JPS6077445A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6077445A JPS6077445A JP58184960A JP18496083A JPS6077445A JP S6077445 A JPS6077445 A JP S6077445A JP 58184960 A JP58184960 A JP 58184960A JP 18496083 A JP18496083 A JP 18496083A JP S6077445 A JPS6077445 A JP S6077445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- lead frame
- sealed semiconductor
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/114—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by a substrate and the encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は何月【を封止型半導体装置に係り、特に樹脂
モールドによって被モールド部材の表面に固着する樹脂
パリ対策を施した構造に関する。
モールドによって被モールド部材の表面に固着する樹脂
パリ対策を施した構造に関する。
樹脂制止型半導体装置で第１図に示すリードフレームマ
ウント体性）に樹脂モールドを施して第２図に示す形状
に構成されるものがある。このような樹脂封止型半導体
装ｆ４の製造に用いられるり−Ｌ＃ １１ノー ） −
９Ｍ ’ｌ ｙｌｋＮｓ針 ＩＩ Ｖ ７１ノー ノ、
１０１ 筒数熱板（２ａ）に半導体素子（３）をグイマ
ウントし、その半導体素子の電極とリードフレームのリ
ード（２ｂ）、 （２ｂ）・・・とをボンディングワイ
ヤ（４１，（４１・・で接続したものである。上記リー
ドフレームマウント体（１）は例えばエポキシ樹脂でモ
ールド封止を施したのち、放熱台板（２ａ）の上面やリ
ードタイツζ一部にはみ出し固着した樹脂パリを除去し
、ついで、半導体装置部分とフレーム等の搬送板部とを
分離し、個別にした半導体装置に外装めっき、テスト、
マーキング等を施して半導体装置の製造が達成される。
ウント体性）に樹脂モールドを施して第２図に示す形状
に構成されるものがある。このような樹脂封止型半導体
装ｆ４の製造に用いられるり−Ｌ＃ １１ノー ） −
９Ｍ ’ｌ ｙｌｋＮｓ針 ＩＩ Ｖ ７１ノー ノ、
１０１ 筒数熱板（２ａ）に半導体素子（３）をグイマ
ウントし、その半導体素子の電極とリードフレームのリ
ード（２ｂ）、 （２ｂ）・・・とをボンディングワイ
ヤ（４１，（４１・・で接続したものである。上記リー
ドフレームマウント体（１）は例えばエポキシ樹脂でモ
ールド封止を施したのち、放熱台板（２ａ）の上面やリ
ードタイツζ一部にはみ出し固着した樹脂パリを除去し
、ついで、半導体装置部分とフレーム等の搬送板部とを
分離し、個別にした半導体装置に外装めっき、テスト、
マーキング等を施して半導体装置の製造が達成される。
次に樹脂パリの発生とパリ除去について詳述する。
リードフレームマウント体がモールド金型中に装入され
、ついでエポキシ樹脂を加圧成型して封止が施され樹脂
モールド体（５）が形成されるが、リードフレームの厚
さのばらつき、リードフレームと金型との間隙を抑制す
るスプリング等の機能の劣化、金型の変形摩耗による間
隙の発生等によっテリートフレームの放熱板上面および
リード間にエポキシ樹脂が固着した、いわゆる樹脂パリ
が発生する。
、ついでエポキシ樹脂を加圧成型して封止が施され樹脂
モールド体（５）が形成されるが、リードフレームの厚
さのばらつき、リードフレームと金型との間隙を抑制す
るスプリング等の機能の劣化、金型の変形摩耗による間
隙の発生等によっテリートフレームの放熱板上面および
リード間にエポキシ樹脂が固着した、いわゆる樹脂パリ
が発生する。
上記樹脂パリはその厚さが５〜２０ミクロン程度である
が、半導体装置の放熱を著しく劣化させる。すなわち、
全体的に平担な放熱板上に樹脂パリが形成さＪまた半導
体装置の放熱板をアルミニウムのシャーシに取りつけ実
装テストをすると熱放散が著しく悪化するのが判る。こ
のため半導体素子に発生する熱が蓄積して電気的特性が
変化したり、甚だしい場合には半導体装置を破壊する。
が、半導体装置の放熱を著しく劣化させる。すなわち、
全体的に平担な放熱板上に樹脂パリが形成さＪまた半導
体装置の放熱板をアルミニウムのシャーシに取りつけ実
装テストをすると熱放散が著しく悪化するのが判る。こ
のため半導体素子に発生する熱が蓄積して電気的特性が
変化したり、甚だしい場合には半導体装置を破壊する。
樹脂パリを除く方法としては、回転ブラシに衝接させて
除去する方法、ホーニング等の機械的研摩法、あるいは
化学薬品処理を施したのちにブラッシング等の機械的研
摩法による方法等がある。
除去する方法、ホーニング等の機械的研摩法、あるいは
化学薬品処理を施したのちにブラッシング等の機械的研
摩法による方法等がある。
一般にリードフレームは銅または銅合金を使用しており
、表面めっきは施してない。そのため金属の酸化膜上に
固着した樹脂パリは密着強度が大きいため除去すること
は極めて困難である。
、表面めっきは施してない。そのため金属の酸化膜上に
固着した樹脂パリは密着強度が大きいため除去すること
は極めて困難である。
この発明は樹脂封止型半導体装置における樹脂パリの除
去が容易にできる惜造を提供する。
