Ｑ、　１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とさ
れるのが望ましい。

１ 本発明に於いては第二の層（ＴＩ）を作成するだめの支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
のａ　（ＳｉｘＯ＋−ｘ）ｙ（ｌ７ＩＩ　Ｘ　）ｌ−ｙ
から成る第二の層（ＩＩ）が形成される様に相互的有機
的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決め
られるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の層（ｎ）に含有され
る酸素原子の量は、第二の層（ｎ）の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の層
（Ｉ［）が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）に含有される酸素原子
の量は、第二の層（ｎ）を構成する非晶質材料の種類及
びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもので
ある。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｔ、Ｏｏ−、）、（Ｈ，Ｘ）
、　。

で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン原子と
酸素原子とで構成される非晶質材料（以後、「ａ　−Ｓ
　ｉ　、　０１　、Ｌ、Ｊと記す。但し、Ｏ（ａ＜１）
、シリコン原子と酸素原子と水素原子とで構成される非
晶質材料（以後、ｒ’−（ＳＩｂＯ＋−、）ｅＨ，−ｅ
−１と記す。但し、Ｏ（ｂ　、　ｃ＜１　）、シリコン
原子と酸素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、ｒａ−（Ｓｔ、Ｏ，
−、）。

（Ｈ，Ｘ）、、Ｊと記す。但し０（ｄ　、　ｅ（１）　
、に分類される。

本発明に於いて、第二の層（１１）がａ−””ａｏｌ−
ａで構成される場合、第二の層（Ｕ）に含有される酸素
原子の量は好ましくは、ａ　−Ｓ　ｉ　、Ｏｒ　−、の
ａの表示で行えば、ａが好ましくは０．３３〜０．９９
９９９、より好適には０．５〜０．９９、最適には０．
６〜０．９である。

本発明に於いて、第二の層（ＩＩ）がａ−（Ｓｔ、Ｏ□
−ｂ）ｃＨ１□で構成される場合、第二の層（Ｕ）に含
有される酸素原子の量は、”””ｂｏｌ−ｂ）ｅＨｌ−
８の表示で行えばｂが好ましくは０．３３〜０．９９９
９９、より好適には０．５〜０．９、最適には０．６〜
０．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適に
は０．６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５であ
るのが望ましい。

第二の層（Ｉｌｌが、ａ−（Ｓｉ、Ｏ，−、）、（Ｈ、
Ｘ）、−６で構成される場合には、第二の層（Ｉｌｌ中
に含有される酸素原子の含有量としては、ａ−（ｓｔ、
ｏ、−ｄ）。

（Ｈ，Ｘ）、、、−、のｄ、ｅの表示で行えばｄが好ま
しくは、０．３３〜０．９９９９９、より好適には０．
５〜０．９９、最適には０．６〜０．９、ｅが好ましく
は０．８〜０．９９、より好適には０．８２〜ｏ、９９
、最適には０．８５〜０．９８であるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（ＩＩ）の層厚は、該層（ＩＩ）中に含有
される酸素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に
於いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要があ
る。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０μ、より好適には０．００４〜
２０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ま
しい。

本発明に於いて使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス。

Ｕ　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ、Ｎｂ　、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
　、Ｐｔ　、Ｐｄ　、等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
　、ｐｔ、ｐａ。

