JPS6077482A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS6077482A JPS6077482A JP18539283A JP18539283A JPS6077482A JP S6077482 A JPS6077482 A JP S6077482A JP 18539283 A JP18539283 A JP 18539283A JP 18539283 A JP18539283 A JP 18539283A JP S6077482 A JPS6077482 A JP S6077482A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、気相結晶成長法を用いた半導体レーザの製造
方法に関する。
方法に関する。
近来、デジタルオーディオディスク、ビデオディスク等
の光情報処理の発達にともない、光源としての半導体レ
ーザの重要性は増してきた。
の光情報処理の発達にともない、光源としての半導体レ
ーザの重要性は増してきた。
この様な民生用の半導体レーザでは、通信用の半導体レ
ーザに要求される特性のよさだけではなく、量産性がよ
いことが要求される。この様な事情から、量産性妊すぐ
れた気相結晶成長法を用いて半導体レーザを製造しよう
という努力がなされている。気相結晶成長法を用いた半
導体レーザの製造におりては、いかに気相結晶成長法の
特徴を生かして簡便に特性のよい素子を得るかが問題と
なる。
ーザに要求される特性のよさだけではなく、量産性がよ
いことが要求される。この様な事情から、量産性妊すぐ
れた気相結晶成長法を用いて半導体レーザを製造しよう
という努力がなされている。気相結晶成長法を用いた半
導体レーザの製造におりては、いかに気相結晶成長法の
特徴を生かして簡便に特性のよい素子を得るかが問題と
なる。
以下に、図面を用いて、気相結晶成長法を用いた半導体
レーザの製造方法の従来例を詳細に説明する。以下の説
明においては、特に、メタルオーガニック・ケミカル・
ペーパーデポジション（ＭＯ−ＣＶＤ ’） 法を用い
たＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 半導体レーザの製造方法に
ついて述べる。
レーザの製造方法の従来例を詳細に説明する。以下の説
明においては、特に、メタルオーガニック・ケミカル・
ペーパーデポジション（ＭＯ−ＣＶＤ ’） 法を用い
たＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 半導体レーザの製造方法に
ついて述べる。
第１図は、従来の製着により得られる半導体レーザの構
造を示す断面図、第２図（１）〜（ｂ）はその製造工程
における一工程でのレーザ結晶の断面図である。製法と
しては、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１を選択エツチングし
てメサ２を形成する（第２図（８１）ｃ次にメサを形成
した基板１上にＭＯ−ＣＶＤ 法による結晶成長を行な
ってｎ）ＮＩｌＡＩ、、３ Ｇａ、、、Ａｓ１３、Ｇａ
Ａｓ活性層４、ｐ型ＡＩｏ、ｓ Ｇｎａ、Ｉ Ａｓ Ｍ
５ 、Ｉ）型ＧａＡｓｊｉ６を形成する（第２図（ｂ
））。ＭＯ−ＣＶＤ法による結晶成長ではＧａＡｓ基板
１上のメサ２上で多ユ も平２部でも結晶成長速度が等しいため、活性層４はメ
サ２の形状を受けついだ形状となる。結晶成長後、メサ
２上部への電流狭窄を行なうためにストライブ状の選択
プロトン注入層７を形成し、丞 最後にＰＫＫＯ２ｎ電極９を形成して従来の製消釦よる
半導体レーザは完成する。（第１図）この半導体レーザ
においては、気相結晶成長法を用いるため量産性処すぐ
れ、伝相結晶成長法に特有な、エピタキシャル層が基板
の形状を忠実にうけつぐことを利用し、活性層に段差を
