JPS6076746A - 露光マスクの修理方法 - Google Patents
露光マスクの修理方法Info
- Publication number
- JPS6076746A JPS6076746A JP59168913A JP16891384A JPS6076746A JP S6076746 A JPS6076746 A JP S6076746A JP 59168913 A JP59168913 A JP 59168913A JP 16891384 A JP16891384 A JP 16891384A JP S6076746 A JPS6076746 A JP S6076746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- solution
- exposure
- coated
- exposure mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 238000000454 electroless metal deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical group O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 claims 1
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 claims 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000009996 mechanical pre-treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
である基板上に設けられており、且つ使用する露光用放
射光に対し非透過性であるマスク構造体を有する露光マ
スクの修理方法で、該露光マスクの修理すべき面を使用
する露光用放射光に対しシI−透適性である材料で被覆
する際、被覆を要しない面をマスキングしておき乍ら、
被覆すべき露光マスク面を自触媒的に作用する浴より無
電金属付着法で金属化する露光マスクの修理方法に関す
るものである。
射光に対し非透過性であるマスク構造体を有する露光マ
スクの修理方法で、該露光マスクの修理すべき面を使用
する露光用放射光に対しシI−透適性である材料で被覆
する際、被覆を要しない面をマスキングしておき乍ら、
被覆すべき露光マスク面を自触媒的に作用する浴より無
電金属付着法で金属化する露光マスクの修理方法に関す
るものである。
露光マスクは、トランジスタ、ダイオードまたは集積回
路のような、例えば電子素子の製造において要求される
。これら素子に関して特性値は、半導体本体に設けられ
る金属化の被着面積や寸法により、またある場合には半
導体本体に設けられる異なる導電形領域の、例えばマス
キンク層を用いての拡散によって得られるパターンによ
り、その大部分が決定される。この為、極めて高度の精
度が金属化する際や上記導電形領域を設ける際に要求さ
れる。更に、所望パターンを設ける為に使用すべきマス
クは、数回使用できるような強度を有していなければな
らない。これら理由により、かかる目的に要求される精
度を伴って任意形態の光学マスクを製造することは、技
術的に複雑であり、また比較的費用の掛ることである。
路のような、例えば電子素子の製造において要求される
。これら素子に関して特性値は、半導体本体に設けられ
る金属化の被着面積や寸法により、またある場合には半
導体本体に設けられる異なる導電形領域の、例えばマス
キンク層を用いての拡散によって得られるパターンによ
り、その大部分が決定される。この為、極めて高度の精
度が金属化する際や上記導電形領域を設ける際に要求さ
れる。更に、所望パターンを設ける為に使用すべきマス
クは、数回使用できるような強度を有していなければな
らない。これら理由により、かかる目的に要求される精
度を伴って任意形態の光学マスクを製造することは、技
