JPS6068678A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPS6068678A JPS6068678A JP58176339A JP17633983A JPS6068678A JP S6068678 A JPS6068678 A JP S6068678A JP 58176339 A JP58176339 A JP 58176339A JP 17633983 A JP17633983 A JP 17633983A JP S6068678 A JPS6068678 A JP S6068678A
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- JP
- Japan
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- light
- frame
- emitting element
- elements
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光結合半導体装置に関し、詳しくは包囲容器よ
）突出する外部リードの容器内端部に受光及び発光素子
を搭載し、これらを所定間隔をもって正対して配置して
成る光結合半導体装置に関するものである。
）突出する外部リードの容器内端部に受光及び発光素子
を搭載し、これらを所定間隔をもって正対して配置して
成る光結合半導体装置に関するものである。
（従来技術）
光結合半導体装置は、発光素子と受光素子とを組合せて
１つのデバイスとしたもので、一般にホトカプラ又はオ
プティカリ・カップルド・アイソレータ（ｐｈｏｔｏｃ
ｏｕｐｌｅｒ又はｏｐｔｔｃａｌｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ
ｉｓｏｌａｔｅｒ）と呼ばれそれは、発光素子に電気信
号を入力して該発光素子を発光させ、この光を媒体にし
、これを正対した受光素子で受け、電気信号に変換する
ものであシ、第１図にこの種装置の等何回路を示す。図
に示すように発光素子１はＬＥＤと呼称されるフォト・
ダイオードであシ、アノード電極２及びカソード電極３
を有する。−力受光素子４は、受光領域としてベース領
域を有するフォト・トランジスタで、エミッタ電極５及
びコレクタ電極６をもち、外部リードとして計４端子の
リードが最低必要である。したがってマルチ・チャンネ
ル構成、例えば２チヤンネルを形成する場合、８端子の
リードが必要となシ、４チヤンネルを形成する場合、１
６端子のリードが必要となる。次に、従来の４チヤンネ
ルのホトカプラ・デバイスを第２図に示す。
１つのデバイスとしたもので、一般にホトカプラ又はオ
プティカリ・カップルド・アイソレータ（ｐｈｏｔｏｃ
ｏｕｐｌｅｒ又はｏｐｔｔｃａｌｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ
ｉｓｏｌａｔｅｒ）と呼ばれそれは、発光素子に電気信
号を入力して該発光素子を発光させ、この光を媒体にし
、これを正対した受光素子で受け、電気信号に変換する
ものであシ、第１図にこの種装置の等何回路を示す。図
に示すように発光素子１はＬＥＤと呼称されるフォト・
ダイオードであシ、アノード電極２及びカソード電極３
を有する。−力受光素子４は、受光領域としてベース領
域を有するフォト・トランジスタで、エミッタ電極５及
びコレクタ電極６をもち、外部リードとして計４端子の
リードが最低必要である。したがってマルチ・チャンネ
ル構成、例えば２チヤンネルを形成する場合、８端子の
リードが必要となシ、４チヤンネルを形成する場合、１
６端子のリードが必要となる。次に、従来の４チヤンネ
ルのホトカプラ・デバイスを第２図に示す。
第２図において、１ａ乃至１ｄは発光素子、 ４ａ乃至
４ｄは受光素子、２ａ乃至２ｄはアノード電極、３ａ乃
至３ｄはカソード電極、５ａ乃至５ｄはエミ、り電極、
６ａ乃至６ｄはコレクタ電極、７はパッケージ、８はリ
ードフレームをそれぞれ示す。
４ｄは受光素子、２ａ乃至２ｄはアノード電極、３ａ乃
至３ｄはカソード電極、５ａ乃至５ｄはエミ、り電極、
