JPS5820135B2 - フィ−ルド接合電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
フィ−ルド接合電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS5820135B2 JPS5820135B2 JP51034275A JP3427576A JPS5820135B2 JP S5820135 B2 JPS5820135 B2 JP S5820135B2 JP 51034275 A JP51034275 A JP 51034275A JP 3427576 A JP3427576 A JP 3427576A JP S5820135 B2 JPS5820135 B2 JP S5820135B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- field
- pattern
- beam exposure
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光装置、さらに詳しくは図形合成
などの手段によって大面積パターンを露光するに用いる
フィールド接合電子ビーム露光装置に関するものである
。
などの手段によって大面積パターンを露光するに用いる
フィールド接合電子ビーム露光装置に関するものである
。
一般に集積回路製造工程の中でフォトリングラフイーは
重要な技術であり現在まで急速な発展をとげてきたので
あるが光の波長約０．３μｍによって制約のあることか
ら１〜２μｍ以下のパターン製作が困難である。
重要な技術であり現在まで急速な発展をとげてきたので
あるが光の波長約０．３μｍによって制約のあることか
ら１〜２μｍ以下のパターン製作が困難である。
ところが電子ビームや軟Ｘ線を用いる露光法は波長が前
者において約０．０１ｎｍであり後者の波長が約０．４
〜１．４ ｎｍであることから光の回折現象による解像
の劣化が無視できるので集積回路の高密度化によって要
求される一１ｎｍ以下の加工において極めて有力な方法
として注目されるようになった。
者において約０．０１ｎｍであり後者の波長が約０．４
〜１．４ ｎｍであることから光の回折現象による解像
の劣化が無視できるので集積回路の高密度化によって要
求される一１ｎｍ以下の加工において極めて有力な方法
として注目されるようになった。
この電子ビームの露光方法は電子銃より飛び出した電子
をコンデンサ１／ノズによって集束した後に偏向コイル
によって偏向せしめ集束偏光された電子ビームをウェー
ハにあてて予めウェーハ上に塗布しであるレジストを露
光し現象してその上にレジストパターンを形成ししかる
のちにフォトエツチングを行なうものである。
をコンデンサ１／ノズによって集束した後に偏向コイル
によって偏向せしめ集束偏光された電子ビームをウェー
ハにあてて予めウェーハ上に塗布しであるレジストを露
光し現象してその上にレジストパターンを形成ししかる
のちにフォトエツチングを行なうものである。
しかしながら一般に電子ビーム露光装置においてはその
偏光領域によってきまる露光可能のフィールドに限界が
あるから１つのフィールドによって露光できない大形の
図形を露光するにあたってはこの図形をフィールドに分
解してフィールドを接合しながら露光を行なわなければ
ならない。
偏光領域によってきまる露光可能のフィールドに限界が
あるから１つのフィールドによって露光できない大形の
図形を露光するにあたってはこの図形をフィールドに分
解してフィールドを接合しながら露光を行なわなければ
ならない。
かぐのごときフィールド接合においては１つのフィール
ド内、すなわちウェーハのステージ移動なしに１回で露
光しうる偏向領域内ではパターン相互間の影響を比較対
照することによってデータ作成が行なわれるが１つのパ
ターンが隣接するフィールドまで拡張されるとプロキシ
ミテイ効果によって露光量の影響が図形相互間に存在し
てデータ処理上程々の難点がある。
ド内、すなわちウェーハのステージ移動なしに１回で露
光しうる偏向領域内ではパターン相互間の影響を比較対
照することによってデータ作成が行なわれるが１つのパ
ターンが隣接するフィールドまで拡張されるとプロキシ
ミテイ効果によって露光量の影響が図形相互間に存在し
てデータ処理上程々の難点がある。
本発明の目的はフィールド内で露光した隣接フィールド
にまたがるパターンを接合するにあたりプロキシミディ
効果を除去するようにしたフィールド接合電子ビーム露
光装置を提供することにある。
にまたがるパターンを接合するにあたりプロキシミディ
効果を除去するようにしたフィールド接合電子ビーム露
光装置を提供することにある。
この目的を達成するため、電子銃より発射された電子ビ
ームを集束偏向することにより所定のパターンを露光す
る電子ビーム露光装置において前記パターンの画かれた
図形を前記装置の偏向領域によりきまるフィールドに分
けて露光を行なうフィールド接合電子ビーム露光装置に
おいて、本発明においては１つのフィールドのパターン
を露光するにあたり該パターンが隣接フィールドにまた