術的に複雑であり、また比較的費用の掛ることである。
実際には、最適結果はマスクができるだけ平形である場
合に得られることが分った。マスク構造体は、マスクを
数回使用できるように耐摩耗性でなければならないが、
また同時に該マスクは、鮮明に画成された像かががるマ
スク構造体を介して放射感応性ラッカ一層上に表示され
るように正確に鋭角としなければならない。
合に得られることが分った。マスク構造体は、マスクを
数回使用できるように耐摩耗性でなければならないが、
また同時に該マスクは、鮮明に画成された像かががるマ
スク構造体を介して放射感応性ラッカ一層上に表示され
るように正確に鋭角としなければならない。
露光用放射光に対し透過性である基板上に薄膜パターン
形態でマスク構造体を有するマスクは、特にこれら性質
を有する。かがる薄膜パターンは、薄膜技術で知られた
技術、例えば蒸着またはカソードスパッタリングにより
基板に被着される。
形態でマスク構造体を有するマスクは、特にこれら性質
を有する。かがる薄膜パターンは、薄膜技術で知られた
技術、例えば蒸着またはカソードスパッタリングにより
基板に被着される。
しかしこれら製造法においては、マスク構造体が露光用
放射光に対し局部的に透過性となり、また孔(所謂ピン
ホール)により光学的必要条件が満たされなくなる場合
が起こり得る。マスクの製造は複雑で、従って費用が扛
)る為に、かかる欠陥マスクを直ちに不合格品とみなさ
ず、欠陥部分を修理することによりマスクを使用に適し
た状態にし得ることを確実ならしめるような方法を見い
出ずことが実際に試みられてきた。
放射光に対し局部的に透過性となり、また孔(所謂ピン
ホール)により光学的必要条件が満たされなくなる場合
が起こり得る。マスクの製造は複雑で、従って費用が扛
)る為に、かかる欠陥マスクを直ちに不合格品とみなさ
ず、欠陥部分を修理することによりマスクを使用に適し
た状態にし得ることを確実ならしめるような方法を見い
出ずことが実際に試みられてきた。
最初に述べた方法は米国特許第4.200.668号明
細書に開示されており、この方法は無電金属付着法によ
り、特にクロムまたはニッケルを、例えばクロムの修理
すべきマスク構造体の面上に堆積させるものである。
細書に開示されており、この方法は無電金属付着法によ
り、特にクロムまたはニッケルを、例えばクロムの修理
すべきマスク構造体の面上に堆積させるものである。
特にガラス板をマスク構造体用の基板として使用した場
合には、クロムまたはニッケルで修理されたマスク構造
体の面は大量生産において、実際の使用に必要な高い耐
摩耗性を示さないことが分った。即ち、修理した面の耐
摩耗性は、例えばカソードスパッタリングまたは真空蒸
着により基板に被着された初期マスク構造体の耐摩耗性
よりも低かった。この耐摩耗性が低いという欠点は、例
えばマスク構造体におけるピンポール形態の欠陥部を修
理するだけでなく、マスク構造体を他の構造要素で更に
完全なものとする必要が生じてくる為に、更に大きな問
題を生じることになる。
合には、クロムまたはニッケルで修理されたマスク構造
体の面は大量生産において、実際の使用に必要な高い耐
摩耗性を示さないことが分った。即ち、修理した面の耐
摩耗性は、例えばカソードスパッタリングまたは真空蒸
着により基板に被着された初期マスク構造体の耐摩耗性
よりも低かった。この耐摩耗性が低いという欠点は、例
えばマスク構造体におけるピンポール形態の欠陥部を修
理するだけでなく、マスク構造体を他の構造要素で更に
完全なものとする必要が生じてくる為に、更に大きな問
題を生じることになる。
本発明の目的は、マスク構造体を修理面が少なくとも初
期のマスク構造体の耐摩耗性と等しい耐摩耗性を有する
ように修理および/または完全なものとすることができ
るように、最初に述べた方法を改善することにある。
期のマスク構造体の耐摩耗性と等しい耐摩耗性を有する
ように修理および/または完全なものとすることができ
るように、最初に述べた方法を改善することにある。
本発明においては、この目的は銀を被覆すべき面上に堆
