JPH0228389A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH0228389A JPH0228389A JP17844688A JP17844688A JPH0228389A JP H0228389 A JPH0228389 A JP H0228389A JP 17844688 A JP17844688 A JP 17844688A JP 17844688 A JP17844688 A JP 17844688A JP H0228389 A JPH0228389 A JP H0228389A
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- JP
- Japan
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- layer
- semiconductor laser
- light guide
- refractive index
- conductivity type
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ガイド層を有する屈折率導波型半導体レーザ
素子に関する。
素子に関する。
発振モードの制御に有利なリブ導波路をもつ屈折率導波
型半導体レーザ素子は、高出力とするために光ガイド層
を設けることが行なわれており、その代表的な構造の一
つを忍４図の模式断面図に示す。第４図においてこの半
導体レーザ素子はＰ−ＧａＡｓ基板１上に電流阻止層で
あるｎ −ＧａＡｓ ２を設けた後、表面を工、チング
してＶ溝を形成し、引き続きＰ −Ａ−ｅＸ Ｇａ （
−１Ａｓ第１クラッド層３゜Ｐ −ｋ１３ｙ Ｇａ ｓ
−ｙ Ａｓ光ガイド層４ ＃ Ｐ、−ＡＡｚＧａｌ−
２Ａｓ活性層５ ＃ ｎ−Ａ−ｅ）（Ｇａ１−ＸＡＳ第
２クラッド層６およびｎ−ＧａＡｓキャップ層７を順次
液相成長により積層したものである。８．９はそれぞれ
上下の電極である。
型半導体レーザ素子は、高出力とするために光ガイド層
を設けることが行なわれており、その代表的な構造の一
つを忍４図の模式断面図に示す。第４図においてこの半
導体レーザ素子はＰ−ＧａＡｓ基板１上に電流阻止層で
あるｎ −ＧａＡｓ ２を設けた後、表面を工、チング
してＶ溝を形成し、引き続きＰ −Ａ−ｅＸ Ｇａ （
−１Ａｓ第１クラッド層３゜Ｐ −ｋ１３ｙ Ｇａ ｓ
−ｙ Ａｓ光ガイド層４ ＃ Ｐ、−ＡＡｚＧａｌ−
２Ａｓ活性層５ ＃ ｎ−Ａ−ｅ）（Ｇａ１−ＸＡＳ第
２クラッド層６およびｎ−ＧａＡｓキャップ層７を順次
液相成長により積層したものである。８．９はそれぞれ
上下の電極である。
第４図の構造をもつ半導体レーザ素子は基本モード発振
が起こる条件下にＳいて、レーザ光を光ガイド層４にし
み出させることにより、活性Ｎ１３中）光密度を瞬時光
学損ｆ） ［Ｃ０Ｄ（ＣａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃＯｐｔ
ｉｃａｇ Ｄａｍａｇｅ ） ］ のレベル以下に
して高出力を得るものであり、そのため光ガイドｍ４の
厚さや各層の組成などについての検討がなされてＳす、
この素子構造では最大光出力が１２０ｍＷ以上のものが
知られている。
が起こる条件下にＳいて、レーザ光を光ガイド層４にし
み出させることにより、活性Ｎ１３中）光密度を瞬時光
学損ｆ） ［Ｃ０Ｄ（ＣａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃＯｐｔ
ｉｃａｇ Ｄａｍａｇｅ ） ］ のレベル以下に
して高出力を得るものであり、そのため光ガイドｍ４の
厚さや各層の組成などについての検討がなされてＳす、
この素子構造では最大光出力が１２０ｍＷ以上のものが
知られている。
