JPS60745A - 半導体ウエハの製造装置 - Google Patents
半導体ウエハの製造装置Info
- Publication number
- JPS60745A JPS60745A JP58108128A JP10812883A JPS60745A JP S60745 A JPS60745 A JP S60745A JP 58108128 A JP58108128 A JP 58108128A JP 10812883 A JP10812883 A JP 10812883A JP S60745 A JPS60745 A JP S60745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- flatness
- semiconductor wafer
- cutting edge
- measuring device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体ウェハの製造装置に関する。
従来、半導体ウニ・・は、チョクラルスキー法等で得ら
れた円柱状の単結晶体を、所定の肉厚のものにスライス
加工して製造されている。このようなスライス加工処理
を行う半導体ウニ・・の製造装置は、環状基盤の中央部
に形成された貫入孔の内周縁部に刃先部を設けて、貫入
孔内に挿入された単結晶体に、円盤を回転させ冷却水を
流しながら刃先部番押し付は名ことによりスライス加工
を施すようになっている。而して、スライス加工処理は
、予め、円盤の外周細部に設けられた基盤張設がルトに
よシ、基盤を水平状態に張設した後に行っている。この
基盤の張≠後の水平状態、つまり、基盤の平坦度は、調
輿された基盤張設ゲルトに対向する刃先部に、ローラー
付ダイヤルグー・ゾを当設して中心部から刃先部までの
距離の変動を調べることにより行っている。
れた円柱状の単結晶体を、所定の肉厚のものにスライス
加工して製造されている。このようなスライス加工処理
を行う半導体ウニ・・の製造装置は、環状基盤の中央部
に形成された貫入孔の内周縁部に刃先部を設けて、貫入
孔内に挿入された単結晶体に、円盤を回転させ冷却水を
流しながら刃先部番押し付は名ことによりスライス加工
を施すようになっている。而して、スライス加工処理は
、予め、円盤の外周細部に設けられた基盤張設がルトに
よシ、基盤を水平状態に張設した後に行っている。この
基盤の張≠後の水平状態、つまり、基盤の平坦度は、調
輿された基盤張設ゲルトに対向する刃先部に、ローラー
付ダイヤルグー・ゾを当設して中心部から刃先部までの
距離の変動を調べることにより行っている。
このようにローラ付ダイヤルダージを用いて張設後の基
盤の平坦度を測定するようにした半導体ウニ・・の製造
装置では、スライス加工処理前の基盤の平坦度は、第１
図（Ａ） （［３） （Ｃ） （Ｄ）及び第２図（ト）
（Ｂ） （Ｃ）に示す通シである。
盤の平坦度を測定するようにした半導体ウニ・・の製造
装置では、スライス加工処理前の基盤の平坦度は、第１
図（Ａ） （［３） （Ｃ） （Ｄ）及び第２図（ト）
（Ｂ） （Ｃ）に示す通シである。
第３図は、張設された基盤１の平面図を示している。同
図中２は、ダイヤモンドブレード等からなる刃先部であ
る。第１図（局は、第３図に示す基盤１の中心点３から
所定の外周方向（ぺ（仮に下方向とする。）に沿う平坦
度を中心点３からの距離５１１１１１１（Ｌｌ）、５０
ｍ（Ｌ２）、１３０１１１１１（Ｌｌ）の各地点につい
て、基準面からの変位量に従って示したものである。こ
の下方向（４）については、中心点３から外周方向に遠
ざかるに従って、基盤面が隆起していることが判る。同
様に、第１図（日は、中心点３から左方向（１１９の外
周に向う各地点（Ｌｌ ）（Ｌ２ ）（Ｌｓ ）の起伏
を示し、外周に向って基準面から次第に低くなっている
ことが判る。第１図１ｃ）は、同様に中心点３から上方
向（Ｃ’ｌに沿った基盤面の起伏を示し、外周に向って
基準面から次第に高くなっていることが判る。更に、第
１図（０は、中心点３が右方向（６）に沿う場合で、外
周に向うに従って基準面から次第に低くなっていること
が判る。また、第２図（Ａｔは、基盤１０周方向に沿う
刃先部２から５瓢の地点の起伏を示し、第２図（Ｂ）は
、刃先部３から５０瓢の地点の周、方向に沿う起伏を示
し、第２図（Ｑ ／Ｉ′ｉ、１３０關の地点の周方向に
沿う起伏を示している。これらの図から明らかな如く、
外周に近い領域はど周方向に沿う起伏が多いことが判る
。
