JPS607163A - ボンデイングワイヤの製造方法 - Google Patents
ボンデイングワイヤの製造方法Info
- Publication number
- JPS607163A JPS607163A JP58114974A JP11497483A JPS607163A JP S607163 A JPS607163 A JP S607163A JP 58114974 A JP58114974 A JP 58114974A JP 11497483 A JP11497483 A JP 11497483A JP S607163 A JPS607163 A JP S607163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- strength
- bonding
- temperature
- elongation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、半導体装置、集積回路（ＩＣ）等の（以下、
ＩＣ等と称すん気的接続に用いられるポンディングワイ
ヤの製造方法に関するものである。
ＩＣ等と称すん気的接続に用いられるポンディングワイ
ヤの製造方法に関するものである。
（背景技術）
従来、例えばＩＣチップとパッケージを電気接続するに
は、第１図に示すように、ＩＣＩの電極２とパッケージ
３の導電回路４の間をポンディングワイヤ５によシ接続
していた。
は、第１図に示すように、ＩＣＩの電極２とパッケージ
３の導電回路４の間をポンディングワイヤ５によシ接続
していた。
このボンディングワイヤには極細の金属線が用いられる
。従来Ｊ線としては線径２５μ 近傍のものにはＡｌ−
１％８１合金線が使用されていたが、これは、広く使用
されているＡｕ線のようなボールポンドがされに＜＜、
超音波によるウェッジポンドによる接続が成されている
。ところが、超音波ウェッジポンドによる接続は、線材
に対して押圧する方法がとられ、ポンディング強度はこ
の押圧されて断面積が減少した接続部の線材の断面積に
より決まるため、強度のばらつきが大きくなったシ、最
低強度値が低くなるという欠点があった。
。従来Ｊ線としては線径２５μ 近傍のものにはＡｌ−
１％８１合金線が使用されていたが、これは、広く使用
されているＡｕ線のようなボールポンドがされに＜＜、
超音波によるウェッジポンドによる接続が成されている
。ところが、超音波ウェッジポンドによる接続は、線材
に対して押圧する方法がとられ、ポンディング強度はこ
の押圧されて断面積が減少した接続部の線材の断面積に
より決まるため、強度のばらつきが大きくなったシ、最
低強度値が低くなるという欠点があった。
（発明の開示）
本発明は、上述の欠点を解消するため成されタモので、
Ａｌ−８ｉ合金製ポンディングワイヤの超音波ウェッジ
ポンドによるボンディング強度のばらつきを無くし、最
低強度値を高くし得るポンディングワイヤの製造方法を
提供せんとするものである。
Ａｌ−８ｉ合金製ポンディングワイヤの超音波ウェッジ
ポンドによるボンディング強度のばらつきを無くし、最
低強度値を高くし得るポンディングワイヤの製造方法を
提供せんとするものである。
本発明は、Ｓｉ０．８〜１．５％を含有し、残部ｈｌと
合計でＯ，０１％以下の不純物とから成るポンディング
ワイヤを、製造工程の冷間加工工程中、２００〜４００
℃の温度での中間焼鈍を１回以」二施すことを特徴とす
るボンディングワイヤの製造方法である。
合計でＯ，０１％以下の不純物とから成るポンディング
ワイヤを、製造工程の冷間加工工程中、２００〜４００
℃の温度での中間焼鈍を１回以」二施すことを特徴とす
るボンディングワイヤの製造方法である。
本発明において、合金中の８１はボンディングワイヤの
強度を増加させると同時に、伸びを得るためであり、Ｓ
ｉ量を０８〜１．５％と規定したのは、０８チ未満では
強度、伸びの改善に効果なく、１．５％を越えると伸線
性が悪く、実用的でないためである。
強度を増加させると同時に、伸びを得るためであり、Ｓ
ｉ量を０８〜１．５％と規定したのは、０８チ未満では
強度、伸びの改善に効果なく、１．５％を越えると伸線
性が悪く、実用的でないためである。
又合金中の不純物を合計で００１係以下と規定したのは
、伸線性の劣化を防止するためである。
、伸線性の劣化を防止するためである。
又本発明において、冷間加工工程中、２００〜４００℃
の温度での中間焼鈍を施すのは、爾後の伸線加工におい
て加工硬化能を高めて強度を増加させると同時に、最終
伸線後の伸び特性を改善するためであり、２００℃未満
では伸線性が劣化し、強度、伸びの改善効率が無くなり
、又４００°Ｃを越えるとやはり伸線性が劣化し、強度
、伸びも低下する。
の温度での中間焼鈍を施すのは、爾後の伸線加工におい
て加工硬化能を高めて強度を増加させると同時に、最終
伸線後の伸び特性を改善するためであり、２００℃未満
では伸線性が劣化し、強度、伸びの改善効率が無くなり
、又４００°Ｃを越えるとやはり伸線性が劣化し、強度
、伸びも低下する。
本発明において、中間焼鈍は少なくとも熱間加工後１回
又は２回以上施される。
又は２回以上施される。
２００〜４００℃の中間焼鈍により、熱間加工時にマト
リックス中に析出した８１粒子の再配列と、一部固溶化
させることにより、加工硬化能の増大と伸び特性の改善
効果が得られる。
リックス中に析出した８１粒子の再配列と、一部固溶化
させることにより、加工硬化能の増大と伸び特性の改善
効果が得られる。