第４図のようにｖ＃１によって導波路を形成するのは液
相成長においてのみ実現可能である。それは液相成長で
はある程度厚さが増してくると表面は平坦になり、活性
層５から上の層は平坦に形成されるからである。これに
対して気相成長法を用いた場合は、各構成層は■溝に做
って結晶成長するから活性層５を含めて各ノーとも湾曲
状態となる。
相成長においてのみ実現可能である。それは液相成長で
はある程度厚さが増してくると表面は平坦になり、活性
層５から上の層は平坦に形成されるからである。これに
対して気相成長法を用いた場合は、各構成層は■溝に做
って結晶成長するから活性層５を含めて各ノーとも湾曲
状態となる。
したがって横方向に十分な尤の屈折ぶ差を得るこ、とが
できない。
できない。
しかしながら、素子製造に際しては薄膜の形成が容易で
大面積の素子を得るのに有オリな気相成長法を用いるの
が好ましい。
大面積の素子を得るのに有オリな気相成長法を用いるの
が好ましい。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的を工気相成長法によって容易に製造可能であり、横方
向に十分屈折率差を有し、光ガイド層をもった構造の半
導体レーザ素子を提供することｆこある。
的を工気相成長法によって容易に製造可能であり、横方
向に十分屈折率差を有し、光ガイド層をもった構造の半
導体レーザ素子を提供することｆこある。
本発明の半導体レーザ素子は半導体基板の一主面上に気
相成長により積層形成される第１クラ。
相成長により積層形成される第１クラ。
ド層、活性層、第２クラッド層およびキャップ層のうち
の活性層と第１．ｇ２クラッド層のいずれか一方との間
にそのクラッド層と同じ導電型の光ガイド層を有し、活
性層より上部に位置する各層によって形成したメサスト
ライプ部のレーザ光進行方向と平行な両伸面にメサスト
ライプ部とは反対の導電型をもつ光吸収層と埋め込み層
を備えた構造としたものである。
の活性層と第１．ｇ２クラッド層のいずれか一方との間
にそのクラッド層と同じ導電型の光ガイド層を有し、活
性層より上部に位置する各層によって形成したメサスト
ライプ部のレーザ光進行方向と平行な両伸面にメサスト
ライプ部とは反対の導電型をもつ光吸収層と埋め込み層
を備えた構造としたものである。
本発明の半導体レーザ素子は光ガイド層１２を活性層１
３と第１クラッド層１１の間（第１図）または光ガイド
層１２ａを活性層１３と第２クラッド層１４ｍとの間（
第３図）に設け、活性層１３より上に位置する各層から
なるメサストライプ部を形成し、その両側面に光吸収層
１６と埋め込み層頭を設け、ストライプ部とストライプ
部以外の領域とに等測的な屈折率差をもたせる構造とし
たために、第４図のように■溝を形成する必要がなくな
り、気相成長法を用いて容易に製造することが可能とな
り、裂造過穆におけるストライプ部形成の工、チング深
さにより横方向の屈折率差を制御し、基本横モード発振
を実現することができる。またこの構造では光ガイド層
の厚さや各層の組成比を適切に定めることにより高出力
動作が得られる。
３と第１クラッド層１１の間（第１図）または光ガイド
層１２ａを活性層１３と第２クラッド層１４ｍとの間（
第３図）に設け、活性層１３より上に位置する各層から
なるメサストライプ部を形成し、その両側面に光吸収層
１６と埋め込み層頭を設け、ストライプ部とストライプ
部以外の領域とに等測的な屈折率差をもたせる構造とし
たために、第４図のように■溝を形成する必要がなくな
り、気相成長法を用いて容易に製造することが可能とな
り、裂造過穆におけるストライプ部形成の工、チング深
さにより横方向の屈折率差を制御し、基本横モード発振
を実現することができる。またこの構造では光ガイド層
の厚さや各層の組成比を適切に定めることにより高出力
動作が得られる。
