JPS6068731A - スイッチ装置 - Google Patents
スイッチ装置Info
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- JPS6068731A JPS6068731A JP58176725A JP17672583A JPS6068731A JP S6068731 A JPS6068731 A JP S6068731A JP 58176725 A JP58176725 A JP 58176725A JP 17672583 A JP17672583 A JP 17672583A JP S6068731 A JPS6068731 A JP S6068731A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はスイッチ装置に係り、特に、トランシーバ例え
ばパーソナル無線器等のアンテナ端子とアンテナ給電線
間の使用に好適ずるスイッチ装置に関する。
ばパーソナル無線器等のアンテナ端子とアンテナ給電線
間の使用に好適ずるスイッチ装置に関する。
トランシーバ等において、受信信号のＳＺＮ比を高めて
受信感度を向上するため、トランシーバのアンテナ端子
にプリアンプ等を接続することが行われている。
受信感度を向上するため、トランシーバのアンテナ端子
にプリアンプ等を接続することが行われている。
このような場合、受信時にはプリアンプを通して受信信
号を入力する′一方、送信時にはプリアンプを介さずに
直接アンテナ給電線に出力するため。
号を入力する′一方、送信時にはプリアンプを介さずに
直接アンテナ給電線に出力するため。
スイッチ装置を必要とする場合が多い。
従来７この種のスイッチ装置としては、第１図に示すよ
うに１例えば２回路２接点を有する電磁型のリレー１を
用いて構成することがよく知られている。
うに１例えば２回路２接点を有する電磁型のリレー１を
用いて構成することがよく知られている。
すなわち、トランシーバのアンテナ端子に接続される第
１の端子２をリレー１の一方のスイッチ３の可動接点４
に接続し、スイッチ３．５双方の固定接点６，７どうし
を接続し、他方のスイッチ５の可動接点８をアンテナ給
電線の接続される第２の端子９に接続するとともに、ス
イッチ３，５の他方の各固定接点１０．１１に第３およ
び第４の端子１２．１３を接続して構成し、駆動機構（
図示せず）によって各可動接点４．８を切り換え。
１の端子２をリレー１の一方のスイッチ３の可動接点４
に接続し、スイッチ３．５双方の固定接点６，７どうし
を接続し、他方のスイッチ５の可動接点８をアンテナ給
電線の接続される第２の端子９に接続するとともに、ス
イッチ３，５の他方の各固定接点１０．１１に第３およ
び第４の端子１２．１３を接続して構成し、駆動機構（
図示せず）によって各可動接点４．８を切り換え。
トランシーバの送信時にはリレー１のみを介して信号を
出力し、受信時にあっては第４および第３の端子１３．
１２の間に挿入したプリアンプ１４を介して受信するよ
うにしたものである。
出力し、受信時にあっては第４および第３の端子１３．
１２の間に挿入したプリアンプ１４を介して受信するよ
うにしたものである。
しかしながら、このように構成された従来のスイッチ装
置は、可動接点４，８の機械的変位を利用して切り換え
る構成となっているので、切り換え応答速度が遅いうえ
、所εＷチャタリングと言われる各可動接点４．８の細
い振動が発生し易く。
置は、可動接点４，８の機械的変位を利用して切り換え
る構成となっているので、切り換え応答速度が遅いうえ
、所εＷチャタリングと言われる各可動接点４．８の細
い振動が発生し易く。
切り換え時に不確実な動作が生じたり、接点不良を生じ
易い。
易い。
そのため、アンテナ給電線やプリアンプとの切り換えが
不確実なものとなり易（、信号の減衰が生じ易い欠点が
ある。
不確実なものとなり易（、信号の減衰が生じ易い欠点が
ある。
特に近年、高周波信号に対する周波数特性の良好なガリ
ウムヒ素ＦＥＴをプリアンプに用いることが多くなり、
スイッチ装置において上述したようなチャタリング等の