６ａ乃至６ｄはコレクタ電極、７はパッケージ、８はリ
ードフレームをそれぞれ示す。
周知の様にホト・カプラ・デバイスは、受発光素子４及
び１を正対配置するため、これら素子１゜４をそれぞれ
第３図に示すリードフレーム８ａの外部リード９ａの端
部に発光素子１を搭載すると共に隣接する外部リード９
ｂに所要の電極配線を行う。同様に、受光素子４もリー
ドフレーム８ｂの外部リードｌＯａの端部に搭載され、
同様に隣接する外部リード１０ｂに所要の電極配線が施
された後、これら受発光素子４及びｌを正対させて合成
樹脂等の包囲容器で密封されるものである。
び１を正対配置するため、これら素子１゜４をそれぞれ
第３図に示すリードフレーム８ａの外部リード９ａの端
部に発光素子１を搭載すると共に隣接する外部リード９
ｂに所要の電極配線を行う。同様に、受光素子４もリー
ドフレーム８ｂの外部リードｌＯａの端部に搭載され、
同様に隣接する外部リード１０ｂに所要の電極配線が施
された後、これら受発光素子４及びｌを正対させて合成
樹脂等の包囲容器で密封されるものである。
ところで第３図に示されたリードフレーム８ａ及び８ｂ
を、第４図に示すような回路構成とする場合、即ち発光
素子１ａ乃至１ｄのアノードが共通で且つ受光素子４ａ
乃至４ｄのコレクタが共通の場合、第２図の破線で示す
様に外部で配線をする必要が生じる。
を、第４図に示すような回路構成とする場合、即ち発光
素子１ａ乃至１ｄのアノードが共通で且つ受光素子４ａ
乃至４ｄのコレクタが共通の場合、第２図の破線で示す
様に外部で配線をする必要が生じる。
しかし、第４図の回路構成では、必要なｌ）−ド端子は
共通アノード１本、共通コレクタ１本、エミッタ４本及
びカソード４本の計１０端子あれば電気的な機構を満す
ことができる。ところが、従来の方法では第２図に示す
ように計１６端子の外部に取り出せるパッケージサイズ
が必要となる。この為、６端子分だけパッケージサイズ
が大きくなる欠点があった。その上発光素子１のアノー
ド端子、受光素子４のコレクタ端子を／ｅ ７ケ一ゾ外
部で共通結線する場合、ノクソケージを搭載するプリン
ト基板等に予め布線を施しておけば大きな問題とはなら
ないがパッケージサイズが大きくなることはフ０リント
基板上の集積度が悪くなることとパッケージの伺利費の
価格高の要因となり、大きな問題となった。
共通アノード１本、共通コレクタ１本、エミッタ４本及
びカソード４本の計１０端子あれば電気的な機構を満す
ことができる。ところが、従来の方法では第２図に示す
ように計１６端子の外部に取り出せるパッケージサイズ
が必要となる。この為、６端子分だけパッケージサイズ
が大きくなる欠点があった。その上発光素子１のアノー
ド端子、受光素子４のコレクタ端子を／ｅ ７ケ一ゾ外
部で共通結線する場合、ノクソケージを搭載するプリン
ト基板等に予め布線を施しておけば大きな問題とはなら
ないがパッケージサイズが大きくなることはフ０リント
基板上の集積度が悪くなることとパッケージの伺利費の
価格高の要因となり、大きな問題となった。
（発明の目的）
本発明は、このような従来の欠点を除去するもので、マ
ルチチャンネルのホトカプラーを最小リード数で実現す
ることを目的とする。
ルチチャンネルのホトカプラーを最小リード数で実現す
ることを目的とする。
（発明の構成）
本発明は受発光素子のそれぞれの一方の電極を・母、ケ
ージ内部で電気的に接続し、外部リードとして共通端子
をそれぞれ１本づつ導出するようにしたものである。
ージ内部で電気的に接続し、外部リードとして共通端子
をそれぞれ１本づつ導出するようにしたものである。
（実施例）
以丁本発明の一実施例を図面により詳細に説明する。
鼾５図は本発明光結合半導体装置の一実施例を示フー４
チャンネルホトカプラーの回路構成・端子接続図である
。図に示すようにこの回路構成は第２図の回路構成と同
じであるが、発光素子１（１ａ。
チャンネルホトカプラーの回路構成・端子接続図である
。図に示すようにこの回路構成は第２図の回路構成と同
じであるが、発光素子１（１ａ。
ｌｂ、Ｉｃ、ｌｄ）のアノード端子及び受光素子４（４
ａ 、４ｂ 、４ｃ 、４ｄ）のコレクタ端子をフレー