つけ、活性層に水平方向の光ガイドを行なっているため
、安定ＩＣ８本横モード発振をすることができる。また
、活性領域への電流狭窄は選択プロトン注入を行なうこ
とＫより実現し、ある程度低い発振閾電流値を得ている
。
造を示す断面図、第２図（１）〜（ｂ）はその製造工程
における一工程でのレーザ結晶の断面図である。製法と
しては、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１を選択エツチングし
てメサ２を形成する（第２図（８１）ｃ次にメサを形成
した基板１上にＭＯ−ＣＶＤ 法による結晶成長を行な
ってｎ）ＮＩｌＡＩ、、３ Ｇａ、、、Ａｓ１３、Ｇａ
Ａｓ活性層４、ｐ型ＡＩｏ、ｓ Ｇｎａ、Ｉ Ａｓ Ｍ
５ 、Ｉ）型ＧａＡｓｊｉ６を形成する（第２図（ｂ
））。ＭＯ−ＣＶＤ法による結晶成長ではＧａＡｓ基板
１上のメサ２上で多ユ も平２部でも結晶成長速度が等しいため、活性層４はメ
サ２の形状を受けついだ形状となる。結晶成長後、メサ
２上部への電流狭窄を行なうためにストライブ状の選択
プロトン注入層７を形成し、丞 最後にＰＫＫＯ２ｎ電極９を形成して従来の製消釦よる
半導体レーザは完成する。（第１図）この半導体レーザ
においては、気相結晶成長法を用いるため量産性処すぐ
れ、伝相結晶成長法に特有な、エピタキシャル層が基板
の形状を忠実にうけつぐことを利用し、活性層に段差を
つけ、活性層に水平方向の光ガイドを行なっているため
、安定ＩＣ８本横モード発振をすることができる。また
、活性領域への電流狭窄は選択プロトン注入を行なうこ
とＫより実現し、ある程度低い発振閾電流値を得ている
。
この半導体レーザで安定な基本横モードを実現する妬は
活性層の膜力ヨの幅が３μｍ 以下にする必要があり、
電流は当然この発光領域にのみ注入される事が望捷しい
。しかしながら、プロトン注入による電流狭窄は、正流
注入時のキャリアの核拡散効果が大きく、３μｍ寸法寸
法率良く注入することが難かしす、少しでも発振閾電流
値を下けるためにはプロトン注入領域を活性層九近づけ
て、横方向の拡が！ｌ電流成分を少なくするなどの工夫
が取られている。しかし、プロトン注入層よるダメージ
を活性層が受けるようになり、素子の信頼性が著るしぐ
低下すると同時にプロトン注入の深さを増々高精度に制
御する必要がある。これらの要件は製造歩留シを低下さ
せる主原因となっている。更忙活性層の上７ＦＪＫｌＩ
流狭窄を設ける構造は、電流注入領域と発光領域を正確
に一致させることが難かしいといった欠点を有する。
活性層の膜力ヨの幅が３μｍ 以下にする必要があり、
電流は当然この発光領域にのみ注入される事が望捷しい
。しかしながら、プロトン注入による電流狭窄は、正流
注入時のキャリアの核拡散効果が大きく、３μｍ寸法寸
法率良く注入することが難かしす、少しでも発振閾電流
値を下けるためにはプロトン注入領域を活性層九近づけ
て、横方向の拡が！ｌ電流成分を少なくするなどの工夫
が取られている。しかし、プロトン注入層よるダメージ
を活性層が受けるようになり、素子の信頼性が著るしぐ
低下すると同時にプロトン注入の深さを増々高精度に制
御する必要がある。これらの要件は製造歩留シを低下さ
せる主原因となっている。更忙活性層の上７ＦＪＫｌＩ
流狭窄を設ける構造は、電流注入領域と発光領域を正確
に一致させることが難かしいといった欠点を有する。
このような事情から発４ｉ１４Ｒｉ流値を充分低くし、
かり素子の信頼性を確保するには、基板側に電流狭窄構
造をもたせることが望ましい。
かり素子の信頼性を確保するには、基板側に電流狭窄構
造をもたせることが望ましい。
このような電流狭窄構造をもつ半導体レーザとしては第
３図に示す構造のものが作られている。
３図に示す構造のものが作られている。
第４図はその製造方法を示す断面図である。製造方法と
