JPH0573273B2 - - Google Patents

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JPH0573273B2
JPH0573273B2 JP61233615A JP23361586A JPH0573273B2 JP H0573273 B2 JPH0573273 B2 JP H0573273B2 JP 61233615 A JP61233615 A JP 61233615A JP 23361586 A JP23361586 A JP 23361586A JP H0573273 B2 JPH0573273 B2 JP H0573273B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gallium arsenide
insulating film
mask
electrodes
arsenide substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61233615A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6387761A (ja
Inventor
Juji Hara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS6387761A publication Critical patent/JPS6387761A/ja
Publication of JPH0573273B2 publication Critical patent/JPH0573273B2/ja
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D88/00—Three-dimensional [3D] integrated devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガリウム砒素集積回路のMIM容量に
関する。
〔従来の技術〕
MIM容量は配線金属を容量の両電極として使
用し、これら両電極間に絶縁膜をはさみ込むこと
により容量としているが、従来、ガリウム砒素集
積回路に用いられていたMIM容量はガリウム砒
素基板の平坦部分に形成されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
容量の容量値は電極の対向面積に比例し、電極
間の距離に反比例するため、容量値を大きくする
には、電極の面積を大きくするか、電極間の絶縁
膜を薄くすればよいが、電極の面積の増大はチツ
プ面積の増大になり、絶縁間を薄くすれば、ピン
ホールが発生しやすくなり信頼性が低下する。そ
のため、従来のガリウム砒素集積回路のMIM容
量は小面積で大きい容量値を得ることができない
という欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、ガリウム砒素基板上に成長し
不要部分を除去して段差を設けたマスクと、マス
ク間に存在し、マスクに対して自己整合してガリ
ウム砒素基板に形成された溝と、段差の部分を含
むマスクの外表面及び溝の表面に沿つて形成した
絶縁膜と、絶縁膜に沿つて形成した上側の電極層
とを備えたガリウム砒素集積回路のMIM容量が
得られる。
〔実施例〕
次に、図面を参照して本発明について説明す
る。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
１はガリウム砒素基板２上に成長した絶縁膜で
あり、不要部分を除去して段差を設けてある。ガ
リウム砒素基板２には絶縁膜１をマスクにしてウ
エツトで異方性エツチングを施してＶ字型の溝が
つくられている。３，５はそれぞれ容量の下側と
上側との電極であり、配線金属を用いて形成す
る。４は容量に用いる絶縁膜である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ガリウム砒素基
板上に成長した絶縁膜の不要部分を除去して段差
を設け、この絶縁膜とこの絶縁膜をマスクにして
異方性エツチングを施してガリウム砒素基板に設
けた窪みとの上にMIM容量を形成することによ
り、従来のMIM容量より大きな電極の対向面積
を得ることができるので、小面積で大きい容量値
を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。 １……絶縁膜、２……ガリウム砒素基板、３…
…下側の電極、４……絶縁膜、５……上側の電
極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ ガリウム砒素基板上に成長し不要部分を除去
    して段差を設けたマスクと、前記マスク間に存在
    し、前記マスクに対して自己整合して前記ガリウ
    ム砒素基板に形成された溝と、前記段差の部分を
    含む前記マスクの外表面及び前記溝の表面に沿つ
    て形成した絶縁膜と、前記絶縁膜に沿つて形成し
    た上側の電極層とを備えたことを特徴とするガリ
    ウム砒素集積回路のMIM容量。
JP61233615A 1986-09-30 1986-09-30 ガリウム砒素集積回路のｍｉｍ容量 Granted JPS6387761A (ja)

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US6251740B1 (en) 1998-12-23 2001-06-26 Lsi Logic Corporation Method of forming and electrically connecting a vertical interdigitated metal-insulator-metal capacitor extending between interconnect layers in an integrated circuit
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US6417535B1 (en) * 1998-12-23 2002-07-09 Lsi Logic Corporation Vertical interdigitated metal-insulator-metal capacitor for an integrated circuit
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US6341056B1 (en) 2000-05-17 2002-01-22 Lsi Logic Corporation Capacitor with multiple-component dielectric and method of fabricating same
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