ムにて各々共通結線することにより１０端子で実現でき
るようにしたものである。なお、発光素子１側の端子を
Ｔ□〜Ｔ５で記述する。その中、Ｔ１． Ｔ２． Ｔ４
． Ｔ５はカソード取出し端子、Ｔ３はその共通アノー
ド取り出し端子である。−力受光素子４側の端子をＴ６
〜Ｔ１ｏで記述し、その中、Ｔ６゜Ｔ７ ＋ Ｔ９ ＋
ＴＩ Ｏはエミッタ取り出し端子、Ｔ８はその共通コ
レクタ取り出し端子である。
ａ 、４ｂ 、４ｃ 、４ｄ）のコレクタ端子をフレー
ムにて各々共通結線することにより１０端子で実現でき
るようにしたものである。なお、発光素子１側の端子を
Ｔ□〜Ｔ５で記述する。その中、Ｔ１． Ｔ２． Ｔ４
． Ｔ５はカソード取出し端子、Ｔ３はその共通アノー
ド取り出し端子である。−力受光素子４側の端子をＴ６
〜Ｔ１ｏで記述し、その中、Ｔ６゜Ｔ７ ＋ Ｔ９ ＋
ＴＩ Ｏはエミッタ取り出し端子、Ｔ８はその共通コ
レクタ取り出し端子である。
次に、第６図は第５図の回路構成によるリードフレーム
の斜視図である。図においで９は発光素子１の４素子が
アノード端子を同一フレームにて共通結線できるリード
フレーム、１０は同じく受光素子４の４素子がコレクタ
端子を同一 フレームにて共通結線できるリードフレー
ムである。なお各フレーム９，１０を補強するための連
結金属片９ａ、１０ａのみ記述し、リードフレームの外
枠等は省略する。
の斜視図である。図においで９は発光素子１の４素子が
アノード端子を同一フレームにて共通結線できるリード
フレーム、１０は同じく受光素子４の４素子がコレクタ
端子を同一 フレームにて共通結線できるリードフレー
ムである。なお各フレーム９，１０を補強するための連
結金属片９ａ、１０ａのみ記述し、リードフレームの外
枠等は省略する。
このリードフレーム９は端子Ｔ３に対応するフレーム９
３にて発光素子１の４素子を搭載することにより発光素
子１のアノード電極をフレーム９３に′「―気接続でき
、更に発光素子１のカソード電極を端子Ｔ、 、 Ｔ２
． Ｔ、 、 Ｔ５に対応するフレーム９５，９□。
３にて発光素子１の４素子を搭載することにより発光素
子１のアノード電極をフレーム９３に′「―気接続でき
、更に発光素子１のカソード電極を端子Ｔ、 、 Ｔ２
． Ｔ、 、 Ｔ５に対応するフレーム９５，９□。
９４ ＋ ”５にそれぞれワイヤ接続することにより所
要 ′の電気接続ができるように各フレーム９．〜９５
を平行に突出せしめているがこれらはそれぞれに接触し
ないところで切断するものである。またフレーム９３の
みリードフレーム９のほぼ中心より発光素子１が充分搭
載できる幅を治しており、かつフレームの方向とは直角
方向に他のフレームの端面にほぼ達する丑で張り出させ
たものである。
要 ′の電気接続ができるように各フレーム９．〜９５
を平行に突出せしめているがこれらはそれぞれに接触し
ないところで切断するものである。またフレーム９３の
みリードフレーム９のほぼ中心より発光素子１が充分搭
載できる幅を治しており、かつフレームの方向とは直角
方向に他のフレームの端面にほぼ達する丑で張り出させ
たものである。
一方、リードフレーム１０もリードフレーム９と同様端
子Ｔ８に対応するフレーム１０３にて受光素子４の４素
子を搭載でき、かつ受光素子４のコレクタ電極をフレー
ム１０３に電気接続でき、更に受光素子４のエミ、り電
極を端子Ｔ６ ＋ Ｔ７ ＋ Ｔ９ ｊｌ Ｏに対応す
るフレーム１０□、１０□、 Ｚ ０４．１０．にワイ
ヤ接続して所要の電気接続ができるように構成される。
子Ｔ８に対応するフレーム１０３にて受光素子４の４素
子を搭載でき、かつ受光素子４のコレクタ電極をフレー
ム１０３に電気接続でき、更に受光素子４のエミ、り電
極を端子Ｔ６ ＋ Ｔ７ ＋ Ｔ９ ｊｌ Ｏに対応す
るフレーム１０□、１０□、 Ｚ ０４．１０．にワイ
ヤ接続して所要の電気接続ができるように構成される。
ソシて覚光素子用リードフレーム９のフレーム９３に相
対する各々の受光素子４に対向するように配慮して所要
の位置に発光素子１を４素子ダイスボンドで搭載して、
発光素子１のアノード電極側を共通接続し、しかる後発
光素子１表面のカソード電極とフレーム９□、９□＋
９４ ＋ ９５とをワイヤ接続にて電気接続する。