Ｉｎ、Ｏ，、ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２０．　＋５ｎＯ
２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎ１
ｔＡｕ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体の形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子写真用像形成部材とｌ−て使用するのであれ
ば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電
部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材と
して可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる
。丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、好ましくは、１０μ以上とされ
る。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中（７）１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発
明の光導電部材を形成するための原料ガスが密封されて
おり、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈
されたＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＳｉＨ
４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈され
たＧｅＨ，ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４／
Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０４はＨｅで稀釈されたＳ
ｉＦ４ガス（純度９９．９９％、以下ＳｉＦ、／Ｈｅと
略す。）ボンベ、１１０５はＨｅで稀釈されたＢ、Ｉ（
６ガス（純度９９．９９９％、以下ＢｔＨ＠／ＨｅとＯ 略ス。）ボンベ、１１０６は輻耕ガス（純度９９．９９
９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１．及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０”−’ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第１の層（Ｉ）を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より
ＳｉＨ，／Ｈｅガス、ガスボンベ１１ｏ３よりＧｅｍ４
／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５よりＢ２Ｈ，／Ｈｅガ
スをバルブ１１２２，１１２３．１１２５を美々開いて
出口圧ゲージ１１２７，１１２８，１１３０の圧を１ｋ
ｇ／ｃＩＬに調整し、流入バルブ１１１２゜１１１３、
ｔｘｔｓｔ−徐々に開ケて、マスフロコントローラ１１
０７，１１０８．１１１０内に夫々流入させる。引き貌
いて流出バルブ１１１７．１１１８．１１２０、補助バ
ルブ１１３２を、徐々に開いて夫々のガスを反応室１１
０１に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ１／　Ｉ−Ｉ
ｅガス流量とＧｅ　Ｉ（４／Ｈｅガス流量とＢ２　Ｈ６
／　Ｈｅガス流量との比が所望の値になるように流出バ
ルブ１１１７．１１１８，１１２０を調整し、又、反応
室１１０１内の圧力が所望の値になるように真空計１１
３６の読みを見々がらメインバルブ１１３４の開口を調
整する。そして基体１１３７の湛変が加熱ヒーター１１
３８によ勺５０〜４００°０の範囲の温度に設定されて
いることを確認された後、電源１１４０を所望の電力に
設定して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同
時にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＧｅ　Ｈ
４／Ｈｅガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の
方法によってバルブ１１１８の開口を漸次変化させる操
作を行なって形成される層中に含有されるゲルマニウム
原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）を形成す
る。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）が形成された段階に
於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じること及び必
要に応じて放電条件を変えること以外は、同様な条件と
手順に従って、所望時間グロー放電を維持することで、
前記の第１の層領域Ｇ）上にゲルマニウム原子が実質的
に含有されてない第２の層領域（Ｓ）を形成することが
出来る。

第２の層領域（ＳＪ中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）
を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に、
例えばＢ、Ｈ６，ＰＨＩｌ等のガスを堆積室１１０１の
中に導入する他のガスに加えてやれば良い。

この様にして、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）とで構成された第１の層（Ｉ）が基体１１３７上に形
成される。

第１の層（ＩＪ中にハロゲン原子を含有させる場合には
、上記のガスに、例えばＳ　ｉＦ４ガスを更に付加して
、グロー放電を生起させれば良い。

又、第１の層（Ｉ）中に水素原子を含有させずにハロゲ
ン原子を含有させる場合には、先ずＳｉＨ。

／■ガス及びＧｅＨ，／Ｈｅガスの代りに、Ｓ　ｉＦ、
／Ｈｅガス及びＧｅＦ、／Ｈｅガスを使用すれば良い。

上記の様にして所望層厚に形成された第１の層（１）上
に第２の層（ＩＩ）を形成するには、第１の層（Ｔ）の
形成の際と同様なバルブ操作によって、例えばＳ　ｉＨ
，ガス、Ｎｏガスの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガ
スで稀釈して、所望の条件に従ってグロー放電を生起さ
せることによりて成される。

第２の層（Ｉｌｌ中にハロゲン原子を含有させるには、
例えばＳｉＦ４ガスとＮｏガス、或いは、これにＳｉＨ
４ガスを加えて上記と同様にして第２の層（ＩＩ）を形
成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２工から反応値
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バル
ブ１１３２　、１１３３を開いてメインパルプ１１３４
を全開して系内な一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。

