JPS60736A - Ｐ型ＳｉＣの電極形成方法 - Google Patents
Ｐ型ＳｉＣの電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60736A JPS60736A JP58108583A JP10858383A JPS60736A JP S60736 A JPS60736 A JP S60736A JP 58108583 A JP58108583 A JP 58108583A JP 10858383 A JP10858383 A JP 10858383A JP S60736 A JPS60736 A JP S60736A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- electrode
- temperature
- alloy layer
- type sic
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ） 産業上の利用分野
本発明はＰ型８１０の電極形成方法Ｃ二関する。
（ロ）従来技術
Ｐ型ＳｉＯの電極形成方法としては、第１図（二示す如
くＰ型Ｂ ｉ ０（１）上（＝ＡＩ！（アルミニウム）
と８１（シリコン）との組成比が約８９：１１となる合
金層（２）を形成し、その後９００℃〜１０００℃の高
温真空中で５〜１０分間熱処理を施して形成する方法が
既に提案されている。
くＰ型Ｂ ｉ ０（１）上（＝ＡＩ！（アルミニウム）
と８１（シリコン）との組成比が約８９：１１となる合
金層（２）を形成し、その後９００℃〜１０００℃の高
温真空中で５〜１０分間熱処理を施して形成する方法が
既に提案されている。
然るに斯る方法（二より得られた電極の電流電圧特性は
第２図に示す如く良好なものとなるが、その形状は第６
図に示す如（変形してしまう。これは上記組成比のＡＪ
−８１合金顔（２）の共融温度が５７７℃と上記熱処理
温度に比して小さいため、上記熱処理時に上記合金層（
２）が溶融し、これに伴なってＡＩ！が蒸発してしまう
ためである。
第２図に示す如く良好なものとなるが、その形状は第６
図に示す如（変形してしまう。これは上記組成比のＡＪ
−８１合金顔（２）の共融温度が５７７℃と上記熱処理
温度に比して小さいため、上記熱処理時に上記合金層（
２）が溶融し、これに伴なってＡＩ！が蒸発してしまう
ためである。
（ハ）発明の目的
本発明は斯る点Ｃ二鑑みてなされたもので、オーミック
特性が良好でかつ熱処理時（二形状が変形しないような
Ｐ型８１０の電極の形成方法を提供せんとするものであ
る。
特性が良好でかつ熱処理時（二形状が変形しないような
Ｐ型８１０の電極の形成方法を提供せんとするものであ
る。
に）発明の構成
本発明の特徴はＰ型８１０上にＡＪ−８１重金属を形成
した後熱処理を施して電極を形成するに際して上記合金
層の共融温度が上記熱処理時の温度より人となるよう（
二上記合金層を構成していることＣ；ある。
した後熱処理を施して電極を形成するに際して上記合金
層の共融温度が上記熱処理時の温度より人となるよう（
二上記合金層を構成していることＣ；ある。
ネ）実施例
本発明の一実施例としては第１図に示した合金！１（２
）をＡｌと８１との構成比（重量比）が６５＝３５とな
るようにしたものがある。尚、斯る合金層（２）の共融
温度は約−９００℃である。
）をＡｌと８１との構成比（重量比）が６５＝３５とな
るようにしたものがある。尚、斯る合金層（２）の共融
温度は約−９００℃である。
第４図は本実施例構成において、その熱処理を変化させ
た際の夫々の電流電圧特性を示す。具体的には同図中（
Ｉｌは上記熱処理を’ｌＸ １Ｑ−６Ｔｏｒｒ以下の真
空中で８５０℃、１０分間行７よったものの結果を示し
、（損はｌＸＩＤ’−６Ｔｏｒｒ以下の真空中で９００
℃、１０分間行〕よったものの結果を示す。
た際の夫々の電流電圧特性を示す。具体的には同図中（
Ｉｌは上記熱処理を’ｌＸ １Ｑ−６Ｔｏｒｒ以下の真
空中で８５０℃、１０分間行７よったものの結果を示し
、（損はｌＸＩＤ’−６Ｔｏｒｒ以下の真空中で９００
℃、１０分間行〕よったものの結果を示す。
斯る結果より明らかな如く、上記ｔＵ＋の熱処理条件で
形成された電極の方がオーミック特性が良好となってい
る。斯るオーミック特性は熱処理時の温度と時間との積
で与えられるものであり、斯る積の値が大である程オー
ミック特性が良好となることが確認されている。従って
上記＋１１の条件においても熱処理時間を長くすること
によりオーミック特性は改善され、上記ｔＵｔの条件に
おいても熱処理時間を長くすること（二より一層オーミ
ック特性が良好となる。
形成された電極の方がオーミック特性が良好となってい
る。斯るオーミック特性は熱処理時の温度と時間との積
で与えられるものであり、斯る積の値が大である程オー
ミック特性が良好となることが確認されている。従って
上記＋１１の条件においても熱処理時間を長くすること
によりオーミック特性は改善され、上記ｔＵｔの条件に
おいても熱処理時間を長くすること（二より一層オーミ
ック特性が良好となる。
また、上記山（ＩＩＩの条件で熱処理された電極の形状
は熱処理前と変わらなかった。これは上記熱処理温度が
合金＠（２）の共融温度（１比して低く、従来技術の項
で既述したような現象が生じないためである。
は熱処理前と変わらなかった。これは上記熱処理温度が
合金＠（２）の共融温度（１比して低く、従来技術の項
で既述したような現象が生じないためである。
本発明の第２の実施例とし℃は第１図口承した合金層（
２）をＡＩ！と８１との構成比が４５：５５となるよう
Ｃ二構成し、Ｉ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下の真空中で
１０００℃、１０分間熟処理する。
２）をＡＩ！と８１との構成比が４５：５５となるよう
Ｃ二構成し、Ｉ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下の真空中で