不確実が接点動作が生しると、送信時にトランシーバか
らの高いレヘルの高周波出力信号がプリアンプ加えられ
易く、高価なガリウムヒ素ＦＥＴが破壊される難点があ
る。
ウムヒ素ＦＥＴをプリアンプに用いることが多くなり、
スイッチ装置において上述したようなチャタリング等の
不確実が接点動作が生しると、送信時にトランシーバか
らの高いレヘルの高周波出力信号がプリアンプ加えられ
易く、高価なガリウムヒ素ＦＥＴが破壊される難点があ
る。
本発明はこのような従来の欠点を解決するためになされ
たもので、切り換え応答速度が極めて速いうえ切り換え
動作が確実で、信号の減衰の少ないスイッチ装置の提供
を目的とする。
たもので、切り換え応答速度が極めて速いうえ切り換え
動作が確実で、信号の減衰の少ないスイッチ装置の提供
を目的とする。
このような目的を達成するために本発明は、信号源に接
続される第１の端子と第２の端子を結ぶ第１の伝送路と
、この第１の伝送路に接続されかつその第１の端子と前
記第２の端子間を高周波的に０Ｎ１０ＦＦする第１の無
接点スイッチ素子と。
続される第１の端子と第２の端子を結ぶ第１の伝送路と
、この第１の伝送路に接続されかつその第１の端子と前
記第２の端子間を高周波的に０Ｎ１０ＦＦする第１の無
接点スイッチ素子と。
前記第１の端子と前記第１の無接点スイッチ素子間の前
記第１の伝送路と第３の端子とを結ぶ第２の伝送路と、
この第２の伝送路に直列に接続されかつ前記第１の端子
と前記第３の端子間を高周波的に０ＦＦ１０Ｎする第２
の無接点スイッチ素子と、前記第１の端子と前記第１の
無接点スイ・７チ素子の間に配置されかつ前記第１の端
子からの信号を検出する信号検出回路と、この信号検出
回路からの検出信号によって前記第１の無接点スイッチ
素子および前記第２の無接点スイッチ素子を切り換え動
作して、第１および第２の端子間を高周波的に遮断する
とともに第１および第３の端子間を高周波的に導通させ
る制御回路を具備してなるものである。
記第１の伝送路と第３の端子とを結ぶ第２の伝送路と、
この第２の伝送路に直列に接続されかつ前記第１の端子
と前記第３の端子間を高周波的に０ＦＦ１０Ｎする第２
の無接点スイッチ素子と、前記第１の端子と前記第１の
無接点スイ・７チ素子の間に配置されかつ前記第１の端
子からの信号を検出する信号検出回路と、この信号検出
回路からの検出信号によって前記第１の無接点スイッチ
素子および前記第２の無接点スイッチ素子を切り換え動
作して、第１および第２の端子間を高周波的に遮断する
とともに第１および第３の端子間を高周波的に導通させ
る制御回路を具備してなるものである。
そして、このような本発明の構成によれば、信号源から
の信号を検出してこの検出信号に基づいて第１の伝送路
に接続された第１の無接点スイッチ素子および第２の伝
送路に挿入された第２の無接点スイッチ素子を０Ｎ１０
ＦＦさせ、これら第■の伝送路をＯＮするとともに第２
の伝送路をＯＦＦする一方、第１の伝送路をＯＦＦして
第２の伝送路をＯＮすることが可能となるうえ、無接点
スイッチ装置を用いるので、速い切り換え応答速度が得
られるし、確実な切り換を確保することが可能である 特に、プリアンプ等を切り換え接続する場合にあっても
、プリアンプ中の半導体素子例えば高価なガリウムヒ素
ＦＥＴの破壊等を抑えることができる。
の信号を検出してこの検出信号に基づいて第１の伝送路
に接続された第１の無接点スイッチ素子および第２の伝
送路に挿入された第２の無接点スイッチ素子を０Ｎ１０
ＦＦさせ、これら第■の伝送路をＯＮするとともに第２
の伝送路をＯＦＦする一方、第１の伝送路をＯＦＦして
第２の伝送路をＯＮすることが可能となるうえ、無接点
スイッチ装置を用いるので、速い切り換え応答速度が得
られるし、確実な切り換を確保することが可能である 特に、プリアンプ等を切り換え接続する場合にあっても
、プリアンプ中の半導体素子例えば高価なガリウムヒ素
ＦＥＴの破壊等を抑えることができる。
以下本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明のスイッチ装置の一実施例を示す回路図