し２ては、まずｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１０上に液相エ
ピタキシャル成長法処よシｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層を形成
しく ＩＫ ４ ［１ｉ２１（ａ） ）、選択エツチン
グによりｐ型（］ａＡ ｓ基板１０に追する深さの溝１
２を形成する（第４図（ｂｌ）、次に、第２０液相エピ
タキシヤル成長を行１にッてｐ ｉｌｌ、、、 Ｇａｏ
、ｇ Ａｓ７１１３、Ｇ ａ Ａ ｓ活性層１４、ｎ型
Ａ ’ａ、３ Ｇｎｏ、、 Ａ ８層１５ 、ｎｆｉＧ
ａＡａ層１６□を形成しく第４図（Ｃ））、最後１ｃｎ
電極１７、ｐｉｔ（極１８を形成して第３図に示す半導
体レーザは完成する。この半導体レーザにおいては、結
晶成長により形成される電流プロ、り層１１を用いて電
流狭窄を行うため、電流広がりが小さく、不純物拡散、
プロトン注入によシミ流狭窄を行う場合に比べて活性層
に導入される結晶欠陥は少ないが、液相エピタキシャル
成長法を用いて製造するため気相エピタキシャル成長法
を用いる場合に比べて量産性に劣っている。
し２ては、まずｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１０上に液相エ
ピタキシャル成長法処よシｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層を形成
しく ＩＫ ４ ［１ｉ２１（ａ） ）、選択エツチン
グによりｐ型（］ａＡ ｓ基板１０に追する深さの溝１
２を形成する（第４図（ｂｌ）、次に、第２０液相エピ
タキシヤル成長を行１にッてｐ ｉｌｌ、、、 Ｇａｏ
、ｇ Ａｓ７１１３、Ｇ ａ Ａ ｓ活性層１４、ｎ型
Ａ ’ａ、３ Ｇｎｏ、、 Ａ ８層１５ 、ｎｆｉＧ
ａＡａ層１６□を形成しく第４図（Ｃ））、最後１ｃｎ
電極１７、ｐｉｔ（極１８を形成して第３図に示す半導
体レーザは完成する。この半導体レーザにおいては、結
晶成長により形成される電流プロ、り層１１を用いて電
流狭窄を行うため、電流広がりが小さく、不純物拡散、
プロトン注入によシミ流狭窄を行う場合に比べて活性層
に導入される結晶欠陥は少ないが、液相エピタキシャル
成長法を用いて製造するため気相エピタキシャル成長法
を用いる場合に比べて量産性に劣っている。
更に、この様な構造の半導体レーザは液相エピタキシャ
ル成長法のみが有する特徴をｆ１１用し、て作ることが
できるのであり 気相エピタキシャル成長法では得るこ
とができないのが現況である。電流ブロック層１１が活
性層、発光を吸収す２１ような組成の結晶を用いた場合
、たとえばブロック層がＧａＡｓ１の時、ブロックＮ４
＃−ｉ発振光で光励起さり。
ル成長法のみが有する特徴をｆ１１用し、て作ることが
できるのであり 気相エピタキシャル成長法では得るこ
とができないのが現況である。電流ブロック層１１が活
性層、発光を吸収す２１ような組成の結晶を用いた場合
、たとえばブロック層がＧａＡｓ１の時、ブロックＮ４
＃−ｉ発振光で光励起さり。
ブロック肩肉に自由キャリアが多数発生Ｌ５そのために
ブロック層の障壁が低められ、ブレーク、ダウンする恐
れがある。所望の電流狭窄を得るためには、ＧａＡｓ層
の不純物濃度を高く［７たり、層を極めて厚くする等が
必要であった。ＡｌＧａＡｓ Ｎｉを用いれば、この様
な問題は解消されるが、液相エピタキシャル成長法では
一旦空気中にさらしたＡｌＧａＡｓ 層の上に、結晶成
長が困離であるという欠点のためにブロック層にＡｌＧ
ａＡｓ 層を用いることけできない。
ブロック層の障壁が低められ、ブレーク、ダウンする恐
れがある。所望の電流狭窄を得るためには、ＧａＡｓ層
の不純物濃度を高く［７たり、層を極めて厚くする等が
必要であった。ＡｌＧａＡｓ Ｎｉを用いれば、この様
な問題は解消されるが、液相エピタキシャル成長法では
