JPS6074509A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6074509A JPS6074509A JP58180257A JP18025783A JPS6074509A JP S6074509 A JPS6074509 A JP S6074509A JP 58180257 A JP58180257 A JP 58180257A JP 18025783 A JP18025783 A JP 18025783A JP S6074509 A JPS6074509 A JP S6074509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle
- ring
- main body
- nozzle main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は☆エバー上にＰ２Ｏ膜またはＣＶ Ｄ ｌｉｄ
を形成するために使用される常圧ＣＶＤ装置に係り、特
に膜厚分布が均一な形成菌を得るのに好適な常圧ＣＶＤ
装置に関する。
を形成するために使用される常圧ＣＶＤ装置に係り、特
に膜厚分布が均一な形成菌を得るのに好適な常圧ＣＶＤ
装置に関する。
従来、−一に使用されている常圧ＣＶＤ’ＡＭの主要部
を構成する反応炉部は、第１図に示すような構造となっ
ている。ペルジャーｌの上部には、反応ガスが漏れない
ようＫＯリング２で気密シールされてノズル本体３が取
付けられている。ノズル本体３の中央部には第１ガス系
４および第１ガス系ノズル５が設けられ、またノズル本
体３の上部側面には第２ガス系６が設けられ、ノズル本
体３の中空部７に流出口が接し、中空部７の下部が第２
ガス系ノズル８となっている。ノズル本体３の下方のペ
ルジャー１内にはバッファー９が設けられ、ペルジャー
ｌおよびノズル本体３との間の空間が反応室１０を構成
している。
を構成する反応炉部は、第１図に示すような構造となっ
ている。ペルジャーｌの上部には、反応ガスが漏れない
ようＫＯリング２で気密シールされてノズル本体３が取
付けられている。ノズル本体３の中央部には第１ガス系
４および第１ガス系ノズル５が設けられ、またノズル本
体３の上部側面には第２ガス系６が設けられ、ノズル本
体３の中空部７に流出口が接し、中空部７の下部が第２
ガス系ノズル８となっている。ノズル本体３の下方のペ
ルジャー１内にはバッファー９が設けられ、ペルジャー
ｌおよびノズル本体３との間の空間が反応室１０を構成
している。
従って、第１ガス系４を介して流入する第１ガスは、ノ
ズル本体３の上部から入シ、ノズル本体３の中央部を通
り、反応室ＩＯに接した第１ガス系ノズル５の流出口か
らバッファー９上に垂直に流出する。
ズル本体３の上部から入シ、ノズル本体３の中央部を通
り、反応室ＩＯに接した第１ガス系ノズル５の流出口か
らバッファー９上に垂直に流出する。
一方、第２ガス系６を介して流入する１＄２ガスは、ノ
ズル本体３の横部から水平方向に流入し、ノズル本体３
の中空部７で下方に向きを変え、ノ（ソファ−９上に流
出するようになっている。しかし、実際には第２ガスの
流れを中空部７内で十分直角に曲げることが丙！Ｉｉ６
でおシ、第２ガスを第２ガス、嘔ノズル８からバッファ
ー９上に垂直に流出させることができない。その結果、
流出方向が特定の方向に片をって流出するため、反応ｕ
ｌＯ内での第１ガス系ノズル５から流出した第１ガスと
第２ガスとが良く混合せず反応状態が悪くなるという欠
点があった。
ズル本体３の横部から水平方向に流入し、ノズル本体３
の中空部７で下方に向きを変え、ノ（ソファ−９上に流
出するようになっている。しかし、実際には第２ガスの
流れを中空部７内で十分直角に曲げることが丙！Ｉｉ６
でおシ、第２ガスを第２ガス、嘔ノズル８からバッファ
ー９上に垂直に流出させることができない。その結果、
流出方向が特定の方向に片をって流出するため、反応ｕ
ｌＯ内での第１ガス系ノズル５から流出した第１ガスと
第２ガスとが良く混合せず反応状態が悪くなるという欠
点があった。
また第１ガスは、第１ガス系ノズル５から直接ペルジャ
ーｌ内に流出するのに対して、第２ガスは、ノズル本体
３の内側に接して設けられたＨＥ ２ガス系ノズル８か
ら流出するので、Ｍ ｌカス系ノズル５、第２ガス糸ノ
ズル８はそれぞれ断面積が一定で絞り効果を有せず、良
好な混合状態が得られなかった。その結果、従来の常圧
ＣＶＩ）装置でＣ゛νＤνＤ加工うと、バッファー９の
一部に８ｉ０．粉末が堆積するという欠点があった。
ーｌ内に流出するのに対して、第２ガスは、ノズル本体
３の内側に接して設けられたＨＥ ２ガス系ノズル８か
ら流出するので、Ｍ ｌカス系ノズル５、第２ガス糸ノ
ズル８はそれぞれ断面積が一定で絞り効果を有せず、良
好な混合状態が得られなかった。その結果、従来の常圧
ＣＶＩ）装置でＣ゛νＤνＤ加工うと、バッファー９の
一部に８ｉ０．粉末が堆積するという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、第１ガス糸ノズルおよび第２ガス系ノ
ズルから流出する２施類の反応ガスの流出方向と流量と
を整えることによυ、前記反応ガスの混合状態を改善し
、反応室内でのガスの反応状態を良好にし得る常圧ＣＶ
Ｄ装置を提供することにある。
ズルから流出する２施類の反応ガスの流出方向と流量と
を整えることによυ、前記反応ガスの混合状態を改善し
、反応室内でのガスの反応状態を良好にし得る常圧ＣＶ
Ｄ装置を提供することにある。
本発明は、中央部に第１ガス系を、上部側面に第２ガス
系を付設してなるノズル本体をペルジャーの上部に配設
してなる常圧ＣＶ Ｉ）装置において、前記ノズル本体
の内側に第２ガスの流出方向を一定にするためのリング
を設け、かつこのリングの上方のノズル本体内にガス溜
め予備室を設けたことを特徴とする。
系を付設してなるノズル本体をペルジャーの上部に配設
してなる常圧ＣＶ Ｉ）装置において、前記ノズル本体
の内側に第２ガスの流出方向を一定にするためのリング
を設け、かつこのリングの上方のノズル本体内にガス溜
め予備室を設けたことを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。内部
を真空に保つためのペルジャー２１の上部には、０リン
グ２２により気密シールされてノズル本体２３が固着さ
れている。ノズル本体２３の上部には第１ガス系２４が
接続され、第１ガス糸２４の下端は第１ガス系ノズル２
５となってお）、その端部はペルジャー２１の内部の反
応室２６に接して設けられている。ノズル本体２３の上
部 ３一 定にするためのリング２９が、その下端部が第１ガス系
ノズル２５の開口部と同位１ｔになるように設けられて
いる。リング２９の下部は内径が小さくなっており、第
２ガス系ノズル３０を構成している。ノズル本体２３の
下方のペルジャー２１内にはバッファー３１が配設され
ている。
