JPS6076027U - マイクロ波集積回路用キヤパシタ - Google Patents

マイクロ波集積回路用キヤパシタ

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JPS6076027U
JPS6076027U JP16680883U JP16680883U JPS6076027U JP S6076027 U JPS6076027 U JP S6076027U JP 16680883 U JP16680883 U JP 16680883U JP 16680883 U JP16680883 U JP 16680883U JP S6076027 U JPS6076027 U JP S6076027U
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JP
Japan
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microwave integrated
layer metal
capacitor
metal film
integrated circuits
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JP16680883U
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千明　俊雄
後藤　美輝男
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａは従来用いられているＭＩＭキャパシタの構造
を示す平面図、第１図すは同図ａのＡ−Ａ′線断面図、
第２図は従来のエア・ブリッジ法を用いたＭＩＭキャパ
シタの構造を示す断面図、第３図ａは本考案の一実施例
を示す平面図、第３図すは同図ａのＡ−Ａ’線断面図、
第３図Ｃは同図ａの１３−Ｂ’線断面図である。 １・・・誘電体基板あるいは半絶縁性半導体基板、２・
・・第１層の金属膜、３・・・絶縁膜、４・・・第２層
の金属膜、５・・・段差部、６・・・第１の線路、７・
・・第２の線路、８・・・接地導体膜、１・２・・・エ
ア・ブリッジ、２１・・・細い金属膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. マイクロ波集積回路あるいはモノリシックマイクロ波集
    積回路の誘電体基板あるいは半絶縁性半導体基板上部に
    形成され、第１の線路に接続された第１層の金属膜と、
    この第１層の金属膜の上部および周辺部に形成された絶
    縁膜と、この絶縁膜の上部に形成され第２の線路に接続
    された第２層の金属膜からなるマイクロ波集積回路用キ
    ャパシタにおいて、前記絶縁膜の周辺部の段差部に形成
    される第２層の金属膜を部分的に除去した構造にし、絶
    縁膜の段差部上に有る第２層の金属膜の面積を小さくし
    たことを特徴とするマイクロ波集積回路用キャパシタ。
JP16680883U 1983-10-27 1983-10-27 マイクロ波集積回路用キヤパシタ Granted JPS6076027U (ja)

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JPS6076027U true JPS6076027U (ja) 1985-05-28
JPH0113405Y2 JPH0113405Y2 (ja) 1989-04-19

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