一旦空気中にさらしたＡｌＧａＡｓ 層の上に、結晶成
長が困離であるという欠点のためにブロック層にＡｌＧ
ａＡｓ 層を用いることけできない。
本発明の目的は、従来例における上記欠点を除去し、量
産性にすぐれ、発振閾値が低くかつ信頼性の高い半導体
レーザを気相成長法を用いて得ること忙ある。
産性にすぐれ、発振閾値が低くかつ信頼性の高い半導体
レーザを気相成長法を用いて得ること忙ある。
本発明の骨子は、メサを形成した第１導電型半導体基板
上忙第１の結晶成長を行なって第２導電型あるいは高抵
抗の第１半導体層を形成し、第１半導体層のみを選択的
にエツチングして所望の高さのメサを露出させたのち、
気相結晶成長を行なってメサの形状をうけついだ形状を
有する活性層を含む複数の半導体層を形成することであ
る。
上忙第１の結晶成長を行なって第２導電型あるいは高抵
抗の第１半導体層を形成し、第１半導体層のみを選択的
にエツチングして所望の高さのメサを露出させたのち、
気相結晶成長を行なってメサの形状をうけついだ形状を
有する活性層を含む複数の半導体層を形成することであ
る。
以下に本発明の実施例の半導体レーザの製造方法を図面
を用いて詳細に説明する。以下の説明においては特にＭ
Ｏ−ＣＶＤ法を用いたＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 半導体
レーザの製造方法について述べる。
を用いて詳細に説明する。以下の説明においては特にＭ
Ｏ−ＣＶＤ法を用いたＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 半導体
レーザの製造方法について述べる。
第５図は本発明の実施例の製造方法忙よシ得ら択エツチ
ングによシメサを形成したｎ型ＧａＡｓ基板１９（第６
図（ａ）、第７図（ａ））上圧第１の結晶成長を行なっ
てｐ型Ａ’ ｏ、ａ Ｇ ａＧ、Ｉ Ａ ｓ層２１を形
成する。
ングによシメサを形成したｎ型ＧａＡｓ基板１９（第６
図（ａ）、第７図（ａ））上圧第１の結晶成長を行なっ
てｐ型Ａ’ ｏ、ａ Ｇ ａＧ、Ｉ Ａ ｓ層２１を形
成する。
この際、結晶成長法としては液相エピタキシャル成長法
を用いる場合（第６図）とＭＯ−ＣＶＤ法を用いる場合
（第７図）がある。液相エピタキシャル成長法を用いる
場合１−ｔ（第６図）、ｐ型Ａ ＋、、。
を用いる場合（第６図）とＭＯ−ＣＶＤ法を用いる場合
（第７図）がある。液相エピタキシャル成長法を用いる
場合１−ｔ（第６図）、ｐ型Ａ ＋、、。
Ｇａｏ、ｅＡｓＡｓ層上１充分厚く成長させれば表面溪
は平超となる（第６図ら））。こののちＡ１組成比の大
きいｐ型Ａ １１１．４０ ａｎ、＠ Ａ ｓ ｆｆ４
２１を選択的にエツチングするエッチャント、例えばフ
ッ酸を用いてエツチングを行ない、メサ２０を所望の高
さだけ露出させる（第６図（Ｃ））。ＭＯ−ＣＶＤ 法
を用いる場合は、（第７図）ｐ型Ａ Ｉ ０．４ Ｇ
ａ ｏ、 ｅ Ａ ’層２１はＧａＡｓ基板１９のメサ
２０の形状をうけついでメサ２２をもったものとなる（
第７図（ｂ））。次にメサ２２を除いたｐ型Ａ１．．４
０ａ、、ｇ Ａｍ層２１表面にエツチングマスク２３を
形成しく第７図（Ｃ））メサ２２がほとんどなくなるま
でエツチングを行ない（第７図ｆｄｌ ） 、こののち
エツチングマスクを除去して、７ツ酸によシエッチング
を行なってメサ１１を所望の高さだけ露出する（第７図
（ｅ））。
きいｐ型Ａ １１１．４０ ａｎ、＠ Ａ ｓ ｆｆ４
２１を選択的にエツチングするエッチャント、例えばフ
ッ酸を用いてエツチングを行ない、メサ２０を所望の高
さだけ露出させる（第６図（Ｃ））。ＭＯ−ＣＶＤ 法
を用いる場合は、（第７図）ｐ型Ａ Ｉ ０．４ Ｇ
ａ ｏ、 ｅ Ａ ’層２１はＧａＡｓ基板１９のメサ
２０の形状をうけついでメサ２２をもったものとなる（
第７図（ｂ））。次にメサ２２を除いたｐ型Ａ１．．４
