JPS6077509A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPS6077509A JPS6077509A JP18500283A JP18500283A JPS6077509A JP S6077509 A JPS6077509 A JP S6077509A JP 18500283 A JP18500283 A JP 18500283A JP 18500283 A JP18500283 A JP 18500283A JP S6077509 A JPS6077509 A JP S6077509A
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- Japan
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- electrode
- surface acoustic
- acoustic wave
- wave device
- admittance
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02779—Continuous surface reflective arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔重量の利用分野〕
本発明は、結合回路にアドミッタンスを近付目で、電圧
損失の改善や小型化をｄｌった弾性表面波装置に関する
。
損失の改善や小型化をｄｌった弾性表面波装置に関する
。
第１図に従来の弾性表面波装置の一列を示す。
１は圧電性基板、２．３は櫛型電極、４はシールド電極
である。櫛型電極は一般に、弾性表面波の反射を抑圧す
る目的で、同極性の電極指をそれぞれ隣接した２本に分
割したものを、交互に極性を変えて配設した二重電極構
造（スプリット型電極）がよく用いられる。又、通常、
電極指の繰り返し周期の１／２と電極指幅の百分率比で
あるメタライデーションレイショは５０％である。
である。櫛型電極は一般に、弾性表面波の反射を抑圧す
る目的で、同極性の電極指をそれぞれ隣接した２本に分
割したものを、交互に極性を変えて配設した二重電極構
造（スプリット型電極）がよく用いられる。又、通常、
電極指の繰り返し周期の１／２と電極指幅の百分率比で
あるメタライデーションレイショは５０％である。
弾性表面波装置は、一方の櫛型１！極たとえば第１図中
の櫛型電極２に信号を加えると、電気信号は弾性表面波
に変換される。この弾性表面波は基板上を伝搬し、他方
の櫛型電極たとえば第１図中の櫛型電極３により再び電
気信号に変換される。このとき少なくとも一方の櫛型電
極の交差幅あるいは繰り返し周期を変化させ、重み付け
を施すことにより所望の周波数特性を得る。また、シー
ルド電極は直接漏洩波を抑圧すＶ ’Ｉ’ Ｒに用いる
ビデオヘッドの特性補償を目的とした弾性表面波装置は
、中心周波数１５■２゜比帯域幅０５７である。信号源
側は正規型電極で対数は３５対、負荷側は重み付は電極
で対数は７．５対である。また、電極指は両方ともメタ
ライゼーションレイシ１１５０％の二重電極構造で、開
口長は１８９０μｎ１であり、チップサイズは９ ｗｉ
ｎ Ｘ ２．５ Ｂである。このとき、正規型電極の放
射コンダクタンスＧｉ ％放射サセプタンスＢｔは、そ
れぞれ中心周波数で０．０７ｍ ９ 、０．４５ｍ Ｕ
、また重み付は電極の放射コンダクタンス中、放射サセ
プタンスＢｏはそれぞれ中心周波数で０．０１１ｍ＆’
、 ０．７５ｍ１７である。
の櫛型電極２に信号を加えると、電気信号は弾性表面波
に変換される。この弾性表面波は基板上を伝搬し、他方
の櫛型電極たとえば第１図中の櫛型電極３により再び電
気信号に変換される。このとき少なくとも一方の櫛型電
極の交差幅あるいは繰り返し周期を変化させ、重み付け
を施すことにより所望の周波数特性を得る。また、シー
ルド電極は直接漏洩波を抑圧すＶ ’Ｉ’ Ｒに用いる
