JPH01149430A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要］ 本発明は半導体装置の製造方法、特にＩＣチップを樹脂
封止したＩＣパッケージの表面処理（ホーニング）に関
し。

封止樹脂の耐温性を維持しつつ、ＩＣパッケージ表面へ
の印字の耐着性及びテープの接着性を良くすること、ま
た静電気の発生を阻止することを目的とし、 研磨剤を添加した液体をＩＣパッケージ表面に加圧して
叩き付けてパッケージ表面の粗面化処理をすることを含
み構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、更
に詳しく言えば、ＩＣデツプを樹脂封止したＩＣパッケ
ージの表面処理（ホーニング）に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来例に係る説明図である。

同図（ａ）は樹脂封止方法により形成されたＩＣパッケ
ージの断面図を示している。図において、１は、所定工
程を経て形成された集積回路を内蔵するＩＣチップ、２
はリードフレーム、３はＩＣチップのパッドとリードフ
レーム２とを接続するワイヤ、４はＩＣチップ１やワイ
ヤ３等を物理的、電気的に保護する為にモールド成形さ
れた封止樹脂である。

なお、封止樹脂４はプラスチックやエポキシ系樹脂等を
モールド金型枠成形機等によりリードフレームを取付け
たＩＣチップ１に熱成形することにより形成される。

また、５はＩＣパッケージの表面処理をする際やその他
の場合に、大気中の湿気や水溶液等が封止樹脂４の高分
子間を浸透したり、また同図（ａ）の破線円に示すよう
に、封止樹脂４とリードフレームの境界面より浸入する
水分である。６は封止樹脂４の成形時のはみ出し樹脂で
ある。

なお、ＩＣパッケージの表面処理方法はその表面を局部
的にマスクをして、はみ出し樹脂６やＩＣパッケージ表
面の離型剤などの油よごれ等を有機溶剤等により洗浄し
、除去することにより行っている。

また、水分を浸入した状態で、ＩＣパッケージを半田浸
漬法等により電子回路パターンに実装すると、その熱に
より浸入した水分が膨張し爆発する為に封止樹脂に亀裂
を生じたりすることがある。

同図（ｂ）は、水分浸入阻止対策を施したＩＣパッケー
ジを示している。

４ａは低応力剤を混合した封止樹脂であり、低応力剤は
、シリコン樹脂（レジン）等である。なお、エポキシ樹
脂等に低応力剤を混合することによって、半田浸漬法等
の熱の影響によるＩＣチップへの熱ストレスを緩和した
り、またリードフレームとの耐着性に冨むことからその
界面に水分の浸入を阻止することができる。

なお、同図（ｂ）の破線円に示す４ｂは封ＩＦ樹脂４ａ
の表面（ミクロン単位の凸状）に露出した低応力剤であ
る。また、７はチャージアップ現象により帯電した静電
気であり、リードフレームに誘導して、ＩＣチップを破
壊することがある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで従来例によれば、エポキシ樹脂４に低応力剤を
混合したことにより、水分の浸入に対する問題について
は解消できるが、ＩＣパッケージの表面に低応力剤がミ
クロン単位の凸状になって露出する。

このため、第３図（ｂ）に示すようにチャージアップ現
象等によりＩＣパッケージの表面に静電気７を発生し易
くなる。また、ＩＣパッケージの名称や記号等を捺印す
る印字の耐着性を悪くしたり、出荷時におけるＩＣパッ
ケージを固定するテープの接着性を悪くするという問題
がある。

本発明は、かかる従来例の問題に鑑み創作されたもので
あり、封止樹脂の耐温性を維持しつつ、ＩＣパッケージ
表面への印字の耐着性及びテープの接着性を良くするこ
と、また静電気の発生を抑制することを可能とする半導
体装置の製造方法の堤供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造方法はその原理図を第１図に
、その一実施例を第２図に示すように、研磨剤８を添加
した液体９をＩＣパッケージ１０表面に加圧して叩き付
けてパッケージ表面の粗面化処理をすることを特徴とし
、上記目的を達成する− 〔作用〕 本発明によればＩＣパッケージの表面に露出した低応力
剤やその表面に耐着している離型剤を水に添加した研磨
剤により該Ｉ　Ｃパッケージの表面から剥離することが
可能となる。これによりＩＣパッケージの表面は従来の
ような封止樹脂成分を多く露出して、印字の耐着性やテ
ープの接着性が良くなり、その表面が適度に荒れるため
静電気の発生も阻止することが可能となる。

〔実施例〕

次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。

第２図は本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する図であり、ＩＣパッケージ１０の表面処理方法
を示している。

