JPS607380B2 - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
- Publication number
- JPS607380B2 JPS607380B2 JP51134550A JP13455076A JPS607380B2 JP S607380 B2 JPS607380 B2 JP S607380B2 JP 51134550 A JP51134550 A JP 51134550A JP 13455076 A JP13455076 A JP 13455076A JP S607380 B2 JPS607380 B2 JP S607380B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- stage
- signal
- speed
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム露光装置の改良に関するものであ
る。
る。
電子ビームで露光すると小さいパターンを露光すること
が可能であるが反面露光時間が長くなる欠点がある。
が可能であるが反面露光時間が長くなる欠点がある。
このために種々の改良がなされており、この中の１つと
して、ステージを移動させながら露光する方法がある。
して、ステージを移動させながら露光する方法がある。
又他の方法としてスポット状の電子ビームではなく、矩
形のビームを用いて露光する方法がある。
形のビームを用いて露光する方法がある。
本発明者等は、露光スピードをできるだけ早くするため
に矩形の電子ビームを用いて、ステージを移動させなが
ら露光する露光装置を開発しているが、ステージを移動
させるために偏向信号を補正する必要がある。このため
にステージの移動量をレーザー干渉側長器で測定してパ
ルス信号でカウンタに入力し、カウンタの出力と偏向信
号を加算器で加算して補正することを先に提案した。
に矩形の電子ビームを用いて、ステージを移動させなが
ら露光する露光装置を開発しているが、ステージを移動
させるために偏向信号を補正する必要がある。このため
にステージの移動量をレーザー干渉側長器で測定してパ
ルス信号でカウンタに入力し、カウンタの出力と偏向信
号を加算器で加算して補正することを先に提案した。
ところが露光すべきパターンの密度が異なるために、一
定のスピードでステージを移動させて、移動した分だけ
偏向信号を補正しようとすると、パターンの密度が大き
い部分ではステージの移動スピードーこ対して露光スピ
ードが遅くなるのでステージの進行に大きく偏向しなけ
ればならないので露光したパターンの精度が悪くなって
しまう。
定のスピードでステージを移動させて、移動した分だけ
偏向信号を補正しようとすると、パターンの密度が大き
い部分ではステージの移動スピードーこ対して露光スピ
ードが遅くなるのでステージの進行に大きく偏向しなけ
ればならないので露光したパターンの精度が悪くなって
しまう。
又パターンの密度の小さい所では露光スピードがステー
ジの移動スピードがより早くなり、ステージの進行方向
と逆方向に大きく偏向する様になり、パターンの精度が
悪くなる。本発明はこの様な欠点を除去することを目的
とし、この様な目的は、被露光体を移動させながらスリ
ットにより所定の形状に整形した電子ビームにより該被
露光体を露光する様にした電子ビーム露光装置において
、該被露光体を一定のスピードで移動させるための基準
信号を平滑回路を通じた偏向信号で変調することにより
露光すべきパターン密度が高い部分はパターン密度の低
い部分より該披露光体の移動速度を遅くしたことを特徴
とする電子ビーム露光装置によって達成される。
ジの移動スピードがより早くなり、ステージの進行方向
と逆方向に大きく偏向する様になり、パターンの精度が
悪くなる。本発明はこの様な欠点を除去することを目的
とし、この様な目的は、被露光体を移動させながらスリ
ットにより所定の形状に整形した電子ビームにより該被
露光体を露光する様にした電子ビーム露光装置において
、該被露光体を一定のスピードで移動させるための基準
信号を平滑回路を通じた偏向信号で変調することにより
露光すべきパターン密度が高い部分はパターン密度の低
い部分より該披露光体の移動速度を遅くしたことを特徴
とする電子ビーム露光装置によって達成される。
以下本発明を実施例に基づいて説明する。第１図は本発
明の一実施例を示す図である。
明の一実施例を示す図である。
図中１は偏向器、２は被露光体例えばウェハー、３はス
テージ、４はパターン位置情報を記憶したメモリ、５，
８，１ １なＤＡコンバータ、６はしーザー干渉側長器
、７はカウンタ、９，１２，１５はアンプ、１川まステ
ージ３の基準移動スピードを指定する信号を記憶したメ
モリ、１３は差動アンプ、１４は直流サーボモータ、１
６は平滑コンデンサである。動作を説明すると、メモリ
ー１０からのステ−ジ３の移動スピードを指定する信号
をＤＡコンバータ１１によりアナログ信号に変換しアン
プ１２を介して差動アンプ１３の十端子に入力する。
テージ、４はパターン位置情報を記憶したメモリ、５，
８，１ １なＤＡコンバータ、６はしーザー干渉側長器
、７はカウンタ、９，１２，１５はアンプ、１川まステ
ージ３の基準移動スピードを指定する信号を記憶したメ
モリ、１３は差動アンプ、１４は直流サーボモータ、１
６は平滑コンデンサである。動作を説明すると、メモリ
ー１０からのステ−ジ３の移動スピードを指定する信号
をＤＡコンバータ１１によりアナログ信号に変換しアン
プ１２を介して差動アンプ１３の十端子に入力する。
差動アンプ１３からの出力にあり直流サーボモーター４
を回転させて、ステージ３を移動させる。一方メモリ４
からのパターン位置情報をＤＡコンバータ５によりアナ
ログ信号に変換しアンプ９増幅して偏向信号として偏向
器１に加え矩形の電子ビームを偏向する。ここでステー
ジ３が移動しているので補正する必要がある。
を回転させて、ステージ３を移動させる。一方メモリ４
からのパターン位置情報をＤＡコンバータ５によりアナ
ログ信号に変換しアンプ９増幅して偏向信号として偏向
器１に加え矩形の電子ビームを偏向する。ここでステー
ジ３が移動しているので補正する必要がある。
このためにレーザー干渉側長器を用いてステ−ジ３の移
動距離を側長する。
動距離を側長する。
すなわちレーザー干渉側長器６からは例えば、ステージ
３がレーザーの波長入の１／８づっ移動するたびに１パ
ルス出力する。
３がレーザーの波長入の１／８づっ移動するたびに１パ
ルス出力する。
側長器６からのパルスをカウンタによりカウントし、下
位の４ビットぐらいをＤＡコンバータ８に入力する。
位の４ビットぐらいをＤＡコンバータ８に入力する。
ＤＡコンバータ８からのアナログ信号はアンプ９に加え
られる。
られる。
アンプ９にはＤＡコンバータ５からの出力とＤＡコンバ