去が容易にできる惜造を提供する。
この発明にかかる樹脂封止型半導体装置における被モー
ルド部材の露出域が絶縁塗膜で被覆されていることを特
徴とする。
ルド部材の露出域が絶縁塗膜で被覆されていることを特
徴とする。
リードフレームに使用する材料として厚さが、０．５〜
０．７間の銅または銅合金の板材を選び、これに所望の
形状、大きさにプレス加工を施して１例の第１図に示す
Ｔｏ−１２６型に形成する。放熱台板上に半導体素子を
ろう材で導熱的に取着したのち、半導体素子の電極とリ
ードフレームのリードをワイヤボンディングによ）接続
する。
０．７間の銅または銅合金の板材を選び、これに所望の
形状、大きさにプレス加工を施して１例の第１図に示す
Ｔｏ−１２６型に形成する。放熱台板上に半導体素子を
ろう材で導熱的に取着したのち、半導体素子の電極とリ
ードフレームのリードをワイヤボンディングによ）接続
する。
ここで放熱板に対し、その樹脂モールド後に露出面とな
る側の主面、すなわち、半導体素子の取着側と反対側の
主面に第２図に示すように、高い耐熱性のある絶縁塗料
、例えにエポキシアクリレートを主成分とする紫外線硬
化型インク、または熱硬化型インク０１）を塗着する。
る側の主面、すなわち、半導体素子の取着側と反対側の
主面に第２図に示すように、高い耐熱性のある絶縁塗料
、例えにエポキシアクリレートを主成分とする紫外線硬
化型インク、または熱硬化型インク０１）を塗着する。
紫外線硬化型インクの場合、紫外線装置のランプの出力
を１６０ ｗ／ｃｍ。
を１６０ ｗ／ｃｍ。
１０〜ｌ ５ ａｍ の距離で１０〜２０秒間照射し硬
化される。熱硬化インクの場合、１００〜１２００Ｃの
オープン中で１０〜３０分間熱処刊」シて乾燥、硬化さ
れる。そして硬化膜の膜厚が５〜２０ミクロンになるよ
うにする。
化される。熱硬化インクの場合、１００〜１２００Ｃの
オープン中で１０〜３０分間熱処刊」シて乾燥、硬化さ
れる。そして硬化膜の膜厚が５〜２０ミクロンになるよ
うにする。
上記処理の施されたリードフレームをモールド金型に装
入し、タブレット状に成型されたエポキシ樹脂をプレヒ
ートして装填、圧入する。金型のｌ、ｉを１６０〜１８
０℃、モールドキュア時間３〜６分間、圧力は２０〜１
０６ Ｋ１７ｃｍ”とする。モールドの完了した半導体
装置の放熱板に被着された絶縁塗膜上に厚さが０．５〜
５ミクロンの樹月旨ノくりが固着する。
入し、タブレット状に成型されたエポキシ樹脂をプレヒ
ートして装填、圧入する。金型のｌ、ｉを１６０〜１８
０℃、モールドキュア時間３〜６分間、圧力は２０〜１
０６ Ｋ１７ｃｍ”とする。モールドの完了した半導体
装置の放熱板に被着された絶縁塗膜上に厚さが０．５〜
５ミクロンの樹月旨ノくりが固着する。
上記樹脂パリは研摩剤、例えばシＩＪコンカー／シイト
末、あるいは酸化アルミナ床入りのナイロンブラシを回
転させ衝接させ、１だ、ホーニング等の機械的研摩によ
り、さらには化学薬品処理と機械的研摩法とを組み合せ
たいずれの方法でもよい。
末、あるいは酸化アルミナ床入りのナイロンブラシを回
転させ衝接させ、１だ、ホーニング等の機械的研摩によ
り、さらには化学薬品処理と機械的研摩法とを組み合せ
たいずれの方法でもよい。
なお、上記ホーニングの例として投射斉１ｊはプランい
、水と混合しノズル噴射して除くが、その投射圧力は１
〜３Ｋｑ／ｃｎｔの範囲内で行なう。この投射圧力の範
囲の下限はパリ取シが可能表圧力、上限は被モールド部
材の金属とエポキシ樹脂封止部との境界に間隙を生じる
圧力できまる。
、水と混合しノズル噴射して除くが、その投射圧力は１
〜３Ｋｑ／ｃｎｔの範囲内で行なう。この投射圧力の範
囲の下限はパリ取シが可能表圧力、上限は被モールド部
材の金属とエポキシ樹脂封止部との境界に間隙を生じる
圧力できまる。
上記パリ取シは発生した樹脂パリの量、特に厚さが薄い
ことと、接着力が低いことがら次に述べるように、従来
ブラッシングで２０〜３０秒、乾式ホーニングで１０秒
を要していたものが夫々３〜５秒、３秒で充分である。
ことと、接着力が低いことがら次に述べるように、従来
ブラッシングで２０〜３０秒、乾式ホーニングで１０秒
を要していたものが夫々３〜５秒、３秒で充分である。
なお、上記絶縁塗膜の形成は被モールド部材のリードフ
レームに対し樹脂モードの直前に施すことを例示したが
リードフレームに形成直後でも、またはリードフレーム
に形成する板に予め形成しておいてもよい。
レームに対し樹脂モードの直前に施すことを例示したが
リードフレームに形成直後でも、またはリードフレーム
に形成する板に予め形成しておいてもよい。
また、リードフレーム材は銅まだは銅合金に限うレス、
鉄、アルミニウム、コバー／ｌ／ （Ｆｅ −２９＋Ｎ
ｉ −１７，Ｃｏ ） 、鉄・ニッケル（Ｆｅ、 Ｎｉ
−４２）等の材料でもよい。また、上記材料に表面めつ
き１＋１イー１ソ）ｆｎ＋−−ソ）ｔ−１！＋ −Ｉ＋
−／ムＡ−広／Ｉ Ｔ。
鉄、アルミニウム、コバー／ｌ／ （Ｆｅ −２９＋Ｎ
ｉ −１７，Ｃｏ ） 、鉄・ニッケル（Ｆｅ、 Ｎｉ
−４２）等の材料でもよい。また、上記材料に表面めつ
き１＋１イー１ソ）ｆｎ＋−−ソ）ｔ−１！＋ −Ｉ＋
−／ムＡ−広／Ｉ Ｔ。
銀めっきを施した材料を使用する場合にも適用できる。
さらに、この発明は」二記例示の半導体装置に限定され
るものでカ＜、樹脂モールド体から放熱板、リード等を
突出した構造の半導体装置の突出部に発生する樹脂パリ
対策として広く適用できる。
るものでカ＜、樹脂モールド体から放熱板、リード等を
突出した構造の半導体装置の突出部に発生する樹脂パリ
対策として広く適用できる。
この発明にかかる半導体装置は、その樹脂モールド工程
において、発生する樹脂パリの厚さが従来の５〜２０μ
