JPS6074543A - ロ−ドロツク装置の試料温度測定方法 - Google Patents
ロ−ドロツク装置の試料温度測定方法Info
- Publication number
- JPS6074543A JPS6074543A JP58181964A JP18196483A JPS6074543A JP S6074543 A JPS6074543 A JP S6074543A JP 58181964 A JP58181964 A JP 58181964A JP 18196483 A JP18196483 A JP 18196483A JP S6074543 A JPS6074543 A JP S6074543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- temperature
- tray
- temperature measurement
- thermocouple
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋１１発明の技術分野
本発明はロードロック式装置の試料温度測定方法、詳し
くは試料を装着する搬送トレイから電極を引き出し試料
の温度測定を行う方法に関する。
くは試料を装着する搬送トレイから電極を引き出し試料
の温度測定を行う方法に関する。
（２）技術の背景
半導体装置の製造においては半導体基板（ウェハ）の如
き試料の熱雰囲気内での処理が頻繁に行われ、そのため
には第１図に正面図で示されるロードロック装置が用い
られる。同図において、１は真空に保たれその内へガス
が流され試料の処理がなされる主反応室、２は試料の出
し入れのため（１） に設けた予備排気室で、主反応室内を常時真空に維持す
るために試料の出し入れは必ずこの予備排気室内で行わ
れ、また主反応室１と予備排気室２とはゲートバルブ３
で連結され、この方式により試料が大気にさらされるこ
とが防止されている。
き試料の熱雰囲気内での処理が頻繁に行われ、そのため
には第１図に正面図で示されるロードロック装置が用い
られる。同図において、１は真空に保たれその内へガス
が流され試料の処理がなされる主反応室、２は試料の出
し入れのため（１） に設けた予備排気室で、主反応室内を常時真空に維持す
るために試料の出し入れは必ずこの予備排気室内で行わ
れ、また主反応室１と予備排気室２とはゲートバルブ３
で連結され、この方式により試料が大気にさらされるこ
とが防止されている。
操作においては、予備排気室内２でステンレス製の被搬
送トレイ （以下には単にトレイと呼称する）４上に基
板の如き試料を装着し、次いでゲートバルブ３を開き、
チェーン５を駆動してローラ６を回し、それによってト
レイ４を主反応室１に移し、ゲートバルブ３を閉じ、試
料に対し所望の処理を実施する。ロードロツタ装置にお
いてかかる真空室は複数設けられている。
送トレイ （以下には単にトレイと呼称する）４上に基
板の如き試料を装着し、次いでゲートバルブ３を開き、
チェーン５を駆動してローラ６を回し、それによってト
レイ４を主反応室１に移し、ゲートバルブ３を閉じ、試
料に対し所望の処理を実施する。ロードロツタ装置にお
いてかかる真空室は複数設けられている。
（３）従来技術と問題点
従来ロードロック式装置を用いる試料の処理における試
料温度をモニターする方法は、あらかじめ主反応室内に
熱電対を設定しておき、搬送されてきたトレイに装着さ
れた試料に熱電対を接触させ、バネの力等で熱電対を試
料に接しておしあてることにより温度を測定している。
料温度をモニターする方法は、あらかじめ主反応室内に
熱電対を設定しておき、搬送されてきたトレイに装着さ
れた試料に熱電対を接触させ、バネの力等で熱電対を試
料に接しておしあてることにより温度を測定している。
このとき、接（２）
順位置が不安定で、かつ、接触圧力も不安定であるため
測定温度に誤差が大きいという欠点があった。または上
記に代えて感熱テープ等による測温法があるがリアルタ
イムでの測温が不可能である。
測定温度に誤差が大きいという欠点があった。または上
記に代えて感熱テープ等による測温法があるがリアルタ
イムでの測温が不可能である。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ロードロック装置を
用いる試料の処理において、試料温度測定用の熱電対の
ための特別の電気配線を必要とせず、更には熱電対の取
付けおよび接触が確実に行え、測温が正確になされる方
法を提供することを目的とする。
用いる試料の処理において、試料温度測定用の熱電対の
ための特別の電気配線を必要とせず、更には熱電対の取
付けおよび接触が確実に行え、測温が正確になされる方
法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、試料を装着するトレ
イに温度測定用素子を内蔵し、かつ、該トレイの搬送機
構の支持部を経て電極を取り出し温度測定を行うことを
特徴とするロードロック装置の試料温度測定方法を提供
することによって達成される。
イに温度測定用素子を内蔵し、かつ、該トレイの搬送機
構の支持部を経て電極を取り出し温度測定を行うことを
特徴とするロードロック装置の試料温度測定方法を提供
することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
（３）
第２図に本発明の方法を実施するロードロツタ装置の複
数の真空室の１室分が平面図で示される。
数の真空室の１室分が平面図で示される。
なお第２図において第１図に図示した部分と同じ部分は
同一符号を付して表示する。チェーン５、ローラ６から
なる搬送機構の底部分の支持部は絶縁碍子８によりロー
ドロツタ装置の本体と電気的に絶縁されており、固定部
７から外部へリード線９を取り出し、試料が装着された
トレイ１４からはローラ６との接触を介しリード線９に
よって信号を受ける。
同一符号を付して表示する。チェーン５、ローラ６から
なる搬送機構の底部分の支持部は絶縁碍子８によりロー
ドロツタ装置の本体と電気的に絶縁されており、固定部
７から外部へリード線９を取り出し、試料が装着された
トレイ１４からはローラ６との接触を介しリード線９に
よって信号を受ける。
第３図に本発明の方法の実施に用いるトレイ１４が平面
図で示され、ローラ６に接触するトレイ】４の部分すな
わち電極取出し部１４ａは、絶縁碍子１４ｂによりトレ
イ本体とは電気的に絶縁されている。絶縁碍子１４ｂに
はさまれた測温用素子である熱電対１０が電極取出し部
１４ａに接続されている。
図で示され、ローラ６に接触するトレイ】４の部分すな
わち電極取出し部１４ａは、絶縁碍子１４ｂによりトレ
イ本体とは電気的に絶縁されている。絶縁碍子１４ｂに
はさまれた測温用素子である熱電対１０が電極取出し部
１４ａに接続されている。
アモルファスシリコン膜を化学気相成長法で試料例えば
ウェハ上に堆積する場合を例にとると、ガスとしてば５