以下本発明を実施例に基づき説明する。
第１図は本発明の半導体レーザ素子の正面からみた模式
断面図である。第１図トエ例えばｎ−ＧａＡｓ基板ｌＯ
の上にｎ −Ａ＃ｚＧａ １−ＸＡ３第１クラッド層１
１゜ＡＪ３ｙ Ｇａ １−ｙＡ ｓ光ガイド層１２ ＊
Ｐ −）Ｊ３ｚＣｘａ １−２Ａｓ 活性層１３ ＃
Ｐ −Ａｌ３ｚＧａ １−ＸＡ ８第２クラッド層１
４およびＰ−ＧａＡｓキャ、１層１５を積層形成し、さ
らに第２クラッド層１４とキヤ、プ層１５にメサストク
イズを形成して、このメサストライプのレーザ光進行方
向と平行な両側面をｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６とｎ−ん
ｇｌＧａ １−ＩＡＳ埋め込み層加で埋め込んだ構造と
したものである。１７ 、１８は電極である。
断面図である。第１図トエ例えばｎ−ＧａＡｓ基板ｌＯ
の上にｎ −Ａ＃ｚＧａ １−ＸＡ３第１クラッド層１
１゜ＡＪ３ｙ Ｇａ １−ｙＡ ｓ光ガイド層１２ ＊
Ｐ −）Ｊ３ｚＣｘａ １−２Ａｓ 活性層１３ ＃
Ｐ −Ａｌ３ｚＧａ １−ＸＡ ８第２クラッド層１
４およびＰ−ＧａＡｓキャ、１層１５を積層形成し、さ
らに第２クラッド層１４とキヤ、プ層１５にメサストク
イズを形成して、このメサストライプのレーザ光進行方
向と平行な両側面をｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６とｎ−ん
ｇｌＧａ １−ＩＡＳ埋め込み層加で埋め込んだ構造と
したものである。１７ 、１８は電極である。
第２図（ａ）〜（ｃ）はこの半導体レーザ素子の製造方
法を述べるための主な工程順を示したものであり、８？
！１図と共通部分を同一符号で表わしである。第１図の
構造をもつ本発明の半導体レーザ素子に対しては、有機
金属を原料とする熱分解法（ＭｅｔａＡＯｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｃａ−ｇ Ｖａｐａｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ）としてよく知られているＭＯＣＶＤを用いる
ことができる。
法を述べるための主な工程順を示したものであり、８？
！１図と共通部分を同一符号で表わしである。第１図の
構造をもつ本発明の半導体レーザ素子に対しては、有機
金属を原料とする熱分解法（ＭｅｔａＡＯｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｃａ−ｇ Ｖａｐａｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ）としてよく知られているＭＯＣＶＤを用いる
ことができる。
ＭＯＣＶＤは大面積のエピタキシアル膜を形成する際の
量産性や膜厚制御などの点で液相成長法より有利である
。
量産性や膜厚制御などの点で液相成長法より有利である
。
まず例えばキャリア濃度ｌＸｌ０ ｄ 、厚さ１５
０ｐｍのｎ−ＧａＡｓ基板１０上にキャリア濃度ＩＸＩ
Ｑｃｍ厚さｌ ｐｍのｎ −１’Ｊ ａｓｔ Ｇａ ｏ
、ｓｓ Ａ Ｓ第１クラッド層１１゜キャリア濃度ＩＸ
ＩＯｃａｍｌ厚さｌ ｐｍのｎ −ＡＪ３ｏ、ｚｒ Ｇ
ａ （１，７３Ａｓ元カイト層１２．キャリア？１Ｉｔ
ｌ ＸＩＯ”Ｃｆｆ１−’ ｌ厚さ０．０６ ｐｍのＰ
−ｈ１３ ｏ、ｏｓ Ｇａ Ｏ，９２Ａｓ活性／１１
１３ 、キャリア濃度ｌＸ１０３１．厚さｌ ｐｍのＰ
−Ａ−１１６，ｓｔ Ｇａ ６，６ｇＡｓ第２クラッ
ド鳩１４ｇよびキャリア濃度３ＸＩＯｃｍ 、厚さ０
．５μｍのＰ−ＧａＡｓキャ。
０ｐｍのｎ−ＧａＡｓ基板１０上にキャリア濃度ＩＸＩ
Ｑｃｍ厚さｌ ｐｍのｎ −１’Ｊ ａｓｔ Ｇａ ｏ
、ｓｓ Ａ Ｓ第１クラッド層１１゜キャリア濃度ＩＸ
ＩＯｃａｍｌ厚さｌ ｐｍのｎ −ＡＪ３ｏ、ｚｒ Ｇ