積させることにより達される。
積させることにより達される。
無電解金属付着法により、特にガラス基板上に堆積した
銀層は、驚くべきことに極めて高い耐摩耗性を有するこ
とが見い出された。また、得られた修理面は完全に光を
透過させないことが分った。
銀層は、驚くべきことに極めて高い耐摩耗性を有するこ
とが見い出された。また、得られた修理面は完全に光を
透過させないことが分った。
尚この為に、修理した面を1000倍の強度の光で検査
した。自触媒的に作用する浴により堆積された銀の耐摩
耗性が高いのは、銀の再結晶作用により銀層の硬化(q
uasi curing)が堆積後に起こり、同時に被
着に有利な被着相互作用が特にガラスと銀との界面間で
起こるという事実による為である。
した。自触媒的に作用する浴により堆積された銀の耐摩
耗性が高いのは、銀の再結晶作用により銀層の硬化(q
uasi curing)が堆積後に起こり、同時に被
着に有利な被着相互作用が特にガラスと銀との界面間で
起こるという事実による為である。
薄金属層を化学的に被着させた場合は、無孔の被着層を
得るのに、また堆積がなされるべき基板を(該基板を増
感させる為に)化学的に予備処理して化学的な金属付着
法に必要な結晶核を生せしめることだけでなく (粗)
堆積面を化学的に予備処理して活性的な結晶化手段をそ
の後の処理の為に設けるのにも特に有効であると考えら
れる。本発明は、堆積がなされるべき表面の機械的予備
処JJ(が不必要であるにもかかわらず修理面の範囲内
において、無孔耐拡散性であって延性であり且つ良好な
被着性故に耐摩耗性であるコープインクが(4jられる
といった事実を確かめ、かかる認識を基に成したもので
ある。
得るのに、また堆積がなされるべき基板を(該基板を増
感させる為に)化学的に予備処理して化学的な金属付着
法に必要な結晶核を生せしめることだけでなく (粗)
堆積面を化学的に予備処理して活性的な結晶化手段をそ
の後の処理の為に設けるのにも特に有効であると考えら
れる。本発明は、堆積がなされるべき表面の機械的予備
処JJ(が不必要であるにもかかわらず修理面の範囲内
において、無孔耐拡散性であって延性であり且つ良好な
被着性故に耐摩耗性であるコープインクが(4jられる
といった事実を確かめ、かかる認識を基に成したもので
ある。
本発明を用いることにより得られる利点は、マスク構造
体を極めて少ない技術処理工程で修理するこ止ができ、
同時に極めて良好な光学的性質を有する均一層厚の耐摩
耗性マスク構造体を得ることができるということにある
ことは明白である。
体を極めて少ない技術処理工程で修理するこ止ができ、
同時に極めて良好な光学的性質を有する均一層厚の耐摩
耗性マスク構造体を得ることができるということにある
ことは明白である。
本発明の方法の他の利点は、欠陥面の孔を被覆すること
ができるだけでなく、マスク構造体を改良および完全な
ものとすることもでき、同時にピンホールのない修理面
を得ることができ、この面は約1000倍の強度の光で
も全く光を透過しないということにある。
ができるだけでなく、マスク構造体を改良および完全な
ものとすることもでき、同時にピンホールのない修理面
を得ることができ、この面は約1000倍の強度の光で
も全く光を透過しないということにある。
本発明の1例として、クロムまたは酸化第二鉄(Fe2
03)のマスク構造体の被覆を必要とする面」二への銀
層の堆積について述べる。
03)のマスク構造体の被覆を必要とする面」二への銀
層の堆積について述べる。
銀で被覆されるべきFe2oz または[rのマスク構
造体面の増感を、塩化スズの溶液により以下に記載する
例に従い行った。この溶液は、スズの結晶化核が特にガ
ラスまたは石英表面と比較して(ガラスまたは石英はマ
スク構造体としての使用に最も適したものであることが
判明した)好適な界面特性を有する為に特に有利である
。しかし、他の適当なる増感溶液を使用することもてき
る。金属コーディングを有しているかまたは有していな
いガラス、石英、セラミックス材料、磁器、樹脂、樹脂
混合物、紙等の基板の増感用の、また無電法による銅、
