JPH0347739B2 - - Google Patents
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- JPH0347739B2 JPH0347739B2 JP60292497A JP29249785A JPH0347739B2 JP H0347739 B2 JPH0347739 B2 JP H0347739B2 JP 60292497 A JP60292497 A JP 60292497A JP 29249785 A JP29249785 A JP 29249785A JP H0347739 B2 JPH0347739 B2 JP H0347739B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mounting table
- thin film
- film forming
- transfer arm
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はCVD薄膜形成装置に関する。更に詳
細には、本発明はウエハ載置台表面の温度測定機
構を有するCVD薄膜形成装置に関する。
細には、本発明はウエハ載置台表面の温度測定機
構を有するCVD薄膜形成装置に関する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として半導体工業において一般
に広く用いられるものの一つに、気相成長法
（CVD：Chemical Vapour Deposition）があ
る。CVDとは、ガス状物質を化学反応で固体物
質にし、基板上に堆積することをいう。
に広く用いられるものの一つに、気相成長法
（CVD：Chemical Vapour Deposition）があ
る。CVDとは、ガス状物質を化学反応で固体物
質にし、基板上に堆積することをいう。
CVDの特徴は、成長しようとする薄膜の融点
よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られる
こと、および、成長した薄膜の純度が高く、Siや
Si上の熱酸化膜上に成長した場合も電気的特性が
安定であることで、広く半導体表面のパツシベー
シヨン膜として利用されている。
よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られる
こと、および、成長した薄膜の純度が高く、Siや
Si上の熱酸化膜上に成長した場合も電気的特性が
安定であることで、広く半導体表面のパツシベー
シヨン膜として利用されている。
CVDによる薄膜形成は、例えば、500℃程度に
加熱したウエハに反応ガス（例えばSiH4＋O2、
またはSiH4＋RH3＋O2）を供給して行われる。
上記の反応ガスはN2ガスをキヤリアとして反応
炉（ベルジヤ）内のウエハに吹きつけられ、該ウ
エハの表面に例えば、SiO2あるいはフオスフオ
シリケートガラス（PSG）の薄膜を形成する。
また、SiO2とRSGとの２相成膜が行われること
もある。
加熱したウエハに反応ガス（例えばSiH4＋O2、
またはSiH4＋RH3＋O2）を供給して行われる。
上記の反応ガスはN2ガスをキヤリアとして反応
炉（ベルジヤ）内のウエハに吹きつけられ、該ウ
エハの表面に例えば、SiO2あるいはフオスフオ
シリケートガラス（PSG）の薄膜を形成する。
また、SiO2とRSGとの２相成膜が行われること
もある。
このようなCVDによる薄膜形成操作を行うた
めに従来から用いられているCVD薄膜形成装置
は例えば反応炉（ペルジヤ）を有しており、該反
応炉は円錐状のバツフアを円錐状のカバーで覆
い、上記バツフアの周囲にリング状のウエハ載置
台（ホツトブレート）を回転駆動可能、または、
自公転可能に設置している。そして上記ウエハ載
置台の上に被加工物である半導体ウエハを供給
し、該ウエハを搬出するローダ／アンローダ手段
を設けて構成されている。反応炉には、ローダ／
アンローダ手段に対応する位置に、ウエハを出し
入れするためのゲートが配設されている。前記円
錐状カバーの頂点付近には反応ガス送入管が接続
されている。
めに従来から用いられているCVD薄膜形成装置
は例えば反応炉（ペルジヤ）を有しており、該反
