JPS6077413A - レ−ザ−励起プロセス装置 - Google Patents
レ−ザ−励起プロセス装置Info
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- JPS6077413A JPS6077413A JP18448283A JP18448283A JPS6077413A JP S6077413 A JPS6077413 A JP S6077413A JP 18448283 A JP18448283 A JP 18448283A JP 18448283 A JP18448283 A JP 18448283A JP S6077413 A JPS6077413 A JP S6077413A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、反応室内に導入される反応ガス分子にエキ
シマレーザ−のようなレーザービームを照射してイオン
化し分解効率を高めるようにしたレーザー励起プロセス
装置に関するものである。
シマレーザ−のようなレーザービームを照射してイオン
化し分解効率を高めるようにしたレーザー励起プロセス
装置に関するものである。
エキシマレーザ−は、エネルギーが高く（例えばＡｒＦ
： ６−４２ｅＶ、ＫｒＦ ： ５．ＤｅＶ、ＸｅＣ
Ｌ： ４．０２ｅＶなど）、分子に照射すると分解効率
が高いため光化学反応を利用する分野に積極的に利用さ
れている。ところで超ＬＳＩを目差す半導体技術分野に
おいても、基板表面への損傷が少ないことから、光励起
プロセスが注目されてお少、エキシマレーザ−を利用し
たＣＶＤ （化学反応を利用した＊脱法）が研究されは
じめている。この種の従来提案されてきた実験装置は、
第１図に示すように反応室１内に挿置された基板ホルダ
２に装着された基板３に向ってガス導入口４からガスｔ
４人すると共に反応室１の側壁に設けた光導入窓５を介
して、エキシマレーザ−装置６からレンズ系７を通って
供給されるレーザービームを入射させるように構成され
ており、この構成によって反応室１内におけるレーザー
ビームの光路上に存在する分子は分解され、これがＣＶ
Ｄの場合には基板６上に堆積し、或いは分解されて生成
されるラジカルによって基板３はエツチングされること
になる。しかしながら、このような構成では、基板表面
での反応が非常に遅く、堆積やエツチングの速度が非常
に遅い。
： ６−４２ｅＶ、ＫｒＦ ： ５．ＤｅＶ、ＸｅＣ
Ｌ： ４．０２ｅＶなど）、分子に照射すると分解効率
が高いため光化学反応を利用する分野に積極的に利用さ
れている。ところで超ＬＳＩを目差す半導体技術分野に
おいても、基板表面への損傷が少ないことから、光励起
プロセスが注目されてお少、エキシマレーザ−を利用し
たＣＶＤ （化学反応を利用した＊脱法）が研究されは
じめている。この種の従来提案されてきた実験装置は、
第１図に示すように反応室１内に挿置された基板ホルダ
２に装着された基板３に向ってガス導入口４からガスｔ
４人すると共に反応室１の側壁に設けた光導入窓５を介
して、エキシマレーザ−装置６からレンズ系７を通って
供給されるレーザービームを入射させるように構成され
ており、この構成によって反応室１内におけるレーザー
ビームの光路上に存在する分子は分解され、これがＣＶ
Ｄの場合には基板６上に堆積し、或いは分解されて生成
されるラジカルによって基板３はエツチングされること
になる。しかしながら、このような構成では、基板表面
での反応が非常に遅く、堆積やエツチングの速度が非常
に遅い。
すなわち、エキシマレーザ−を利用したＣＶＤやエツチ
ングにおいては単に励起分子やラジカルが利用されてい
るにすぎず、イオンは積極的に利用されてない。
ングにおいては単に励起分子やラジカルが利用されてい
るにすぎず、イオンは積極的に利用されてない。
そこで、この発明の目的は、反応ガス分子にエキ７マレ
ーザーを照射することによって生成されるイオンを積極
的に利用するように構成したレーザー励起プロセス装置
を提供することにある。
ーザーを照射することによって生成されるイオンを積極
的に利用するように構成したレーザー励起プロセス装置
を提供することにある。
この目的を達成するために、この発明によるレーザー励
起プロセス装置は、反応室内の光照射部にイオン加速用
グリッドを設け、イオンに加速電圧を与えてイオンアシ
ステツド反応を起させるように構成したことを特徴とし
ている。
起プロセス装置は、反応室内の光照射部にイオン加速用
グリッドを設け、イオンに加速電圧を与えてイオンアシ
ステツド反応を起させるように構成したことを特徴とし
ている。
以下添附図面中、第２，５図を参照してこの発明をさら
に説明する。
に説明する。
第２．３図にはこの発明によるレーザー励起プロセス装
置の一実施例を示し、８は反応室で、その中に基板９の
装着される基板ホルダー１０が回転可能に配置されてい
る。この反応室８け反応ガス導入口８ ａ ＋ガス排出
口８ｂおよび光導入窓８Ｃを備えている。また第２図に
おいて１１はレーザー光源であシ、このレーザー光源１
１で発生されたレーザービーム１２はレンズ系１３を通
って光導入窓８ｃから反応室１内に導入される。反応室
１内に導入されたレーザービームの光路に沿ってこの光
路を包むようにイオン加速用グリッド１４が設けられ、
このグリッド１４０基板９に対向した側は第３図に示す
ように開放している。このグリッド１４にはまた電源１
５によって０〜＋５０Ｖ程度の電圧が印加される。従っ
てレーザービーム１２によって生成されるイオンは、グ
リッド１４によって運動エネルギーが与えられ、５０ｅ
Ｖ程度までのエネルギーをもって基板９に入射される。
置の一実施例を示し、８は反応室で、その中に基板９の
装着される基板ホルダー１０が回転可能に配置されてい
る。この反応室８け反応ガス導入口８ ａ ＋ガス排出
口８ｂおよび光導入窓８Ｃを備えている。また第２図に
おいて１１はレーザー光源であシ、このレーザー光源１
１で発生されたレーザービーム１２はレンズ系１３を通
って光導入窓８ｃから反応室１内に導入される。反応室
１内に導入されたレーザービームの光路に沿ってこの光
路を包むようにイオン加速用グリッド１４が設けられ、
このグリッド１４０基板９に対向した側は第３図に示す
ように開放している。このグリッド１４にはまた電源１
５によって０〜＋５０Ｖ程度の電圧が印加される。従っ