第２図、第３図はＡｌ−１％Ｓｉ 合金を減面率９９チ
の冷間加工後、棟々の温度で焼鈍した時の温度と、伸び
、引張強さの関係を示す図である。
の冷間加工後、棟々の温度で焼鈍した時の温度と、伸び
、引張強さの関係を示す図である。
図より、２００〜４００℃での焼鈍によシ、伸び特性の
回復と強度の改善が認められる。又２００℃未満では伸
びが低く、又４００℃を越えると伸びも強度も低下する
。
回復と強度の改善が認められる。又２００℃未満では伸
びが低く、又４００℃を越えると伸びも強度も低下する
。
又この中間焼鈍は、減面率８０％以上の冷間加工後に行
なえば、爾後の伸線性、加工硬化能、伸び特性の改善に
効果がある。
なえば、爾後の伸線性、加工硬化能、伸び特性の改善に
効果がある。
（実施例）
表１に示す組成のＡ１合金を純度９９．９９％のｈｌ地
金にＡｌ−１０％Ｓｉ合金を添加して溶製し、ビレット
に鋳造した後ホモ処理し、しかる後熱間押出しによりｌ
０ｍｍφの線材を作成した。
金にＡｌ−１０％Ｓｉ合金を添加して溶製し、ビレット
に鋳造した後ホモ処理し、しかる後熱間押出しによりｌ
０ｍｍφの線材を作成した。
この線材を皮剥、伸線により］ ｍｍ−とし、表１に示
す温度で中間焼鈍を施した後、０．２ ｍｍ−に伸線加
工した。０．２ｍｍφの線を前と同じ温度で中間焼鈍を
施した後、２５μφに伸線し、２５ ｔｔφにおいて１
０秒間歪み取り焼鈍を施してボンディングワイヤとした
。
す温度で中間焼鈍を施した後、０．２ ｍｍ−に伸線加
工した。０．２ｍｍφの線を前と同じ温度で中間焼鈍を
施した後、２５μφに伸線し、２５ ｔｔφにおいて１
０秒間歪み取り焼鈍を施してボンディングワイヤとした
。
得られた２５μφのボンディングワイヤについて引張強
さ、伸び、ボンディング強度を調査した結果は表１に示
す通りである。
さ、伸び、ボンディング強度を調査した結果は表１に示
す通りである。
ボンディング強度は、ボンディングワイヤを超音波ウェ
ッジワイヤボンダーにてＩＣチップとリードフレームの
間にボンディングして、線の中央において破壊試験゛を
して強度の最低値および平均値をめた。
ッジワイヤボンダーにてＩＣチップとリードフレームの
間にボンディングして、線の中央において破壊試験゛を
して強度の最低値および平均値をめた。
表 １
表Ｉよシ、本発明によるＡ Ｉ −Ａ ５はいずれも強
度、伸びが良好で、又ボンディング強度も高いことが分
る。
度、伸びが良好で、又ボンディング強度も高いことが分
る。
これに対し、中間焼鈍温度の高いＡ６、Ｓｉ量の低い厘
８はいずれかの特性が悪く、ボンディング強度も低く、
又中間焼鈍のない厘７は伸線性が悪い。
８はいずれかの特性が悪く、ボンディング強度も低く、
又中間焼鈍のない厘７は伸線性が悪い。
（発明の効果）
上述のように構成された本発明のボンディングワイヤの
製造方法は次のような効果がある。
製造方法は次のような効果がある。
合金中にＳｉ０．８〜１５％を含有するため、ボンディ
ングワイヤの強度を増加させると同時に伸びを得、不純
物を合計で０．０１％以下としたため、伸線性の劣化を
防止し、冷間加工工程中、２００〜４００℃の温度での
中間焼鈍を１回以上施すことによシ、熱間加工時にマト
リックス中に析出した８粒子の再配列と、一部固溶化さ
せることによシ、加工硬化能を高めて強度を増加させる
と同時に伸び特性を改善するので、ボンディングワイヤ
としての強度、伸び特性にすぐれ、超音波ウェッジポン
ドによるボンティング強度のばらつきが少なく、最低強
度値の高いボンディングワイヤを製造し得る。
ングワイヤの強度を増加させると同時に伸びを得、不純
物を合計で０．０１％以下としたため、伸線性の劣化を
防止し、冷間加工工程中、２００〜４００℃の温度での
中間焼鈍を１回以上施すことによシ、熱間加工時にマト
リックス中に析出した８粒子の再配列と、一部固溶化さ
せることによシ、加工硬化能を高めて強度を増加させる
と同時に伸び特性を改善するので、ボンディングワイヤ
としての強度、伸び特性にすぐれ、超音波ウェッジポン
ドによるボンティング強度のばらつきが少なく、最低強
度値の高いボンディングワイヤを製造し得る。
第１図はＩＣのボンディングの例を示す断面図である。
第２図、第３図はＡ４−１％Ｓ＋合金線を種々の温度で
焼鈍した時の温度と、伸び、引張強さの関係を示す図で
ある。 １・・・ＩＣ１２・・・電極、３・・・パッケージ、４
・・・導電回路、５・・・ボンディングワイヤ。 ７−
焼鈍した時の温度と、伸び、引張強さの関係を示す図で
ある。 １・・・ＩＣ１２・・・電極、３・・・パッケージ、４
・・・導電回路、５・・・ボンディングワイヤ。 ７−
Claims (1)
- ｆｌ） ＳｉＯ，８〜１．５％を含有し、残部ＡＩと合
計で０．０１％ 以下の不純物とから成るポンチ゛イン
グワイヤを、製造工程の冷間加工工程中、２００〜４０
０℃の温度での中間焼鈍を１回以上施すことを特徴とす
るボンディングワイヤの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114974A JPS607163A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ボンデイングワイヤの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114974A JPS607163A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ボンデイングワイヤの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607163A true JPS607163A (ja) | 1985-01-14 |