ビデオヘッドの特性補償を目的とした弾性表面波装置は
、中心周波数１５■２゜比帯域幅０５７である。信号源
側は正規型電極で対数は３５対、負荷側は重み付は電極
で対数は７．５対である。また、電極指は両方ともメタ
ライゼーションレイシ１１５０％の二重電極構造で、開
口長は１８９０μｎ１であり、チップサイズは９ ｗｉ
ｎ Ｘ ２．５ Ｂである。このとき、正規型電極の放
射コンダクタンスＧｉ ％放射サセプタンスＢｔは、そ
れぞれ中心周波数で０．０７ｍ ９ 、０．４５ｍ Ｕ
、また重み付は電極の放射コンダクタンス中、放射サセ
プタンスＢｏはそれぞれ中心周波数で０．０１１ｍ＆’
、 ０．７５ｍ１７である。
この弾性表面波装置を、ＶＴＲで用いるとき、弾性表面
波装置からみた結合回路のアドミッタンスは、信号源側
Ｇｓが５０ｍ 負荷側電がＯゝ ０、２ ＋ｎ Ｕである〇 次に、この弾性表面波装置の電圧損失について考察する
。弾性表面波装置の電力損失ＬｂＢはで表される。ここ
でＫは、電極の双方向性損失で、入出力の電極指の開口
長の等しい場合は１／／４である。また。その他の変数
は前述の通りである。
波装置からみた結合回路のアドミッタンスは、信号源側
Ｇｓが５０ｍ 負荷側電がＯゝ ０、２ ＋ｎ Ｕである〇 次に、この弾性表面波装置の電圧損失について考察する
。弾性表面波装置の電力損失ＬｂＢはで表される。ここ
でＫは、電極の双方向性損失で、入出力の電極指の開口
長の等しい場合は１／／４である。また。その他の変数
は前述の通りである。
電圧損失は、前にめた電力損失を用いると次式のように
表される。
表される。
この式に従って前述の弾性表面波装置の電圧損失をめる
と２５．４ｄＢとなる。
と２５．４ｄＢとなる。
この弾性表面波装置をＶＴＲに用いると、再生した画像
は非常にＳ／Ｎ比が悪く、性能を十分に発揮できなかっ
た。これは、弾性表面波装置の電圧損失が大きいためで
ある。
は非常にＳ／Ｎ比が悪く、性能を十分に発揮できなかっ
た。これは、弾性表面波装置の電圧損失が大きいためで
ある。
電圧損失は、前述の電圧損失を表す式より結合回路およ
び弾性表面波装置のアドミッタンスを最適の条件に近付
けることにより低減できるが、結合回路のアドミッタン
スは、電圧損失を最小にする条件を、はぼ満足している
。しかし、弾性表面波装置のアドミッタンスは、前述の
電圧損失を示す式から分かるとおり％Ｇｉは大きく、Ｇ
□は小さくした方が望ましい。
び弾性表面波装置のアドミッタンスを最適の条件に近付
けることにより低減できるが、結合回路のアドミッタン
スは、電圧損失を最小にする条件を、はぼ満足している
。しかし、弾性表面波装置のアドミッタンスは、前述の
電圧損失を示す式から分かるとおり％Ｇｉは大きく、Ｇ
□は小さくした方が望ましい。
この弾性表面波装置の信号源側放射コンダクタンスＧＬ
が小さい理由は、周波数が低いことと電極指対数が少な
い・−とによる。しかし電極指対数は、比帯域幅によっ
て決まり、これを変えることは出来ない。また電極指の
開口長を大きくすることによりＧｔを大きく出来るが、
この方法は装置寸法の増大を招いてしまう。
が小さい理由は、周波数が低いことと電極指対数が少な
い・−とによる。しかし電極指対数は、比帯域幅によっ
て決まり、これを変えることは出来ない。また電極指の
開口長を大きくすることによりＧｔを大きく出来るが、
この方法は装置寸法の増大を招いてしまう。
このように、従来の弾性表面波装置では、電極指のアド
ミッタンスの自由１（が小さく、電圧損失が大きいか、
又は装置寸法が増大してしまうという不具合を有してい
た。
ミッタンスの自由１（が小さく、電圧損失が大きいか、
又は装置寸法が増大してしまうという不具合を有してい
た。
本発明の目的は、前記従来の不具合を改善し、小型のま
ま、接続する機器にアドミッタンスを近付け、電圧損失
の低減を計った弾性表面波装置を提供することにある。
ま、接続する機器にアドミッタンスを近付け、電圧損失