である。
である。
第２図において、信号源としての例えばトランシーバの
アンテナ端子に接続される第１の端子１５には、コンデ
ンサＣ１，インダクタＬｌ ＋ Ｌ２ 。
アンテナ端子に接続される第１の端子１５には、コンデ
ンサＣ１，インダクタＬｌ ＋ Ｌ２ 。
コンデンサＣ！および第２の端子１６が直列接続され、
第１の端子１５および第２の端子１６間に第１の伝送路
１７が形成されている。
第１の端子１５および第２の端子１６間に第１の伝送路
１７が形成されている。
なお、第２の端子１６には例えばアンテナ給電線が接続
される。
される。
インダクタＬ１とインダクタＬ２との接続点にはインピ
ーダンス整合用の半固定コンデンサＣ３が接続されると
ともに、この接続点とアース間には第１の無接点スイッ
チ素子としての複数のＰＩＮダイオード（以下単にダイ
オードという）Ｄ＋〜Ｄ４が並列しかつアースに対して
順方向接続されている。
ーダンス整合用の半固定コンデンサＣ３が接続されると
ともに、この接続点とアース間には第１の無接点スイッ
チ素子としての複数のＰＩＮダイオード（以下単にダイ
オードという）Ｄ＋〜Ｄ４が並列しかつアースに対して
順方向接続されている。
コンデンサＣ１とインダクタＬ１の接続点には。
インダクタＬ９を介してダイオードＤ、、Ｄ６が直列接
続され、さらにこのダイオードＤ５にはインダクタＬ４
およびコンデンサＣ４を直列的に介して第３の端子１８
が接続され、第２の伝送路１９が形成されている。
続され、さらにこのダイオードＤ５にはインダクタＬ４
およびコンデンサＣ４を直列的に介して第３の端子１８
が接続され、第２の伝送路１９が形成されている。
なおダイオードＤ６ 、Ｄ６は第１の伝送路１７に対し
て順方向接続されており、符号ｃｓ ＋ Ｃ６ばインピ
ーダンス整合用のコンデンサである。
て順方向接続されており、符号ｃｓ ＋ Ｃ６ばインピ
ーダンス整合用のコンデンサである。
コンデンサＣ２とインダクタＬ２の接続点にはインダク
タＬ５を介してダイオードＤ７．Ｄ、が直列かつ第１の
伝送路エフに対して順方向接続され、ざらにこのダイオ
ードＤ８にはインダクタＬ、およびコンデンサｃ７を直
列的に介して第４の端子２０が接続され、第３の伝送路
２１が形成されている。なお、符号Ｃａ、Ｃ９はインピ
ーダンス整合用のコンデンサである。
タＬ５を介してダイオードＤ７．Ｄ、が直列かつ第１の
伝送路エフに対して順方向接続され、ざらにこのダイオ
ードＤ８にはインダクタＬ、およびコンデンサｃ７を直
列的に介して第４の端子２０が接続され、第３の伝送路
２１が形成されている。なお、符号Ｃａ、Ｃ９はインピ
ーダンス整合用のコンデンサである。
インダクタＬ１にはこれと結合するようにインダクタＬ
７が近接配置され、第１の端子１５がら路２３のトラン
ジスタＴＲ，のヘースに接続されている。
７が近接配置され、第１の端子１５がら路２３のトラン
ジスタＴＲ，のヘースに接続されている。
なお、インダクタＬ７は、インダクタＬ２とも結合する
ように配置すれば、より検出が確実となる。
ように配置すれば、より検出が確実となる。
キャリアコントロール回路２３ば、トランジスタＴＲ，
、ＴＲ２および１発光素子と受光素子を有するフォトカ
プラ２４からなっている。トランジスタＴＲ，のエミッ
タはアースされ、コレクタは次段のトランジスタＴＲ２
のヘースに接続され。
、ＴＲ２および１発光素子と受光素子を有するフォトカ
プラ２４からなっている。トランジスタＴＲ，のエミッ
タはアースされ、コレクタは次段のトランジスタＴＲ２
のヘースに接続され。
トランジスタＴＲ２のコレクタが電源に接続されるとと
もに、エミッタがフォトカプラ２４に接続されている。
もに、エミッタがフォトカプラ２４に接続されている。
キャリアコントロール回路２３は、信号検出回路２２か
ら入力信号がない場合には、トランジスタＴＲ，のコレ
クタが高電位となってトランジスタＴＲ２がＯＮ動作し
、フォトカブラ２４の発光素子が動作して受光素子から
直流電流が出力されるように構成されている。
ら入力信号がない場合には、トランジスタＴＲ，のコレ
クタが高電位となってトランジスタＴＲ２がＯＮ動作し
