JPS6068620A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6068620A JPS6068620A JP58177260A JP17726083A JPS6068620A JP S6068620 A JPS6068620 A JP S6068620A JP 58177260 A JP58177260 A JP 58177260A JP 17726083 A JP17726083 A JP 17726083A JP S6068620 A JPS6068620 A JP S6068620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- end cap
- reaction tube
- electrode
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は縦型としたプラズマＣＶＤ装置に係シ、特例生
産性、操作性向上を計った電極構成に関する。
産性、操作性向上を計った電極構成に関する。
（ｂ） 技術の背景
従来のＣＶＤ法に比しプラズマＣＶＤ法はプラズマ中で
の化学反応を利用するため、低温（２００〜３５０℃）
での成膜が可能であり 厚膜でしかも良質のシリコン９
化膜（Ｓｉ２Ｈ４）が形成でき、最終的な保護膜として
有効である。
の化学反応を利用するため、低温（２００〜３５０℃）
での成膜が可能であり 厚膜でしかも良質のシリコン９
化膜（Ｓｉ２Ｈ４）が形成でき、最終的な保護膜として
有効である。
しかもナトリウム（Ｎａ）等のアルカリ金属に対する耐
蝕性及び耐湿性に優れた特性を示すため、特にモールド
パッケージ型の半導体装置における半導体デバイスの信
頼性を向上させ得る最終的な保護膜として多用されてい
る８ プラズマＣＶＤ装置にはホットウォール形の他に平行平
板形、円筒電極形等がある。
蝕性及び耐湿性に優れた特性を示すため、特にモールド
パッケージ型の半導体装置における半導体デバイスの信
頼性を向上させ得る最終的な保護膜として多用されてい
る８ プラズマＣＶＤ装置にはホットウォール形の他に平行平
板形、円筒電極形等がある。
（ｃ） 従来技術と問題点
第１図は従来のホットウォール形プラズマＣＶＤ装置を
示す構成図、第２図は縦形構造としたホットウォール形
プラズマＣＶＤ装置の一例を示す構成図である。
示す構成図、第２図は縦形構造としたホットウォール形
プラズマＣＶＤ装置の一例を示す構成図である。
第１図において反応管２の外側に加熱ヒータ３を配置し
たホットウォール（Ｈｏｔ−ｗａｌ ｌ ）減圧方式の
プラズマＣＶＤ装置１であって、反応管２内に高周波用
電極４，５が対向して配置される。この電極４．５に外
部の高周波電源６がコネクタ７．８を介して接続され、
この電極間にプラズマが発生する。半導体ウェハ９は電
極間に配した基板ホルダー１０に図のように取付け、電
極４．５とともに反応管２内の所定位置に配置される。
たホットウォール（Ｈｏｔ−ｗａｌ ｌ ）減圧方式の
プラズマＣＶＤ装置１であって、反応管２内に高周波用
電極４，５が対向して配置される。この電極４．５に外
部の高周波電源６がコネクタ７．８を介して接続され、
この電極間にプラズマが発生する。半導体ウェハ９は電
極間に配した基板ホルダー１０に図のように取付け、電
極４．５とともに反応管２内の所定位置に配置される。
この場合電極４，５の先端はコネクタ７．８に挿着され
、外部電源と結合する。
、外部電源と結合する。
エンドキャップ１１を閉じて反応管２内を密閉し、ヒー
タ加熱により反応管内部及び配設した半導体ウェハ９を
一定温度に加熱し、反応管２の終端に備えた排気口１２
より一定圧に減圧排気する。
タ加熱により反応管内部及び配設した半導体ウェハ９を
一定温度に加熱し、反応管２の終端に備えた排気口１２
より一定圧に減圧排気する。
しかる後に反応ガスを導入口１３より導入することによ
り反応ガスはガス導入口１３より排気口１２へと拡散さ
れ、プラズマ中の電気エネルギーによシ反応ガスは活性
化し、半導体ウエノ・９上に所望の薄膜を形成させる。
り反応ガスはガス導入口１３より排気口１２へと拡散さ
れ、プラズマ中の電気エネルギーによシ反応ガスは活性
化し、半導体ウエノ・９上に所望の薄膜を形成させる。
このため熱的エネルギーによって反応を促進させる通常
のＣＶＤ法に比し低温化が可能となる。
のＣＶＤ法に比し低温化が可能となる。