図中２は、ダイヤモンドブレード等からなる刃先部であ
る。第１図（局は、第３図に示す基盤１の中心点３から
所定の外周方向（ぺ（仮に下方向とする。）に沿う平坦
度を中心点３からの距離５１１１１１１（Ｌｌ）、５０
ｍ（Ｌ２）、１３０１１１１１（Ｌｌ）の各地点につい
て、基準面からの変位量に従って示したものである。こ
の下方向（４）については、中心点３から外周方向に遠
ざかるに従って、基盤面が隆起していることが判る。同
様に、第１図（日は、中心点３から左方向（１１９の外
周に向う各地点（Ｌｌ ）（Ｌ２ ）（Ｌｓ ）の起伏
を示し、外周に向って基準面から次第に低くなっている
ことが判る。第１図１ｃ）は、同様に中心点３から上方
向（Ｃ’ｌに沿った基盤面の起伏を示し、外周に向って
基準面から次第に高くなっていることが判る。更に、第
１図（０は、中心点３が右方向（６）に沿う場合で、外
周に向うに従って基準面から次第に低くなっていること
が判る。また、第２図（Ａｔは、基盤１０周方向に沿う
刃先部２から５瓢の地点の起伏を示し、第２図（Ｂ）は
、刃先部３から５０瓢の地点の周、方向に沿う起伏を示
し、第２図（Ｑ ／Ｉ′ｉ、１３０關の地点の周方向に
沿う起伏を示している。これらの図から明らかな如く、
外周に近い領域はど周方向に沿う起伏が多いことが判る
。
従来の半導体ウェハの製造装置では、平坦度の調節後で
あっても第１図（Ａω） （Ｃ） （１））及び第２図
（ハ））の）（Ｃ）に示す如く基盤に大きな起伏がある
。このため従来の半導体ウェノ・の製造装置によって半
導体単結晶体からスライス加工して得られたウェハの反
シの状態を調べると、第４図に特性線（１）にて示す如
く、極めて大きなばらつきを示している。その結果、歩
留を低下する問題があった。
あっても第１図（Ａω） （Ｃ） （１））及び第２図
（ハ））の）（Ｃ）に示す如く基盤に大きな起伏がある
。このため従来の半導体ウェノ・の製造装置によって半
導体単結晶体からスライス加工して得られたウェハの反
シの状態を調べると、第４図に特性線（１）にて示す如
く、極めて大きなばらつきを示している。その結果、歩
留を低下する問題があった。
本発明は、反りの小さい平坦度の高いウエノ・を容易に
製造して歩留シの向上を達成した半導体単結晶切断装置
を提供することをその目的とするものである・ 〔発明の概要〕 本発明は、刃先部を支持する基盤の平坦度を測定する平
坦度測定器を設けたことにょシ、反シのない平坦度の高
いウェハを容易に製造して歩留シの向上を達成した半導
体単結晶切断装置である。
製造して歩留シの向上を達成した半導体単結晶切断装置
を提供することをその目的とするものである・ 〔発明の概要〕 本発明は、刃先部を支持する基盤の平坦度を測定する平
坦度測定器を設けたことにょシ、反シのない平坦度の高
いウェハを容易に製造して歩留シの向上を達成した半導
体単結晶切断装置である。
以下、本発明の実施例につｂて図面を参照して説明する
。
。
第５図囚（Ｂ）は、本発明の一実施例の概略構成を示す
説明図である。図中１０は、基台である。
説明図である。図中１０は、基台である。
基台１０上には、第６図に示す如き環状円盤からなる基
盤１１が設けられている。基盤１１の外周縁部上には、
例えば締付はダルトからなる基盤張設用部材１２が所定
間隔を設けて配置されている。基盤１１の中心部には、
被処理体である単結晶体１３が挿入される貫入孔１４が
形成されている。貫入孔１４の内周縁部には、ダヤモン
ドブレード等からなる刃先部１５が形成されている。基
盤１１の上方には、平坦度測定器１６が周方向に沿って
移動自在に設けられている。基盤１１は、図示しない駆
動機構によって直径方向に自在に移動するようになって
いる。
盤１１が設けられている。基盤１１の外周縁部上には、
例えば締付はダルトからなる基盤張設用部材１２が所定
間隔を設けて配置されている。基盤１１の中心部には、
被処理体である単結晶体１３が挿入される貫入孔１４が
形成されている。貫入孔１４の内周縁部には、ダヤモン
ドブレード等からなる刃先部１５が形成されている。基
盤１１の上方には、平坦度測定器１６が周方向に沿って
移動自在に設けられている。基盤１１は、図示しない駆
動機構によって直径方向に自在に移動するようになって
いる。
ここで、平坦度測定器１６は、例えば、レーザ、音波等
の距離測定器で構成されておシ、基盤面と平坦度測定器
１６間の距離を測定して、基盤面の平坦度２ｉｉ−調べ
るようになっている。
の距離測定器で構成されておシ、基盤面と平坦度測定器