ｉｌｌｐ＋ Ｈ２（またはＡｒ）ガスを用い、ウェハの
温度を２５０℃〜３００℃に保ち、高周波（（４） ＲＦ）放電を行って３０分程度の処理をなす必要がある
。そのためには試料が装着されたトレイ１４を主反応室
１に入れゲートバルブ３を閉じ、図示しない系統により
トレイ１４が加熱されることによって試料が加熱される
か、またはトレイ１４の上方に配置されたヒータ（図示
せず）によって試料およびトレイ１４が加熱される。い
ずれの場合においても、試料の温度はトレイの温度を測
定することにより検知される。トレイ１４の温度は熱電
対１ｏによって検知され、その温度に関する信号は熱電
対１ｏ、電極取出し部１４ａ、リード９を経て図示しな
い測温装置に送られ、そこで加熱についての指示が出さ
れる。
ウェハ上に堆積する場合を例にとると、ガスとしてば５
ｉｌｌｐ＋ Ｈ２（またはＡｒ）ガスを用い、ウェハの
温度を２５０℃〜３００℃に保ち、高周波（（４） ＲＦ）放電を行って３０分程度の処理をなす必要がある
。そのためには試料が装着されたトレイ１４を主反応室
１に入れゲートバルブ３を閉じ、図示しない系統により
トレイ１４が加熱されることによって試料が加熱される
か、またはトレイ１４の上方に配置されたヒータ（図示
せず）によって試料およびトレイ１４が加熱される。い
ずれの場合においても、試料の温度はトレイの温度を測
定することにより検知される。トレイ１４の温度は熱電
対１ｏによって検知され、その温度に関する信号は熱電
対１ｏ、電極取出し部１４ａ、リード９を経て図示しな
い測温装置に送られ、そこで加熱についての指示が出さ
れる。
測温の精度を高めるためにローラ、チェーン等からなる
搬送機構の表面ば熱電対と同質の材料でコーティングす
るとより効果的である。
搬送機構の表面ば熱電対と同質の材料でコーティングす
るとより効果的である。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、ロードロツタ
装置の試料温度測定方法において、当該装置の搬送機構
をそのまま熱電対からの信号取出（５） しに利用しているため特別の電気配線を必要とせず、更
に熱電対の接触が確実に行なえるため測温が正確に行な
える効果がある。なお上記においてはウェハの温度測定
を例に説明したが、本発明の適用範囲はその場合に限ら
れるものでなく、その他の試料の場合にも及ぶ。
装置の試料温度測定方法において、当該装置の搬送機構
をそのまま熱電対からの信号取出（５） しに利用しているため特別の電気配線を必要とせず、更
に熱電対の接触が確実に行なえるため測温が正確に行な
える効果がある。なお上記においてはウェハの温度測定
を例に説明したが、本発明の適用範囲はその場合に限ら
れるものでなく、その他の試料の場合にも及ぶ。
第１図は従来のロードロック装置の正面図、第２図は本
発明の方法を実施するロードロツタ装置の複数の真空室
の１室の正面図、第３図は第２図の装置に搬入されるト
レイの平面図である。 １−主反応室、２−予備排気室、 ３−・・ゲートパルプ、４．１４−）レイ、５−チェー
ン、６−・・ローラ、７− 固定部、８−・絶縁碍子、１〇−熱電対、１４ａ〜・−
電極取出し部、１４ｂ・・・絶縁碍子（６）
発明の方法を実施するロードロツタ装置の複数の真空室
の１室の正面図、第３図は第２図の装置に搬入されるト
レイの平面図である。 １−主反応室、２−予備排気室、 ３−・・ゲートパルプ、４．１４−）レイ、５−チェー
ン、６−・・ローラ、７− 固定部、８−・絶縁碍子、１〇−熱電対、１４ａ〜・−
電極取出し部、１４ｂ・・・絶縁碍子（６）
Claims (1)
- 試料を装着するトレイに温度測定用素子を内蔵し、かつ
、該トレイの搬送機構の支持部を経て電極を取り出し温
度測定を行うことを特徴とするロードロック装置の試料
温度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181964A JPS6074543A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ロ−ドロツク装置の試料温度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181964A JPS6074543A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ロ−ドロツク装置の試料温度測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074543A true JPS6074543A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16109944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181964A Pending JPS6074543A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ロ−ドロツク装置の試料温度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074543A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195139A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板温度測定方法および装置 |
| JPS62237740A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体ウエハーの表面温度測定法 |
| CN110132436A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-16 | 费勉仪器科技（上海）有限公司 | 一种超高真空条件下准确测量样品温度的测温装置 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58181964A patent/JPS6074543A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195139A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板温度測定方法および装置 |
| JPS62237740A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体ウエハーの表面温度測定法 |
| CN110132436A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-16 | 费勉仪器科技（上海）有限公司 | 一种超高真空条件下准确测量样品温度的测温装置 |
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