ニッケル、コバルト、銀、金、スズ、ロジウムおよび亜
鉛の浴による堆積用の種々の浴は当業者に知られている
。
造体面の増感を、塩化スズの溶液により以下に記載する
例に従い行った。この溶液は、スズの結晶化核が特にガ
ラスまたは石英表面と比較して(ガラスまたは石英はマ
スク構造体としての使用に最も適したものであることが
判明した)好適な界面特性を有する為に特に有利である
。しかし、他の適当なる増感溶液を使用することもてき
る。金属コーディングを有しているかまたは有していな
いガラス、石英、セラミックス材料、磁器、樹脂、樹脂
混合物、紙等の基板の増感用の、また無電法による銅、
ニッケル、コバルト、銀、金、スズ、ロジウムおよび亜
鉛の浴による堆積用の種々の浴は当業者に知られている
。
次に本発明を実施例につき説明する。
本発明の方法を実施する為に使用した基板は、pe2L
のマスク基板を備えたガラス板形態の露光マスクであ
る。先ず、この露光マスクを、被覆を要しない面をマス
キングする為に厚さ約1′μmのフォトラッカ一層で被
覆し、かかるフォトラッカ一層において、銀メッキすべ
き露光マスク面を既知方法で露光した。
のマスク基板を備えたガラス板形態の露光マスクであ
る。先ず、この露光マスクを、被覆を要しない面をマス
キングする為に厚さ約1′μmのフォトラッカ一層で被
覆し、かかるフォトラッカ一層において、銀メッキすべ
き露光マスク面を既知方法で露光した。
露光した面を十分に洗浄した後に、以下に示す組成を有
する増感溶液Aを該面に滴加し、2〜3分間放置した。
する増感溶液Aを該面に滴加し、2〜3分間放置した。
溶液A。
1±0.1gの5nC1= + 1±0.1gのC6H
,07・H2Oを50m1の高純度1120 に溶解し
た溶液。
,07・H2Oを50m1の高純度1120 に溶解し
た溶液。
次いで、このように予備処理した露光マスクを十分に洗
浄し、遠心分離で残留液を除去することによって乾燥し
た。
浄し、遠心分離で残留液を除去することによって乾燥し
た。
次に、無電法で銀を堆積させる溶液を調整した。
この為には、以下に示す溶液BとCを等置部で十分に混
合し、得られた混合溶液を銀で被覆すべき露光マスク面
に滴下した。約0.01μm/分の銀が堆積した。所望
の層厚に達した後、露光マスクを十分に洗浄し、遠心分
離により乾燥した。
合し、得られた混合溶液を銀で被覆すべき露光マスク面
に滴下した。約0.01μm/分の銀が堆積した。所望
の層厚に達した後、露光マスクを十分に洗浄し、遠心分
離により乾燥した。
溶液B:
を該溶液が透明になるまで滴下した。
続的に溶解した溶液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 使用される露光用放射光に対し透過性であである基
板上に設けられており、且つ使用される露光用放射光に
対し非透過性であるマスク構造体を有する露光マスクの
修理方法で、露光マスクの修理すべき面を使用する露光
用放射光に対し非透過性である材料で被覆する際、被覆
を要しない面をマスキングしておき乍ら、被覆すべき露
光マスク面を自触媒的に作用する浴より無電金属付着法
で金属化するにあたり、銀を被覆すべき面上に堆積させ
ることを特徴とする露光マスクの修理方法。 2、 マスク構造体に使用する材料が酸化第二鉄(Fe
2L)である特許請求の範囲第1項記載の修理方法。 3、 マスク構造体に使用する材料がクロム([「)で
ある特許請求の範囲第1項記載の修理方法。 4、 先ず、被覆すべき面を無電金属付着用の、50m
1の高純度](20に溶解した 1±0.1gの5nCL + l±0.1gのC6H8
[]7・H20から成る溶液Aで増感し、次いで上記面
を、溶液B+Cの等置部から成り無電法で銀を1体積さ
せる浴により金属化し、この際、溶液BおよびCが以下
の組成を有する溶液。 溶液B: 5±001g の八gNLp、 a を75mji’の
高純度H20+4〜6mf!、のNH3(25%)に溶
解した溶液溶液C1 0,9±0.05gの酒石酸カリウムナトリウム+1.
