JPS6077473A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

半導体発光素子およびその製造方法

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JPS6077473A
JPS6077473A JP58186087A JP18608783A JPS6077473A JP S6077473 A JPS6077473 A JP S6077473A JP 58186087 A JP58186087 A JP 58186087A JP 18608783 A JP18608783 A JP 18608783A JP S6077473 A JPS6077473 A JP S6077473A
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JP
Japan
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layer
light emitting
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referred
emitting device
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JP58186087A
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Masahito Mushigami
雅人 虫上
Haruo Tanaka
田中　治夫
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors

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  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、１１（またはｐ　）　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板
上に、必要に応じてｎ（＊たはｐ）−ＡｌｘＧａ＋−ｚ
Ａｓ層（第１クラッド層という）と、ＡｌｙＧａ、−ｙ
Ａｓ層（活性層という）と、１〕（またはｎ）　Ａｌｚ
Ｇａ、−ｚＡｓ層（第２クラッド層という）とを形成し
てなる半導体発光素子およびその製造方法に関する。
第１図は、従来例の半導体発光素子の構造断面図である
。＋５１図において、符号１は１１（またはｐ）−Ｇ　
ａ　Ａ　ｓ基板、２は１１（または１＋）　−Ａ　１ｚ
Ｇａｔ−ｚＡｓ層（第１クランド層という）、３はへ１
ｐＧａ１−ｐＡｓ層（活性層という）、４は、１）（ま
たはｎ）−ＡｌｑＧａｌ−ｑＡｓ層（第２クラッド層と
いう）、５は１）責またはｎ＋）−ＧａＡｓ層、６はＴ
ｉ層、７はＡｕ層、８はＡｕＧｅＪｆｌである。このよ
うな半導体発光素子は、高たはｐ）−ＧａＡｓ基板を用
いているために大部分の発光光線は、この基板に吸収さ
れ、このため外部量子効率が低かった。
本発明は、発光光線が前記基板に吸収されず、高輝度発
光素子として高い外部量子効率が得られるようｌこする
ことをを目的とする。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。第２図はこの実施例の構造断面図であり、第１図
と対応する部分には同一の符号を付す。第２図において
符号１は＋＋（またはｐ）−ＧａＡｓ基板、２は＋＋（
またはｐ）　−ＡｌｚＧａ、−ｚＡｓ層（第１クラッド
層という）である。３はＡｌｐＧａ＋−ｐＡｓ層（活性
層という、ただし、ｐ＜ｚ、）、４は１）（またはｎ）
−ＡｌｑＧａｌ−ｑＡｓ層（第２クラッド層という、た
だしｐ＜ｑ、　ｐ＋ｑ＜　１　）、５は１）÷（または
ｎ＋）−ＧａＡｓ層、６はＴ　ｉ層、７はＡｕ層、８は
ＡｕＧｅ層である。
９は、前記１１（またはｐ）　Ｃ；ａＡｓ基板１と活性
層３との間に、ｎ（またはｐ）　−Ａ　１ｘＧａ１−ｘ
Ａｓ層９１と、口（またはｐ）−ＡｌｘＧａ１−ｙＡｓ
層９２（ただし、ｘ、ｙ＜１、Ｘ％ｙ、×≧１〕、ｙ≧
ｐ）とを交互に多層積層されてなる反射膜層である。こ
の反射膜層９を構成する各層９１．９２のそれぞれの膜
厚はλ／　４　ｎ（ただし、λは中心発光波長、＋＋は
屈折率）に設定される。Ａ１の組成が互いに異なり、か
つ膜厚がλ／４１１に設定された層がこのように多数積
層されると中心発光波長λを中心とした一定域の波長が
選択的に反射される。したがってこのような反射膜層９
を有する半導体発光素子では前記基板１でその発光光線
は吸収されなくなり、外部量子効率が向上し、非常に高
輝度で発光させることがでとる。第３図は、縦軸に反射
率を、横軸に波長をそれぞれとり、ＡｌｘＧａ、ｘＡｓ
層における組成をＸ二０．３５（屈折率＋＋１＝３．６
）、膜厚４５０オングストロームと、ｘ＝０．７（屈折
率ｎ２＝３．３）、膜厚４９０オングストロームの合計
４９層を積層したと外の波長に刻する反射率を示す図で
ある。
第３図からあきらかなように波長λか６６３ｎ＋ｎのと
きに反射率が９４％程度になる。このように、この実施
例によれば非常に高輝度の半導体発光素子が得られる。
以上のように本発明によれば１１（またはｐ）７Ｇａノ
＼Ｓ基板上に、１１（またはｐ）−ＡｌｚＧａ、−ｚＡ
ｓ層（第１クラッド層という）と、ＡｌｐＧａ＋−ｐＡ
ｓ層（活性層という）と、１〕（またはｎ）−ＡｌｘＧ
ａ１−ｑＡｓ層（第２クラッド層という）とが形成され
る半導体発光素子において、前記第１クラッド層内に、
＋＋（またはｐ）−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層と、１１（
またはｐ）−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層（ただしｓ　ｌ）
＋Ｑ’＋Ｘ＋Ｖ＋ｚ＜　１　、　ｐ＜ｑ、　ｘ≠ｙ。
ｐ＜ｚ、ｘ≧ｐ、　ｙ≧１））とを交互に多層積層して
なる反射膜層を形成したので、発光光線が前記基板に吸
収されず、高輝度発光素子として高い外部量子効率が得
られる
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例の構造断面図、第２図は本発明の実施例
の構造断面図、第３図は前記実施例による反射膜の波長
に対する反射率を示す図である。 １、、、ｎ（またはｐ）−ＧａＡｓ基板、２．、、ｎ（
ます＋ｔ＋＋）−八Ｉ＋ρ＋　−＾−１ａ　／　ＩｄＶ
　ｉ　／−二ｌｅ　限１　＋’１１．／ンドープまたは
１）またはｎ−ＡｌｐＧａ＋−ｐＡｓ層（活性層）、４
．　、　、　ｐ（またはｎ）　−Ａ　１ｑＧａ＋−ｑＡ
Ｓ層（第２クラッド層）、５０．、Ｉ］＋（またはＩＩ
＋）−Ｇ　ａ　Ａ　Ｓ層、６．、、Ｔｉ層、７．、、Ａ
ｕ層、８゜、、ＡｕＧｅ層、 出願人　ローム株式会社 代理人　弁理士　岡口］和秀

