JPS6072282A - バ−スト光出力駆動方式 - Google Patents
バ−スト光出力駆動方式Info
- Publication number
- JPS6072282A JPS6072282A JP58179145A JP17914583A JPS6072282A JP S6072282 A JPS6072282 A JP S6072282A JP 58179145 A JP58179145 A JP 58179145A JP 17914583 A JP17914583 A JP 17914583A JP S6072282 A JPS6072282 A JP S6072282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- burst
- output
- reference signal
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、光ネットワークに於ける光出力安定化駆動方
式に係り、特に半導体発光素子のバースト光出力安定化
駆動方式に関する。
式に係り、特に半導体発光素子のバースト光出力安定化
駆動方式に関する。
〔従来技術とその問題点〕 。
オフィス事務効率の向上は、社会の生産性向上に重要で
ある。この様ｆ！、要請を担う、いわゆるオフィスオー
トメーションシステムではパーソナルコンビ・−夕等の
安価な端末装置が、データファイルサーバ等の比較的高
価なリースを分割若しくは分散利用するために安価なネ
ットワークシステムを実現すべく、バス型或いはスター
型ネットワークの開発報告がなされている。
ある。この様ｆ！、要請を担う、いわゆるオフィスオー
トメーションシステムではパーソナルコンビ・−夕等の
安価な端末装置が、データファイルサーバ等の比較的高
価なリースを分割若しくは分散利用するために安価なネ
ットワークシステムを実現すべく、バス型或いはスター
型ネットワークの開発報告がなされている。
この様なネットワーク上で扱う信号は１２例えば１０１
ｖｌＪ４ｚ以上の高速データが一定期間のみ伝送される
いわゆるバースト信号とするのが普通である。
ｖｌＪ４ｚ以上の高速データが一定期間のみ伝送される
いわゆるバースト信号とするのが普通である。
更にバースト信号期間外では、他局間同士の信号のやり
とりの障害とならぬ様に半導体発光素子はその光出力の
発光を全て停止することが必要である。即ち半導体レー
ザでは、そのバイアス発光さえも出力せぬことが必要と
なる。しかしながらバイアス発光は半導体レーザに於い
ては篩速動作を行う上で欠くことの出来ぬものであり、
通常これらの相反する要求に対し、バースト信号を発す
る僅かな期間前に例えば送信要求信号なる信号を受信し
、バイアス発光をさせ、ひき続き人力するバースト信号
を待機する方法をとる。史に光出力の安定化は半導体レ
ーザの出力を検出し、参照信号との大小比較によりレー
ザのバイアスを制御する方式が用いられていた。
とりの障害とならぬ様に半導体発光素子はその光出力の
発光を全て停止することが必要である。即ち半導体レー
ザでは、そのバイアス発光さえも出力せぬことが必要と
なる。しかしながらバイアス発光は半導体レーザに於い
ては篩速動作を行う上で欠くことの出来ぬものであり、
通常これらの相反する要求に対し、バースト信号を発す
る僅かな期間前に例えば送信要求信号なる信号を受信し
、バイアス発光をさせ、ひき続き人力するバースト信号
を待機する方法をとる。史に光出力の安定化は半導体レ
ーザの出力を検出し、参照信号との大小比較によりレー
ザのバイアスを制御する方式が用いられていた。
第１図は上記機能のブロック図を示すもので、入力とし
てはバースト入力（１）と送信要求信号（３）の両方を
もつ。第２図は第１図に於けるバイアス印加部を示すも
のである。第１図と同一機能を持つものは同一番号を記
しである。第３図（ロ）に示す送信要求信号がバースト
信号（イ）に先立って入力する。
てはバースト入力（１）と送信要求信号（３）の両方を
もつ。第２図は第１図に於けるバイアス印加部を示すも
のである。第１図と同一機能を持つものは同一番号を記
しである。第３図（ロ）に示す送信要求信号がバースト
信号（イ）に先立って入力する。
比較器（８）は検出光出力が参照信号７より犬なる時は
Ｈｉｇｈ、そうでない時はＬｏｗを出力する。従って送
信要求信号入力時には比較器出力はＬｏｗを示し、論理
ゲート０りのロジック動作によりトランジスタＨが動作
し、コンデンサαυをチャージする。半導体レーザ（５
）はコンデンサの電位がバイアス用トランジスタ（１謙
によりＶ／Ｉ変換を受け、電流が印加される。比較器か
らの出力がＨ，ｉｇｈとならぬ限秒、即ち光出力が参照
信号より犬となるまでトランジスタ（１０）は動作を続
け、コンデンサαυの電位は線形的に増大する。光出力