、フォトカブラ２４の発光素子が動作して受光素子から
直流電流が出力されるように構成されている。
一方、信号検出回路２２から信号が出力されると、トラ
ンジスタＴＲ，のコレクタが低電位となってトランジス
タＴＲ２がＯＦＦとなり、フォトカブラ２４の発光素子
が動作せず、出力がＬレベルとなるよう構成されている
。
ンジスタＴＲ，のコレクタが低電位となってトランジス
タＴＲ２がＯＦＦとなり、フォトカブラ２４の発光素子
が動作せず、出力がＬレベルとなるよう構成されている
。
なお、キャリアコントロール回路２３への電源は、電源
端子２５および保護用ダイオードＤＩｏを介して加えら
れ、電源端子２５に電源が供給されるとＬＥＤ２６が点
燈するようになっている。
端子２５および保護用ダイオードＤＩｏを介して加えら
れ、電源端子２５に電源が供給されるとＬＥＤ２６が点
燈するようになっている。
キャリアコントロール回路２３の出力は、抵抗１７１お
よびチョークコイルＲＦＣ，を介して第２の伝送路１９
におけるダイオードＤ［ｉに接続されるとともに、抵抗
Ｒ２，チョークコイルＲＦＣ２を介して第３の伝送路２
１のダイオードＤ８に接続されている。
よびチョークコイルＲＦＣ，を介して第２の伝送路１９
におけるダイオードＤ［ｉに接続されるとともに、抵抗
Ｒ２，チョークコイルＲＦＣ２を介して第３の伝送路２
１のダイオードＤ８に接続されている。
キャリアコントロール回路２３の出力に対してダイオー
ドＤｓ−Ｄ、が順方向接続されているので、キャリアコ
ントロール回路２３から出力電流がダイオードＤ５〜Ｄ
８およびダイオードＤ１〜Ｄ４を流れ、各ダイオードＤ
１〜Ｄ８がＯＮとなる。
ドＤｓ−Ｄ、が順方向接続されているので、キャリアコ
ントロール回路２３から出力電流がダイオードＤ５〜Ｄ
８およびダイオードＤ１〜Ｄ４を流れ、各ダイオードＤ
１〜Ｄ８がＯＮとなる。
一方、キャリアコントロール回路２３の電流出力がなく
なると、ダイオードＤ１〜Ｄ８はＯＦＦ状態となる。
なると、ダイオードＤ１〜Ｄ８はＯＦＦ状態となる。
なおＬＥＤ２７はキャリアコントロール回路２３が電流
を出力している状態を示すものである。
を出力している状態を示すものである。
次に、このように構成された本発明の詳細な説明する。
第１の端子１５に例えばトランシーバのアンテナ端子を
接続し、第２の端子１６にアンテナ給電線を接続し、第
４および第３の端子２０．１８間にプリアンプの入出力
端を接続して電源端子２５に所定の電源を供給すると、
ＬＥＤ２６が点燈し。
接続し、第２の端子１６にアンテナ給電線を接続し、第
４および第３の端子２０．１８間にプリアンプの入出力
端を接続して電源端子２５に所定の電源を供給すると、
ＬＥＤ２６が点燈し。
キャリアコントロール回路２３には電源が供給される。
ここで、トランシーバが受信状態にあると、キャリアコ
ントロール回路２３は、信号検出回路２２から検出信号
が入力されないので、トランジスタＴＲ，のコレクタ電
位が高くなってトランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、
フォトカプラ２４が動作し、フォトカプラ２４から所定
の電流が出力される。
ントロール回路２３は、信号検出回路２２から検出信号
が入力されないので、トランジスタＴＲ，のコレクタ電
位が高くなってトランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、
フォトカプラ２４が動作し、フォトカプラ２４から所定
の電流が出力される。
この出力電流は、チョークコイルＲＦＣ，，ダイオード
Ｄｓ ＋ Ｄｓ ＋ インダクタＬ３．Ｌ、およびダイ
オードＤＩ−Ｄ４を流れる一方、チョークコイルＲＦＣ
２，ダイオードＤａ 、Ｄ？ 、インダクタＬ６ ＋
Ｌ２およびダイオードＤ、〜Ｄ４を流れる。
Ｄｓ ＋ Ｄｓ ＋ インダクタＬ３．Ｌ、およびダイ
オードＤＩ−Ｄ４を流れる一方、チョークコイルＲＦＣ
２，ダイオードＤａ 、Ｄ？ 、インダクタＬ６ ＋
Ｌ２およびダイオードＤ、〜Ｄ４を流れる。
そして、ダイオードＤ１〜Ｄ４がＯＮとなり。