しかしこのように構成されるプラズマＣＶＤ装置では半
導体ウェハ９の大口径化に伴い電極も大型化し、相対的
が荷重増となり装置構成上限度があり、又外部電極との
良好なコンタクトが得難い。
導体ウェハ９の大口径化に伴い電極も大型化し、相対的
が荷重増となり装置構成上限度があり、又外部電極との
良好なコンタクトが得難い。
これはコネクタ部の汚染によりコンタクトが不安定とな
るからである。即ち薄膜成長時同質の化金物がコンタク
ト部にも被着形成されコンタクト不安定となる。その改
善策として第２図に示す縦形構造のプラズマＣＶＤ装置
を本発者が先に提案している。
るからである。即ち薄膜成長時同質の化金物がコンタク
ト部にも被着形成されコンタクト不安定となる。その改
善策として第２図に示す縦形構造のプラズマＣＶＤ装置
を本発者が先に提案している。
対向する＠Ｊ４，５をエンドキャップ１１に固定し、外
部電極６に直結し、図示するように棚状の基板ホルダー
１０に半導体ウニ／ＸＯを載置する構造としたものであ
る。このように構成する縦形プラズマＣＶＤ装置を更に
生産性、操作性を高めた装置構成とすることを提案する
ものである。
部電極６に直結し、図示するように棚状の基板ホルダー
１０に半導体ウニ／ＸＯを載置する構造としたものであ
る。このように構成する縦形プラズマＣＶＤ装置を更に
生産性、操作性を高めた装置構成とすることを提案する
ものである。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の点に鑑み対向する電極を二系列化し且つ
分割する電極構造を提供し、生産性、操作性の向上を計
った縦形プラズマＣＶＤ装＠を得ることを目的とする。
分割する電極構造を提供し、生産性、操作性の向上を計
った縦形プラズマＣＶＤ装＠を得ることを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれば対向する電極を二系列化し、
終端をエンドキャップに固定して、縦形の反応管内に収
容する該電極を分割構造とし、被処理試料を該電極の側
面に載置するよう構成されることによって達せられる。
終端をエンドキャップに固定して、縦形の反応管内に収
容する該電極を分割構造とし、被処理試料を該電極の側
面に載置するよう構成されることによって達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。
第３図は本発明の一実施例である縦形プラズマＣＶＤ装
置を示す構成図、第４図は第３図におけるエンドキャッ
プに固定配置した電極を示す平面図である。
置を示す構成図、第４図は第３図におけるエンドキャッ
プに固定配置した電極を示す平面図である。
第３図において対向する電極を二系列とし、第１の対向
電極２４，２イ及び第２の対向型ｆｉ２５゜２５′をそ
れぞれエンドキャップ３１に固定シ、コの電極に仕切板
３２を固定するとともに分割可能に構成するものである
。
電極２４，２イ及び第２の対向型ｆｉ２５゜２５′をそ
れぞれエンドキャップ３１に固定シ、コの電極に仕切板
３２を固定するとともに分割可能に構成するものである
。
この電極２４．２４’、２５，２ゴに図のように半導体
ウェハ２９を載置するが外側の電極２４゜２５には背面
に、内側電極２４’、２５’には両面配置し、エンドキ
ャップ３１を閉じて反応管２２内に収容し、外側電極２
４．２５に外部電源２６を接続する。
ウェハ２９を載置するが外側の電極２４゜２５には背面
に、内側電極２４’、２５’には両面配置し、エンドキ
ャップ３１を閉じて反応管２２内に収容し、外側電極２
４．２５に外部電源２６を接続する。
この二系列とした電極を第４図に示すように導電材３３
で結線するが例えば銅板等をエンドキャップ３１に貼着
して溶接又は半田付等により電極間を結合することによ
り外部電源２６を共有させることができる。
で結線するが例えば銅板等をエンドキャップ３１に貼着
して溶接又は半田付等により電極間を結合することによ
り外部電源２６を共有させることができる。
このように構成することにより処理能力を増大させ生産
性を向上させるに有効である。
性を向上させるに有効である。
第５図は本発明の一実施例である分割構造とした電極を
示す側面図であり（イ）は接続部を示す図、←）は半導
体ウェハを載置した電極を示す図である。
示す側面図であり（イ）は接続部を示す図、←）は半導
体ウェハを載置した電極を示す図である。