の低減を計った弾性表面波装置を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、少なくと
も一方の電極の電極指対数を２０未満とし、かつ、その
電極指の繰り返し周期の１／２（第２図中に示す寸法５
）に対する電極指幅（第２図中に示す寸法６）の百分率
比すなわちメタライゼーシロンレイシロを７６％以上ま
たは２４％以下にして弾性表面波装置のアドミッタンス
を、結合回路に近付けるようにした。
も一方の電極の電極指対数を２０未満とし、かつ、その
電極指の繰り返し周期の１／２（第２図中に示す寸法５
）に対する電極指幅（第２図中に示す寸法６）の百分率
比すなわちメタライゼーシロンレイシロを７６％以上ま
たは２４％以下にして弾性表面波装置のアドミッタンス
を、結合回路に近付けるようにした。
電極指のメタライゼーションレイショと弾性表面波装置
の関係については、従来から種々の解析や実験がなされ
ており、例えばＳｍ１ｔｈ（ＩＥ Ｅ Ｅ ’ｌ’ｒａ
ｎｓ、 ＭＴＴ −２５，Ｎｏ、 １１．１９７５）等
は、メタライゼーションレイショと容量及び放射コンダ
クタンスの関係は、メタライゼーションレイショを増加
させることにより、電極指の容量は増加するが、放射コ
ンダクタンスはメタライゼ−ションレイシ目が５０％の
とき最大で、それ以外では減少すると報告している。し
かし、本発明者の実験によれば、上記報告は電極指対数
が多い（２０対以上）場合についてのものであり、ＶＴ
Ｒ用の弾性表面波装置等電極指対数の少ない場合には適
合しない。
の関係については、従来から種々の解析や実験がなされ
ており、例えばＳｍ１ｔｈ（ＩＥ Ｅ Ｅ ’ｌ’ｒａ
ｎｓ、 ＭＴＴ −２５，Ｎｏ、 １１．１９７５）等
は、メタライゼーションレイショと容量及び放射コンダ
クタンスの関係は、メタライゼーションレイショを増加
させることにより、電極指の容量は増加するが、放射コ
ンダクタンスはメタライゼ−ションレイシ目が５０％の
とき最大で、それ以外では減少すると報告している。し
かし、本発明者の実験によれば、上記報告は電極指対数
が多い（２０対以上）場合についてのものであり、ＶＴ
Ｒ用の弾性表面波装置等電極指対数の少ない場合には適
合しない。
ＷＬ極極対対数３５電極指開口長１８９０μｍ、ソリッ
ド電極の場合に、本発明者が実験の結果得たメタライゼ
ーションレイシロと放射コンダクタンスとの関係を第３
図に、また、メタライゼーションレイシロと容量との関
係を第４図に示す。
ド電極の場合に、本発明者が実験の結果得たメタライゼ
ーションレイシロと放射コンダクタンスとの関係を第３
図に、また、メタライゼーションレイシロと容量との関
係を第４図に示す。
ここで、容量及び放射コンダクタンスは電極指１対、開
口長１μｍ当たりの値である。
口長１μｍ当たりの値である。
このように容量および放射コンダクタンスはメタライゼ
ーションレイシロに伴って増加し、メタライゼーション
レイシロにより、装置のアドミッタンスを、メタライゼ
ーションレイシロ５０％の場合に対【２、約０．１倍か
ら２倍まで変えられることが分かった。このとき、電圧
損失が改善されるか、またはアドミッタンスを不変とし
て、開口長を小さくシ、小型化を計れる。
ーションレイシロに伴って増加し、メタライゼーション
レイシロにより、装置のアドミッタンスを、メタライゼ
ーションレイシロ５０％の場合に対【２、約０．１倍か
ら２倍まで変えられることが分かった。このとき、電圧
損失が改善されるか、またはアドミッタンスを不変とし
て、開口長を小さくシ、小型化を計れる。
また、二重電極構造でも同様の効果があることは明らか
である。
である。
実施例として、ＶＴＲのＦＭ再生位相等化器に用いる弾
性表面波装置について説明する。
性表面波装置について説明する。
本装置は、ビデオヘッドの特性補償のため用いられるも
ので、装置の作成上、ビデオ信号をアップコンバートし
て周波数変換して用いる。
ので、装置の作成上、ビデオ信号をアップコンバートし
て周波数変換して用いる。
重列ではアップコンバート周波数を１ｉＭＨｚとし、装
