JPS606906A - 半導体光素子 - Google Patents
半導体光素子Info
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- JPS606906A JPS606906A JP58112945A JP11294583A JPS606906A JP S606906 A JPS606906 A JP S606906A JP 58112945 A JP58112945 A JP 58112945A JP 11294583 A JP11294583 A JP 11294583A JP S606906 A JPS606906 A JP S606906A
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- Japan
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- slope
- light
- layers
- refractive index
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- Pending
Links
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は半導体光素子、詳しくは波長選択性を有する
半導波路に関するものである。
半導波路に関するものである。
（・従来技術）
従来のコルゲーション（Ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎ ）型
光導波路を第１図に示す。この図に示すように従来の上
記光導波路は、結晶１上にし〜ザ光の干渉縞を用いてエ
ツチングによりＡの周期構造を設け、その上に屈折率の
異なる導波層２を成長させている。
光導波路を第１図に示す。この図に示すように従来の上
記光導波路は、結晶１上にし〜ザ光の干渉縞を用いてエ
ツチングによりＡの周期構造を設け、その上に屈折率の
異なる導波層２を成長させている。
しかしガから、このようなコルグージョン型光＝ ｖ
ｙ＝では、■コルク゛−ジョンの凸凹を充分深くと九々
い、■導波層２を成長する際、熱的に凸凹がくずれて良
好に干渉効果を誘起できない、■凸凹の間隔はレーザ光
の波長によシ制限され、あまり密にできない、という欠
点があった。
ｙ＝では、■コルク゛−ジョンの凸凹を充分深くと九々
い、■導波層２を成長する際、熱的に凸凹がくずれて良
好に干渉効果を誘起できない、■凸凹の間隔はレーザ光
の波長によシ制限され、あまり密にできない、という欠
点があった。
（発明の目的）
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、従来の欠点
を解決できる半導体光素子を提供することを目的とする
。
を解決できる半導体光素子を提供することを目的とする
。
（実施例） ・
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
２図はこの発明の一実施例を示す図である この図にお
いて、１１は混晶半導体基板としてのＩｎＰ基板で、そ
の上には多層結晶部１２が形成される。この多層結晶部
１２は、屈折率ｎ、の第１の混晶としてのＩｎＰ層１３
と屈折率ｎ２ （ｎ、４ ｎ２ ）の第２の混晶として
のＧａ Ｉｎ Ａｓ Ｐ層１４を一定の厚みのもとに交
互に成長させて形成される。また、その成Ｍ、層の一部
全斜めに研摩またはエツチングすることにより、多層結
晶部１２は一側面が余１而１５となっている。そして、
その斜面１５と多層結晶部１２の上面、さらには前記斜
面１５の下端に連続する基板１１の表面には光導波層１
６が形成される。この光導波層１６はＧａＩｎＡｓＰ＃
からなる。
２図はこの発明の一実施例を示す図である この図にお
いて、１１は混晶半導体基板としてのＩｎＰ基板で、そ
の上には多層結晶部１２が形成される。この多層結晶部
１２は、屈折率ｎ、の第１の混晶としてのＩｎＰ層１３
と屈折率ｎ２ （ｎ、４ ｎ２ ）の第２の混晶として
のＧａ Ｉｎ Ａｓ Ｐ層１４を一定の厚みのもとに交
互に成長させて形成される。また、その成Ｍ、層の一部
全斜めに研摩またはエツチングすることにより、多層結
晶部１２は一側面が余１而１５となっている。そして、
その斜面１５と多層結晶部１２の上面、さらには前記斜
面１５の下端に連続する基板１１の表面には光導波層１
６が形成される。この光導波層１６はＧａＩｎＡｓＰ＃
からなる。
このよりな一実施例においては、多層結晶部１２に斜面
１５を形成することにより、この斜面１５においては／
ＩＴ（折率ｎ、のＩｎＰ層１３と屈折率ｎ、のＧａＩｎ
ＡｓＰ層１４が交互に一定の周期でもって並ぶ。
１５を形成することにより、この斜面１５においては／
ＩＴ（折率ｎ、のＩｎＰ層１３と屈折率ｎ、のＧａＩｎ
ＡｓＰ層１４が交互に一定の周期でもって並ぶ。
ここで、周期は、ＩｎＰ層１３とＧａＩｎＡｓＰ層１４
の厚さに基づいて、第１図と同じＡとなるように設定さ
れる。したがって、この斜面１５を含む部分に形成てれ
た光導波層１６に光が導入されると、その光は、斜面１
５におけるＩｎＰ層１３の屈折率ｎ１トＧａ１ｎＡｓＰ
層１４の屈折率ｎ２が異なるためブラッグ（Ｂｒａｇｇ
）反射を起し、Ａによって設定される波長の光のみが
導波される。
の厚さに基づいて、第１図と同じＡとなるように設定さ
れる。したがって、この斜面１５を含む部分に形成てれ
た光導波層１６に光が導入されると、その光は、斜面１
５におけるＩｎＰ層１３の屈折率ｎ１トＧａ１ｎＡｓＰ
層１４の屈折率ｎ２が異なるためブラッグ（Ｂｒａｇｇ
）反射を起し、Ａによって設定される波長の光のみが
導波される。
そして１以上のよりな一実施例によれば、■実効的に屈
折率の凸凹が深いため良好にブラッグ反射を起こせる、
■幾何学的な凸凹を用いないため光導波層１６の成長時
に熱的損傷などの問題が起きない、■ＩｎＰ層１３とＧ
ａ ＩｎＡｓ Ｐ層１４の膜厚は超薄膜にまで制御可能
