JPS6076142A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6076142A JPS6076142A JP18475383A JP18475383A JPS6076142A JP S6076142 A JPS6076142 A JP S6076142A JP 18475383 A JP18475383 A JP 18475383A JP 18475383 A JP18475383 A JP 18475383A JP S6076142 A JPS6076142 A JP S6076142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- insulating film
- groove
- contact hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
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- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する技術分野の説明
本発明は半導体装置における配線層の構造に関するもの
である０ （２）従来技術の説明 従来、半導体装置の配線層の形成は半導体基板上の絶縁
層にコンタクト孔を形成しその上に配線物質を付着させ
フォトエツチング法によシ配線層を形成する構造をとっ
ている。この構造によると配線層において配線のある部
分と配線のない部分で段差が生じ、特に二層以上の配線
層をもつ半導体装置においては、配線残シあるいは配線
段切れとなる可能性が高くなシこれが多層配線を持つ半
導体集積回路の配線の信頼性を低下させるような欠点が
あった。
である０ （２）従来技術の説明 従来、半導体装置の配線層の形成は半導体基板上の絶縁
層にコンタクト孔を形成しその上に配線物質を付着させ
フォトエツチング法によシ配線層を形成する構造をとっ
ている。この構造によると配線層において配線のある部
分と配線のない部分で段差が生じ、特に二層以上の配線
層をもつ半導体装置においては、配線残シあるいは配線
段切れとなる可能性が高くなシこれが多層配線を持つ半
導体集積回路の配線の信頼性を低下させるような欠点が
あった。
（３）発明の詳細な説明
本発明は従来の半導体装置の製造設備を用い半導体基板
上の絶縁膜に配線層を収容する溝を形成し、配線ノーの
段差を平担化することによって、配線残シをなくしさら
に多層配線時の下１６段差による配線段切れを防止する
ことができる多層配線の配線構造を提供することを目的
とするものである。
上の絶縁膜に配線層を収容する溝を形成し、配線ノーの
段差を平担化することによって、配線残シをなくしさら
に多層配線時の下１６段差による配線段切れを防止する
ことができる多層配線の配線構造を提供することを目的
とするものである。
（４）発明の構成
半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔を形成しその上に
配線層を形成する半導体装置において、絶縁膜に配線層
を収容する溝を形成することによシ配線残シを防止し、
配線段差を平担化することによシ配線段切れを防止する
ことができる配線層構造を有することを特徴とした半導
体装置である。
配線層を形成する半導体装置において、絶縁膜に配線層
を収容する溝を形成することによシ配線残シを防止し、
配線段差を平担化することによシ配線段切れを防止する
ことができる配線層構造を有することを特徴とした半導
体装置である。
（５）実施例の説明
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は従来技術により形成した一層配線系のコンタク
ト部分の断面図である。半導体基板１０１上に絶縁膜１
０２を付着させ所望の位置にコンタクト孔１０３を形成
する。その後配線物質１０４を付着させて配線層を形成
し最後に保護膜１０５を付着させている。
ト部分の断面図である。半導体基板１０１上に絶縁膜１
０２を付着させ所望の位置にコンタクト孔１０３を形成
する。その後配線物質１０４を付着させて配線層を形成
し最後に保護膜１０５を付着させている。
第２図は本発明の一実施例を示すものでおる。
例として一層配線構造の場合を示す。半導体基板２０１
上に付着させた絶縁膜２０２にフォト−・チング、法を
用いて配線層を収容する溝２０３を形成し所望め位置に
コンタクト孔２０４を形成した後、十分膜厚のある配線
物質を付着させる。この配線物質を適切にエツチングし
前記で形成した溝にのみ配線物質を残すことによって平
担化された配線層が形成される。その後保護膜２０８を
付着させると一層配線は終了する。以上一層配線系の構
造について説明したが本発明は二層三層等の多層配線構
造の場合にも適応でき、多層となるほど配線段差が緩和
