JPS6069719A - 定電圧電源回路 - Google Patents
定電圧電源回路Info
- Publication number
- JPS6069719A JPS6069719A JP17632383A JP17632383A JPS6069719A JP S6069719 A JPS6069719 A JP S6069719A JP 17632383 A JP17632383 A JP 17632383A JP 17632383 A JP17632383 A JP 17632383A JP S6069719 A JPS6069719 A JP S6069719A
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- JP
- Japan
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- circuit
- voltage
- transistor
- constant voltage
- voltage power
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
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- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分桁−)
本発明は定電圧電源回路特に低電流負荷に好適な連続制
御方式直列制御閉回路型の定電圧電源回路に関するもの
である。
御方式直列制御閉回路型の定電圧電源回路に関するもの
である。
(従来技術)
従来、定電圧電源回路としては諸種の回路構成のものが
数多く提案されているが、これらのうちで、閉回路型定
電圧電源が定電圧電源回路の典型的な回路であり、第1
図に示されるように構成されている。
数多く提案されているが、これらのうちで、閉回路型定
電圧電源が定電圧電源回路の典型的な回路であり、第1
図に示されるように構成されている。
同図において、1は制御回路で01は制御用トランジス
タ、2は分圧回路でR,、R2は分圧抵抗、3は基準電
圧でDZI は定電圧ダイオード、4は誤差増幅器でQ
2はトランジスタ、Elは非安定化電圧、goは安定化
出力電B′−,でR5は負荷である。
タ、2は分圧回路でR,、R2は分圧抵抗、3は基準電
圧でDZI は定電圧ダイオード、4は誤差増幅器でQ
2はトランジスタ、Elは非安定化電圧、goは安定化
出力電B′−,でR5は負荷である。
すなわち、この回路は、出力電圧E。の変動を分圧回路
2のR1とR2の接続点で検出し、これを基準電圧3と
比較してその変動分をトランジスタQ2で増幅し、制御
用トランジスタQ+ を駆動して出力電圧E。の変化を
打消すように制御せしめ、出力電力E。を一定に保持す
る回路である。
2のR1とR2の接続点で検出し、これを基準電圧3と
比較してその変動分をトランジスタQ2で増幅し、制御
用トランジスタQ+ を駆動して出力電圧E。の変化を
打消すように制御せしめ、出力電力E。を一定に保持す
る回路である。
しかしながら、負荷RLが低電流負荷で例えば出力電流
が10 mAの場合について考えると、この回路の動作
電流は、制御用トランジスタQ’lの駆動のためのベー
ス電流、誤差増幅器用トランジスタQ2の動作電流、分
圧回路の回路電流等が加算されたものであり、これは出
力電流10mAに対して無視し侍ない大きさのものであ
る。すなわち、市販の集積回路を使用したいわゆる三端
子レギュレータで灯、その回路動作電流は代表的なもの
で4mA程度であることからも容易に理解できる。した
がって、このレギュレータを出力電流10mAの定電圧
電源回路に使用すれば、この回路自体で4mA前後の電
流が消費されてし捷うから、非安定化電圧側はこの消費
分を加算した電流を要求されることになシ、装置構成上
の制限があって、どうしてもこの要求をいれることがで
きない場合には、゛本回路では目的の゛電力を負荷側に
供給することができなくなるなどの欠点があった。
が10 mAの場合について考えると、この回路の動作
電流は、制御用トランジスタQ’lの駆動のためのベー
ス電流、誤差増幅器用トランジスタQ2の動作電流、分
圧回路の回路電流等が加算されたものであり、これは出
力電流10mAに対して無視し侍ない大きさのものであ
る。すなわち、市販の集積回路を使用したいわゆる三端
子レギュレータで灯、その回路動作電流は代表的なもの
で4mA程度であることからも容易に理解できる。した
がって、このレギュレータを出力電流10mAの定電圧
電源回路に使用すれば、この回路自体で4mA前後の電
流が消費されてし捷うから、非安定化電圧側はこの消費
分を加算した電流を要求されることになシ、装置構成上
の制限があって、どうしてもこの要求をいれることがで
きない場合には、゛本回路では目的の゛電力を負荷側に
供給することができなくなるなどの欠点があった。
(発明の目的)
本発明はこれらの欠点に鑑み、回路動作電流を少なくす
るため、制御回路の半導体素子として第、1の電界効果
トランジスタ(以下FET 1という)を使用するとと