置の中心周波数を１５ＭＩＴｚとした。本発明の第１実
施例を第５［ｉ！！Ｉを用いて説明する。
置の中心周波数を１５ＭＩＴｚとした。本発明の第１実
施例を第５［ｉ！！Ｉを用いて説明する。
圧電性基板１は板厚０．５ｍ、、１２８度回転Ｙ軸カッ
トＸ伝搬ニオブ酸リチウム単結晶を用いた。
トＸ伝搬ニオブ酸リチウム単結晶を用いた。
入力電極２は３．５対のソリッド電極の正規型電極でメ
タライゼーションレイシロは９０％、出力電極５は８．
５対の二重電極構造の重み付けｌ（極でメタライゼーシ
ョンレイシロは５０％である。また、これらの電極はａ
ｏｏｏ Ａのアルミニウム蒸着膜をホトリソグラフィ技
術により形成した。電極指の開口長は１８９０μｍであ
る。このとき、装置のアドミッタンスは、中心周波数で
Ｑｊ＝０．１２ｍ０ 、 Ｂｉ＝０．７６ｍｔｙ 、
Ｇｏ＝０．０４１ｍ ５ｒ 、Ｂ□＝０．７４ｍ ｃ’
で、入力側のアドミッタンスは従来に比へ約１．７倍に
増加し、信号源側アドミッタンスが５０ｍ−ｒ、負荷側
アドミッタンスが０．２ｍＱ−のとき、電圧１失は２０
ＪｄＢ となり、従来に比べて５ｄＢ低減された。
タライゼーションレイシロは９０％、出力電極５は８．
５対の二重電極構造の重み付けｌ（極でメタライゼーシ
ョンレイシロは５０％である。また、これらの電極はａ
ｏｏｏ Ａのアルミニウム蒸着膜をホトリソグラフィ技
術により形成した。電極指の開口長は１８９０μｍであ
る。このとき、装置のアドミッタンスは、中心周波数で
Ｑｊ＝０．１２ｍ０ 、 Ｂｉ＝０．７６ｍｔｙ 、
Ｇｏ＝０．０４１ｍ ５ｒ 、Ｂ□＝０．７４ｍ ｃ’
で、入力側のアドミッタンスは従来に比へ約１．７倍に
増加し、信号源側アドミッタンスが５０ｍ−ｒ、負荷側
アドミッタンスが０．２ｍＱ−のとき、電圧１失は２０
ＪｄＢ となり、従来に比べて５ｄＢ低減された。
次に、本発明の第２実施例について説明する。
第２実施例は第１実ａ例とは電極指開口長を１０００μ
ｍにした点のみに異なっており、その他は同一である。
ｍにした点のみに異なっており、その他は同一である。
このとき装置のアドミッタンスは、中心周波数テＧｔ＝
＝０．１０４ｍ ’ 、 Ｂ Ｌ＝０．６６ｍ ；、、
Ｑ□＝＝０．０３５ｍ二： 、ＢＯ＝０．６４ｍ；で、
電圧損失は２１．１ｄＢとなり、従来に比べて２．３ｄ
Ｂ低減され、がっ、装置の圧電性基板寸法は９ ＨＨＸ
２．２ ｍｍと１２％低減できた。
＝０．１０４ｍ ’ 、 Ｂ Ｌ＝０．６６ｍ ；、、
Ｑ□＝＝０．０３５ｍ二： 、ＢＯ＝０．６４ｍ；で、
電圧損失は２１．１ｄＢとなり、従来に比べて２．３ｄ
Ｂ低減され、がっ、装置の圧電性基板寸法は９ ＨＨＸ
２．２ ｍｍと１２％低減できた。
以上説明したように本発明によれば、放射コンダクタン
スを従来の約０１倍から２倍まで変えることか出来、電
圧損失の改善と装置の小型化が計れる。
スを従来の約０１倍から２倍まで変えることか出来、電
圧損失の改善と装置の小型化が計れる。
第１図は従来の弾性表面波装置の電極パターン図、第２
図はメタライゼーションレイシロの説明図、第３図はメ
タライゼーションレイシロと放射コンダクタンスの関係
を示す図、第４図はメタライゼーションレイシロと容量
の関係を示す図、第５図は本発明第１実施例の￥ＩＬ極
パターン図である。 １・・・圧電性基板、 ２．３・・・櫛型電極、７・・
・メタライゼーションレイシロと放射コンダクタンスの
関係を示す特性曲線、 ８・・・メタライゼーションレイシロと容量の関係を示
す特性曲線。 弔 １ 図 第 ２ ダ ×１０４ 罵 ３ 図 メタライ亡′−ジョレレシオＣｅ′／−Ｊ手続補正書（
方式） 特許庁長官殿 ｊｌｊ件の表示 昭和 ５８年特許願第 １８５００２号発明の名称 弾
性表面波装置 補正をする者 ＩＩｆｌ！：σ匍ｆイ 特許出願人 ｒ、称 １５１す）１１式会ン！ 日 立 製 作 所
代 理 人
図はメタライゼーションレイシロの説明図、第３図はメ
タライゼーションレイシロと放射コンダクタンスの関係