対する各々の受光素子４に対向するように配慮して所要
の位置に発光素子１を４素子ダイスボンドで搭載して、
発光素子１のアノード電極側を共通接続し、しかる後発
光素子１表面のカソード電極とフレーム９□、９□＋
９４ ＋ ９５とをワイヤ接続にて電気接続する。
次に、別途受光素子用リードフレームｉｏの７レーム１
０３に相当する各々の発光素子１に対向するように配慮
した所望の位置に受光素子４を４亮子ダイスボンドで搭
載して受光素子４のコレクター電極側を共通接続し、し
かる後受光素子４表面のエミッタ電極とフレーム１０．
．２０２，１０４，７０５とをワイヤ接続にて電気接続
する。
０３に相当する各々の発光素子１に対向するように配慮
した所望の位置に受光素子４を４亮子ダイスボンドで搭
載して受光素子４のコレクター電極側を共通接続し、し
かる後受光素子４表面のエミッタ電極とフレーム１０．
．２０２，１０４，７０５とをワイヤ接続にて電気接続
する。
以上説明して搭載方法はダイスボンド時に素子裏面の電
極とフレームとを電気的に導通恥ぜる例で説明したが、
素子電極がすべて表面にある場合は、フレームに素子搭
載の後ワイヤ接続にてフレームと電気接続させることも
できる。
極とフレームとを電気的に導通恥ぜる例で説明したが、
素子電極がすべて表面にある場合は、フレームに素子搭
載の後ワイヤ接続にてフレームと電気接続させることも
できる。
この様に各々４素子に所要の電気接続を施した各フレー
ム上の受発光素子４．ｉが正対する様に対向させ、各発
光素子１と各受光素子４との間に光結合効率を向上させ
るため、透明シリコン樹脂等を挿入し、トランスファモ
ールド等で４ｆＬｊ Ｉ＋＝ 成形し、各フレームを補
強している連結金属片９ａ。
ム上の受発光素子４．ｉが正対する様に対向させ、各発
光素子１と各受光素子４との間に光結合効率を向上させ
るため、透明シリコン樹脂等を挿入し、トランスファモ
ールド等で４ｆＬｊ Ｉ＋＝ 成形し、各フレームを補
強している連結金属片９ａ。
１０ａを除去すれば、１０端子にて４チヤンネルのホト
カプラーが完成する。
カプラーが完成する。
以上の説明では共通結線する為のフレーム９３゜１０３
は、外部取り出し端子の中央部に配設したが、素子搭載
時に問題が発生しない範囲で他の位置に設置してもよい
。又本発明は発光素子側又は受光素子側のみ共、１ｌｊ
）結線する為のフレームを有するホトカプラーにも適用
されることは勿論のことである。
は、外部取り出し端子の中央部に配設したが、素子搭載
時に問題が発生しない範囲で他の位置に設置してもよい
。又本発明は発光素子側又は受光素子側のみ共、１ｌｊ
）結線する為のフレームを有するホトカプラーにも適用
されることは勿論のことである。
（発明の効果）
以上評細に説明したように本発明によれば共通結線を有
するマルチチャンネルのホトカプラーを最小ψ１′品子
数で形成することができるようになり従来よシも小型で
、かつ低価格化が可能となる効果がある。
するマルチチャンネルのホトカプラーを最小ψ１′品子
数で形成することができるようになり従来よシも小型で
、かつ低価格化が可能となる効果がある。
第１図は１チヤ／ネルにおけるホトカプラーの回路構成
図、框２図は従来の４チヤンネルにおけるポトカフ０ラ
ーの端子接続図、第３図は同じくそのリードフレームの
斜視図、第４図は本発明の４チヤンネルホトカゾラーの
回路構成図、第５図は同じくその回路構成・端子接続図
、第６図は同じくそのリードフレームの斜視図である。 １（１ａ、ｉｂ、ｚｃ、 １ｄ）−・発光素子、４（４
ａ 、 ４ｂ 、 ４ｃ 、 ４ｄ ）−受光素子、９
・発行素子側のリードフレーム、ｌｏ・・受光素子側の
リードフレーム、９ａ、１０ａ ・連結金属片、ＴＩ”
’ＴＩＱ・・・端子。 第１図 第２図 第３図 第 ４ 図 第５図 第６図 ／Ｄｒ
図、框２図は従来の４チヤンネルにおけるポトカフ０ラ
ーの端子接続図、第３図は同じくそのリードフレームの
斜視図、第４図は本発明の４チヤンネルホトカゾラーの
回路構成図、第５図は同じくその回路構成・端子接続図
、第６図は同じくそのリードフレームの斜視図である。 １（１ａ、ｉｂ、ｚｃ、 １ｄ）−・発光素子、４（４
