JPS607739A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS607739A JPS607739A JP58115520A JP11552083A JPS607739A JP S607739 A JPS607739 A JP S607739A JP 58115520 A JP58115520 A JP 58115520A JP 11552083 A JP11552083 A JP 11552083A JP S607739 A JPS607739 A JP S607739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover
- desiccant
- cavity
- package
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/48—Fillings including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Drying Of Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかかり、特に、パッケ
ージ内湿度が超低湿度である半導体装置の製造方法に関
する。
ージ内湿度が超低湿度である半導体装置の製造方法に関
する。
従来、パッケージ内を低湿度にする方法としては、第１
図に示す様な方法があった。つまり、セラミックキャン
プ１の内側にあらかじめデシカント２を塗布ならびに焼
結させておき、しかるのちに、素子４が実装済みである
パッケージ５と前記セラミックキャップ１とを低湿度雰
囲気のベルト炉等で、低融点ガラス３．３”を介して気
密封止するのであった。この場合、キャップ封止時に封
止用ガラス、セラミックキャップ、及びセラミックベー
ス内壁に付着していた水分が脱着し、パッケージ内に残
存する。しかし、これらの水分はキャップ封止の際、封
止温度が常温に近づくにつれてデシカント２に吸着され
る。したがって常温状態においてはパッケージ内は低湿
度に保たれている。
図に示す様な方法があった。つまり、セラミックキャン
プ１の内側にあらかじめデシカント２を塗布ならびに焼
結させておき、しかるのちに、素子４が実装済みである
パッケージ５と前記セラミックキャップ１とを低湿度雰
囲気のベルト炉等で、低融点ガラス３．３”を介して気
密封止するのであった。この場合、キャップ封止時に封
止用ガラス、セラミックキャップ、及びセラミックベー
ス内壁に付着していた水分が脱着し、パッケージ内に残
存する。しかし、これらの水分はキャップ封止の際、封
止温度が常温に近づくにつれてデシカント２に吸着され
る。したがって常温状態においてはパッケージ内は低湿
度に保たれている。
ところが、第１図に示す従来方法であると、製品の使用
温度が高温になると、パッケージ内湿度が高くなってし
まうという欠点を有している。たとえば製品温度が１０
０℃に近づいた場合、デシカントに吸着していた水分が
再び脱着し、パッケージ内湿度が高くなってしまう。こ
の様に、パッケージ内を低湿度に保つことを目的とした
従来方法であると、製品が高温になった場合、パッケー
ジ内湿度は高くなシ、リーク電流の増加や配線パターン
の腐食等の現象が発生するという欠点を有している。
温度が高温になると、パッケージ内湿度が高くなってし
まうという欠点を有している。たとえば製品温度が１０
０℃に近づいた場合、デシカントに吸着していた水分が
再び脱着し、パッケージ内湿度が高くなってしまう。こ
の様に、パッケージ内を低湿度に保つことを目的とした
従来方法であると、製品が高温になった場合、パッケー
ジ内湿度は高くなシ、リーク電流の増加や配線パターン
の腐食等の現象が発生するという欠点を有している。
以上述べた様な従来方法の欠点を解消し高温下において
もパッケージ内湿産を超低湿度に保つことができる、半
導体装置の製造方法を、本発明は提供するものである。
もパッケージ内湿産を超低湿度に保つことができる、半
導体装置の製造方法を、本発明は提供するものである。
本発明の特徴は、デシカント付きキャップを封止した後
、パッケージ内において、デシカントが付着している部
分と、素子が実装されている部分を極部加熱によって遮
へいしてしまうことにある。
、パッケージ内において、デシカントが付着している部
分と、素子が実装されている部分を極部加熱によって遮
へいしてしまうことにある。
以下、本発明の実施例を図明と共に説明する。
まず第２因に示す様に、キャビティー６″ｆ：有しかつ
キャビティ内に貫通小穴７を有するセラミックキャップ
１のキャビティー内にデシカント２を塗布し、焼結させ
る。次に第３図に示す様に、セラミックキャップ１のキ
ャビティー６を透光性ガラス８にて封着する。透光性ガ
ラスにＢｓＯｓ、５ｒＯａを主成分としたガラスを用い
れば、７００〜８００℃の熱処理により、溶着が可能で
ある。この際、デシカントの焼結温度は８００〜８５０
℃程度であるから、デシカントへの影響はない。次に、
第４図に示す様に、セラミックキャップ１に封止用低融
点ガラス３ｆ：、グレーズし、焼成式せる。次に、第５
図に示す様に、素子４を実装済みであるパッケージ５と
セラミックキャップｌとを低融点ガラス３（３’）ｔ−
介して気密封止する。しかる後に、第６図に示す様にノ
ーブー光９を用いて、セラミックキャップ１の貫通小穴
７を溶着する。小穴の径が０．０５〜０．１０程度であ
れば、容易に溶着することができる。
キャビティ内に貫通小穴７を有するセラミックキャップ
１のキャビティー内にデシカント２を塗布し、焼結させ
る。次に第３図に示す様に、セラミックキャップ１のキ
ャビティー６を透光性ガラス８にて封着する。透光性ガ
ラスにＢｓＯｓ、５ｒＯａを主成分としたガラスを用い
れば、７００〜８００℃の熱処理により、溶着が可能で
ある。この際、デシカントの焼結温度は８００〜８５０
℃程度であるから、デシカントへの影響はない。次に、
第４図に示す様に、セラミックキャップ１に封止用低融
点ガラス３ｆ：、グレーズし、焼成式せる。次に、第５
図に示す様に、素子４を実装済みであるパッケージ５と
セラミックキャップｌとを低融点ガラス３（３’）ｔ−
介して気密封止する。しかる後に、第６図に示す様にノ
ーブー光９を用いて、セラミックキャップ１の貫通小穴
７を溶着する。小穴の径が０．０５〜０．１０程度であ
れば、容易に溶着することができる。
以上述べた、本発明に基づく半導体装置の製造方法であ
れば、キャップ気密封止時に封止用ガラス、セラミック