応炉は円錐状のバツフアを円錐状のカバーで覆
い、上記バツフアの周囲にリング状のウエハ載置
台（ホツトブレート）を回転駆動可能、または、
自公転可能に設置している。そして上記ウエハ載
置台の上に被加工物である半導体ウエハを供給
し、該ウエハを搬出するローダ／アンローダ手段
を設けて構成されている。反応炉には、ローダ／
アンローダ手段に対応する位置に、ウエハを出し
入れするためのゲートが配設されている。前記円
錐状カバーの頂点付近には反応ガス送入管が接続
されている。
前記のウエハ載置台の直下には僅かなギヤツプ
を介し加熱手段が設けられていてウエハを所定の
温度（例えば、500℃）に加熱する。
を介し加熱手段が設けられていてウエハを所定の
温度（例えば、500℃）に加熱する。
［発明が解決しようとする問題点］
CVDによるSiO2膜は成長条件によつて膜厚の
均一性や膜質が左右される。均一なCVD膜を得
るためにはウエハ載置台の温度を均一にしなけれ
ばならない。そのため、たびたび温度計を反応炉
内に挿入してウエハ載置台の温度を測定し、その
測定結果に基づき加熱手段をこまめに操作する必
要がある。
均一性や膜質が左右される。均一なCVD膜を得
るためにはウエハ載置台の温度を均一にしなけれ
ばならない。そのため、たびたび温度計を反応炉
内に挿入してウエハ載置台の温度を測定し、その
測定結果に基づき加熱手段をこまめに操作する必
要がある。
従来のCVD薄膜形成装置における反応炉ウエ
ハ載置台の温度測定は市販の表面温度をゲートか
ら挿入して人間が測定していた。この方法によれ
ば、表面温度計がウエハ載置台表面に接触してい
るか否か目視で確認しなければならない。
ハ載置台の温度測定は市販の表面温度をゲートか
ら挿入して人間が測定していた。この方法によれ
ば、表面温度計がウエハ載置台表面に接触してい
るか否か目視で確認しなければならない。
しかし、ゲートの開口部は一般に反応炉の側面
に配設され、しかも、その開口部は狭いので温度
計を挿入しにくい。更に、反応炉内も真つ暗闇な
ので温度計がウエハ載置台表面に正しく挿入・接
触されているか否かの目視確認は極めて困難であ
り、相当な熟練を必要としていた。
に配設され、しかも、その開口部は狭いので温度
計を挿入しにくい。更に、反応炉内も真つ暗闇な
ので温度計がウエハ載置台表面に正しく挿入・接
触されているか否かの目視確認は極めて困難であ
り、相当な熟練を必要としていた。
また、人間の手による測定では温度計をウエハ
載置台表面に接触させる押圧が一定とならず、測
定誤差の大きな原因となる。その結果、均一な膜
厚のCVD膜を形成することができず、半導体ウ
エハの製造歩留りを低下させることとなる。
載置台表面に接触させる押圧が一定とならず、測
定誤差の大きな原因となる。その結果、均一な膜
厚のCVD膜を形成することができず、半導体ウ
エハの製造歩留りを低下させることとなる。
［発明の目的］
従つて、本発明の目的はウエハ載置台表面の温
度測定を人間によらず、機械的に行うことのでき
る機構を有するCVD薄膜形成装置を提供するこ
とである。
度測定を人間によらず、機械的に行うことのでき
る機構を有するCVD薄膜形成装置を提供するこ
とである。
［問題点を解決するための手段］
前記の問題点を解決するための手段として、こ
の発明はローダ手段により反応炉内にウエハを供
給し、アンローダ手段により反応炉内からウエハ
を搬出し、該ウエハの供給および搬出をウエハ搬
送アームにより行うことからなるCVD薄膜形成
装置において、 前記ウエハ搬送アームにウエハ載置台表面温度
測定機構を配設し、該ウエハ載置台表面温度測定
機構は前後進動および上下動可能なロツドの先端
下部に表面温度計を配設してなることを特徴とす
るCVD薄膜形成装置を提供することである。
の発明はローダ手段により反応炉内にウエハを供
給し、アンローダ手段により反応炉内からウエハ
を搬出し、該ウエハの供給および搬出をウエハ搬
送アームにより行うことからなるCVD薄膜形成
装置において、 前記ウエハ搬送アームにウエハ載置台表面温度
測定機構を配設し、該ウエハ載置台表面温度測定
機構は前後進動および上下動可能なロツドの先端
下部に表面温度計を配設してなることを特徴とす
るCVD薄膜形成装置を提供することである。
［作用］
前記のように、本発明のCVD薄膜形成装置に
