JPS5891669A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5891669A
JPS5891669A JP56189585A JP18958581A JPS5891669A JP S5891669 A JPS5891669 A JP S5891669A JP 56189585 A JP56189585 A JP 56189585A JP 18958581 A JP18958581 A JP 18958581A JP S5891669 A JPS5891669 A JP S5891669A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
insulating film
polycrystalline
area
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP56189585A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoyuki Morita
直幸 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5891669A publication Critical patent/JPS5891669A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はキャパシターを必要とする半導体装置の構造に
関する。
従来は、平担な絶縁膜上に形成された１層目の多結晶Ｓ
１とその上に薄い絶縁膜を介して形成された２層目の多
結晶８１とでキャパシターを形成していた。例えば第１
図において８１基板１上に形成された絶縁１［２上に１
層目の多結晶８１３を形成し、その上に薄い絶縁膜４を
介して２層目の多結晶Ｓｉ５を形成している。
従来のキャパシター構造においては平担な絶縁膜上にキ
ャパシターを形成しているために、大きな容量を必要と
する半導体集積回路においてはキャパシタ一部で大きな
面積を古め、チップ面積の増大をもたらし問題であった
。従来の構造でキャパシタ一部の面積を増加させること
なく容量を増すためには絶縁膜４を薄くする方法がある
が、絶縁膜にピンホール、リーク電流等が発生し特性上
の問題を引きおこすために絶Ｉｉ＆膜厚には限度があっ
た。このために容量の増加はキャパシタ一部の面積増大
をもたらし問題であった。
本発明の目的はこれらの問題点を改良し、キャハシｐ　
−１７５の面積を増大させることなくキャパシター容量
の増加を行なえる半導体装置の構造を提供することにあ
る。
以下本発明の実施例を用いて本発明の詳細な説明を行な
う。
第２図は本発明の一実施例を示す断面図である。本図に
おいて１は８１基板、２は熱酸化によるＳｉｎ、絶縁膜
、３は１層目の多結晶ｓ１膜、４は熱酸化による薄いＳ
１０．絶縁膜でその上に５の２層目の多結晶ｓ１膜を形
成しキャパシターを構成している。ここでキャパシタ一
部下の絶縁膜２につシ社て」ま、−絶縁膜２形成のため
の熱酸化等に選択的に酸化される領域と、酸化されない
領域を交互に形成させ凹凸構造とする。以下従来と同様
に１層目の多結晶Ｂ１膜５を形成しその後熱酸化により
薄い絶縁膜４を形成しその上に２層目の多結晶Ｓ１膜５
を形成する。上記凹凸構造により水平方向のみならず縦
方向にキャパシターを形成する事が可能になり、凹凸の
ピッチを適当に選択する事により従来と同面積のキャパ
シタ一部で３０襲から５０％程度キャパシター容量を増
加させる事が可能になりた。
上述のごとく本発明によれば従来と同様のキャパシター
面積で３０襲から５０％程度キャパシター容量を増加さ
せることが可能になり、チップ面、　　　積の増大を最
小限にできる。また従来の半導体集積回路においてはキ
ャパシター容量を変化させることなくキャパシター面積
の縮少が可能になり、チップ面積を縮少する事が可能に
なる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のキャパシタ一部の断面図、第２図は本発
明の一実施例を示すキャパシタ一部の断面図である。 １・・・・・・８１基板 ２・・・・・・Ｓ１０．絶縁膜 ３・・・・・・１層目多結晶Ｓ１膜 ４°−°°−Ｓ　ｉ　Ｏ冨絶縁膜 ５・・・・・・２層目多結晶８１膜 以　　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. キャパシターを必要とする半導体集積回路において、キ
    ャパシタ一部に凹凸構造を持つことを特徴とする半導体
    装置。
JP56189585A 1981-11-26 1981-11-26 半導体装置 Pending JPS5891669A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60158654A (ja) * 1984-01-28 1985-08-20 Seiko Epson Corp 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4957779A (ja) * 1972-06-02 1974-06-05
JPS5269589A (en) * 1975-12-08 1977-06-09 Hitachi Ltd Semiconductor capacity element
JPS5376686A (en) * 1976-12-17 1978-07-07 Nec Corp Semiconductor device

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