ａ 、 ４ｂ 、 ４ｃ 、 ４ｄ ）−受光素子、９
・発行素子側のリードフレーム、ｌｏ・・受光素子側の
リードフレーム、９ａ、１０ａ ・連結金属片、ＴＩ”
’ＴＩＱ・・・端子。 第１図 第２図 第３図 第 ４ 図 第５図 第６図 ／Ｄｒ
Claims (1)
- 包囲容器から突出する複数の外部リードのうち選ばれた
前記リードの容器内端部に、受光及び発光素子が搭載さ
れ、この両者を所定間隔をもって正対して配置して成る
光結合半導体装置に於て、前記受発光素子搭載リードは
、受光及び発光素子をそれぞれ共通表面に複数個搭載で
きるスペースを有し、このスペースに搭載された複数の
前記受光素子の一方の電極の各々及び同じく複数の前記
発光素子の一方の電極の各々は、前記容器内で該搭載リ
ードと共通接続された事を特徴とする光結
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176339A JPS6068678A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176339A JPS6068678A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068678A true JPS6068678A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=16011850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176339A Pending JPS6068678A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068678A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463656U (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-29 | ||
| US5629534A (en) * | 1994-03-23 | 1997-05-13 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011060747A1 (zh) * | 2009-11-23 | 2011-05-26 | 亿广科技(上海)有限公司 | 光耦合器 |
| US20130175679A1 (en) * | 2007-12-13 | 2013-07-11 | Cheng-Hong Su | Optoisolator leadframe assembly |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58176339A patent/JPS6068678A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463656U (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-29 | ||
| US5629534A (en) * | 1994-03-23 | 1997-05-13 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US20130175679A1 (en) * | 2007-12-13 | 2013-07-11 | Cheng-Hong Su | Optoisolator leadframe assembly |
| US8853837B2 (en) * | 2007-12-13 | 2014-10-07 | Lite-On Electronics (Guangzhou) Limited | Optoisolator leadframe assembly |
| WO2011060747A1 (zh) * | 2009-11-23 | 2011-05-26 | 亿广科技(上海)有限公司 | 光耦合器 |
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