がるか否かをデータ作成時に判断しまたがる場合にはそ
の前情報をデータ内に入れておき該データにより露光周
波数を変化させ露光量を調整することを特徴とするもの
である。
ームを集束偏向することにより所定のパターンを露光す
る電子ビーム露光装置において前記パターンの画かれた
図形を前記装置の偏向領域によりきまるフィールドに分
けて露光を行なうフィールド接合電子ビーム露光装置に
おいて、本発明においては１つのフィールドのパターン
を露光するにあたり該パターンが隣接フィールドにまた
がるか否かをデータ作成時に判断しまたがる場合にはそ
の前情報をデータ内に入れておき該データにより露光周
波数を変化させ露光量を調整することを特徴とするもの
である。
以下本発明にかかるフィールド接合電子ビーム露光装置
の実施例について図面により詳細に説明する。
の実施例について図面により詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるフィールド接合電子ビーム露光
装置であって、電子ビーム１は電子銃２によって発射さ
れビームブランキングコイル３をへて第１コンデンサレ
ンズ４、第２コンデンサレンズ５および第３コンデンサ
レンズ６によって集束されファイナルアパーチャアをへ
てウェーバ９にいたる。
装置であって、電子ビーム１は電子銃２によって発射さ
れビームブランキングコイル３をへて第１コンデンサレ
ンズ４、第２コンデンサレンズ５および第３コンデンサ
レンズ６によって集束されファイナルアパーチャアをへ
てウェーバ９にいたる。
ファイナルアパーチャの上部あるいは下部に偏向コイル
８がある。
８がある。
一方において入力テープの情報はコンピュータ２１に入
力されその出力はモータ駆動回路２２を介してパルスモ
ータ２３を駆動することによりウェーバ１１を移動され
るとともに他の出力は走査部２４に印加されその出力は
偏向増幅回路２５をへて偏向コイル８に偏向情報をあた
えるとともにブランキング回路２６をへてブランキング
コイル３に点滅情報をあたえるものである。
力されその出力はモータ駆動回路２２を介してパルスモ
ータ２３を駆動することによりウェーバ１１を移動され
るとともに他の出力は走査部２４に印加されその出力は
偏向増幅回路２５をへて偏向コイル８に偏向情報をあた
えるとともにブランキング回路２６をへてブランキング
コイル３に点滅情報をあたえるものである。
ここにおいて本発明は第２図に示すようにパターン図形
Ａ、Ｂ、Ｃ，・・・中敷フィールドＦ１．Ｆ２゜・・・
Ｆｎ、・・・にまたがるパターン図形Ｂのデータを作成
するにあたり図形Ｂに関連して両フィールドにまたがる
旨の情報を入れ該図形Ｂのフィールド境界付近の番地の
クロックパルスの周波数を変化させる。
Ａ、Ｂ、Ｃ，・・・中敷フィールドＦ１．Ｆ２゜・・・
Ｆｎ、・・・にまたがるパターン図形Ｂのデータを作成
するにあたり図形Ｂに関連して両フィールドにまたがる
旨の情報を入れ該図形Ｂのフィールド境界付近の番地の
クロックパルスの周波数を変化させる。
そうするとコンピュータ２１は偏向コイル８およびブラ
ンキングコイル３に印加させるクロックパルスの周波数
を変化させこれによって露光量を変化させる。
ンキングコイル３に印加させるクロックパルスの周波数
を変化させこれによって露光量を変化させる。
第３図はフィールド接合されたパターン図形Ｂの１つの
実施例であって、第３図においてＡは従来技術によって
得られた接合パターン、第３図のＢは本発明においてパ
ターン図形Ｂの境界付近の番地の露光周波数を低ぐして
露光量を調整しプロキシミテイ効果を除いた例である。
実施例であって、第３図においてＡは従来技術によって
得られた接合パターン、第３図のＢは本発明においてパ
ターン図形Ｂの境界付近の番地の露光周波数を低ぐして
露光量を調整しプロキシミテイ効果を除いた例である。
以上本発明にかかる装置について詳細に説明したが要す
るに本発明は両フィールドにまたがるパターン図形のデ
ータを作成するにあたり両フィールドにまたがる旨の情
報によりフィールド境界付近の番地のクロックパルスの
周波数を変化することにより露光量を調整してプロキシ
ミテイ効果を除去したものであり、本発明においてはラ
ンタ弘走査方式の駆動回路を１例にとって説明したが本
発明にかかる思想はこの実施例に限定されるものでない
ことは勿論である。
るに本発明は両フィールドにまたがるパターン図形のデ
ータを作成するにあたり両フィールドにまたがる旨の情
報によりフィールド境界付近の番地のクロックパルスの
周波数を変化することにより露光量を調整してプロキシ
ミテイ効果を除去したものであり、本発明においてはラ
ンタ弘走査方式の駆動回路を１例にとって説明したが本
発明にかかる思想はこの実施例に限定されるものでない
ことは勿論である。
第１図は本発明にかかるフィールド接合型電子露光装置
のブロックダイアグラム、第２図は本発明の装置におい
て露光すべきパターン図形、第３図は本発明の装置によ
る露光によって得られたパターン図形を従来の装置によ
って得られたものと比較して示した図である。 図において３がブランキングコイル、８が偏向コイル、
２０が入力テープ、２１がコンピュータ、２４が走査制
御部である。 ８９−