ｍに対し、０５〜５μｍに低減した。したがって樹脂パ
リ除云に要する時間（秒）を比較すると次表の如く、顕
著な差が認められた。
において、発生する樹脂パリの厚さが従来の５〜２０μ
ｍに対し、０５〜５μｍに低減した。したがって樹脂パ
リ除云に要する時間（秒）を比較すると次表の如く、顕
著な差が認められた。
表
なお、王妃は放熱板の大きさが６５龍ｘ Ｂ、 ｇ ｘ
ｍ、各リード間が１．６５朋、板厚は０．６５１ｇで、
ブラッシングにおけるブラシ回転数は１００ ＲＰＭ％
ブラシの材質は酸化アルミナ材入りのものによシ、ま
だ、ホーニングにおける投射剤はガラスピーズ、投射圧
は２． ｓ Ｋｙ／ｃｓｔにて行なっている０
ｍ、各リード間が１．６５朋、板厚は０．６５１ｇで、
ブラッシングにおけるブラシ回転数は１００ ＲＰＭ％
ブラシの材質は酸化アルミナ材入りのものによシ、ま
だ、ホーニングにおける投射剤はガラスピーズ、投射圧
は２． ｓ Ｋｙ／ｃｓｔにて行なっている０
第１図ないし第３図は樹脂封止型半導体装置にかかり、
第１図はリードフレームマウント体の余Ｆ視図、第２図
はこの半導体装置の斜視１図、第３図は半導体装置の断
面図、第４図は１実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図である。 １ リードフレーム組立体（被モールド体）２ａ 放熱
板 ２ｈ リードフレームのリード ５ 樹脂モールド体 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図 第２図 第３図 第４図
第１図はリードフレームマウント体の余Ｆ視図、第２図
はこの半導体装置の斜視１図、第３図は半導体装置の断
面図、第４図は１実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図である。 １ リードフレーム組立体（被モールド体）２ａ 放熱
板 ２ｈ リードフレームのリード ５ 樹脂モールド体 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 被モールド部利の表面の一部を露出し、残る表面域が樹
脂モールド体中にシールされた樹脂封止型半導体装置に
おいて、被モールド部材の露出域が絶縁塗膜で被覆され
ていることを特徴とする樹脂制止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184960A JPS6077445A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184960A JPS6077445A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077445A true JPS6077445A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16162356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184960A Pending JPS6077445A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0703612A1 (en) * | 1994-09-20 | 1996-03-27 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for electrically insulating heat sinus in electronic power devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712527A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Hitachi Ltd | Manufacture of resin-sealed electronic parts |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58184960A patent/JPS6077445A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712527A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Hitachi Ltd | Manufacture of resin-sealed electronic parts |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0703612A1 (en) * | 1994-09-20 | 1996-03-27 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for electrically insulating heat sinus in electronic power devices |
| US5789279A (en) * | 1994-09-20 | 1998-08-04 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Method and apparatus for electrically insulating heat sinks in electronic power devices |
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