も増大し参照信号レベルを越えると比較器（８）の出力
は反転してＨｉｇｈとなり、トランジスタ（９）が動作
を始め、コンデンサαυはチャージされなくなり、結果
として半導体レーザ（６）は規定レベルにセットされる
ことになる。理想系としてはこのレベルは確実ににＬ定
レベルにセットされるのであるが％用実には、各構成回
路には動作に対して時間遅れを含んズいる。即ち、負帰
還ループとして見た場合、ループ遅延を有するが上に、
比較器（８）に於いて検出出力と参照信号出力が同じに
なってから、ループ遅延を経た後にバイアス上昇が停止
する。従って第３図０９に示すごとくあるセントレベル
に対し、オーバシュートラ含んだ形で光出力が制御され
る。このことは半導体レーザ（６）Ｑて於いて特に著し
い。即ち通常のセットレベルとは半導体レーザ（６）の
しきい値のことであるが、第４図に示すごとく半導体レ
ーザ（６）のしきい値近傍では、僅かの入力電流増大に
対し光出力が大きく変化する。従ってチャージ用コンデ
ンサＵυの電位上昇は線形であっても、光出力は線形で
ｌく、シきい値近傍での光出力変化が激しく、僅かなル
ープ遅延でもその光出力のオーバシコートハ犬となる。
Ｈｉｇｈ、そうでない時はＬｏｗを出力する。従って送
信要求信号入力時には比較器出力はＬｏｗを示し、論理
ゲート０りのロジック動作によりトランジスタＨが動作
し、コンデンサαυをチャージする。半導体レーザ（５
）はコンデンサの電位がバイアス用トランジスタ（１謙
によりＶ／Ｉ変換を受け、電流が印加される。比較器か
らの出力がＨ，ｉｇｈとならぬ限秒、即ち光出力が参照
信号より犬となるまでトランジスタ（１０）は動作を続
け、コンデンサαυの電位は線形的に増大する。光出力
も増大し参照信号レベルを越えると比較器（８）の出力
は反転してＨｉｇｈとなり、トランジスタ（９）が動作
を始め、コンデンサαυはチャージされなくなり、結果
として半導体レーザ（６）は規定レベルにセットされる
ことになる。理想系としてはこのレベルは確実ににＬ定
レベルにセットされるのであるが％用実には、各構成回
路には動作に対して時間遅れを含んズいる。即ち、負帰
還ループとして見た場合、ループ遅延を有するが上に、
比較器（８）に於いて検出出力と参照信号出力が同じに
なってから、ループ遅延を経た後にバイアス上昇が停止
する。従って第３図０９に示すごとくあるセントレベル
に対し、オーバシュートラ含んだ形で光出力が制御され
る。このことは半導体レーザ（６）Ｑて於いて特に著し
い。即ち通常のセットレベルとは半導体レーザ（６）の
しきい値のことであるが、第４図に示すごとく半導体レ
ーザ（６）のしきい値近傍では、僅かの入力電流増大に
対し光出力が大きく変化する。従ってチャージ用コンデ
ンサＵυの電位上昇は線形であっても、光出力は線形で
ｌく、シきい値近傍での光出力変化が激しく、僅かなル
ープ遅延でもその光出力のオーバシコートハ犬となる。
この欠点に対し、バイアス電流上昇速度を遅くする、例
えばチャージコンデンサ１１の容量を大きくしたり、チ
ャージ電流値を小さくする手段が考えられるが、この場
合はセットレベル捷で上昇させるのに時間を要すること
にもなるので、この期間中はネットワークとしては無効
時間であるということを考えると、必要以上に大きくす
ることは出来ない。
えばチャージコンデンサ１１の容量を大きくしたり、チ
ャージ電流値を小さくする手段が考えられるが、この場
合はセットレベル捷で上昇させるのに時間を要すること
にもなるので、この期間中はネットワークとしては無効
時間であるということを考えると、必要以上に大きくす
ることは出来ない。
尚、第２図に示すバイアス印加部では、バイアス電流を
増大させる機能しか持たないが、これは高々数ｍｓのバ
ースト信号期間内に於いては、外周囲の温度は変化せず
、自分自身の発熱による出力紙下現象のみが生ずること
からノくイアスは増加σせるのみで、減少制御を含む必
要がない為である。第３図に）はコンデンサ電位を示し
、光出力が低下し参照レベルより低くなるごとにトラン
ジスタ（１０）が動作しバイアスを上昇させていること
が鹿角イされる。
増大させる機能しか持たないが、これは高々数ｍｓのバ
ースト信号期間内に於いては、外周囲の温度は変化せず
、自分自身の発熱による出力紙下現象のみが生ずること
からノくイアスは増加σせるのみで、減少制御を含む必
要がない為である。第３図に）はコンデンサ電位を示し
、光出力が低下し参照レベルより低くなるごとにトラン
ジスタ（１０）が動作しバイアスを上昇させていること
が鹿角イされる。
本発明は上述の問題を考慮してなされたもので、ネット
ワークの効率を低下させることなく、シかも光出力のオ
ーバシュートの少ない半導体発光素子のバイス信号送信
に適合する帰還ループの安定化を図った光出力駆動方式
を提供することにある。
