JPS6070536A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光ビームを用いて情報が記録される光情報記録
媒体に関し、特に光ビームを吸収し孔形成あるいは光学
的性質変化を起こす情報記録薄膜に関するものである、 従来より、光情報記録薄膜に光ビームを照射し、該光ビ
ームの光エネルギーあるいは熱エネルギーによって前記
光情報記録膜に孔おるいは凹凸Ｃピット）を形成；、あ
るいは透過率、屈折率等の光学的性質を変化させること
により情報を記録１５、次に微弱な光ビームを、情報が
記録された前記光情報記録薄膜に照射し、上記ピットあ
るいは光学的性質変化部分からの光ビーム反射光の反射
光量変化あるいは位相変化を読み取る高密度光情報記録
媒体が知られている。

前記光ビームは微小面積に高密度のエネルギーを集中さ
せる必要があわ　へ１１ウノ、−１１ドミウム（ＨｅＣ
ｄｌ、アルゴンＣＡｒ）、ヘリウムネオン（ＨｅＮｅ）
等のガスレーザー光あるいはガリウムアルミ≦ウムヒ素
（ＧａＡｌＡｓ）半導体レーザー光が使用される。

前記光情報記録薄膜は、小さい光ビームエネルギーで情
報が記録されねばならず、テルルＩＴｅ）。

ビスマス（Ｂｉ）、ヒ素（Ａ８）、セレン（Ｓｅ）等の
低融点金属およびその化合物１色素あるいは顔料を含む
有機高分子物質、金属有機物複合物が用いられる。これ
ら光情報記録薄膜用部材の中で前記金属薄膜を配録薄膜
とする光情報記録媒体は長時間高温多湿の環境下に放置
されると該金属記録薄膜の酸化によって光ビームの吸収
量が減少し情報を記録するに必要な光ビームエネルギー
が増大する。あるいは既に情報が記録された金属薄膜光
記録媒体が高温多湿の環境下に放置されると該金属記録
薄膜からの反射光が減少し読み出された情報を示す信号
のコントラストが低下する。

本発明はか＼る欠点を解消するためになされたもので長
時間高温多湿の環境下に放置されても情報記録膜が酸化
することなく、したがって光ビニムによる情報記録再生
特性の経時変化が小さい金属薄膜を記録薄膜とする光情
報記録媒体を提供することにある。

本発明の特徴は、光ビームを用いて情報を記録再生する
光情報記録媒体において、該光情報記録媒体の記録薄膜
がアンチモン（ｓｂ）およびテルル（ｒｅ）を含む合金
薄膜であり、該薄膜中のｓｂ含有量が原子パーセントで
１０パーセント以上。

７０係以下、テルル含有量が原子パーセントで３゜パー
セント以上、　９０パーセント以下であることにある。

以下実施例に従って詳細に説明する。

光情報記録媒体に使用される基板は熱伝導度が小さく、
該基板表面が平滑でキズが少々いことが必要で、又例え
ば）１（′、ビームを基板を通（−７で記録薄膜に照射
する場合は該光ビームに対Ｉ〜で透過性でなければなら
ない。このような基板には記録再生レーザー光に対ｔ、
７透明な合成樹脂、例えばポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルポリスルホン々ど、
あるいはガラスが用いられる。

情報記録薄膜は前記基板上に接して設けることもできる
が、前記基板上に低熱伝導物質からなる熱遮断性薄膜、
前記基板上に存在するキズを除去する高分子塗膜又は光
ビーム反射性薄膜を介して設けることもできる。金属記
録薄膜は公知の技術、例えば真空蒸着、スパッタリング
。