おいてはウエハをローデイングおよびアンローデ
イングするためのウエハ搬送アームにウエハ載置
台表面温度測定機構を配設している。このウエハ
載置台表面温度測定機構は前後進動および上下動
可能なロツドの先端下部に表面温度計を配設して
なる。
おいてはウエハをローデイングおよびアンローデ
イングするためのウエハ搬送アームにウエハ載置
台表面温度測定機構を配設している。このウエハ
載置台表面温度測定機構は前後進動および上下動
可能なロツドの先端下部に表面温度計を配設して
なる。
その結果、ウエハ載置台表面温度測定機構はウ
エハ搬送アームと共に反応炉ゲート部をくぐり炉
内のウエハ載置台上に正確に達することができ
る。ウエハ載置台上の所定の位置に達したら、先
端部に表面温度計を有するロツドが下降してウエ
ハ載置台表面に接触する。接触圧力が所定の設定
値に達したらロツドは下降を止める。従つて、表
面温度計とウエハ載置台との接触圧力は常に一定
に保たれるので再現性が向上するばかりか、測定
誤差の発生する可能性も減少する。
エハ搬送アームと共に反応炉ゲート部をくぐり炉
内のウエハ載置台上に正確に達することができ
る。ウエハ載置台上の所定の位置に達したら、先
端部に表面温度計を有するロツドが下降してウエ
ハ載置台表面に接触する。接触圧力が所定の設定
値に達したらロツドは下降を止める。従つて、表
面温度計とウエハ載置台との接触圧力は常に一定
に保たれるので再現性が向上するばかりか、測定
誤差の発生する可能性も減少する。
［実施例］
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例に
ついて更に詳細に説明する。
ついて更に詳細に説明する。
第１図は本発明のCVD薄膜形成装置の概念的
平面図、第２図は温度測定状態を示す概念的断面
図、第３図はゲート部から反応炉内のウエハ載置
台上に挿入されたウエハ搬送アームとウエハ載置
台表面温度測定機構の簡略斜視図である。
平面図、第２図は温度測定状態を示す概念的断面
図、第３図はゲート部から反応炉内のウエハ載置
台上に挿入されたウエハ搬送アームとウエハ載置
台表面温度測定機構の簡略斜視図である。
第１図に示されるように、本発明のCVD薄膜
形成装置は反応炉１の側面に設けられたゲート部
２に対座してウエハ搬送アーム３が配置されてい
る。ウエハをアンローデイングする場合、ウエハ
搬送アーム３が前進して反応炉のゲート部２をく
ぐり炉内に進入し、ウエハ載置台１１上に達す
る。そして、ウエハの直径よりも狭い間隔の二本
のアーム部４の上に成膜処理済ウエハ５を搭載す
る。その後ウエハ搬送アーム３は後退し、ゲート
部２から炉外にでる。ウエハをウエハ載置台上に
ローデイングする場合はこの逆の動作となる。
形成装置は反応炉１の側面に設けられたゲート部
２に対座してウエハ搬送アーム３が配置されてい
る。ウエハをアンローデイングする場合、ウエハ
搬送アーム３が前進して反応炉のゲート部２をく
ぐり炉内に進入し、ウエハ載置台１１上に達す
る。そして、ウエハの直径よりも狭い間隔の二本
のアーム部４の上に成膜処理済ウエハ５を搭載す
る。その後ウエハ搬送アーム３は後退し、ゲート
部２から炉外にでる。ウエハをウエハ載置台上に
ローデイングする場合はこの逆の動作となる。
このアンローダ手段は同時にローダ手段を兼ね
ることもできるし、あるいは、このアンローダ手
段と並列に独立のローダ手段を配置することもで
きる。
ることもできるし、あるいは、このアンローダ手
段と並列に独立のローダ手段を配置することもで
きる。
第１図に示されるように、ウエハ搬送アームに
はウエハ載置台表面温度機構６が配設されてい
る。アンローダ手段がローダ手段を兼ねず、独立
のローダ手段を配置する場合、ウエハ載置台表面
温度測定機構はアンローダ手段またはローダ手段
のいずれか一方のウエハ搬送アームに配設すれば
よい。
はウエハ載置台表面温度機構６が配設されてい
る。アンローダ手段がローダ手段を兼ねず、独立
のローダ手段を配置する場合、ウエハ載置台表面
温度測定機構はアンローダ手段またはローダ手段
のいずれか一方のウエハ搬送アームに配設すれば
よい。
ウエハ載置台表面温度測定機構６はウエハ搬送
アーム３の二本のアーム部４の間に配設されてい
る。ウエハ載置台表面温度測定機構６はその先端
