JPS6074190A - 不良ル−プ情報処理方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 くイ〉発明の技術分野 本発明は不良ループ情報処理方式に係り、特に複数の磁
気バブルメモリデバイスを備えている場合のそれらメモ
リデバイスへのデータの書込み又はそこからのデータの
読み出しの１際の不良ループの処理を改善した不良ルー
プ情報処理力式に関する。

（ロ）技術の背景 磁気バブルメモリ装置には、ノソヤーマイナーループ式
のもの等がある。この装置の磁気バフルデバイスを製造
したとき、そのループの中に不良ループが存在してしま
うことがある。その不良ループ数が許容限度内にあるな
らば、たとえ不良ループか存在したとしても、その磁気
バフルデバイスを良品として使用しうる対策が採られて
いる。

そして、磁気ハフルデバイスが複数になった場合にもそ
の数が多くなったことに列する充分ｙ、（配＋、Ｑをす
ることなく、同様の対策を採用している。

そのため、不良ループの処理も個別的となり、それに要
するバー１−ウェアが増大する等、なお改善すべき余地
が残され−（いるのか実情（ある。

（ハ）従来技術と問題点 複数の磁気バブルメモリデバイスを有する従来の磁気バ
ブルメモリ装置にお１．する不良ループの処理に用いら
れる不良ループ情報は第１図に示すように、各デバイス
毎に設けられるデータコレクタフォーマツクａ１＋　ａ
２．＝’ａＮの不良ループバッファｂ１．ｂ２．　・・
・ｂＮに対応する一デバイス分だＬＪ格納されていた。

従って、不良ループの処理を各データコレクタフォーマ
ツクで行なわな＋−１ればならないので、ハードウェア
の増大を招来している。

くユ）発明の目的 本発明は−に述したような従来方式の有する欠点に鑑み
て創案されたもので、その目的は複数の磁気バブルデバ
イスの不良ループの処理態様の改善手段を提供し、ハー
ドウェアの削減に寄与し得る不良ループ情報処理方式を
提供することにある。

（ホ）発明の構成 そして、この目的達成のため、本発明方式は、不良ルー
プを有し並列に駆動される複数の磁気バブルメモリデバ
イスの不良ループ情報列をバッファで受り取り、そのバ
ッファの不良ループ情報列を各磁気バフルメモリデバイ
スの対応するループ１ｎ報を、１１′！位とする不良ル
ープＩ’ｉ’？報列に絹替え手段で組み替えてその組み
替えられた不良ループ情報列を書込みデータの上記複数
の磁気バブルメモリデバイスのためのデバイス書込みデ
ーター・の変換、又は」二記複数の磁気バブルメモリデ
バイスからのセンスデータの読み出しデーター、の変換
にイバするようにしたものである。

（・）発明の実施例 以下、添（＋１図面を参ｊｊ（ｊ　Ｌなから本発明の詳
細な説明する。

第２図は本発明の一実施例を示す。この実施例は並列に
駆動されるθり気バブルメモリデバイスの数が４つであ
る場合の例である。それらのバフルメモリデバイスを１
．２，３．４で参照用る。これらのバブルメモリデバイ
スの不良ループ情報（第３図参照）若しくは７１込めデ
ータは外部装置５からデータバッファ　（ＲＡＭ）６へ
送り込まれ、後述するように読み出しデータはデータハ
、ソア６から外部装置５へ転送される。

７はデータバッファ６に接続されたシーケンサで、これ
番コデータバソファ６に記憶された各デバイスの第４図
に示すような第１のフォーマントの不良ループ情報を第
５図に示すような第２のフメーマソ）−の不良ループ情
報に組み替えるものである。

８はシーケンサ７で組み替えられたフッ−マットの不良
ループ情報を貯える不良ループバッファ（ＲＡＭ）であ
る。

９は不良ループ処理回路であり、その詳細は第６図に示
すように、不良ループバッファ８からのバラＩ／ルの不
良ループ情報をシリアルの不良ループ情４１（ｌｊ、Ｎ
Ａ）に変換する第１のパラレル−ノリアル変換回路１０
と、ＥＮＡ及びクロックパルス（ＤＬＹＣＬＫ）を受け
るアンドケート１１と、該アン１−ゲートの出力、ｐト
込み制御パルス（ＷＲＩ、ＯＤ）、及びデータバッファ
６からのパラレル書込みデータを受けてシリアルなデバ
イス書込めデータを発生ずる第２のパラレル−シリアル
変換回路１２と、デハ”イス］、２，３．４からのシリ
アルセンスデータ及びＥＮＡを受りてノぐラレ／Ｌ−ｉ
４め出しデータを発生し、該ＵＣめ出しデータをデータ
バッファ６に転送するシリアノト−ノぐラレル変１負回
路１３とから成る。

次に、上記構成の本発明装置の動作を説明ｊ′る。

不良ループを有するデバイス１，２，３．４を並列に駆
動するのに先立って、それらテ）＜イス０）不良ループ
情報が外部装置５からデータバッファ６に置かれる。そ
の不良ループ１ｎ報は、例スーム；〔イく良ループ情報
ハイしか１６進で表わされ、第４閉Ｉのようなものであ
るとする。