（イ）図において電極２４〜２５間を支持板３２で補強
し、先端に凹凸部を形成しはめ合い嵌合により結合機構
としだものであり予じめ分割した電極に半導体ウニ・・
２９を載置し、結合させるもので操作性向上を計ったも
のである。また半導体ウニ・・２９は←）図に示すよう
に電極２５′の下部に（Ｉｉｆｉえた突起３４に係止さ
せるものであシ、電極の平担面にウェハ背面が接しずれ
たシはずれることはない０ このような電極構造とすることにより生産性及び操作性
を向上させることができる。
し、先端に凹凸部を形成しはめ合い嵌合により結合機構
としだものであり予じめ分割した電極に半導体ウニ・・
２９を載置し、結合させるもので操作性向上を計ったも
のである。また半導体ウニ・・２９は←）図に示すよう
に電極２５′の下部に（Ｉｉｆｉえた突起３４に係止さ
せるものであシ、電極の平担面にウェハ背面が接しずれ
たシはずれることはない０ このような電極構造とすることにより生産性及び操作性
を向上させることができる。
（ｇ） 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明に示す柳形プラズマＣ
ＶＤ装置とすることにより生産性、操作性の向上が得ら
れる。
ＶＤ装置とすることにより生産性、操作性の向上が得ら
れる。
第１図は従来のホットウォール形プラズマＣＶＤ装置を
示す構成図、第２図は縦形構造としたプラズマＣＶＤ装
置の一例を示す構成図、第３図は本発明の一実施例であ
る縦形プラズマＣＶＤ装置を示す構成図、第４図は第３
図におけるエンドキャップに固定配置１シた電極を示す
平面図、第５１．’Ｊは本発明の一実施例である分割構
造とした５１〔極を示す側面図であり、０）は接続部を
示す図、（０）は半導体ウェハを載置した電イヴを示す
ＩＭＩである。。 図中１・・・プラズマＣＶＤＫｌｆ＋、２．２２・・・
反応管、３・・・ヒータ、４．５．２４．２４’、 ２
５．２ゴ・・・電極、６．２６・・・外部電源、７，８
・・・コネクタ、９．２９・・・半導体ウェハ、１０・
・・基板ホルダー、１１．３］・・・エンドキャップ、
３２・・・支持板、３３・・・導油、材、手ｌ閉 峯３昭
示す構成図、第２図は縦形構造としたプラズマＣＶＤ装
置の一例を示す構成図、第３図は本発明の一実施例であ
る縦形プラズマＣＶＤ装置を示す構成図、第４図は第３
図におけるエンドキャップに固定配置１シた電極を示す
平面図、第５１．’Ｊは本発明の一実施例である分割構
造とした５１〔極を示す側面図であり、０）は接続部を
示す図、（０）は半導体ウェハを載置した電イヴを示す
ＩＭＩである。。 図中１・・・プラズマＣＶＤＫｌｆ＋、２．２２・・・
反応管、３・・・ヒータ、４．５．２４．２４’、 ２
５．２ゴ・・・電極、６．２６・・・外部電源、７，８
・・・コネクタ、９．２９・・・半導体ウェハ、１０・
・・基板ホルダー、１１．３］・・・エンドキャップ、
３２・・・支持板、３３・・・導油、材、手ｌ閉 峯３昭
Claims (1)
- 対向する電極を二系列化し、終端をエンドキャップに固
定して、縦形の反応管内に収容する該電極を分割構造と
し、被処理試料を該電極の側面に載置するよう構成され
ていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177260A JPS6068620A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177260A JPS6068620A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068620A true JPS6068620A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=16027956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177260A Pending JPS6068620A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177260A patent/JPS6068620A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
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