下部に表面温度計７（第２図参照）を有するロツ
ド８と、このロツド８を前後進させるための駆動
手段９、および上下動させるための別の駆動手段
１０からなる。表面温度計は当業者に公知のもの
を使用できる。表面温度計の測定値は別の計器
（図示されていない）に表示することができる。
アーム３の二本のアーム部４の間に配設されてい
る。ウエハ載置台表面温度測定機構６はその先端
下部に表面温度計７（第２図参照）を有するロツ
ド８と、このロツド８を前後進させるための駆動
手段９、および上下動させるための別の駆動手段
１０からなる。表面温度計は当業者に公知のもの
を使用できる。表面温度計の測定値は別の計器
（図示されていない）に表示することができる。
次に、反応炉のウエハ載置台表面の温度を測定
する本発明の機構と動作を説明する。
する本発明の機構と動作を説明する。
温度測定を行わない場合（例えば、ウエハのロ
ーデイングまたはアンローデイング中）、第１図
に示されるように、ロツド８はアーム部４に搭載
されるウエハ５と接触しない位置まで後退してい
る。
ーデイングまたはアンローデイング中）、第１図
に示されるように、ロツド８はアーム部４に搭載
されるウエハ５と接触しない位置まで後退してい
る。
温度測定を行う場合（例えば、ウエハをローデ
イングもアンローデイングもしない時期）、第２
図および第３図に示されるように、ウエハ搬送ア
ーム３が前進して反応炉のゲート部２をくぐり、
炉内に進入し、ウエハ載置台１１上に達する。ウ
エハ搬送アーム３の前進が止まつたら、ロツド前
進駆動手段９によりロツド８を所定の距離だけ前
進させる。次いで、ロツド下降駆動手段１０によ
りロツド８をウエハ載置台表面１２に向かつて下
降させ、ロツト先端下部に配設された表面温度計
７をウエハ載置台表面１２に接触させる。接触圧
力が所定の設定値に達したらロツド８の下降を停
止させる。ロツドを前後進動および上下動させる
ためには、例えば、ステツピングモータなどを使
用できる。また、接触圧力の検出には圧力センサ
ーなどを使用できる。このような装置は当業者に
周知である。
イングもアンローデイングもしない時期）、第２
図および第３図に示されるように、ウエハ搬送ア
ーム３が前進して反応炉のゲート部２をくぐり、
炉内に進入し、ウエハ載置台１１上に達する。ウ
エハ搬送アーム３の前進が止まつたら、ロツド前
進駆動手段９によりロツド８を所定の距離だけ前
進させる。次いで、ロツド下降駆動手段１０によ
りロツド８をウエハ載置台表面１２に向かつて下
降させ、ロツト先端下部に配設された表面温度計
７をウエハ載置台表面１２に接触させる。接触圧
力が所定の設定値に達したらロツド８の下降を停
止させる。ロツドを前後進動および上下動させる
ためには、例えば、ステツピングモータなどを使
用できる。また、接触圧力の検出には圧力センサ
ーなどを使用できる。このような装置は当業者に
周知である。
なお、第２図において、ゲート部２は反応炉本
体２０にヒンジ部材２２により回転可能に取り付
けられた開閉扉２４およびこの開閉扉２４を受け
る施錠部材２６からなる。施錠部材２６は適当な
封止材２８を介してCVD薄膜形成装置のトツプ
カバー３０に固設されている。このトツプカバー
３０には反応炉の円錐状カバー３２も固設されて
いる。
体２０にヒンジ部材２２により回転可能に取り付
けられた開閉扉２４およびこの開閉扉２４を受け
る施錠部材２６からなる。施錠部材２６は適当な
封止材２８を介してCVD薄膜形成装置のトツプ
カバー３０に固設されている。このトツプカバー
３０には反応炉の円錐状カバー３２も固設されて
いる。
別法として、ロツド８はウエハ搬送アーム３の
誘導を受けることなく炉内のウエハ載置台上に前
進することもできる。この場合、ウエハ搬送アー
ム３は炉外のゲート部２の前で待機している。
誘導を受けることなく炉内のウエハ載置台上に前
進することもできる。この場合、ウエハ搬送アー
ム３は炉外のゲート部２の前で待機している。
本発明のCVD薄膜形成装置における反応炉は
例えば、常圧型で自公転方式の反応炉である。こ
のような反応炉は例えば特願昭60−34555号明細
書に開示されている。
例えば、常圧型で自公転方式の反応炉である。こ
のような反応炉は例えば特願昭60−34555号明細