イオンブレーティングによって前記基板上に被着させる
ことができる。

本実施例においては前記金属記録薄膜は真空蒸着法にて
基板上に被着させた、石英ガラス製了ンブルに所定の組
成の金属記録薄膜となるようｓｂとＴｅを秤量して入れ
、該アンプル内ヲＩＯ’〜１０　ＰａＫ排気し先端を封
じた。ｓｂおよびＴＯが封入されたアンプルを電気炉に
入れ、８００°０５時間加熱を行った後アンプルを急冷
し中から５ｂ−Ｔｅ合金を取り出した。Ｓｂ、ＴＯの他
に第三の金属例えばＢｉ、　Ａｓ、　Ｓｅ　を含む三元
合金を作製する場合もＳｂ、ＴＯおよび第三の金属を所
望の割合に秤量して石英アンプル内に真空封入し、上記
方法と同様にして三元合金を作製することができる。か
〈ｊて得られた合金を約１００メツシユに粉砕し真空蒸
着装置にセットされたポートに入れ、真空槽内を１０　
〜１０　Ｐａに排気し抵抗加熱法で合金を蒸発させ基板
上に合金薄膜を被着させた。基板は直径２０ｃｍ、厚さ
１ｍｍのポリメチルメタクレート樹脂を使用し、ボート
上３０ｃｍ　の位置に水平て保持し蒸着中は毎分１００
回転の速さで回転させた。

前記合金材料の組成および金属記録薄膜の組成はケイ光
Ｘ線分析装曾により定量した。

上述の方法にて作製され六金属記録薄膜光記録媒体の記
録再生試験は、記録再生用光ビームと１７で波長が３３
（ｌｈｍの半導体１／−ザーを使用ル−ザーバワーは前
記記録薄膜上で記録時５ｍＷ。

再生時０．５ｍＷで行った。記」信号はＩ　Ｍｌ（Ｚの
デジタル信号である。また、上述の方法にて作製された
金属記録薄膜記録光記録媒体の高温多湿環境下における
経時変化は、該光情報記録媒体を温度６０°Ｃ湿度９５
パーセントの環境に５０時間放置りまた前後の金属記録
薄膜の反射率変化およびｌ　ＭＢ２の再生信号のＣＮ比
（キャリア信号とノイズの比）を測定することにより評
価（１，た。

表１は本実施例による光情報記録媒体の金属記録薄膜の
組成と該光情報記録媒体を高温多湿環境下に放置ｌ、た
前後の金属記録薄膜の反射率変化、およびｌ　ＭＢ２の
再生信号のＣＮ比変化を示す。

表　１ 表ｉにおいて、Ｒ１及びＲ２は光情報記録媒体を高温多
湿環境下に放置する前及び放置した後の金属記録薄膜の
反射率をそれぞれ示し、Ｉｃ／Ｎ）１及びＩｃ／Ｎ１２
は光情報記録媒体に信号を記録［７た後、該光情報記録
媒体を高温多湿環境下に放置する前及び放置［６た後の
再生信号のＣＮ比をそれぞれ示す。

ここで、金属薄膜記録膜中のｓｂの含有量が原子パーセ
ントを１０バーセント以上、７０パーセント以下とｉ、
たのは、Ｓｂが１０バーセント以下の時は前記金属薄膜
が高温多湿環境下において酸化しやすく、光情報記録媒
体記録再生特性の経時変化が大きくなり、７０チ以上の
時は光情報記録媒体に光ビームを用いて情報を記録する
に要する光ビームエネルギーが大きくなるという理由で
ある。又、金属薄膜記録膜中のＴｅ含有量が原子パーセ
ントで３０パ一セント以上、９０）く−セント以下とす
る理由は、Ｔｅが３０パーセント以下では光情報記録媒
体に光ビームを用いて情報を記録するに要する光ビーム
エネルギーが大きくなり、９０パ一セント以上の時は金
属薄膜が高温多湿環境下において酸化しやすく光情報記
録媒体記録再生特性の経時変化が大きくなるからである
。

以上説明ｉたように本発明による光情報記録媒体は高温
多湿環境下においても該光記録媒体の金属薄膜記録膜の
酸化が極小で、該光記録媒体の記録再生特性の経時変化
が小さく環境安定性に優れた元情報記録媒体である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板と該基板上に形成された薄膜を有し、該薄膜へ光ビ
   ームを照射１．７情報を記録する光情報Ｆｌ）媒体にお
   いて、Ｆ記薄膜がアンチモンオヨびテルルを含む合金薄
   膜であり、該薄膜中のアンチモン含有量が原子ノく−セ
   ントで１０ノく−セント以上、７０チ以下、テルル含有
   量が原子ノく−セントチ３０パーセフト以上、９０ノく
   一セント以下であることを特徴とする光情報記録媒体。