なことからＡをかなり小さくとれる、という利点がある
。
折率の凸凹が深いため良好にブラッグ反射を起こせる、
■幾何学的な凸凹を用いないため光導波層１６の成長時
に熱的損傷などの問題が起きない、■ＩｎＰ層１３とＧ
ａ ＩｎＡｓ Ｐ層１４の膜厚は超薄膜にまで制御可能
なことからＡをかなり小さくとれる、という利点がある
。
なお、このような一実施例の半導体光素子（光導波路）
は、ＩｎＰ基板１１上にＩｎＰ層１３とＧａＩｎＡｓＰ
層１４とを一定の厚みのもとに交互に成長させて多層結
晶全形成した後、その一部を斜めに研摩またはエツチン
グし、しかる後、光導波層１６を成長させることにより
製造される。
は、ＩｎＰ基板１１上にＩｎＰ層１３とＧａＩｎＡｓＰ
層１４とを一定の厚みのもとに交互に成長させて多層結
晶全形成した後、その一部を斜めに研摩またはエツチン
グし、しかる後、光導波層１６を成長させることにより
製造される。
第３図はこの発明の半導体光素子の応用例を示す。この
応用例は、一実施例の半導体光素子を半導体レーザに応
用した場合である。したがって、この応用例においては
、第２図の構成に加えて、活性層１７とクラッド層１８
が光導波層１６上に順次成長形成されている。ここで、
各層のエネルギーギャップは（クラッド層）〉（導波層
）〉（活性層）に選ばれる。したがって、電流注入によ
シ活性層１７に発生した光は導波層１６に導入サレ、フ
ラッグ反射によｐ７アグリ・ベローによらずレーデ発振
する。
応用例は、一実施例の半導体光素子を半導体レーザに応
用した場合である。したがって、この応用例においては
、第２図の構成に加えて、活性層１７とクラッド層１８
が光導波層１６上に順次成長形成されている。ここで、
各層のエネルギーギャップは（クラッド層）〉（導波層
）〉（活性層）に選ばれる。したがって、電流注入によ
シ活性層１７に発生した光は導波層１６に導入サレ、フ
ラッグ反射によｐ７アグリ・ベローによらずレーデ発振
する。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明の半導体光素子は、多層結
晶を斜めに切ることにより等測的なコルゲーションとし
たから、良好にフラッグ反射を起こせるとともに、光導
波層の成長時に悪影響はなく、しかも屈折率ｎｌ ｌ
ｎ、、の周期をかなシ小さくできる。
晶を斜めに切ることにより等測的なコルゲーションとし
たから、良好にフラッグ反射を起こせるとともに、光導
波層の成長時に悪影響はなく、しかも屈折率ｎｌ ｌ
ｎ、、の周期をかなシ小さくできる。
この発明の半導体光素子は縦単一モード半導体レーザな
どに利用できる。
どに利用できる。
第１図は従来のコルゲーション型光導波路を示す断面図
、第２図はこの発明の半導体光素子の一実施例を示す断
面図、第３図はこの発明の半導体光素子の応用例を示す
断面図である。 １１・・・ＩｎＰ基板、１２・・・多層結晶部、１３・
・・ＩｎＰ Ｎｊ、 １４− ＧａＩｎＡｓＰ層、 １
５ ・・・斜面、１６ ・・・光導波層。
、第２図はこの発明の半導体光素子の一実施例を示す断
面図、第３図はこの発明の半導体光素子の応用例を示す
断面図である。 １１・・・ＩｎＰ基板、１２・・・多層結晶部、１３・
・・ＩｎＰ Ｎｊ、 １４− ＧａＩｎＡｓＰ層、 １
５ ・・・斜面、１６ ・・・光導波層。
Claims (1)
- 混晶半導体基板と、この基板上に屈折率がｎ、の第１の
混晶と屈折率がｎ２（ｎ、〜ｎｚ）の第２の混晶を一定
の厚みのもとに交互に成長して形成され、所定の側面は
、屈折率ｎｌ＊ｎ２の第１．第２の混晶が交互に一定の
周期でもって並ぶ斜面に形成された多層結晶部と、この
多層結晶部の少なくとも前記斜面に形成された先導波層
とを具備してなる半導体光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112945A JPS606906A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112945A JPS606906A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606906A true JPS606906A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=14599441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112945A Pending JPS606906A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606906A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747649A (en) * | 1985-01-07 | 1988-05-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithically integrated WDM demultiplex module and method of manufacture of such module |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58112945A patent/JPS606906A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747649A (en) * | 1985-01-07 | 1988-05-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithically integrated WDM demultiplex module and method of manufacture of such module |
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