を示す図、第４図はメタライゼーションレイシロと容量
の関係を示す図、第５図は本発明第１実施例の￥ＩＬ極
パターン図である。 １・・・圧電性基板、 ２．３・・・櫛型電極、７・・
・メタライゼーションレイシロと放射コンダクタンスの
関係を示す特性曲線、 ８・・・メタライゼーションレイシロと容量の関係を示
す特性曲線。 弔 １ 図 第 ２ ダ ×１０４ 罵 ３ 図 メタライ亡′−ジョレレシオＣｅ′／−Ｊ手続補正書（
方式） 特許庁長官殿 ｊｌｊ件の表示 昭和 ５８年特許願第 １８５００２号発明の名称 弾
性表面波装置 補正をする者 ＩＩｆｌ！：σ匍ｆイ 特許出願人 ｒ、称 １５１す）１１式会ン！ 日 立 製 作 所
代 理 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）圧電性基板上に少なくとも１組の人力および出力櫛
型電極を対向して配設した弾性表面波装置において、前
記櫛型電極のうち少なくとも一方は、電極指対数が２０
未満、かつ電極指の繰り返し周期の１／２に対する電極
指幅の百分率比が７６％以上または２４％以下であるこ
とを特徴とする弾性表面波装置。 ２）対向して配設した櫛型電極の電極指の上記電極指幅
百分率比が、一方の電極では２４％以下で、他方の電極
では７６％以上である特許請求の範囲第１項記載の弾性
表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18500283A JPS6077509A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18500283A JPS6077509A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077509A true JPS6077509A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16163055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18500283A Pending JPS6077509A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044284A1 (en) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561805A (en) * | 1979-06-19 | 1981-01-10 | Yanmar Agricult Equip | Automatic steering device for transplanter |
| JPS58154914A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-14 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP18500283A patent/JPS6077509A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561805A (en) * | 1979-06-19 | 1981-01-10 | Yanmar Agricult Equip | Automatic steering device for transplanter |
| JPS58154914A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-14 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044284A1 (en) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave element |
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