第１の伝送路１７におけるインダクタし１およびインダ
クタし２間が高周波的に遮断された状態となる一方、ダ
イオードＤ５〜Ｄ、がＯＮとなってｆｆ５２および第３
の伝送路１９．２１が高周波的に導通状態となる。
クタし２間が高周波的に遮断された状態となる一方、ダ
イオードＤ５〜Ｄ、がＯＮとなってｆｆ５２および第３
の伝送路１９．２１が高周波的に導通状態となる。
そのため、第１の端子１５と第３の端子１８間が高周波
的に導通し、第２の端子１６と第４の端子２０間が高周
波的に導通ずるので、第２の端子１６からの受信信号が
第４の端子２０を経てプリアンプへ出力され、プリアン
プの出力が第３の端子１８から第１の端子１５を経て出
力される。
的に導通し、第２の端子１６と第４の端子２０間が高周
波的に導通ずるので、第２の端子１６からの受信信号が
第４の端子２０を経てプリアンプへ出力され、プリアン
プの出力が第３の端子１８から第１の端子１５を経て出
力される。
次に、トランシーバが送信状態となって高周波信号が出
力される場合を説明する。
力される場合を説明する。
この場合には、高周波信号が信号検出回路２２によって
検出されてキャリアコントロール回路２３に加えられる
。
検出されてキャリアコントロール回路２３に加えられる
。
すると、トランジスタＴＲ，のベース電位が高くなって
コレクタ電位が下がり、トランジスタＴＲ２がＯＦＦ状
態となってフォトカプラ２４からの電流出力がなくなる
。すなわち、キャリアコントロール回路２３の出力が低
レベルとなる。
コレクタ電位が下がり、トランジスタＴＲ２がＯＦＦ状
態となってフォトカプラ２４からの電流出力がなくなる
。すなわち、キャリアコントロール回路２３の出力が低
レベルとなる。
従って、第２および第３の伝送路１９．２１には直流電
流が流れず、ダイオードＤｌ＃Ｄ、がＯＦＦ状恕となる
ので、第１の端子１５と第３の端子１８問および第２の
端子１６と第４の端子２０間が遮断される。
流が流れず、ダイオードＤｌ＃Ｄ、がＯＦＦ状恕となる
ので、第１の端子１５と第３の端子１８問および第２の
端子１６と第４の端子２０間が遮断される。
そのため、第１の端子■５に加えられた高周波信号が第
２および第３の伝送路１９．２１に流れることなく、直
接第１の伝送路１７を通って第２の端子１６に出力され
る。
２および第３の伝送路１９．２１に流れることなく、直
接第１の伝送路１７を通って第２の端子１６に出力され
る。
なお１本出願人の実験によれば１例えば第１の端子１５
および第３の端子１８間における導通。
および第３の端子１８間における導通。
遮断時の信号分離度は３０ｄＢ以上であった。
電源がＯＦＦ状態にあれば、各ダイオードＤ。
〜Ｄ８がＯＦＦ状態となり、第１の端子１５と第２の端
子１６間が導通状態となり、第１の端子１５と第３の端
子１８問および第２の端子１６と第４の端子２０間各々
が高周波的に遮断状態となるので、第１の端子１５に加
えられた高周波信号および第２の端子１６に入力された
受信信号が直接第１の伝送路１７を流れる。
子１６間が導通状態となり、第１の端子１５と第３の端
子１８問および第２の端子１６と第４の端子２０間各々
が高周波的に遮断状態となるので、第１の端子１５に加
えられた高周波信号および第２の端子１６に入力された
受信信号が直接第１の伝送路１７を流れる。
このような本発明のスイッチ装置は、第１〜第３の伝送
路１７，１９．２１の無接点スイ・ノチ素子としてＰＩ
ＮダイオードＤ１〜ＤＢを用い、第１の伝送路１７を流
れる高周波信号を信号検出回路２２で検出し、この検出
信号を用いてダイオードＤ Ｈ＝ Ｄ ｅを０Ｎ１０Ｆ
Ｆ動作させたので、従来のリレーを用いる構成に比べ、
切り換え応答速度が速く、シかもチャタリング等の不確
実な動作がなり、確実な動作を確保することができる。
路１７，１９．２１の無接点スイ・ノチ素子としてＰＩ
ＮダイオードＤ１〜ＤＢを用い、第１の伝送路１７を流
れる高周波信号を信号検出回路２２で検出し、この検出
信号を用いてダイオードＤ Ｈ＝ Ｄ ｅを０Ｎ１０Ｆ
Ｆ動作させたので、従来のリレーを用いる構成に比べ、
切り換え応答速度が速く、シかもチャタリング等の不確