もに、誤差増幅器にはトランジスタと、このトランジス
タのコレクタにケゝ−トが接続されかつドレインが前記
FET 、のゲートに接続された第2の電界効果トラン
ジスタ(以下FET 2という)で構成することによっ
て低電流負荷に好適な定電圧電源回路を提供することを
目的とするものである。
るため、制御回路の半導体素子として第、1の電界効果
トランジスタ(以下FET 1という)を使用するとと
もに、誤差増幅器にはトランジスタと、このトランジス
タのコレクタにケゝ−トが接続されかつドレインが前記
FET 、のゲートに接続された第2の電界効果トラン
ジスタ(以下FET 2という)で構成することによっ
て低電流負荷に好適な定電圧電源回路を提供することを
目的とするものである。
(発明の構成)
本発明は上記目的を達成するため出力電圧の変動を出力
端子に接続した分圧回1合の分圧点において基準電圧と
比較して検出し、この検出信号を腺差増幅器によって増
幅して制御回路用半導体素子の制御電極に印加してなる
述続式直列制御閉回路型定電圧電源回゛路において、前
記制御回路用半導体素子を框1の電界効果トランジスタ
で構成するとともに、前記誤差増幅器をトランジスタと
このトランジスタのコレクタにケ”−1−が接続されか
つドレインが第1の′電界効果トランジスタのケ8−ト
に接続された第2の電界効果トランジスタで構成したこ
とを特徴とする定電圧電源回路である。
端子に接続した分圧回1合の分圧点において基準電圧と
比較して検出し、この検出信号を腺差増幅器によって増
幅して制御回路用半導体素子の制御電極に印加してなる
述続式直列制御閉回路型定電圧電源回゛路において、前
記制御回路用半導体素子を框1の電界効果トランジスタ
で構成するとともに、前記誤差増幅器をトランジスタと
このトランジスタのコレクタにケ”−1−が接続されか
つドレインが第1の′電界効果トランジスタのケ8−ト
に接続された第2の電界効果トランジスタで構成したこ
とを特徴とする定電圧電源回路である。
(実 施 例)
以下本発明を実施例について詳細に説明する。
第2図は本発明の一実施例を示す回路図で、この定電圧
電源回路は、負荷RLに接続された出力端子間に出力電
圧E。を分圧する高抵抗値の抵抗R1゜R2を直列に接
続し、とのR1r R2の接続点とトランジスタQ3の
ベース間に基準電圧1oとしての定電圧ダイオードD2
□を接続して出力電圧E。
電源回路は、負荷RLに接続された出力端子間に出力電
圧E。を分圧する高抵抗値の抵抗R1゜R2を直列に接
続し、とのR1r R2の接続点とトランジスタQ3の
ベース間に基準電圧1oとしての定電圧ダイオードD2
□を接続して出力電圧E。
の変動の検出回路20を構成し、この検出信号をトラン
ジスタQ3のベースに加える。
ジスタQ3のベースに加える。
このトランジスタQ3には高抵抗値のコレクタ抵抗R4
が接続されており、このコレクタ電圧をFET 2 (
N fヤンネルMos型エンハンスメントモードFET
)のケ゛−トに加えてなる誤差増幅器30を構成して
いる。
が接続されており、このコレクタ電圧をFET 2 (
N fヤンネルMos型エンハンスメントモードFET
)のケ゛−トに加えてなる誤差増幅器30を構成して
いる。
このFET2のドレインは制御回路4oの制御索子FE
T、(pチャンネルMO3型エンハンスメントモードF
ET )のゲートに接続されておりR5は高抵抗値のF
ET、ゲート−ソース間抵抗である。
T、(pチャンネルMO3型エンハンスメントモードF
ET )のゲートに接続されておりR5は高抵抗値のF
ET、ゲート−ソース間抵抗である。
次に本回路の動作について説明する。
いまかりに、非安定化電圧R1側あるいは負荷電流の変
動によって出力電圧E。が上昇したとすれば、分圧回路
の抵抗R,,R2の接続点の電位が上昇して基準電圧1
0よりも高くなると、定電圧ダイオードDZ2 が導通
状態となり、トランジスタQ3のベースには、R,の高
抵抗値によシ定まる電流が流れ、トランジスタQ3はO
Nする。
動によって出力電圧E。が上昇したとすれば、分圧回路
の抵抗R,,R2の接続点の電位が上昇して基準電圧1
0よりも高くなると、定電圧ダイオードDZ2 が導通
状態となり、トランジスタQ3のベースには、R,の高
抵抗値によシ定まる電流が流れ、トランジスタQ3はO
Nする。
したがって、このトランジスタQ3とインバータを構成
しているFET 2はOFF、換言すればFET 2の
ドレインーノース間のインピーダンスを増加させる方向
に向い、ドレイン電圧を上げる方向に動作するから、こ
のFET 2のドレインに接続されている制御用FET
、のダート電位は上昇する方向に向い、FET 、の
ドレイン−ノース間のインピーダンスヲ太きくして、先
の出力電圧E。の上昇分を打ち消す方向に、駆動される
。また、出力’、1LIf E oが1灰下したときは
、前述の上昇の」ル1合と全く反対に出力電圧の低下分
を打ち消す方向に回路が動作するので、入力型W及び負
荷が変動しても、出力′電圧は一定に保たれることにな
る。
しているFET 2はOFF、換言すればFET 2の
ドレインーノース間のインピーダンスを増加させる方向
に向い、ドレイン電圧を上げる方向に動作するから、こ