この不良ループ情報がンーケン９−７におし１−ζ各デ
バイスの不良ループ情報を各デノ＼イスの対ｌｌ１ｓ；
　１−るループ、即ち４つのループを１　栄位とする如
くして、つまり工６進として絹み替える。、二：＋１．
’で、組の替えられたフォーマントの不良）１ノーブ情
報力く第５図の最右欄に示されており、この情報ｔｅｌ
、そθ）先口「１からハイドを構成するようにし゛ζ処
理’ｉ”　１１−　ζハイド毎にアドレスを有する不良
１１ノ−ブノ＼ノーノー、・８に格納される。その格納
態様を第７図θ）ノｉ側Ｇ、二示す。

このようにして、不良ループ情報が格納された後に、デ
バイス］、２．３．４にデータ５Ｆ、７７、ＦＦ、・・
・を沓き込む動作が開始され、不良ループバッファ８か
らΔＢ、ＥＢ、ＦＦ、・・・の罷で不良ループ情報が読
み出され、目つ第７図に示すようなりロックパルス（Ｂ
ＬＣＬＫ）及び制御パルス（ＢＬＬＯＤ）がパラレル−
シリアル変換回路１０へ（Ｊｊ給されてそこからＥＮ八
を発生する。

そして、Ｅ　Ｎ　／１．はアンドゲート１１によりパル
スＡＮＤＣＬＫと化され、このパルスΔＮ　Ｉ）　Ｃｉ
。

Ｋは書込み制御パルスＷ　ｌ’ｉ　＋−ＯＤ及びデータ
バッファ６からのパラレルデータと共にパラレルーンリ
アル変襖回路Ｉ２へ供給されてシリアルなデバイス書込
みデータ（ライトデータ）に変換され（第７図参照）、
そしてデバイス１．２．３．４に供給されてそこに記憶
される。

こうして書き込まれたデータの読め出しに当たっては、
デバイス１．　２．　３．　４からのシリ゛アルなセン
スデータと共にパルスＡＮＤＣ１，Ｋがシリアルーパラ
レル変換回路１３へ供給され、そこにおいて不良ループ
がないかの如く処理された時刻、即ちパルスＡＮＤＣ１
，に７時に、正しい読め出しデータが変換回路１３の出
力からデータノ＼・／ノア６−・転送される。

このように、本発明によれば、不良ループ情報がデバイ
ス毎に＋１ｉｉｌ別化されて取り扱われるのではなく、
各デバイスの不良ループ情報を、すバーこのデバイスを
統合した処理を可能とするように変換しているので、不
良ループ処理回路はデノ＼・イスθ）数による制限を受
ＬＪることなく、たた１一つあれば足りることとなった
。従ゲζ、バートウ】−アを削減し得る。その度合は従
来に比し、デノ＼イス数が多いほど、高くなる。

なお、上記実施例におりるンーケンサはＩ＼−トウエア
に限らず、ソフト的に構成刈ることも１旧１ヒであり、
又不良ループ処理回路も口Ｊ反曲に同様である。

（ト）発明のリノ果 以上述べたように、本発明によれば、 ■すべての磁気ハブルメモリデノ＼イスの不良ノ【・−
ブの統合化した処理を可能にする手段を提供し得る、 ■従って、ハードウェアの削減に寄ツブシ（↓７ること
になる、等の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来装置を示す図、第２図は本発明の一実施例
を示す図、第３し１はデータノへ・ノファに置かれた不
良ループ情報を示す図、第４図はデノ＼イス別の１６進
表示の不良ループ情報を示すし１、第５図は不良ループ
情報の絹み替えを図解する図、第６図は不良ループ処理
回路のｉＹ細図、第７図番、１本発明実施例の書込み及
び読み出しを説明するためのクイミングチャートである
。 図中、１．２．３．４は磁気バブルメモリプ）＜イス、
６はデータバッファ、７はンーケンサ、８は不良ループ
バッファ、９は不良ループ処理回路である。 第１図 入 力 第３図 ろ”即し一１メｌノしｉ“良ルにン）；（ｊ１１１ｊ乏
　〒町ｊ唾ｇに１第４図 ｏ−ｒバイス４　ｏザ゛バ′イス３　ｏ−１：゛バイス
２　０９八′イス１第５図 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 不良ループを有し並列に駆動される複数の磁気バブルメ
   モリデバイスの不良ループ情報列をバッファで受Ｌｊ取
   り、そのバッファの不良ループ情報列を各硼気バブルメ
   モリデバイスの対応するループ情報を単位とする不良ル
   ープ情報列に組替え手段で組み替えてその組み替えられ
   た不良ループ情ｆｌｊ列を書込みデータの上記複数の磁
   気バブルメモリデバイスのためのデバイス書込みデータ
   への変換、又は上記複数の磁気バブルメモリデバイスか
   らのセンスデータの読み出しデータへの変換に供するよ
   うにしたことを特徴とする不良ループ情報処理方式。