ａ （１，７３Ａｓ元カイト層１２．キャリア？１Ｉｔ
ｌ ＸＩＯ”Ｃｆｆ１−’ ｌ厚さ０．０６ ｐｍのＰ
−ｈ１３ ｏ、ｏｓ Ｇａ Ｏ，９２Ａｓ活性／１１
１３ 、キャリア濃度ｌＸ１０３１．厚さｌ ｐｍのＰ
−Ａ−１１６，ｓｔ Ｇａ ６，６ｇＡｓ第２クラッ
ド鳩１４ｇよびキャリア濃度３ＸＩＯｃｍ 、厚さ０
．５μｍのＰ−ＧａＡｓキャ。
７ ）＠ １５をこの順に気相成長させる。続いてキヤ
。
。
グ層となる１５の表面に５ｉ０２膜を０．２μｍ厚さに
被着した後、レジストを塗布してフォトリングラフィに
より３μｍ＠のストライプを形成し、ストライプ以外の
部分の８ｉ０ｚ膜を除去し５ｉＯｚ膜１９を残した状態
が第２図（ωである。次に８ ｉ０２膜１９以外の除去
部分に対して表面から深さ１．３μｍ程度までキャップ
７ｉ＃１５と第２クラッド層１４の途中までメサエッチ
ングを行ない第２クラッド層１４とキャップ層１５から
なるメサストライプ部を形成する〔第２図５）〕。さら
に再び気相エピタキシアル成長によりキャリア１？度ｌ
Ｘｌ０ α のｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６とキャリア
濃度ｌＸ１０４ のｎ−λｅ（ＩＢＩ Ｇａｏ、６１
Ａｓ埋め込み層加をメサストライプ以外の表面に１．３
μｍの厚さに成長させ、５ｉ０２膜１９を除去し、最後
にｕＧｅ 人ｕｚｎ／Ａｕ）Ｐ１１１１電極１７と ／Ａｕのｎ
９Ａ電極１８を蒸着などにより表裏面に被層し、第１図
と同じ構造の半導体レーザ素子を得ることができる〔第
２図（Ｃ）〕。なお埋め込み層加の厚さは０．８μｍで
あり、屈折率はメサストライプ部より低くする必要があ
る。それは光吸収Ｎ１６のみでは僅かな厚さなどの違い
によってメサストライプ部とその他の領域との屈折率差
がつきにくいこともあるので、埋め込みノー（９）を設
けることにより、このレーザ素子に横方向の等何曲な屈
折率差がつきやすくなるからである。かくして得られた
本発明の半導体レーザ素子は発振波長８３０ ｎｍ ｉ
こおいてしきい値電流加〜４０ ｍＡで室温連続発振し
、基本横モード発振の最大光出力は１５０ ｍＷを示し
た。
被着した後、レジストを塗布してフォトリングラフィに
より３μｍ＠のストライプを形成し、ストライプ以外の
部分の８ｉ０ｚ膜を除去し５ｉＯｚ膜１９を残した状態
が第２図（ωである。次に８ ｉ０２膜１９以外の除去
部分に対して表面から深さ１．３μｍ程度までキャップ
７ｉ＃１５と第２クラッド層１４の途中までメサエッチ
ングを行ない第２クラッド層１４とキャップ層１５から
なるメサストライプ部を形成する〔第２図５）〕。さら
に再び気相エピタキシアル成長によりキャリア１？度ｌ
Ｘｌ０ α のｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６とキャリア
濃度ｌＸ１０４ のｎ−λｅ（ＩＢＩ Ｇａｏ、６１
Ａｓ埋め込み層加をメサストライプ以外の表面に１．３
μｍの厚さに成長させ、５ｉ０２膜１９を除去し、最後
にｕＧｅ 人ｕｚｎ／Ａｕ）Ｐ１１１１電極１７と ／Ａｕのｎ
９Ａ電極１８を蒸着などにより表裏面に被層し、第１図
と同じ構造の半導体レーザ素子を得ることができる〔第
２図（Ｃ）〕。なお埋め込み層加の厚さは０．８μｍで
あり、屈折率はメサストライプ部より低くする必要があ
る。それは光吸収Ｎ１６のみでは僅かな厚さなどの違い
によってメサストライプ部とその他の領域との屈折率差
がつきにくいこともあるので、埋め込みノー（９）を設
けることにより、このレーザ素子に横方向の等何曲な屈
折率差がつきやすくなるからである。かくして得られた
本発明の半導体レーザ素子は発振波長８３０ ｎｍ ｉ
こおいてしきい値電流加〜４０ ｍＡで室温連続発振し
、基本横モード発振の最大光出力は１５０ ｍＷを示し
た。