ワークの効率を低下させることなく、シかも光出力のオ
ーバシュートの少ない半導体発光素子のバイス信号送信
に適合する帰還ループの安定化を図った光出力駆動方式
を提供することにある。
半導体発光素子のバースト光出力の一部を半導体光検出
素子で光検出し、この光検出信号によりバースト光出力
を安定化制御するバースト光出力安定化駆動方式に於い
て、光検出信号を第１若しくは第２の参照信号と比較し
、光検出信号が第１若しくは第２の参照信号に比し小な
る際は半導体発光素子のバイアス信号を増加させ、かつ
バイアス信号の増加速度を前記第１若しくは第２の参照
信号と前記光検出信号との差に応じて決定するようにし
たバースト光出力駆動方式を得るようにしたものである
。
素子で光検出し、この光検出信号によりバースト光出力
を安定化制御するバースト光出力安定化駆動方式に於い
て、光検出信号を第１若しくは第２の参照信号と比較し
、光検出信号が第１若しくは第２の参照信号に比し小な
る際は半導体発光素子のバイアス信号を増加させ、かつ
バイアス信号の増加速度を前記第１若しくは第２の参照
信号と前記光検出信号との差に応じて決定するようにし
たバースト光出力駆動方式を得るようにしたものである
。
本発明により、セットレベル近傍でのみ、バイアス上昇
速度を緩やかにする為、バイアスをセントレベルにする
に必要な時間はそれ程変化せずにしかもオーバシュート
を激減することが可能である。
速度を緩やかにする為、バイアスをセントレベルにする
に必要な時間はそれ程変化せずにしかもオーバシュート
を激減することが可能である。
第５図、第６図を用いて、発明の実施例を示す。
発明のポイントは半導体レーザ（５）の検出出力と、参
照信号との差分信号をとる例えば差分回路測用いて、コ
ンデンサ（ｌυをチャージする電流源（１階の電流値を
制御するのである。差分回路０４）以外の回路部は従来
例と同じである。従ってバースト安定化回路としては２
重のループ機構を持っている。第６図に）はコンデンサ
の電位を示したものだが、光出力が小なる場合、ＢｉＪ
ち参照信号との差分が犬なる場合は省、流源（１りの電
流値が大きく従ってそのチャージスピードは早く急激に
電位は上昇するが、光出力がセットレベルに近づくとそ
のスピードはゆるやかとなる。従って光出力の上昇は、
従来例のようにセットレベル近くで急激に大きくはなら
ず、最初からほぼ一様に上昇させることも可能となった
。セットレベル近傍ではその）くイアス上昇はもっとも
にぷい為、ループに少々の遅延があったとしてもそ庇に
よる出力オー・くシーートはほとんど観測されなくな−
・だ。
照信号との差分信号をとる例えば差分回路測用いて、コ
ンデンサ（ｌυをチャージする電流源（１階の電流値を
制御するのである。差分回路０４）以外の回路部は従来
例と同じである。従ってバースト安定化回路としては２
重のループ機構を持っている。第６図に）はコンデンサ
の電位を示したものだが、光出力が小なる場合、ＢｉＪ
ち参照信号との差分が犬なる場合は省、流源（１りの電
流値が大きく従ってそのチャージスピードは早く急激に
電位は上昇するが、光出力がセットレベルに近づくとそ
のスピードはゆるやかとなる。従って光出力の上昇は、
従来例のようにセットレベル近くで急激に大きくはなら
ず、最初からほぼ一様に上昇させることも可能となった
。セットレベル近傍ではその）くイアス上昇はもっとも
にぷい為、ループに少々の遅延があったとしてもそ庇に
よる出力オー・くシーートはほとんど観測されなくな−
・だ。
その他の例として、コンデンサ（ｌυの容量やあるいは
トランジスタ（１３１のエミッタ抵抗値、又は同じくト
ランジスタ（１９のエミッタ抵抗に接続される電源を、
差分信号を用いて制御することも考えられる。黴は本発
明の主旨を逸脱せぬ範凹で種々変形しても良いことは明
らかである。
トランジスタ（１３１のエミッタ抵抗値、又は同じくト
ランジスタ（１９のエミッタ抵抗に接続される電源を、
差分信号を用いて制御することも考えられる。黴は本発
明の主旨を逸脱せぬ範凹で種々変形しても良いことは明
らかである。
第１図は従来例を示す図、第２図及び第３図は従来例の
バイアス印加ＮＳ詳細図と、光出力特性図、図は本発明
実施例と光出力特性図である。 １・・・バーストデータ入力端子、２・・］くルス駆動
部、３・・・送信要求入力端子、４・・ノ（イアス印加
部、５・・・半導体発光素子、６・・・半導体検出素子
、７・・・参照信号入力端子、８・・・比較器、９．１
０・・トランジスタ、１２・・論理ゲート、１１・・・
コンデンサ、１３・・・制御電流源、１４ ・差分回路
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） ＠１図 第２図 第３図 第 ４ 図 ／′＄ｉ、胤
バイアス印加ＮＳ詳細図と、光出力特性図、図は本発明
実施例と光出力特性図である。 １・・・バーストデータ入力端子、２・・］くルス駆動