のFET 2のドレインに接続されている制御用FET
、のダート電位は上昇する方向に向い、FET 、の
ドレイン−ノース間のインピーダンスヲ太きくして、先
の出力電圧E。の上昇分を打ち消す方向に、駆動される
。また、出力’、1LIf E oが1灰下したときは
、前述の上昇の」ル1合と全く反対に出力電圧の低下分
を打ち消す方向に回路が動作するので、入力型W及び負
荷が変動しても、出力′電圧は一定に保たれることにな
る。
ところで、本実施例では、制御回路及び誤差増幅器には
FETを使用したので、従来のトランジスタを使用した
場合に比較して、次のような利点がちる。
FETを使用したので、従来のトランジスタを使用した
場合に比較して、次のような利点がちる。
すなわち、トランジスタを動作させるにはベース電流が
必要となることに対してFETはケ8−ト電圧制御で駆
動される半導体素子であることがらFETは駆動電流を
ほとんど必要としない。
必要となることに対してFETはケ8−ト電圧制御で駆
動される半導体素子であることがらFETは駆動電流を
ほとんど必要としない。
また、トランジスタのコレクタ、エミ、り間飽和電圧に
和尚するFETのオン抵抗とドレイン電流の積によって
定まる電圧のFETを選択すれば、FETの損失電力は
トランジスタの場合と同等以下になる。すなわぢ、負荷
電流”” 10 tnkの場合について考えるとぐトラ
ンジスタではコレクタ、エミッタ間飽和電圧をかりに0
.2 Vとすると、損失電力は2 mWとなるがFET
では、オン抵抗をかシに0.20とすると、電力損失は
0.02 mWとなシ負荷電流が10mA程度すなわち
低電流負荷の場合であればFET0方がトランジスタよ
シも有利であることが明らかである。
和尚するFETのオン抵抗とドレイン電流の積によって
定まる電圧のFETを選択すれば、FETの損失電力は
トランジスタの場合と同等以下になる。すなわぢ、負荷
電流”” 10 tnkの場合について考えるとぐトラ
ンジスタではコレクタ、エミッタ間飽和電圧をかりに0
.2 Vとすると、損失電力は2 mWとなるがFET
では、オン抵抗をかシに0.20とすると、電力損失は
0.02 mWとなシ負荷電流が10mA程度すなわち
低電流負荷の場合であればFET0方がトランジスタよ
シも有利であることが明らかである。
さらに、制御回路のFET、のゲート制御をNチャンネ
ルFET2を使用することにより、FET2 の駆動抵
抗であるR4に高抵抗を使用できるので、回路動作電流
を少なくすることができる。
ルFET2を使用することにより、FET2 の駆動抵
抗であるR4に高抵抗を使用できるので、回路動作電流
を少なくすることができる。
さらにまた、電圧検出回路の分圧抵抗に高抵抗を使用す
ることにより、本実施例の定電圧電源回路では、その回
路動作電流を0.1 ynAにすることができた。この
値は例えば負イ酊電流10mA程度低電流負荷の安定化
回路に実施した場合でも、定電圧電源回路として高い効
率で使用することができる。
ることにより、本実施例の定電圧電源回路では、その回
路動作電流を0.1 ynAにすることができた。この
値は例えば負イ酊電流10mA程度低電流負荷の安定化
回路に実施した場合でも、定電圧電源回路として高い効
率で使用することができる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、駆動電流がほと
んどいらないFETを制御回路及び誤差増幅器に使用し
たことと、誤差増幅器のトランジスタのコレクタ抵抗や
分圧回路の分圧抵抗等に高抵抗を使用することができた
ことの相乗効果によって、回路動作電流の極小化と半導
体素子での電力損失の縮小化を図ることができ、低電流
負荷を対象として好適な定電圧電W回路を実現すること
ができる。
んどいらないFETを制御回路及び誤差増幅器に使用し
たことと、誤差増幅器のトランジスタのコレクタ抵抗や
分圧回路の分圧抵抗等に高抵抗を使用することができた
ことの相乗効果によって、回路動作電流の極小化と半導
体素子での電力損失の縮小化を図ることができ、低電流
負荷を対象として好適な定電圧電W回路を実現すること
ができる。
第1図は従来装置の回路図、第2図は本発明の一実施例
を示す回路図である。 10・・・基準電圧、20・・・検出回路、30・・・
誤差増幅器、40・・・制御回路、Q3・・・トランジ
スタ、DZ2・・・定電圧ダイオード、FET、、 F
ET2・・・電界効果トランジスタ、R+ + R2+
R3+ R4+ Rs・・・抵抗、RL・・負荷、E
l・・・非安定化電圧、Eo・・・出力電圧。 特許出願人 沖電気工業株式会社 日本電信電話公社 第1図 ノ 第2図 第1頁の続き ■発明者岩佐 貞之 @発明者 永塚 比登志 描島市笹木野字館一番地 東北沖電気株式会社内昭和
年 月 日 特許庁長官 殿 1 事件の表示 昭和58年 特 許 願第176323 号2発明の名
称 定電圧電源回路 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所(〒105) 東京都港区虎ノ門1丁目7番12
号4 代やA (外2名) 住 所(〒105) 東京都港区虎ノ門1丁目7香12
