JPS6077217A - 主記憶装置のメモリクリア方式 - Google Patents

主記憶装置のメモリクリア方式

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Publication number
JPS6077217A
JPS6077217A JP58185405A JP18540583A JPS6077217A JP S6077217 A JPS6077217 A JP S6077217A JP 58185405 A JP58185405 A JP 58185405A JP 18540583 A JP18540583 A JP 18540583A JP S6077217 A JPS6077217 A JP S6077217A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
clear
address
circuit
words
Prior art date
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Pending
Application number
JP58185405A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiichi Tanabe
田辺 宣一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6077217A publication Critical patent/JPS6077217A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F9/00Arrangements for program control, e.g. control units
    • G06F9/06Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
    • G06F9/30Arrangements for executing machine instructions, e.g. instruction decode
    • G06F9/30003Arrangements for executing specific machine instructions
    • G06F9/3004Arrangements for executing specific machine instructions to perform operations on memory
    • G06F9/30043LOAD or STORE instructions; Clear instruction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は主記憶装置のメモリクリア方式に関し、特に蓄
積プログラム制御システムにおける主記憶装置のメモリ
クリア方式に関する。
従来この釉の主記憶装置のメモリクリアは、中央制御装
置の命令を組み合わせてソフトウェア的に行っている。
例えば、まず■「クリア先頭アドレスのセットおよびカ
ウンタのクリア」命令の実行、次いで■「セットされた
アドレスへのオール°“0″の書込み」命令の実行の稜
、■「カウンタ十1およびクリアアドレス+1」命令の
実行、更に■「カウンタの内容〈クリアワード数ならば
上記■ヘジャンプ」命令の実行というような命令群を繰
返し実行する方式が採られている。
しかるにこの方式では、これら命令群を実行するために
は主記憶装置と中央制御装置との間で通常複数回(p回
とする)の情報授受を行う必要がある。上記の例では1
ワードクリアのため上記■。
■、■の命令が実行されるのでmワードクリアを行うた
めには前記両装置間の情報授受をp×3×m回行う必要
がありメモリクリア処理時間が非常に長くなるという欠
点があった。
本発明の目的は、中央制御装置からのメモリクリアスタ
ートアドレスとクリア信号とによシ主記憶装置のメモリ
クリアを行うことにより上記欠点を除去し、主記憶装置
の任意のアドレスから任意のワード数のメモリクリアを
行えるようにした主記憶装置のメモリクリア方式を提供
することにある。
本発明によれば、主記憶装置と中央制御装置を含んで成
る蓄積プログラム制御システムにおいて、前記主記憶装
置は前記中央制御装置からのクリア信号とアドレス情報
とによシ受信アドレスをメモリクリアスタートアドレス
として以降のアドレスの内容を該クリア信号の受信が停
止されるまで順次クリアするクリア回路を備え、且つ前
記中央制御装置はクリアワード数に対応する時間前記ク
リア信号を送出するカウンタを備えることを特徴とする
主記憶装置のメモリクリア方式が得られる。
次に図面を参照して本発明について説明する。
図は本発明の主記憶装置のメモリクリア方式の一実施例
を示すブロック図である。同図において、中央制御袋[
(以下CC)lは主記憶装置(以下MM)2との間で制
御情報(以下CLT)3とアドレス情報(以下ADD 
)4の送信およびデータまたは命令(以下DATA/l
N5T)5の送受信等を行う命令実行処理回路(以下P
RC)l Qと、PRC10の指示によシフリアワード
数に対応する時間クリア信号(以下CLR)6を送出す
るクリア信号制御カウンタ(以下CNT )l lとを
備え、またM1142はメモリ(以下M)20と、前記
CLT3 、ADD4 、DATA/lN5T5にょb
M2゜の制御を行うメモリ制御回路(以下MCTJ、)
21と、前記CLR6によ、りM20の内容をクリアす
るメモリクリア回路(以下MCIJt) 22とを備え
る。なおM2Oに示した参照記号■。+■n+1+In
+2(CLR)はそれぞれn番地、n+lii地、n+
2番地に格納された命令でろ知命令■。+2(CLR)
はクリア命令である。また参照記号0は1番地、l+1
番地、〜l+m−1番地の内容が論理値uO”、すなわ
ちクリアされていることを示す。
続いて本実施例の動作について説明する。PRCloは
MCTL21へADD4(アトtzス悄明n十2)とD
ATA/lN5T5 (ここでは命令)を送出する。M
CTL21はこの命令を解読する。今この命令が「メモ
リの1番地からmワードクリアせよ」というクリア命令
であったものとすると、PRCIQ ViA])D4 
(メモリクリアスタートアドレス「l」)をMCTL2
1へ送出するとともに、CNT11へワード数「m」 
を転送する。CNT11は直ちにCLR6をMCL几2
2へ送出するとともに、ワード数「m」に対応するタイ
ミングの稜CLR6の送出を停止するようにセットして
計数を開始する。MM2ではMCLR22が受信したC
LR6とMCTL21が受信したメモリクリアスタート
アドレス「l」によ#)M2Oの1番地から順次メモリ
クリアを行い、該CLR6の受信が停止した時点ではl
 + m −1番地までの内容がクリアされた状態とな
るので、1番地からmワードがクリアされる。
以上説明したよりに本実施例では1番地からmワードク
リアを行うためにCC1とMM2との間の情報授受はメ
モリクリアスタートアドレス「l」をCC1からMM2
へ送るだけであシメモリクリア処理時間が大幅に短縮さ
れる。
本発明の主記憶装置のメモリクリア方式は以上説明した
ように、主記憶装置および中央制御装置にそれぞれクリ
ア回路およびカウンタを設は任意のアドレスから任意の
ワード数のメモリクリアを1回の両装置間の情報授受で
行うことによシメモリクリア処理時間が大幅に短縮され
るので、蓄積プログラム制御システムの処理能力が向上
するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の主記憶装置のメモリクリア方式の一実施例
を示すブロック図である。 図において、1・・・・中央制御装置(CC)、2−・
主記憶装置(MM)、3・・・・・・制御情報(CLT
 )、4・・・・・・アドレス情報(ADD) 、5・
・・・・データまたは命令(DATA/lN8T)、6
・・・・・クリア信号(CLR) 、10−・・・・・
命令実行処理回路(PRC)・11 クリア信号制御カ
ウンタ(CNT)、2゜メモリ(M)、21 メモリ制
御回路 (MCTL)、22 ・・・メモリクリア回路(MCL
R)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 主記憶装置と中央制御装置を含んで成る蓄積プログラム
    制御システムにおいて、前記主記憶装置は前記中央制御
    装置からのクリア信号とアドレス情報とによシ受侶アド
    レスをメモリクリアスタートアドレスとして以降のアド
    レスの内容を該クリア信号の受信が停止されるまで順次
    クリアするクリア回路を備え、1つ前記中央制御装置は
    クリアワード数に対応する時間前記クリア信号を送出す
    るカウンタを備えることを特徴とする主記憶装置のメモ
    リクリア方式。
JP58185405A 1983-10-04 1983-10-04 主記憶装置のメモリクリア方式 Pending JPS6077217A (ja)

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JP58185405A JPS6077217A (ja) 1983-10-04 1983-10-04 主記憶装置のメモリクリア方式

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JP58185405A JPS6077217A (ja) 1983-10-04 1983-10-04 主記憶装置のメモリクリア方式

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JPS6077217A true JPS6077217A (ja) 1985-05-01

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JP58185405A Pending JPS6077217A (ja) 1983-10-04 1983-10-04 主記憶装置のメモリクリア方式

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