ータ８からの出力が一緒に加えられており、ここで補正
が行なわれる。
ータ８からの出力が一緒に加えられており、ここで補正
が行なわれる。
次にパターンの密度に応じたステージ３の移動スピード
の制御について述べる。
の制御について述べる。
アンプ９に加える信号を分岐してアンプ１５により増幅
して平滑コンデンサー６に加える。
して平滑コンデンサー６に加える。
平滑コンデンサの時定数は偏向スピ−ドの２０〜５ぴ音
程度としておき小さい密度変化は無視する。平滑コンデ
ンサ１６からの信号は差動アンプ１３の一端子に加えら
れる。ここで平滑コンデンサ１６からの出力の大きさは
露光スピードとステージ３の移動スピードの比によって
定まる。
程度としておき小さい密度変化は無視する。平滑コンデ
ンサ１６からの信号は差動アンプ１３の一端子に加えら
れる。ここで平滑コンデンサ１６からの出力の大きさは
露光スピードとステージ３の移動スピードの比によって
定まる。
すなわち、パターンの密度が高いと露光スピードが移動
スピードより遅くなる。
スピードより遅くなる。
この状態では、ＤＡコンバータからの出力が大きくなる
ので、偏向信号は正の大きな電圧となる。
ので、偏向信号は正の大きな電圧となる。
従って平滑コンデンサの出力は大きくなる。又、パター
ンの密度が低いと露光スピードが移動スピードより早く
なる。この状態ではＤＡコンバータの出力が小さくなり
、偏向信号は負の電圧となる。
ンの密度が低いと露光スピードが移動スピードより早く
なる。この状態ではＤＡコンバータの出力が小さくなり
、偏向信号は負の電圧となる。
このために平滑コンデンサー６からの信号を菱動アンプ
１３の一端子に入力し、アンプ１２からの信号を十端子
に入力して、移動スピードが早い場合には、アンプ１２
からの信号と平滑コンデンサからの信号の間で減算を行
なってモータ１４に加える電圧を低くし移動スピ−ドが
遅い場合には、アンプ１２からの信号と平滑コンデンサ
からの信号の間で加算を行なってモー外幼ロえる電圧を
高くする。
１３の一端子に入力し、アンプ１２からの信号を十端子
に入力して、移動スピードが早い場合には、アンプ１２
からの信号と平滑コンデンサからの信号の間で減算を行
なってモータ１４に加える電圧を低くし移動スピ−ドが
遅い場合には、アンプ１２からの信号と平滑コンデンサ
からの信号の間で加算を行なってモー外幼ロえる電圧を
高くする。
以上の様に本発明によれば、パターンの密度が高い場合
にはステージの移動速度を遅くし、パターンの密度が低
い場合には、ステージの移動速度を早くする様にしてい
るのでパターンの精度の向上を行なうことができる。
にはステージの移動速度を遅くし、パターンの密度が低
い場合には、ステージの移動速度を早くする様にしてい
るのでパターンの精度の向上を行なうことができる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
図中１は偏向器、２はウェハー、３はステージ、４，１
０はメモリ、５，８，１ １はＤＡコンバータ、６は
しーザー干渉側長器、７はカウン夕、９，１５，１２は
アン１３は差敷アンプ、１４は直流サーボモータである
。 家ノ図
０はメモリ、５，８，１ １はＤＡコンバータ、６は
しーザー干渉側長器、７はカウン夕、９，１５，１２は
アン１３は差敷アンプ、１４は直流サーボモータである
。 家ノ図
Claims (1)
- １ 被露光体を移動させながらスリツトにより所定の形
状に整形した電子ビームにより該被露光体を露光する様
にした電子ビーム露光装置において、該被露光体を一定
のスピードで移動させるための基準信号を平滑回路を通
した偏回信号で変調することにより、露光すべきパター
ン密度が高い部分はパターン密度の低い部分より該被露
光体の移動速度を遅くしたことを特徴とする電子ビーム
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51134550A JPS607380B2 (ja) | 1976-11-09 | 1976-11-09 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51134550A JPS607380B2 (ja) | 1976-11-09 | 1976-11-09 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5359374A JPS5359374A (en) | 1978-05-29 |
| JPS607380B2 true JPS607380B2 (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15130927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51134550A Expired JPS607380B2 (ja) | 1976-11-09 | 1976-11-09 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607380B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633832A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Fujitsu Ltd | Electron exposure device |
| JPS56144537A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Toshiba Corp | Patterning device using electron beam |
| JPS5746835U (ja) * | 1980-08-29 | 1982-03-16 | ||
| JPS5748230A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-19 | Jeol Ltd | Electron ray exposure |
| JP2669727B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1997-10-29 | 富士通株式会社 | 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法 |
-
1976
- 1976-11-09 JP JP51134550A patent/JPS607380B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5359374A (en) | 1978-05-29 |
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