1 ±0.05g の八gNOs を500mffて1
00 ℃の高純度H20に連続的に溶解した溶液 である特許請求の範囲第1項記載の修理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833329662 DE3329662A1 (de) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | Verfahren zum nachbessern von optischen belichtungsmasken |
| DE3329662.6 | 1983-08-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076746A true JPS6076746A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=6206741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59168913A Pending JPS6076746A (ja) | 1983-08-17 | 1984-08-14 | 露光マスクの修理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0141434B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6076746A (ja) |
| DE (2) | DE3329662A1 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48101559A (ja) * | 1972-03-09 | 1973-12-20 | ||
| JPS5350981A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask collection method |
| JPS58111317A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | フオトマスクの修正方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2015841C3 (de) * | 1970-04-02 | 1979-04-05 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten, vorzugsweise metallischen Schicht auf einem Grundkörper |
| US4018938A (en) * | 1975-06-30 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of high aspect ratio masks |
| US4200668A (en) * | 1978-09-05 | 1980-04-29 | Western Electric Company, Inc. | Method of repairing a defective photomask |
| US4328298A (en) * | 1979-06-27 | 1982-05-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Process for manufacturing lithography masks |
| US4383016A (en) * | 1981-09-25 | 1983-05-10 | Ppg Industries, Inc. | Method for repairing glass photomasks |
-
1983
- 1983-08-17 DE DE19833329662 patent/DE3329662A1/de active Granted
-
1984
- 1984-08-14 JP JP59168913A patent/JPS6076746A/ja active Pending
- 1984-08-15 EP EP84201179A patent/EP0141434B1/de not_active Expired
- 1984-08-15 DE DE8484201179T patent/DE3474867D1/de not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48101559A (ja) * | 1972-03-09 | 1973-12-20 | ||
| JPS5350981A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask collection method |
| JPS58111317A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | フオトマスクの修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0141434B1 (de) | 1988-10-26 |
| EP0141434A2 (de) | 1985-05-15 |
| DE3329662C2 (ja) | 1988-05-26 |
| EP0141434A3 (en) | 1985-07-24 |
| DE3474867D1 (en) | 1988-12-01 |
| DE3329662A1 (de) | 1985-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4328298A (en) | Process for manufacturing lithography masks | |
| US7993509B2 (en) | Manufacturing method of double-sided wiring glass substrate | |
| US6210781B1 (en) | Method for photoselective seeding and metallization of three-dimensional materials | |
| US3481777A (en) | Electroless coating method for making printed circuits | |
| US4379833A (en) | Self-aligned photoresist process | |
| JPH022949B2 (ja) | ||
| US20060204904A1 (en) | Metal mask and manufacturing method thereof | |
| US3443944A (en) | Method of depositing conductive patterns on a substrate | |
| JPH01503101A (ja) | 水性アルカリで現像及び剥離し得るフォトレジストを用いる、印刷配線板のアディテイブ製造方法 | |
| US3669770A (en) | Method of making abrasion-resistant metal-coated glass photomasks | |
| US3615471A (en) | Method for making optical masks | |
| US3619285A (en) | Method of making a patterned metal film article | |
| US3753816A (en) | Method of repairing or depositing a pattern of metal plated areas on an insulating substrate | |
| US3878007A (en) | Method of depositing a pattern of metal plated areas on an insulating substrate | |
| CN111465205A (zh) | 线路的制作方法和lds天线 | |
| US3916056A (en) | Photomask bearing a pattern of metal plated areas | |
| JPS6076746A (ja) | 露光マスクの修理方法 | |
| JPH01221750A (ja) | パターン形成又は修正方法 | |
| JPH026833B2 (ja) | ||
| US3833375A (en) | Method of repairing an imperfect pattern of metalized portions on a substrate | |
| US3791939A (en) | Method of selectively depositing a metal on a surface | |
| JPH0143025B2 (ja) | ||
| JPS617839A (ja) | ハ−ドマスク修正法 | |
| JPH0428132B2 (ja) | ||
| JPS63297585A (ja) | ニッケルスタンパの製造方法 |