０ａ、、ｇ Ａｍ層２１表面にエツチングマスク２３を
形成しく第７図（Ｃ））メサ２２がほとんどなくなるま
でエツチングを行ない（第７図ｆｄｌ ） 、こののち
エツチングマスクを除去して、７ツ酸によシエッチング
を行なってメサ１１を所望の高さだけ露出する（第７図
（ｅ））。
ζうして電流ブロック層を有する基板結晶を形成し、次
にＭＯ−ＣＶＤ法を用いてｎ型Ａｌ、、、 Ｇａｏ、ｙ
Ａｓ層２４、メサ２０の形状をうけついだ形状を有する
ＧｒＡｓ活性層２５、ｐ型Ａｌ、、３ Ｇａｏ、、 Ａ
ｓ！２６、ｐ型ＧａＡｓｆｉ２７ を順次形成する。最
後ＫＰ電極２８、ｎＷ！、極２９を形成して本発明の製
造方法による半導体レーザは完成する（第５図）。
にＭＯ−ＣＶＤ法を用いてｎ型Ａｌ、、、 Ｇａｏ、ｙ
Ａｓ層２４、メサ２０の形状をうけついだ形状を有する
ＧｒＡｓ活性層２５、ｐ型Ａｌ、、３ Ｇａｏ、、 Ａ
ｓ！２６、ｐ型ＧａＡｓｆｉ２７ を順次形成する。最
後ＫＰ電極２８、ｎＷ！、極２９を形成して本発明の製
造方法による半導体レーザは完成する（第５図）。
本発明に係る半導体レーザにおいては活性層に対して基
板側に電流ブロック層を有するため、キャリアの横拡散
が少なく、発振閾電流値が低く、結晶成長によシ形成さ
れる電流狭窄構造をもつため、プロトン注入や不純物拡
散工程を用いてＷｌ流狭窄を行う場合に比べて活性層に
導入される結晶欠陥がけるかに少なく素子の信頼性が高
い。
板側に電流ブロック層を有するため、キャリアの横拡散
が少なく、発振閾電流値が低く、結晶成長によシ形成さ
れる電流狭窄構造をもつため、プロトン注入や不純物拡
散工程を用いてＷｌ流狭窄を行う場合に比べて活性層に
導入される結晶欠陥がけるかに少なく素子の信頼性が高
い。
さらＩｃ、Ｉｌｌ、流ブロック層は活性層よりもバンド
ギャップの大きいＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 層であるた
め活性層で生じた光に対して透明であり、電流ブロック
層ＫＧａＡｓを用いた場合のような、光の吸収によるキ
ャリアの生成から生じるブレークダウンがおこらない等
の特徴を有する。
ギャップの大きいＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 層であるた
め活性層で生じた光に対して透明であり、電流ブロック
層ＫＧａＡｓを用いた場合のような、光の吸収によるキ
ャリアの生成から生じるブレークダウンがおこらない等
の特徴を有する。
本発明の実施例の製造方法は電流ブロック層形成後の結
晶成長にＭＯ−ＣＶＤ法を用いることを特徴としている
が、従来の半導体レーザに用いられていた液相エピタキ
シャル成長法では大気にさらされたＡ Ｉ Ｑ ａ Ａ
、 ｓ 上への結晶成長が困難であシ、また基板に凹凸
があってもエピタキシャル層は平刃Ｌ ｆｉＫなる傾向があるため、第５図に示したような基板
の形状をうけつし）だ活性層の段差を利用した横モード
制御をおこ々わせしめる本発明の構造の半導体レーザを
得ることはできない。
晶成長にＭＯ−ＣＶＤ法を用いることを特徴としている
が、従来の半導体レーザに用いられていた液相エピタキ
シャル成長法では大気にさらされたＡ Ｉ Ｑ ａ Ａ
、 ｓ 上への結晶成長が困難であシ、また基板に凹凸
があってもエピタキシャル層は平刃Ｌ ｆｉＫなる傾向があるため、第５図に示したような基板
の形状をうけつし）だ活性層の段差を利用した横モード
制御をおこ々わせしめる本発明の構造の半導体レーザを
得ることはできない。
これに対してＭＯ−ＣＶＤ 法でｔまλＩＧａＡ、ｓ
上の結晶成長は容易であり、基板の形状を忠実にうけつ
ｈだエピタキシャル層を形成することができるため、第
５図に示す構造の半２．ダ体レーザが容易に得られる。
上の結晶成長は容易であり、基板の形状を忠実にうけつ