第２の層（ＩＩＪ中に含有される酸素原子の量は例えば
、グロー放電による場合はＳｉ馬ガスと、Ｎｏガスの反
応室１工０１内に導入される流量比を所望に従って変え
るか、或いは、スパッターリングで層形成する場合には
、ＡｒとＮＯの混合ガスの混合比と、ターゲットを形成
する際シリコンウェハと５ｉｎ２のスパッタ面積比率を
変えるか、又はシリコン粉末と５ＩＯ２粉末の混合比率
を変えてターゲットを成型することによって所望に応じ
て制御することが出来る。第２の層（ＩｆＪ中に含有さ
れるハロゲン原子（３）の量は、ハロゲン原子導入用の
原料ガス、例えばＳｉＦ４ガスが反応室１１０１内に導
入される際の流量を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｅ
基体上に、第１表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、ＧｅＩ（４／ＨａガスとＳｉ
Ｈ４／Ｈ１！ガスのガス流量比を層作成経過時間と共に
変化させて第１の層（１）の層形成を行い、次いで第１
表に示す条件で第２の層（ＩＩ）の層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．ＯＫＶで０．３　ｓｅｅ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源
を用い、２　／ｎｘ−ｓｅｅの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．ＯＫＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮４ 明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件で
第１３図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ，／Ｈｅガスと８１Ｈ，／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置によシ、第３表に示す条件で
第１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ，／ＨｅガスとＳ　ｉＨ，／Ｈｅガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
ｍ／Ｈｅガスと５ｉＨａ／Ｈｅガスのガス流量比を層作
成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１と
同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示す条件で
第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈａ／ＨｅガスとＳ　１ＩＴ１４／Ｈｅガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
ｍ、／Ｈｅガスと５ｉＨａ／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られだ像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
ｍ４７Ｈｅガスと８　ｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例工と同様
の条件及び手順で転写紙上に画１象を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例８ 第１１図に示した製造装置により、第８表に示す条件で
第１９図に示すガス・流景比の変化率曲線に従って、Ｇ
＠Ｆ、／Ｈｅガスと８ｉＦ４／Ｈｅガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例９ 実施例１に於いて、、ＳｉＨ，／ＨｅガスのａＵに、Ｓ
ｉ２迅／Ｈｅガスを使用し、第９表に示す条件にした以
外は、実施例１と同様の条件にして電子写真用像形成部
材を形成した。

こうして得られだ像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１０ 実施例１に於いて、８ｉＨ，／Ｈｅガスの代りにＳｉＦ
、／Ｈｅガスを使用し、第１０表に示す条件にした以外
は、実施例１と同様の条件にして電子写真用像形成部材
を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質ば得られた。

実施例１１ 実施例１に於いて、ＳｉＨ，／Ｈｅガスの代りに（８ｉ
１Ｈ，／Ｈｅ　＋　８ｉＦ４／Ｈｅ　）ガスを使用し、
第１１表に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条
件にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／
基体上に、第１２表に示す条件で第１２図に示すガス流
量比の変化率曲線に従って、ＧｅＨ，／ＨｅガスとＳｉ
Ｈ４／イＨ・ガスのガス流量比を層作成経過時間と共に
変化させて第１の層（１）の層形成を行い、次いで第１
２表の条件に従って第２の層（ＩＩ）の層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しΦ５．ＯＫＶで０．３　ｓｅｅ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光線はタングステンランプ光源
を用い、２１ｕｘ−ｓｅｅの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．ＯＫＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例１３ 実施例１２に於いて、第１層の作成の際にはＢｔＨａの
（Ｓ　ｉＨ，＋　Ｇｅｍ、　）に対する流量を、第２層
の作成の際にはＢｚＨｓの５ＩＨ４に対する流量を第１
３表に示す様に変えた以外は、実施例１２と同様の条件
で電子写真用像形成部材を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ良
好な結果が得られた。

実施例１４ 実施例１〜１１に於いて、第２層の作成条件を第１４表
に示す条件にした以外は、各実施例に示す条件と同様に
して電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
４Ａ表に示す結果が得られた。

実施例１５ 実施例１〜１１に於いて、第２層の作成条件を第１５表
に示す条件にした以外は、各実施例に示す条件と同様に
して電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
５表に示す結果が得られた。