部、３・・・送信要求入力端子、４・・ノ（イアス印加
部、５・・・半導体発光素子、６・・・半導体検出素子
、７・・・参照信号入力端子、８・・・比較器、９．１
０・・トランジスタ、１２・・論理ゲート、１１・・・
コンデンサ、１３・・・制御電流源、１４ ・差分回路
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） ＠１図 第２図 第３図 第 ４ 図 ／′＄ｉ、胤
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体発光素子のバースト光出力の一部を半導体
光検出素子で光検出し、該光検出信号により前記バース
ト光出力を安定化制御するノく一スト光出力駆動方式に
於いて、前記光検出信号を第１若しくは第２の参照信号
と比較し、前記光検出信号が第１若しくは第２の参照信
号に比し小なる際に前記半導体発光素子のバイアス信号
を増加させ、かつ前記第１若しくは第２の参照信号と前
記光検出信号との差に応じて前記バイアス信号の増加速
度を決定するようにしたことを特徴とするノく一スト光
出力１駆動方式。 （２）バイアス信号の増加速度は、前記第１若しくは第
２の参照信号と前記光検出信号との差が犬なる際は大き
く、前記第１若しくは第２の参照信号（３）第１の参照
信号は、前記半導体発光素子のしきい値に対応している
ことを特徴とする特許請求式。 （４）第２の参照信号は、前記バースト光出力させる為
の前記半導体発光素子に入力するバースト信号に対応し
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバ
ースト光出力ＷＷ作駆動方式。 （５）半導体発光素子は、前記バースト光出力させる為
の前記半導体発光素子へのバースト信号入力の際、該バ
ースト信号入力に先立ち前記バイアス信号が入力される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバースト
光出力％ ＆ （＆駆動方式。 （６）バースト光出力させる為の前記半導体発光素子へ
のバースト信号入力の際、前記参照信号は第１の参照信
号から第２の参照信号となることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のバースト光出力Ｗ諺が駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179145A JPS6072282A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | バ−スト光出力駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179145A JPS6072282A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | バ−スト光出力駆動方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6072282A true JPS6072282A (ja) | 1985-04-24 |
| JPH0587996B2 JPH0587996B2 (ja) | 1993-12-20 |
Family
ID=16060754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58179145A Granted JPS6072282A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | バ−スト光出力駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6072282A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146013A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 光電スイツチ |
-
1983
- 1983-09-29 JP JP58179145A patent/JPS6072282A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146013A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 光電スイツチ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587996B2 (ja) | 1993-12-20 |
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