キャップ及びセラミックベース内壁より脱着した水分を
吸着しているデシカントと、素子が実装されている部分
を遮へいしであるため、高温状態においても、常に素子
実装空間を低湿度に保つことができるという利点を有し
ている。本発明に基づぐ製造方法によれば、素子表面上
にポリイミドの様な物質があり、キャップ封止時に多量
の水分を発生する装置の場合、特に有効である。
れば、キャップ気密封止時に封止用ガラス、セラミック
キャップ及びセラミックベース内壁より脱着した水分を
吸着しているデシカントと、素子が実装されている部分
を遮へいしであるため、高温状態においても、常に素子
実装空間を低湿度に保つことができるという利点を有し
ている。本発明に基づぐ製造方法によれば、素子表面上
にポリイミドの様な物質があり、キャップ封止時に多量
の水分を発生する装置の場合、特に有効である。
第１図は、パッケージ内を低湿度にする従来方法を示す
断面図である。第２図〜第６図は、本発明の実施例に基
づく、パッケージ内を低湿度にする方法の一実施を示す
断面図である。 なお図にお−て、ｌ・・・・・・セラミックキャップ、
２・・・・・・デシカント、３，３′・・・・・・封止
用低融点ガラス、４・・・・・・素子、５・・・・・・
素子実装済みパッケージ、６・・・・・・セラミックキ
ャップのキャビティー、７・・・・・・セラミックキャ
ップの貫通小穴、８・・・・・・透第 ５ 凶 自ら ろ 圧］
断面図である。第２図〜第６図は、本発明の実施例に基
づく、パッケージ内を低湿度にする方法の一実施を示す
断面図である。 なお図にお−て、ｌ・・・・・・セラミックキャップ、
２・・・・・・デシカント、３，３′・・・・・・封止
用低融点ガラス、４・・・・・・素子、５・・・・・・
素子実装済みパッケージ、６・・・・・・セラミックキ
ャップのキャビティー、７・・・・・・セラミックキャ
ップの貫通小穴、８・・・・・・透第 ５ 凶 自ら ろ 圧］
Claims (1)
- キャビディーを有しかつキャビティー内に貫通小穴を有
するセラミックキャップの該キャビティー内にデシカン
トラ塗布し焼結する工程と、前記セラミックキャップの
キャビティー透光性ガラスにて封着する工程と、前記セ
ラミックキャップのキャビティーのない面に封止用低融
点ガラスをグレーズし焼成する工程と、前記セラミック
キャップを素子搭載済みパッケージの封止部に該低融点
ガラスを介して気密封止する工程と、しかるのちに、前
記セラミックキャンプの小穴をレーザー光にて融着封止
する工程ヲ有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115520A JPS607739A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115520A JPS607739A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607739A true JPS607739A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14664554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115520A Pending JPS607739A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607739A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413965A (en) * | 1993-09-13 | 1995-05-09 | Motorola, Inc. | Method of making microelectronic device package containing a liquid |
| EP0720260A1 (en) * | 1994-12-27 | 1996-07-03 | Corning Incorporated | Getter housing for electronic packages |
| WO2014079560A3 (en) * | 2012-11-22 | 2016-04-21 | Tronics Microsystems S.A. | Wafer level package with getter |
| US20170028515A1 (en) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Ford Global Technologies, Llc | Metal sheet laser welding clamp |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115520A patent/JPS607739A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413965A (en) * | 1993-09-13 | 1995-05-09 | Motorola, Inc. | Method of making microelectronic device package containing a liquid |
| EP0720260A1 (en) * | 1994-12-27 | 1996-07-03 | Corning Incorporated | Getter housing for electronic packages |
| WO2014079560A3 (en) * | 2012-11-22 | 2016-04-21 | Tronics Microsystems S.A. | Wafer level package with getter |
| US20170028515A1 (en) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Ford Global Technologies, Llc | Metal sheet laser welding clamp |
| US9770790B2 (en) * | 2015-07-30 | 2017-09-26 | Ford Global Technologies, Llc | Metal sheet laser welding clamp |
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