のブロックダイアグラム、第２図は本発明の装置におい
て露光すべきパターン図形、第３図は本発明の装置によ
る露光によって得られたパターン図形を従来の装置によ
って得られたものと比較して示した図である。 図において３がブランキングコイル、８が偏向コイル、
２０が入力テープ、２１がコンピュータ、２４が走査制
御部である。 ８９−
Claims (1)
- １ 電子銃より発射された電子ビームを集束偏向するこ
とにより所定のパターンを露光する電子ビーム露光装置
において前記パターンの画かれた図形を前記装置の偏向
領域によりきまるフィールドに分けて露光を行なうフィ
ールド接合電子ビーム露光装置［おいて、１つのフィー
ルドのパターンを露光するにあたり該パターンが隣接フ
ィールドにまたがるか否かをデータ作成時に判断しまた
がる場合にはその旨の情報をデータ内に入れておき該デ
ータにより露光周波数を変化させ露光量を調整すること
を特徴とするフィールド接合電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51034275A JPS5820135B2 (ja) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | フィ−ルド接合電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51034275A JPS5820135B2 (ja) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | フィ−ルド接合電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52119078A JPS52119078A (en) | 1977-10-06 |
| JPS5820135B2 true JPS5820135B2 (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=12409600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51034275A Expired JPS5820135B2 (ja) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | フィ−ルド接合電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820135B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10902537B2 (en) | 2016-11-23 | 2021-01-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of processing logistics information, logistics information processing server using the same, and logistics managing apparatus using the same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5580318A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-17 | Fujitsu Ltd | Electron-beam exposure |
| JPS57167626A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure equipment |
| JPS57161900U (ja) * | 1981-04-03 | 1982-10-12 | ||
| JP3340387B2 (ja) | 1998-05-29 | 2002-11-05 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
-
1976
- 1976-03-31 JP JP51034275A patent/JPS5820135B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10902537B2 (en) | 2016-11-23 | 2021-01-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of processing logistics information, logistics information processing server using the same, and logistics managing apparatus using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52119078A (en) | 1977-10-06 |
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