号j 、I’4. ” ’・)
を示す回路図である。 10・・・基準電圧、20・・・検出回路、30・・・
誤差増幅器、40・・・制御回路、Q3・・・トランジ
スタ、DZ2・・・定電圧ダイオード、FET、、 F
ET2・・・電界効果トランジスタ、R+ + R2+
R3+ R4+ Rs・・・抵抗、RL・・負荷、E
l・・・非安定化電圧、Eo・・・出力電圧。 特許出願人 沖電気工業株式会社 日本電信電話公社 第1図 ノ 第2図 第1頁の続き ■発明者岩佐 貞之 @発明者 永塚 比登志 描島市笹木野字館一番地 東北沖電気株式会社内昭和
年 月 日 特許庁長官 殿 1 事件の表示 昭和58年 特 許 願第176323 号2発明の名
称 定電圧電源回路 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所(〒105) 東京都港区虎ノ門1丁目7番12
号4 代やA (外2名) 住 所(〒105) 東京都港区虎ノ門1丁目7香12
号j 、I’4. ” ’・)
Claims (1)
- 出力電圧の変動を出力端子に接続した分圧回路の分圧点
において基準電圧と比較して検出し、この検出信号を誤
差増幅器によって増幅して制御回路用半導体素子の制御
電極に印加してなる連続式直列制御閉回路型定電圧電源
回路において、前記制御回路用半導体素子を第1の電界
効果l・ランノスタで構成するとともに、前記誤差増幅
器をトランジスタとこのトランジスタのコレクタにケ゛
−1・が接続されかつドレインが第1の電界効果トラン
ジスタのダートに接続された第2の電界効果トランジス
タで構成したことを特徴とする定電圧電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17632383A JPS6069719A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 定電圧電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17632383A JPS6069719A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 定電圧電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6069719A true JPS6069719A (ja) | 1985-04-20 |
Family
ID=16011571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17632383A Pending JPS6069719A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 定電圧電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6069719A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180965A (en) * | 1990-10-25 | 1993-01-19 | Nec Corporation | Direct-current power source circuit with back gate control circuit for power MOS-FET |
| JP2006260412A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電源回路及び電源装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS548861A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Constant voltage circuit |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17632383A patent/JPS6069719A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS548861A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Constant voltage circuit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180965A (en) * | 1990-10-25 | 1993-01-19 | Nec Corporation | Direct-current power source circuit with back gate control circuit for power MOS-FET |
| JP2006260412A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電源回路及び電源装置 |
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