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ＡｌｚＧａｌ−ｚＡｓ層（第１クラッド層という）と、
    ＡｌｐＧａｌ−ｐＡｓ層（活性層という）と、ｐ（また
    は１１）−ＡＩｑＧａ＋−ｑＡｓ／ｉ（第２クラッド層
    という）とが形成される半導体発光素子において、曲記
    第１クラッド層内に、１１（またはｐ）　−Ａ　１ｘＧ
    ａｌ−ｚＡｓ層と、口（またはｐ）−Ａ　１ｙＧａ１−
    ｙＡｓ層（ただし、Ｉ）＋Ｑ＋ｘ＋ｙ１７．＜層積層し
    てなる反射膜層を形成してなる半導体発光素子。 ｐｃａｌ−ｐＡｓ層（活性層という）と、Ｉ）（または
    ｎ）−ＡＩｑＧａ＋−ｑＡｓ層（第２クラッド層という
    ）とを形成して半導体発光素子を製造する方法において
    、前Ａｓ層と、ｎ（またはｐ）−ＡｌｙＧａ＋−ｙＡｓ
    層（ただし、ＤＩＱＩＸＩＦＩ２＜　１　％　＋１＜Ｑ
    ％　ＩＴ＜Ｚ＋Ｘ？’ｙ、　Ｘ≧ｐ、ｙ≧ｐ）とを交互
    に多層積層して反射膜層を形成することにより半導体発
    光素子を製造する方法。
JP18608783A 1983-10-04 1983-10-04 Ｌｅｄ素子 Expired - Fee Related JPH0669106B2 (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0220076A (ja) * 1988-07-08 1990-01-23 Mitsubishi Kasei Corp 化合物半導体発光装置
JPH03163882A (ja) * 1989-11-22 1991-07-15 Daido Steel Co Ltd 光反射層を備えた発光ダイオード
US5132750A (en) * 1989-11-22 1992-07-21 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Light-emitting diode having light reflecting layer
US5537433A (en) * 1993-07-22 1996-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitter
EP0724300A3 (en) * 1990-11-02 1996-12-27 Norikatsu Yamauchi Semiconductor device having a reflective layer

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US5537433A (en) * 1993-07-22 1996-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitter

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