実な動作がなり、確実な動作を確保することができる。
従って、ガリウムヒ素ＦＥＴ等を用む）るプリアンプを
用いる場合にも、それら高価なガリウムヒ素ＦＥＴを破
壊することがなくなる。
用いる場合にも、それら高価なガリウムヒ素ＦＥＴを破
壊することがなくなる。
なお２本発明の実施にあたっては、上述の無接点スイッ
チとしてＰＩＮダイオードＤ１〜Ｄ８以外にも他の無接
点スイッチ素子を用いることが可能であるが、ＰＩＮダ
イオードを用いれば、構成が簡単となる。
チとしてＰＩＮダイオードＤ１〜Ｄ８以外にも他の無接
点スイッチ素子を用いることが可能であるが、ＰＩＮダ
イオードを用いれば、構成が簡単となる。
また、キャリアコントロール回路２３にフオ・トカブラ
２４を用いる例を示したが９本発明にあっては、これを
用いる例に限らず、ダイオードＤ１〜Ｄ８を０Ｎ１０Ｆ
Ｆさせる制御回路で構成すれば本発明の目的達成が可能
である。
２４を用いる例を示したが９本発明にあっては、これを
用いる例に限らず、ダイオードＤ１〜Ｄ８を０Ｎ１０Ｆ
Ｆさせる制御回路で構成すれば本発明の目的達成が可能
である。
もっとも、ダイオードＤ５〜Ｄ８が若干でしょあるが信
号の検波作用をする場合があり、フォトカプラ２４を用
いない場合には、第２および第３の伝送路１９，２１．
キャリアコントロール回路２３および信号検出回路２２
によって閉ループ回路が形成され易く、その検波信号が
キャリアコントロール回路２３を介して信号検出回路２
２に流れてゲインを低下することが考えられる。
号の検波作用をする場合があり、フォトカプラ２４を用
いない場合には、第２および第３の伝送路１９，２１．
キャリアコントロール回路２３および信号検出回路２２
によって閉ループ回路が形成され易く、その検波信号が
キャリアコントロール回路２３を介して信号検出回路２
２に流れてゲインを低下することが考えられる。
しかし、キャリアコントロール回路２３にフォトカプラ
２４を用いれば、電気的な閉ル−プ回路が構成されず、
信号のゲイン低下を抑えること力くできる。
２４を用いれば、電気的な閉ル−プ回路が構成されず、
信号のゲイン低下を抑えること力くできる。
さらに２本発明にあっては、第１の伝送路１７に対して
第２の伝送路１９および第３の伝送路２１を接続する例
を示したが、第２の伝送路１９もしくは第３の伝送路２
１を省略しても本発明の目的達成が可能である。
第２の伝送路１９および第３の伝送路２１を接続する例
を示したが、第２の伝送路１９もしくは第３の伝送路２
１を省略しても本発明の目的達成が可能である。
なお、第２図のような構成によれば、第１および第２の
端子１５．１６を入力端と出力端専用に分けて用いるこ
となくいずれを入出力端に用いてもよく、方向性を考慮
しなくてもよいという利点を有する。
端子１５．１６を入力端と出力端専用に分けて用いるこ
となくいずれを入出力端に用いてもよく、方向性を考慮
しなくてもよいという利点を有する。
また２本発明にあっては、ダイオードＤ１〜Ｄ、の接続
方向として、上記の第２図とは逆方向に接続することも
可能であり、制御回路はそれ番ご合わせて構成ずればよ
い。
方向として、上記の第２図とは逆方向に接続することも
可能であり、制御回路はそれ番ご合わせて構成ずればよ
い。
以上説明したように本発明のスイッチ装置は。
速い応答速度で確実な切り換え動作を得ることが可能で
ある。
ある。
特に、大きな入力に弱い半導体素子を用いた回路例えば
プリアンプ等を切り換える場合には、その効果が著しい
。
プリアンプ等を切り換える場合には、その効果が著しい
。
第１図は従来のスイッチ装置を示す回路図、第２図は本
発明のスイッチ装置の一実施例を示す回路図である。 １・・・・・・・リレー ２．１５・・・・第１の端子 ９．１６・・・・第２の端子 １２．１８・・・第３の端子 １３．２０・・・第４の端子 １７・・・・・・第１の伝送路 １９・・・・・・第２の伝送路 ２１・・・・・・第３の伝送路 ２２・・・・・・信号検出回路 ２３・・・・・・制御回路 （キャリアコントロール回ＶＰＩ） ２４・・・・・・フォトカプラ ０１〜Ｃ９・・・コンデンサ ＤＩ〜Ｄ４ ・・・第１の無接点スイ・ノチ素子（ＰＩ