書に開示されている。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のCVD薄膜形成
装置においては、ウエハをローデイグおよびアン
ローデイングするためのウエハ搬送アームにウエ
ハ載置台表面温度測定機構を配設している。この
ウエハ載置台表面温度測定機構は前後進動および
上下動可能なロツドの先端下部に表面温度計を配
設してなる。
装置においては、ウエハをローデイグおよびアン
ローデイングするためのウエハ搬送アームにウエ
ハ載置台表面温度測定機構を配設している。この
ウエハ載置台表面温度測定機構は前後進動および
上下動可能なロツドの先端下部に表面温度計を配
設してなる。
その結果、ウエハ載置台表面測定機構はウエハ
搬送アームと共に、または単独に反応炉ゲート部
をくぐり炉内のウエハ載置台に正確に達すること
ができる。ウエハ載置台上の所定の位置に達した
ら、先端下部に表面温度計を有するロツドが下降
して温度計をウエハ載置台表面に接触させる。接
触圧力が所定の設定値に達したらロツドは下降を
止める。従つて、温度測定中も表面温度計とウエ
ハ載置台との接触圧力は常に一定に保たれるので
再現性が向上するばかりか、測定誤差の発生する
可能性も減少する。
搬送アームと共に、または単独に反応炉ゲート部
をくぐり炉内のウエハ載置台に正確に達すること
ができる。ウエハ載置台上の所定の位置に達した
ら、先端下部に表面温度計を有するロツドが下降
して温度計をウエハ載置台表面に接触させる。接
触圧力が所定の設定値に達したらロツドは下降を
止める。従つて、温度測定中も表面温度計とウエ
ハ載置台との接触圧力は常に一定に保たれるので
再現性が向上するばかりか、測定誤差の発生する
可能性も減少する。
本発明の別の効果として、反応炉のゲート開口
はウエハのローデイングおよびアンローデイグに
必要なだけあればよく、温度測定のために特別な
開口を広げたりする必要はない。その結果、ゲー
ト部からの熱の放散は最少限に抑えることができ
る。従つて、本発明は反応炉内の温度測定、特に
反応炉のゲート開口が小さい装置の温度測定に適
している。
はウエハのローデイングおよびアンローデイグに
必要なだけあればよく、温度測定のために特別な
開口を広げたりする必要はない。その結果、ゲー
ト部からの熱の放散は最少限に抑えることができ
る。従つて、本発明は反応炉内の温度測定、特に
反応炉のゲート開口が小さい装置の温度測定に適
している。
第１図は本発明のCVD薄膜形成装置の概念的
平面図、第２図は温度測定状態を示す概念的断面
図、第３図はゲート部から反応炉内のウエハ載置
台上に挿入されたウエハ搬送アームとウエハ載置
台表面温度測定機構の簡略斜視図である。 １……反応炉、２……ゲート部、３……ウエハ
搬送アーム、４……アーム部、５……ウエハ、６
……温度測定機構、７……表面温度計、８……ロ
ツド、９……前後進駆動手段、１０……上下動駆
動手段、１１……ウエハ載置台、１２……ウエハ
載置台表面、２０……反応炉本体、２２……ヒン
ジ部材、２４……開閉扉、２６……施錠部材、２
８……封止材、３０……トツプカバー、３２……
円錐状カバー。
平面図、第２図は温度測定状態を示す概念的断面
図、第３図はゲート部から反応炉内のウエハ載置
台上に挿入されたウエハ搬送アームとウエハ載置
台表面温度測定機構の簡略斜視図である。 １……反応炉、２……ゲート部、３……ウエハ
搬送アーム、４……アーム部、５……ウエハ、６
……温度測定機構、７……表面温度計、８……ロ
ツド、９……前後進駆動手段、１０……上下動駆
動手段、１１……ウエハ載置台、１２……ウエハ
載置台表面、２０……反応炉本体、２２……ヒン
ジ部材、２４……開閉扉、２６……施錠部材、２
８……封止材、３０……トツプカバー、３２……
円錐状カバー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ローダ手段により反応炉内にウエハを供給
し、アンローダ手段により反応炉内からウエハを
搬出し、該ウエハの供給および搬出をウエハ搬送
アームにより行うことからなるCVD薄膜形成装
置において、 前記ウエハ搬送アームにウエハ載置台表面温度
測定機構を配設し、該ウエハ載置台表面温度測定
機構は前後進動および上下動可能なロツドの先端
下部に表面温度計を配設してなることを特徴とす