また本発明の素子構造では光ガイド層１２は活性ｊ−１
３と第１クラツド／（ＩＬｌ、第２クラツド膚１４のい
ずれか一方のクラッド層との間に設けれはよいから、第
３図のように構成することができる。第３図は第１図と
同様の模式断面図であり、共通部分を同一符号で表わし
であるが、第１図と異なる点は第１図とは通導を星の元
ガイド層１２ａを活性層１３と第２クラッド層１４ａと
の間すなわち活性層１３の上に配置し、メサストライプ
部は光ガイド層１２ａ、第２クラッド層１４ａｎ キャ
ップ層１５により形成していることである。
３と第１クラツド／（ＩＬｌ、第２クラツド膚１４のい
ずれか一方のクラッド層との間に設けれはよいから、第
３図のように構成することができる。第３図は第１図と
同様の模式断面図であり、共通部分を同一符号で表わし
であるが、第１図と異なる点は第１図とは通導を星の元
ガイド層１２ａを活性層１３と第２クラッド層１４ａと
の間すなわち活性層１３の上に配置し、メサストライプ
部は光ガイド層１２ａ、第２クラッド層１４ａｎ キャ
ップ層１５により形成していることである。
第３図の素子構造についても製造方法は第１図の場合と
基本的に同じであり、はじめ基板１０上ｔこ各層を第３
図の頴に気相成長させ、第２図（ｂ）に相当する過程で
光ガイド層１２ａの途中までメサエ。
基本的に同じであり、はじめ基板１０上ｔこ各層を第３
図の頴に気相成長させ、第２図（ｂ）に相当する過程で
光ガイド層１２ａの途中までメサエ。
チングを行なってメサストライプ部を形成した後、光吸
収層１６ａと埋め込みＩ！ ２０ ａを埋め込んだもの
である。この構造のものは第１図に示したような元ガイ
ド層１２を活性層１３の下に設けた構造のものと同様の
特性を有するが、光吸収層１６ａ側に光がしみ出し、水
平高次モード発振に損失を与え、高次モードの発生を抑
制するという効果は大きくなる。
収層１６ａと埋め込みＩ！ ２０ ａを埋め込んだもの
である。この構造のものは第１図に示したような元ガイ
ド層１２を活性層１３の下に設けた構造のものと同様の
特性を有するが、光吸収層１６ａ側に光がしみ出し、水
平高次モード発振に損失を与え、高次モードの発生を抑
制するという効果は大きくなる。
光ガイド層とリプ導波路をもつ屈折率導波凰半導体レー
ザ素子は従来Ｖ溝を形成する液相成長法により製造され
ていたが、薄膜の厚さ制御が容易で大面積の素子を得る
のに有利な気相成長法の適用を可能とする■溝のない構
造として本発明では実施例で述べたように、光ガイド層
を活性層の上下いずれかに配し、活性層より上部に位置
する各面にメサストライプ部とは逆の導電盤をもつ光吸
収層と埋め込み膚を設けて、導波路に相当するメサスト
ライプ部とこれ以外の領域とに屈折率差を持たせる構造
とし、さらに光ガイド層およびその他の各層の厚さ、組
成比を適切に定めたことにより、基本横モード発根で高
出力を有する半導体レーザ素子を得ることができた。
ザ素子は従来Ｖ溝を形成する液相成長法により製造され
ていたが、薄膜の厚さ制御が容易で大面積の素子を得る
のに有利な気相成長法の適用を可能とする■溝のない構
造として本発明では実施例で述べたように、光ガイド層
を活性層の上下いずれかに配し、活性層より上部に位置
する各面にメサストライプ部とは逆の導電盤をもつ光吸
収層と埋め込み膚を設けて、導波路に相当するメサスト
ライプ部とこれ以外の領域とに屈折率差を持たせる構造
とし、さらに光ガイド層およびその他の各層の厚さ、組
成比を適切に定めたことにより、基本横モード発根で高
出力を有する半導体レーザ素子を得ることができた。
第１図は本発明の半導体レーザ索子の模式断面図、第２
図（ａｌ〜（ｃ）はその主な製造工程図、第３図は第１
図とは光ガイド層の配置が異なる本発明の半導体レーザ
素子の模式断面図、第４図は光ガイド層を有する従来の