てレーザービーム１２によって生成されるイオンは、グ
リッド１４によって運動エネルギーが与えられ、５０ｅ
Ｖ程度までのエネルギーをもって基板９に入射される。
その結果イオンアシステツドエツチングやＣＶＤが行な
われることになる。すなわちグリッド１４によって５０
ｅＶ程度までの加速電圧を印加することによって、発生
したイオン全部を基板９へ到達させ、また到達する過程
で他の分子をイオン化し、さらに基板表面での反応を促
進させることができ、その結果反応レートを大きくする
ことができる。
われることになる。すなわちグリッド１４によって５０
ｅＶ程度までの加速電圧を印加することによって、発生
したイオン全部を基板９へ到達させ、また到達する過程
で他の分子をイオン化し、さらに基板表面での反応を促
進させることができ、その結果反応レートを大きくする
ことができる。
なお加速電圧５０ｅＶ以下とするのけ損傷を避けるため
である。
である。
以上説明してきたようにこの発明においては、レーザー
光源から導入されるレーザービームの光照射部にイオン
加速用グリッドを設け、これに〜５０ｅＶ程度の電位を
印加してイオンアシステツドエツチングやＣＶＤ ｉ起
させるように構成しているので反応速度を高めることが
でき、その結果成膜速度やエツチング速度が飛躍的に高
くなると期待できる。このことは、従来実用化があやぶ
まれているｌ／−ザー励起プロセスの実用化を促進させ
ることを意味している。
光源から導入されるレーザービームの光照射部にイオン
加速用グリッドを設け、これに〜５０ｅＶ程度の電位を
印加してイオンアシステツドエツチングやＣＶＤ ｉ起
させるように構成しているので反応速度を高めることが
でき、その結果成膜速度やエツチング速度が飛躍的に高
くなると期待できる。このことは、従来実用化があやぶ
まれているｌ／−ザー励起プロセスの実用化を促進させ
ることを意味している。
なおレーザー光源としては好ましくはエキ７マレーザー
が用いられるが、分解効率の高い高エネルギーの他のレ
ーザーを用いてもよい。
が用いられるが、分解効率の高い高エネルギーの他のレ
ーザーを用いてもよい。
第１図は従来のレーザー励起プロセス装置の原理図、第
２図はこの発明のレーザー励起プロセス装僅の概略図、
第６図は第２図の反応室の内部を何方から見た図である
。 図中、８：反応室、 １１：レーザー光源。 １２：レーザービーム、 １４：イオン加速用グリッド
、 １５：電源。
２図はこの発明のレーザー励起プロセス装僅の概略図、
第６図は第２図の反応室の内部を何方から見た図である
。 図中、８：反応室、 １１：レーザー光源。 １２：レーザービーム、 １４：イオン加速用グリッド
、 １５：電源。
Claims (1)
- 反応案内に導入される反応ガス分子にレーザービームを
照射してイオン化し分解効率を高めるようにしたレーザ
ー励起プロセス装置において、光照射部にイオン加速用
グリッドを設け、イオンに加速電圧を与えてイオンアシ
ステツド反応を起させるように構成したことを特徴とす
るレーザー励起プロセス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18448283A JPS6077413A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | レ−ザ−励起プロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18448283A JPS6077413A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | レ−ザ−励起プロセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077413A true JPS6077413A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16153939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18448283A Pending JPS6077413A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | レ−ザ−励起プロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077413A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119237A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368171A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for plasma treatment |
| JPS5689835A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-21 | Fuji Electric Co Ltd | Vapor phase growth apparatus |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18448283A patent/JPS6077413A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368171A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for plasma treatment |
| JPS5689835A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-21 | Fuji Electric Co Ltd | Vapor phase growth apparatus |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119237A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法 |
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