１６間の距離を測定して、基盤面の平坦度２ｉｉ−調べ
るようになっている。
このように構成された半導体ウニ・・の製造装置２０に
よれば、第５晶示す如く、弛んだ秋、□ 態にある基盤１１を基盤張設用部材１２を例ガば六角レ
ンチ２１で締め付けることにより、緊張した状態に張シ
上げる。この基盤張設操作は、基盤１１の全周に亘って
行う。基盤張設操作の完了は、第５図（Ｂ）に示す如く
、締付けを行っている基盤張設部材１２と貫入孔１４の
中心点を結ぶ直線に沿って基盤１１の平坦度を、平坦度
測定器１６によって測定して所定値に達したところで確
認する。然る後、貫入孔１４内に被処理体である円柱状
の単結晶体１３を挿入し、基盤１１を回転させ冷却水を
流しながら直径方向に沿って移動することによシ、単結
晶体１３にスライス加工を施す。その結果、所定の肉厚
の半導体ウェハを得る。
よれば、第５晶示す如く、弛んだ秋、□ 態にある基盤１１を基盤張設用部材１２を例ガば六角レ
ンチ２１で締め付けることにより、緊張した状態に張シ
上げる。この基盤張設操作は、基盤１１の全周に亘って
行う。基盤張設操作の完了は、第５図（Ｂ）に示す如く
、締付けを行っている基盤張設部材１２と貫入孔１４の
中心点を結ぶ直線に沿って基盤１１の平坦度を、平坦度
測定器１６によって測定して所定値に達したところで確
認する。然る後、貫入孔１４内に被処理体である円柱状
の単結晶体１３を挿入し、基盤１１を回転させ冷却水を
流しながら直径方向に沿って移動することによシ、単結
晶体１３にスライス加工を施す。その結果、所定の肉厚
の半導体ウェハを得る。
このようにこ９半導体ウェハの製造装置２゜によれば、
平坦度測定器１６によって基盤１１の平坦度を観察しな
がら基盤張設操作を行っているので、第７図（Ａ）ω）
（ｃ） （ｏ）及び第８図体）申）０に示す如く、ス
ライス加工処理前の基盤１１の平坦度は極めて高い。こ
こで、第７図（Ａ） （Ｂ） （Ｃ）（６）は、基盤１
１の中心点２３から下方向（局、下方向（Ｃ）、左方向
（ｎ）、右方向（口に沿う平坦度を、刃先部１５から５
１１１１１１（Ｌｌ）、５０ ｔａｎ （Ｌｘ ）、１
３０ｗｍ（Ｌ３）の地点をもとに調べたものである（第
６図参照）。直径方向についての平坦度は何れの方向（
ＡＩ・・・（Ｄ）についても極て高い平坦度に設定され
ていることが判る。また、第８図囚小）（Ｃ）は、Ｌ１
地点、Ｌ２地点、Ｌ３地点の各々の周方向に沿う平坦度
を調べたものである。何れのものも第３図に示す従来の
ものの場合に比べて、遥かに高い平坦度に設定されてい
ることが判る。
平坦度測定器１６によって基盤１１の平坦度を観察しな
がら基盤張設操作を行っているので、第７図（Ａ）ω）
（ｃ） （ｏ）及び第８図体）申）０に示す如く、ス
ライス加工処理前の基盤１１の平坦度は極めて高い。こ
こで、第７図（Ａ） （Ｂ） （Ｃ）（６）は、基盤１
１の中心点２３から下方向（局、下方向（Ｃ）、左方向
（ｎ）、右方向（口に沿う平坦度を、刃先部１５から５
１１１１１１（Ｌｌ）、５０ ｔａｎ （Ｌｘ ）、１
３０ｗｍ（Ｌ３）の地点をもとに調べたものである（第
６図参照）。直径方向についての平坦度は何れの方向（
ＡＩ・・・（Ｄ）についても極て高い平坦度に設定され
ていることが判る。また、第８図囚小）（Ｃ）は、Ｌ１
地点、Ｌ２地点、Ｌ３地点の各々の周方向に沿う平坦度
を調べたものである。何れのものも第３図に示す従来の
ものの場合に比べて、遥かに高い平坦度に設定されてい
ることが判る。
このように極めて高い平坦度に張設された基盤１１によ
シスライス加工されて得られた半導体ウェハの反シ状態
は、第４図に特性線（ＩＩ）にて示す如く、従来のもの
に比べて、遥かに小さい値であることが判る。
シスライス加工されて得られた半導体ウェハの反シ状態
は、第４図に特性線（ＩＩ）にて示す如く、従来のもの
に比べて、遥かに小さい値であることが判る。
その結果、この半導体ウェハの製造装置２０によれば、
基盤１１を高い平坦度で張設してスライス加工の際の抵
抗を小さくし、刃先部１５の寿命を長くできる。また、
ローラ付グイヤルグージが不要となシ、作業性を向上さ
せることができる。しかも、反シの小さい半導体ウェハ
を容易に製造して歩留Ｆ）ｋ向上させることができる。
基盤１１を高い平坦度で張設してスライス加工の際の抵
抗を小さくし、刃先部１５の寿命を長くできる。また、
ローラ付グイヤルグージが不要となシ、作業性を向上さ
せることができる。しかも、反シの小さい半導体ウェハ
を容易に製造して歩留Ｆ）ｋ向上させることができる。
以上説明した如く、本発明に係る半導体単結晶切断装置