を真空に保つためのペルジャー２１の上部には、０リン
グ２２により気密シールされてノズル本体２３が固着さ
れている。ノズル本体２３の上部には第１ガス系２４が
接続され、第１ガス糸２４の下端は第１ガス系ノズル２
５となってお）、その端部はペルジャー２１の内部の反
応室２６に接して設けられている。ノズル本体２３の上
部 ３一 定にするためのリング２９が、その下端部が第１ガス系
ノズル２５の開口部と同位１ｔになるように設けられて
いる。リング２９の下部は内径が小さくなっており、第
２ガス系ノズル３０を構成している。ノズル本体２３の
下方のペルジャー２１内にはバッファー３１が配設され
ている。
このように、第２ガス系２７から流入した第２ガスをノ
ズル本体２３の内側のガス溜め予備室２８内に流出させ
、かつリング２９で流路を絞ってい□ るので、バッフ
ァー３Ｉ上に均一に第２ガスを流出させることができる
。
ズル本体２３の内側のガス溜め予備室２８内に流出させ
、かつリング２９で流路を絞ってい□ るので、バッフ
ァー３Ｉ上に均一に第２ガスを流出させることができる
。
なお、仮シリング２９の形状を絞り形状の他、羽根形状
にするなど種々χ更することにより、第１ガス系ノズル
２５および第２ガス系ノズル３０から噴出するガスの流
出方向と流量を調整し、反応室２６内でのガスの反応状
態全良好にすることができる。
にするなど種々χ更することにより、第１ガス系ノズル
２５および第２ガス系ノズル３０から噴出するガスの流
出方向と流量を調整し、反応室２６内でのガスの反応状
態全良好にすることができる。
−今 一
本発明によれば、第１ガス系ノズルと同位値に第２ガス
の流出方向を一定にするだめのリングを設け、かつこの
リングの上方にガス溜め予備室を設けた構成よりなるの
で、館ｌガスおよび第２ガスの混合状態が極めて良好で
バッファーの一部分に８４０２粉末を堆積する仁とがな
く、均一な膜厚分布のウェハーを得ることができる。
の流出方向を一定にするだめのリングを設け、かつこの
リングの上方にガス溜め予備室を設けた構成よりなるの
で、館ｌガスおよび第２ガスの混合状態が極めて良好で
バッファーの一部分に８４０２粉末を堆積する仁とがな
く、均一な膜厚分布のウェハーを得ることができる。
第１図は従来の常圧ＣＶＤ装置の要部断面図、第２図は
本発明になる常圧ＣＶｉＪ！置の一実施例を示す要部断
面図である。 ２１・・・・ペルジャー、２３・・・・ノズル本体、２
４・・・・第１ガス系、２５・・・・第１ガス系ノズル
、２６・・反応室、２７・・・、第２ガス系、２８・・
・・ガス溜め予備室、２９．−・・リング、３１・・・
・バッファー。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第２霞
本発明になる常圧ＣＶｉＪ！置の一実施例を示す要部断
面図である。 ２１・・・・ペルジャー、２３・・・・ノズル本体、２
４・・・・第１ガス系、２５・・・・第１ガス系ノズル
、２６・・反応室、２７・・・、第２ガス系、２８・・
・・ガス溜め予備室、２９．−・・リング、３１・・・
・バッファー。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第２霞
Claims (1)
- 中央部に第１ガス系を、上部側面に第２ガス系を付設し
てなるノズル本体をペルジャーの上部に配設してなる常
圧ＣＶＩ）装置において、前記ノズル本体の内側に第２
ブスの流出方向を一定にするためのリングを設け、かつ
このリングの上方のノズル本体内にガス溜め予備室を設
けたことを特徴とする常圧ＣＶＩ）装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180257A JPS6074509A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180257A JPS6074509A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074509A true JPS6074509A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16080093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180257A Pending JPS6074509A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961399A (en) * | 1988-03-22 | 1990-10-09 | U.S. Philips Corporation | Epitaxial growth reactor provided with a planetary support |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49126271A (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 | ||
| JPS55132035A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-14 | Wacker Chemitronic | Pure semiconductor material* method of precipitating silidon and nozzle for executing same method |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58180257A patent/JPS6074509A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49126271A (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 | ||
| JPS55132035A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-14 | Wacker Chemitronic | Pure semiconductor material* method of precipitating silidon and nozzle for executing same method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961399A (en) * | 1988-03-22 | 1990-10-09 | U.S. Philips Corporation | Epitaxial growth reactor provided with a planetary support |
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