される構造となるので配線残シによる線間短絡や下層段
差による配線段切れなどを防止することができ信頼性の
高い多層配線構造を実現することができる。
上に付着させた絶縁膜２０２にフォト−・チング、法を
用いて配線層を収容する溝２０３を形成し所望め位置に
コンタクト孔２０４を形成した後、十分膜厚のある配線
物質を付着させる。この配線物質を適切にエツチングし
前記で形成した溝にのみ配線物質を残すことによって平
担化された配線層が形成される。その後保護膜２０８を
付着させると一層配線は終了する。以上一層配線系の構
造について説明したが本発明は二層三層等の多層配線構
造の場合にも適応でき、多層となるほど配線段差が緩和
される構造となるので配線残シによる線間短絡や下層段
差による配線段切れなどを防止することができ信頼性の
高い多層配線構造を実現することができる。
第３図は本発明の二層配線構造の例を示すものである。
−
−（６）発明の詳細な説明
本発明は以上説明したようにコンタクト孔を開孔する前
に絶縁膜に配線層を収容する溝を形成することによって
段差のない高信頼性の配線構造を形成することができる
効果がある。
に絶縁膜に配線層を収容する溝を形成することによって
段差のない高信頼性の配線構造を形成することができる
効果がある。
第１図は従来技術によ多形成した一層配線構造のコンタ
クト部の断面図、第２図（Ａ）〜（切は本発明の一層配
線構造の一実施例を示すコンタクト部の断面図、第３図
は本発明の二層配線構造の一実施例を示す断面図である
。 尚、図において、１ｏ１・・・・・・半導体基板、１ｏ
２・・・・・・絶縁膜、１０３・・・・・・コンタクト
孔、１ｏ４・・・・・・配線物質、ｌＯ５・・・・・・
保護膜、２０１・・・・・・半導体基板、２０２・・・
・・・絶縁膜、２０３配線層を収容する溝、２０４・・
・・・・コンタクト孔、２０５・・・・・・配線物質、
２０６・・・・・・パターニングされたフォトレジスト
、２０７・・・・・・整形された配線物質、２０８・・
・・・・保護膜、３０１・・・・・・半導体基板、３０
２・・・・・・絶縁膜、３０３・・・・・・整形された
一層目の配線物質、３０４・・・・・・二層目の絶縁膜
、３０５・・・・・・整形された二層目の配線物質、３
０６・・・・・・保護膜である。 ８ｚ図 豹２ 図 第３図
クト部の断面図、第２図（Ａ）〜（切は本発明の一層配
線構造の一実施例を示すコンタクト部の断面図、第３図
は本発明の二層配線構造の一実施例を示す断面図である
。 尚、図において、１ｏ１・・・・・・半導体基板、１ｏ
２・・・・・・絶縁膜、１０３・・・・・・コンタクト
孔、１ｏ４・・・・・・配線物質、ｌＯ５・・・・・・
保護膜、２０１・・・・・・半導体基板、２０２・・・
・・・絶縁膜、２０３配線層を収容する溝、２０４・・
・・・・コンタクト孔、２０５・・・・・・配線物質、
２０６・・・・・・パターニングされたフォトレジスト
、２０７・・・・・・整形された配線物質、２０８・・
・・・・保護膜、３０１・・・・・・半導体基板、３０
２・・・・・・絶縁膜、３０３・・・・・・整形された
一層目の配線物質、３０４・・・・・・二層目の絶縁膜
、３０５・・・・・・整形された二層目の配線物質、３
０６・・・・・・保護膜である。 ８ｚ図 豹２ 図 第３図
Claims (1)
- 半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔を形成しその上に
配線層を形成する半導体装置において、絶縁膜に配線層
を収容する溝を有することを特徴とした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18475383A JPS6076142A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18475383A JPS6076142A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076142A true JPS6076142A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16158738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18475383A Pending JPS6076142A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076142A (ja) |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP18475383A patent/JPS6076142A/ja active Pending
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