によれば、反シのない平坦度の高いウェハを容易に製造
して歩留シの向上を達成できるものである。
によれば、反シのない平坦度の高いウェハを容易に製造
して歩留シの向上を達成できるものである。
第１図及び第７図は、基盤の直径方向の平坦度を示す特
性図、第２図及び第８図は、基盤の周方向の平坦度を示
す特性図、第３図及び第６図は、基盤の平面図、第４図
は、半導体ウェノ・の反りと枚数の関係を示す特性図、
第５図は、本発明の一実施例゛の概略構成を示す説明図
である。 １０・・・基台、１１・・・基盤、１２・・・基盤調節
部材、１３・・・単結晶体、１４・・・貫入孔、１５０
０．刃先部、１６・・・平坦度測定器、と・・・半導体
ウェハの製造装置、２１・・・六角レンチ、２３・・・
中心点Ｏ
性図、第２図及び第８図は、基盤の周方向の平坦度を示
す特性図、第３図及び第６図は、基盤の平面図、第４図
は、半導体ウェノ・の反りと枚数の関係を示す特性図、
第５図は、本発明の一実施例゛の概略構成を示す説明図
である。 １０・・・基台、１１・・・基盤、１２・・・基盤調節
部材、１３・・・単結晶体、１４・・・貫入孔、１５０
０．刃先部、１６・・・平坦度測定器、と・・・半導体
ウェハの製造装置、２１・・・六角レンチ、２３・・・
中心点Ｏ
Claims (1)
- 譲状円盤からなる基盤と、該基盤の中心部に形成された
被処理体の貫入孔と、該貫入孔内に臨む前記基盤の内周
縁部に形成された刃先部と、前記基盤の外周縁部に所定
間隔で設けられた基盤張設用部材と、前記基盤の表面に
対向し、かつ、周方向に沿って移動自在に設けられた平
坦度測定器と、前記基盤を直径方向に沿って移動する駆
動機構とを具備することｆ、％徴とする半導体ウェノ・
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108128A JPS60745A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体ウエハの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108128A JPS60745A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体ウエハの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60745A true JPS60745A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14476640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108128A Pending JPS60745A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体ウエハの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4683176A (en) * | 1983-08-15 | 1987-07-28 | Nihonshinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Optical magnetic recording member |
| JPH04216012A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | スライシングマシンの切断方法 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58108128A patent/JPS60745A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4683176A (en) * | 1983-08-15 | 1987-07-28 | Nihonshinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Optical magnetic recording member |
| JPH04216012A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | スライシングマシンの切断方法 |
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