るCVD薄膜形成装置。 ２ ローダ手段およびアンローダ手段が一基のウ
エハ搬送アームを共用することを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載のCVD薄膜形成装置。 ３ ローダ手段およびアンローダ手段がそれぞれ
にウエハ搬送手段を有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載のCVD薄膜形成装置。 ４ ウエハ載置台表面温度測定機構がアンローダ
手段のウエハ搬送アームに配設されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のCVD
薄膜形成装置。 ５ ウエハ載置台表面温度測定機構がローダ手段
のウエハ搬送アームに配設されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載のCVD薄膜
形成装置。 ６ ウエハ搬送アームはウエハをその上に搭載す
るための、ウエハの直径よりも狭い間隔の二本の
アーム部を有しており、ウエハ載置台表面温度測
定機構は該二本のアーム部の間に配設されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第５
項までのいずれかに記載のCVD薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29249785A JPS62154636A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29249785A JPS62154636A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154636A JPS62154636A (ja) | 1987-07-09 |
| JPH0347739B2 true JPH0347739B2 (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=17782584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29249785A Granted JPS62154636A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154636A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102831858B1 (ko) * | 2019-03-06 | 2025-07-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 캐리어 장치, 기판 처리 장치, 및 서셉터의 온도 조절 방법 |
| JP7634390B2 (ja) * | 2021-03-12 | 2025-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 |
| CN117836915A (zh) * | 2021-09-24 | 2024-04-05 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5776852A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-14 | Nec Corp | Card for probe |
| JPS61183938A (ja) * | 1985-02-09 | 1986-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | オ−トプロ−バ− |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29249785A patent/JPS62154636A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62154636A (ja) | 1987-07-09 |
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