図において、ＩＯは、所定工程を経て形成された集積回
路等を内蔵するＩＣチップ１１と、リードフレーム１２
とをワイヤボンディングして、低応力剤を混入した封止
樹脂１４ａを熱成形することにより形成されるＩＣパッ
ケージである。

−９はＩＣパッケージ１０の表面処理（ホーニング処理
）をする研磨剤８を添加した水である。なお、研磨剤８
は、例えばビーズ状の微粒ガラス（粒度″　１５０）８
ａである。また研磨剤８は、半導体製造過程により廃棄
されるガラス又はアルミナ等を粉砕することにより応用
することもできる。

なお、微粒ガラス８ａは水道水にその容量比３０％程度
を添加する。

また、ＩＣパッケージ１０のホーニング処理方法は、該
ＩＣパッケージ１０の表面に微粒ガラス８ａを添加した
水を例えば水圧１．５ｋｇ／ｃＪにより叩き付けるよう
にして行う。すなわち同図（ａ）に示す破線円の部分を
拡大した図において、シリコン樹脂（レジン）等の低応
力剤を混合した封止樹Ｍｔ？　１４　ａの表面は、微粒
ガラス８ａを添加した水に叩き付けられる。これにより
ＩＣパッケージ１０の表面に附着しているモールド型枠
成形時の離型剤１５等の油よごれや、その表面に露出し
ている低応力剤１４ｂは、ＩＣパッケージ！Ｏの表面か
ら剥離される。

同図（ｂ）は液体ホーニング機１６にＩＣパッケージ１
０のリードフレーム１２を各ロフト毎に微粒ガラス８ａ
を添加した水によりホーニング処理をしている図を示し
ている。

なお、同時に低応力剤１４ｂに混合した封止樹脂１４ａ
の成形時のはみ出し樹脂も叩き落される。

この場合、従来のようなマスクを必要としない。

またホーニング処理されたＩＣパッケージ１０は乾燥さ
れて名称、記号等の印字を捺印される。さらに各１ｃパ
ツケージ毎にリードを切断され単品にされ、ＩＣ）レイ
又はテープ等により固定され、出荷される。

このようにして、ｆｃパッケージＩＯの表面に露出した
低応力剤１４ｂや、その表面に附着している離型剤１５
を水９に添加した微粒ガラス８ａにより、該ＩＣパッケ
ージ１０の表面から剥離することが可能となる。これに
より例えばテープの接着性については従来では、テープ
接着強度が接着面積２４（ｍ２）に対してＯ（ｇ／ｍｍ
２）であるのに対し、本発明では同様な接着面積に対し
て１２０　（ｇ／ｎｖａ”　）にすることができる。ま
た印字の耐着性については従来と同程度の捺印性を得る
ことができる。さらにＩＣパッケージ１０の表面が適度
に荒れるため静電気の発生を例えば従来８８０（Ｖｌの
帯電に対して、本発明では６００［Ｖ）に抑制すること
ができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば耐湿性を向上するた
めに封止樹脂に混合した低応力剤の利点を生かしつつＩ
Ｃパッケージの表面をホーニング処理することにより、
従来のようにテープの接着性、及び印字の耐着性を良く
すること、また静電気の発生を抑制することが可能とな
る。これにより半導体装置の信頼度の向上を図ること、
及びその生産歩留り向上を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の半導体装置の製造方法に係る
原理図である。 第２図は本発明の実施例に係る説明図、第３図は従来例
に係る説明図である。 （符号の説明） １．１１・・・ＩＣチップ、 ２．１２・−リードフレーム、 ３．１３・・・ワイヤ、 ４・・・封止樹脂、 ５・・・水分、 ６・・・はみ出し樹脂、 ７・・・静電気、 ８・・・研磨剤、 ８ａ・・・微粒ガラス、 ９・・・水、 １０・・・ＩＣパッケージ、 １４ａ・・・低応力剤を’ｔＲ−合した封止樹脂、１４
ｂ・・・低応力剤、 １５・・・離型剤、 １６・・・液体ホーニング機。 ／ｆ−乾朗の１と“方乾゛茅’Ｉ＋てづへる壜浅−明［
同第２図ｕ、、２） ・−一一一′ （ｂ） Ｋ＝Ｊ偵り１；（）−ろ名ン一！１７１１Ｑ第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）研磨剤（８）を添加した液体（９）をＩＣパッケ
   ージ（１０）表面に加圧して叩き付けてパッケージ表面
   の粗面化処理をすることを特徴とする半導体装置の製造
   方法。
2. （２）前記液体（９）は水であり、前記研磨剤（８）は
   微粒ガラス又はアルミナ粉であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項に記載する半導体装置の製造方法。