ｈだエピタキシャル層を形成することができるため、第
５図に示す構造の半２．ダ体レーザが容易に得られる。
さらに、ＭＯ−ＣＶＤ法は液相エピタキシャル成長法に
比較してＷ４厚均−性、制御性にすぐれるため、素子の
量産性、歩留シが高論。
比較してＷ４厚均−性、制御性にすぐれるため、素子の
量産性、歩留シが高論。
以上詳Ｍｌな説明に述べたように本発明の実施によシ安
定な基本枠モード発振を行ない、発振１ｉ＃Ｉ電流値が
低く、かつ４８Ｍ性が高い量産性にすぐれた半導体レー
ザを得ることができる。詳細な説明においては特にＭＯ
−ＣＶＤ法を用いたＡＩ ＧａＡｓ 半導体レーザにつ
いて述べたが、本発明が他の気相結晶成長法を用いたＩ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ等の他の材料の半導体レーザ
に適用できることはいうまでもない。
定な基本枠モード発振を行ない、発振１ｉ＃Ｉ電流値が
低く、かつ４８Ｍ性が高い量産性にすぐれた半導体レー
ザを得ることができる。詳細な説明においては特にＭＯ
−ＣＶＤ法を用いたＡＩ ＧａＡｓ 半導体レーザにつ
いて述べたが、本発明が他の気相結晶成長法を用いたＩ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ等の他の材料の半導体レーザ
に適用できることはいうまでもない。
第１図、第３図はそれぞれ従来の＃！造方法により体レ
ーザの製法を示す一工程における素子結晶の断面図、第
５図は本発明に係る製造方法により得られる半導体レー
ザの構造を示す断面図、第６図（、）〜（Ｃ）、第７図
（ａｌ〜（ｅｌはその製法を示す断面図である。 図において、１ 、１９−＝ｎ型ＧａＡｓ基板、１０・
−ｐ 型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２，２０．２２・−・メ
サ、１２・＠、１１ 、１６−−− ｎ ｍ ＧａＡ＠
層、３ 、１５．２４− ｎ型Ａｌ、、。 、Ｓ、Ｇ ａ ｏ、 を人Ｓ層、４ 、１４ 、２５・
・−ＧａＡｓ活性層、５゜１３ 、２６ ・＝ ｐ ｆ
ｊｌｋｌｌｌ、ｓ Ｇｔ＆ｏ、ｖ人ＩＩｐ／４．６．２
７− ｐ ｍＧａＡｓ層、７・・・プロトン注入層、８
．１８．２８ ・・・ｐ電極、９，１７．２９−＝ｎ［
極、２ｌ−＝ｐ型Ａｔ。、。 Ｇ ａ ｏ、ｇ Ａ ｓ層、２３・・・エツチングマス
クをそれぞれ示す。 オ １ 図 第２図 り （ｂ） 第３図 ２ 第４図 ２ （ｂ） 第５図 １６図 ０ （ａ） （Ｃ） ０ （ｂ） 牙７図 ０ （Ｃ）
ーザの製法を示す一工程における素子結晶の断面図、第
５図は本発明に係る製造方法により得られる半導体レー
ザの構造を示す断面図、第６図（、）〜（Ｃ）、第７図
（ａｌ〜（ｅｌはその製法を示す断面図である。 図において、１ 、１９−＝ｎ型ＧａＡｓ基板、１０・
−ｐ 型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２，２０．２２・−・メ
サ、１２・＠、１１ 、１６−−− ｎ ｍ ＧａＡ＠
層、３ 、１５．２４− ｎ型Ａｌ、、。 、Ｓ、Ｇ ａ ｏ、 を人Ｓ層、４ 、１４ 、２５・
・−ＧａＡｓ活性層、５゜１３ 、２６ ・＝ ｐ ｆ
ｊｌｋｌｌｌ、ｓ Ｇｔ＆ｏ、ｖ人ＩＩｐ／４．６．２
７− ｐ ｍＧａＡｓ層、７・・・プロトン注入層、８
．１８．２８ ・・・ｐ電極、９，１７．２９−＝ｎ［
極、２ｌ−＝ｐ型Ａｔ。、。 Ｇ ａ ｏ、ｇ Ａ ｓ層、２３・・・エツチングマス
クをそれぞれ示す。 オ １ 図 第２図 り （ｂ） 第３図 ２ 第４図 ２ （ｂ） 第５図 １６図 ０ （ａ） （Ｃ） ０ （ｂ） 牙７図 ０ （Ｃ）
Claims (1)
- メサを形成した第１導電型半導体基板上に 第２導電型
あるいけ高抵抗の第１半導体層を形成する工程と、該第
１半導体層を選択的圧エツチングして前記メサが所望の
高さだけ露出した基板結晶を形成する工程と、該基板結
晶上に気相結晶成長法圧よシ第１導電型の第２半導体層
、前記メサの形状をうけついだ形状の前記第２半導体層
よりもバンドギャップの小さい活性層を含む多層構造を
形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18539283A JPS6077482A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18539283A JPS6077482A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077482A true JPS6077482A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16170003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18539283A Pending JPS6077482A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077482A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62156891A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| US4948753A (en) * | 1984-03-27 | 1990-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing stripe-structure semiconductor laser |
| US5182228A (en) * | 1989-06-29 | 1993-01-26 | Omron Corporation | Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device |
| US5335241A (en) * | 1990-08-30 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Buried stripe type semiconductor laser device |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18539283A patent/JPS6077482A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4948753A (en) * | 1984-03-27 | 1990-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing stripe-structure semiconductor laser |
| JPS62156891A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| US5182228A (en) * | 1989-06-29 | 1993-01-26 | Omron Corporation | Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device |
| US5335241A (en) * | 1990-08-30 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Buried stripe type semiconductor laser device |
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