１０００℃、１０分間熟処理する。
第５図は斯る処理により得られた電極の電流−電圧特性
を示し、これより斯る電極のオーミック特性が非常（＝
優れていることがわかる。またこのとき斯る電極の形状
は熱処理前と熱処理後とで変化しなかった。これは上記
合金層（２）の共融温度が約１１６０℃であるためであ
る。
を示し、これより斯る電極のオーミック特性が非常（＝
優れていることがわかる。またこのとき斯る電極の形状
は熱処理前と熱処理後とで変化しなかった。これは上記
合金層（２）の共融温度が約１１６０℃であるためであ
る。
このよう（二本実施例Ｃ二より得られた電極はオーミ７
り特性が良好であり、かつその形状は加熱時（：変形す
ることはない。
り特性が良好であり、かつその形状は加熱時（：変形す
ることはない。
尚、既述した如く、オーミンク特性の良否は熱処理温度
と処理時間とへ−より決疋されるものであり、また熱処
理温度は合蚊層（２）の共融温度礪こより限定されるも
のであり、更（二半尋体製造σ）プロセスじおいて斯る
電極形成における熱処理時間は実用的１″−）ま長（と
も１０分程度が好まじすへ〇従って斯る点７総合すると
、上記合金層（２）甲σ）Ａ１３０）糸且成比は６５チ
以下が好ましく、斯る条件下ではπ〜処理条件が９００
℃以上、１０分間以下で良好なオーミック特性を有し、
かつ形崩ＪｔのなＶ）′？ａ極力′）形成できる。
と処理時間とへ−より決疋されるものであり、また熱処
理温度は合蚊層（２）の共融温度礪こより限定されるも
のであり、更（二半尋体製造σ）プロセスじおいて斯る
電極形成における熱処理時間は実用的１″−）ま長（と
も１０分程度が好まじすへ〇従って斯る点７総合すると
、上記合金層（２）甲σ）Ａ１３０）糸且成比は６５チ
以下が好ましく、斯る条件下ではπ〜処理条件が９００
℃以上、１０分間以下で良好なオーミック特性を有し、
かつ形崩ＪｔのなＶ）′？ａ極力′）形成できる。
またＡＪ−ｓｔ合金論のｈｐ組成比か６５％以下と少な
くなると合金層上へのワイヤボンディングが内錐（＝な
るため、上記組成を有した合金層７電極として用いる際
には斯る合金層上ｃＡ７３もしくはＡｌ−Ａｕ（金）合
金ｌｆｉを積層することカー好ましい。
くなると合金層上へのワイヤボンディングが内錐（＝な
るため、上記組成を有した合金層７電極として用いる際
には斯る合金層上ｃＡ７３もしくはＡｌ−Ａｕ（金）合
金ｌｆｉを積層することカー好ましい。
（へ）発明の効果
本発明によｉｚばメーーミッグ特性が良好で力・つ熱処
理時に変形しないＰ型５ｉＯａｘ極を得ることができる
。
理時に変形しないＰ型５ｉＯａｘ極を得ることができる
。
第１図はＰ型８１０用の電極を説明するための断面図、
第２図、第４図、第５図は電流−電圧特性を示す特性図
、第３図は従来例を示す断面図である。 （１）・・・Ｐ型Ｅ３１Ｃ，（２）・・・ＡＩ！−Ｂｉ
合金層。 第１図 第３図
第２図、第４図、第５図は電流−電圧特性を示す特性図
、第３図は従来例を示す断面図である。 （１）・・・Ｐ型Ｅ３１Ｃ，（２）・・・ＡＩ！−Ｂｉ
合金層。 第１図 第３図
Claims (1)
- （１）Ｐ型８１０上（＝ＡＩ！−８１合金層を形成した
後熱処理を施して電極を形成するζ二際して、上記合金
層の共融温度が上記熱処理時の温度より大となるよう（
二上記合金層を構成していることを特徴とするＰ型Ｓｉ
Ｏの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108583A JPS60736A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Ｐ型ＳｉＣの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108583A JPS60736A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Ｐ型ＳｉＣの電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60736A true JPS60736A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0519808B2 JPH0519808B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=14488484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108583A Granted JPS60736A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Ｐ型ＳｉＣの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192525U (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841070A (ja) * | 1971-09-27 | 1973-06-16 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58108583A patent/JPS60736A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841070A (ja) * | 1971-09-27 | 1973-06-16 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192525U (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519808B2 (ja) | 1993-03-17 |
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