| JPH04386B2 JPH04386B2 (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14651231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58114974A Granted JPS607163A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ボンデイングワイヤの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607163A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100873758B1 (ko) * | 2001-02-19 | 2008-12-15 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 본딩 와이어 |
| JP2017039979A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | Ｋｍアルミニウム株式会社 | アルミニウム合金 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101149066B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2012-05-24 | 한국세라믹기술원 | 포름알데히드 분해용 수열합성 패널의 제조방법 및 그로부터 제조된 패널 |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58114974A patent/JPS607163A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100873758B1 (ko) * | 2001-02-19 | 2008-12-15 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 본딩 와이어 |
| JP2017039979A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | Ｋｍアルミニウム株式会社 | アルミニウム合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04386B2 (ja) | 1992-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0216580B2 (ja) | ||
| JP3126926B2 (ja) | 半導体素子用金合金細線および半導体装置 | |
| JPH01110741A (ja) | 複合ボンディングワイヤ | |
| JPS607163A (ja) | ボンデイングワイヤの製造方法 | |
| JPS60124959A (ja) | 半導体素子結線用線 | |
| JPS63235440A (ja) | 銅細線及びその製造方法 | |
| JP3657087B2 (ja) | ウエッジボンディング用金合金線 | |
| JP2512078B2 (ja) | 金属線とボンディングパッド間の電気的接続構造および該構造を得る方法 | |
| JPS6365036A (ja) | 銅細線とその製造方法 | |
| JP3329286B2 (ja) | 半導体装置のボンディング用金合金細線 | |
| JP3323185B2 (ja) | 半導体素子接続用金線 | |
| JPS63238232A (ja) | 銅細線とその製造法 | |
| JPS6364211A (ja) | 銅細線とその製造方法 | |
| JP3204335B2 (ja) | 半導体素子用Ｐｔ合金極細線 | |
| JPS63235442A (ja) | 銅細線及びその製造方法 | |
| JP2779683B2 (ja) | 半導体素子用ボンディングワイヤ | |
| JP3744131B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
| JP2721259B2 (ja) | ワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リードフレーム | |
| JP3522048B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
| JPH104114A (ja) | ボンディングワイヤ | |
| JPS62145756A (ja) | ボンデイング用銅線 | |
| JPH0717976B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6365034A (ja) | 銅細線とその製造方法 | |
| JPH10303239A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS62116743A (ja) | 半導体素子ボンデイング用Ｃｕ線 |