実施例１６ 実施例１に於いて、光源をタングステンランプの代りに
８１０　ｎｍ０ＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を
用いて、静電１象の形成を行った以外は、実施例１と同
様のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件
で作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画
像の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現
性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１７ 層（ＩＩ）の作成条件を第１６表に示す各条件にした以
外は、実施例２〜１１の各実施例と同様の条件と手順に
従って電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａ１７２０１
〜１７−２０８．１７−３０１〜１７−３０８．・・・
、１７−１００１〜１７−１００８の７２個の試料）を
作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、Φ５ＫＶで０．２ｓｅｃ間コロナ
帯電を行い、光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、光量は１．　Ｏｌｕｘ・ｓｅｅとした。潜像
はｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によっ
て現像され、通常の紙に転写された。転写画像は、極め
て良好なものでおった。転写されないで電子写真用像形
成部材上に残ったトナーは、ゴムブレードによってクリ
ーニングされた。このような工程を繰り返し１０万回以
上行っても、いずれの場合も画像の劣化は見られなかっ
た。各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用
による耐久性の評価の結果を第１７表に示す。

実施例工８ 層（ＩＩ）の形成の際、スパッターリング法を採用し、
ＡｒとＮＯ，の混合ガ、スの混合比とシリコンウェハと
Ｓｔｏｗのターゲツト面積比を変えて、層（ＩＩ）に於
けるシリコン原子と酸素原子の含有量比を変化させる以
外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成部材の
夫々を作成した。こうして得られた像形成部材の夫々に
つき、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニン
グの工程を約５万回繰り返した後画像評価を行ったとこ
ろ第１８表の如き結果を得た。

実施例１９ 層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨ，ガスとＮｏガスの流
量比を変えて、層（ＩＩ）に於けるシリコン原子と酸素
原子の含有量比を変化させる以外は実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。こうして
得られた各像形成部材につき、実施例１に述べた如き方
法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像評価
を行ったところ、第１９表の如き結果を得た。

実施例２０ 層（［Ｉ）の層の形成時、５ＩＨ４ガス、８ｉＦ４ガス
。

Ｎｏガスの流量比を変えて、層（ＩＩ）に於けるシリコ
ン原子と酸素原子の含有量比を変化させる以外は、実施
例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成
した。こうして得られた各像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万回
繰り返した後、画像評価を行ったととる第２０表の如き
結果を得た〇 実施例２１ ＃　（Ｉｔ）の層厚を変える以外は、実施例１と全く同
様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。実施例
１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰
り返し、第２１表の結果を第２１表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度　：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・・
・・約２００°Ｃゲルマニウム原子（Ｇｅ　）非含有層
・・・約２５０℃放電周波数：１３．５６１＆ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々第１の層領
域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は、本発明で使用された装置の模式
的説明図で、第１２図乃至第１９図は夫々本発明の実施
例に於けるガス流量比の変化率曲線を示す説明図である
。 １００・・・光導電部材 １０１・・・支持体 １０２・・・第１の層（Ｉ） １０５・・・第２の層（Ｉｔ）。 力゛に流量罠 力゛ス渣着工 ブ１ズ渾し舒尾 ７パス薩量月６ 手続補正書（自発） 昭和５９年ｉｏ月２５日 。ＮＩ’ｆ！！　ヵゆ　ウよ　逸 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１５６６８１号 ２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）キャノン株式会社 代表者　賀　来　龍　三　部 ４、代理人 居所　〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２５、Ｗ
１正の対象 明　細　書 ６、補正の内容 （１）明細書第５４頁第２行の「０．５〜０．８」を［
０，５〜０．９９Ｊと補正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シリコン原子
   とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第
   １の層領域と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
   れ、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持体側よシ
   順に設けられた層構成の第１の層と、クリコン原子と酸
   素原子とを含む非晶質材料で構成された第２の層とを有
   し、前記第１の層領域中に於けるゲルマニウム原子の分
   布状態が層厚方向に不均一であって、前記第１の層領域
   に伝導性を支配する物質が含有されていることを特徴と
   する光導電部材。