屈折率導波型半導体レーザ素子の模式断面図である。 １、ｌＯ・・・基板、３．１１・・・第１クラッド層、
４．１２゜１２ａ・・・光ガイド層、５．１３・・・活
性層、６．１４，１４ａ・・・第２クラッド層、７，１
５・・・キャップ層、８．９．１７゜１８ ・・・電極
、１６ 、１６ ａ−・−光吸収層、１９−８ ｉ０２
膜、壬 閃 そ 図 舅 四
図（ａｌ〜（ｃ）はその主な製造工程図、第３図は第１
図とは光ガイド層の配置が異なる本発明の半導体レーザ
素子の模式断面図、第４図は光ガイド層を有する従来の
屈折率導波型半導体レーザ素子の模式断面図である。 １、ｌＯ・・・基板、３．１１・・・第１クラッド層、
４．１２゜１２ａ・・・光ガイド層、５．１３・・・活
性層、６．１４，１４ａ・・・第２クラッド層、７，１
５・・・キャップ層、８．９．１７゜１８ ・・・電極
、１６ 、１６ ａ−・−光吸収層、１９−８ ｉ０２
膜、壬 閃 そ 図 舅 四
Claims (1)
- １）一導電型半導体基板の一主面上に気相成長法により
積層形成される一導電型第１クラッド層、逆導電型活性
層、逆導電型第２クラッド層および一導電型キャップ層
のうちの前記活性層と前記第１、第２クラッド層のいず
れか一方との間にそのクラッド層と同じ導電型の光ガイ
ド層を有し、前記活性層より上部に位置する各層によっ
て形成したメサストライプ部のレーザ光進行方向と平行
な両側面にメサストライプ部とは反対の導電型をもつ光
吸収層と埋め込み層を備えたことを特徴とする半導体レ
ーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17844688A JPH0228389A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17844688A JPH0228389A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228389A true JPH0228389A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16048665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17844688A Pending JPH0228389A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228389A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253776A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及び光学式情報記録装置 |
| JP2005223148A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sharp Corp | 窒化物系半導体レーザ素子とそれを含む光学式情報処理装置 |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP17844688A patent/JPH0228389A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253776A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及び光学式情報記録装置 |
| JP2005223148A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sharp Corp | 窒化物系半導体レーザ素子とそれを含む光学式情報処理装置 |
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