Ｎダイオード） Ｄｓ 、Ｄ、・・・第２の無接点スイッチ素子（ＰＩＮ
ダイオード） Ｄ？、Ｄｌｌ ・・・第３の無接点スイ・ノチ素子（Ｐ
ＩＮダイオード） Ｌ五〜Ｌ７ ・・・インダクタ 代理人弁理士 斎 藤 美 晴
発明のスイッチ装置の一実施例を示す回路図である。 １・・・・・・・リレー ２．１５・・・・第１の端子 ９．１６・・・・第２の端子 １２．１８・・・第３の端子 １３．２０・・・第４の端子 １７・・・・・・第１の伝送路 １９・・・・・・第２の伝送路 ２１・・・・・・第３の伝送路 ２２・・・・・・信号検出回路 ２３・・・・・・制御回路 （キャリアコントロール回ＶＰＩ） ２４・・・・・・フォトカプラ ０１〜Ｃ９・・・コンデンサ ＤＩ〜Ｄ４ ・・・第１の無接点スイ・ノチ素子（ＰＩ
Ｎダイオード） Ｄｓ 、Ｄ、・・・第２の無接点スイッチ素子（ＰＩＮ
ダイオード） Ｄ？、Ｄｌｌ ・・・第３の無接点スイ・ノチ素子（Ｐ
ＩＮダイオード） Ｌ五〜Ｌ７ ・・・インダクタ 代理人弁理士 斎 藤 美 晴
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 信号源に接続される第１の端子と第２の端子を結ぶ第１
Φ伝送路と。 この第１の伝送路に接続されかつ前記第１の端子と前記
第２の端子間を高周波的に０Ｎ１０ＦＦする第１の無接
点スイッチ素子と。 前記第１の端子と前記第１の無接点スイッチ素子間の前
記第１の伝送路と第３の端子とを結ぶ第２の伝送路と。 この第２の伝送路に直列に接続されかつ前記第１の端子
と前記第３の端子間を高周波的に０ＦＦ１０Ｎする第２
の無接点スイッチ装置と。 前記第１の端子と前記第１の無接点スイッチ素子の間に
配置されかつ前記第１の端子からの信号を検出する信号
検出回路と。 この信号検出回路からの検出信号によって前記第１の無
接点スイッチ素子および前記第２の無接点スイッチ素子
を切り換え動作する制御回路を具備してなることを特徴
とするスイッチ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176725A JPS6068731A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | スイッチ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176725A JPS6068731A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | スイッチ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068731A true JPS6068731A (ja) | 1985-04-19 |
| JPH0252459B2 JPH0252459B2 (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=16018685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176725A Granted JPS6068731A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | スイッチ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310629U (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58176725A patent/JPS6068731A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310629U (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0252459B2 (ja) | 1990-11-13 |
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