JPS607769A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS607769A JPS607769A JP58116734A JP11673483A JPS607769A JP S607769 A JPS607769 A JP S607769A JP 58116734 A JP58116734 A JP 58116734A JP 11673483 A JP11673483 A JP 11673483A JP S607769 A JPS607769 A JP S607769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoconductive
- substrate
- protective film
- cdse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
近年ファクシミリ送信部の小型化のために、密着型のイ
メージセンサの開発が行なわれている。
メージセンサの開発が行なわれている。
密着型のイメージセンサは、イメージセンサの設置位置
を原稿面からｉ７十ｍｍまで短かくできる。本発明は、
このような用途に適するイメージセンサに関する。
を原稿面からｉ７十ｍｍまで短かくできる。本発明は、
このような用途に適するイメージセンサに関する。
第１図はイメージセンサを拡大して示すもので、（イ）
は平面図、（ロ）は（イ）図のローロ断面図である。１
は基板であり、その上に画素を得るための光導電１！ｉ
！２・・・が１列に形成されており、各光導電膜２・・
・の両端には、出力取り出し用のコモン電極３と個別電
極４・・・が形成されている。
は平面図、（ロ）は（イ）図のローロ断面図である。１
は基板であり、その上に画素を得るための光導電１！ｉ
！２・・・が１列に形成されており、各光導電膜２・・
・の両端には、出力取り出し用のコモン電極３と個別電
極４・・・が形成されている。
光導電膜２・・・は、１ｍｍに８個程度形成され、この
ような微小の光導電膜２・・・が微小間隔で、原稿面の
読み取り領域の長さにわたってライン状に形成される。
ような微小の光導電膜２・・・が微小間隔で、原稿面の
読み取り領域の長さにわたってライン状に形成される。
そして原稿面から反射して来た光がこれらの光導電膜２
・・・に当たると、光導電膜２・・・の明抵抗が低下し
て、電極３．４間に大きな電流が検出される。各光導電
膜２・・・ごとの検出信号をファクシミリ受信部に送信
して記録再現する。
・・・に当たると、光導電膜２・・・の明抵抗が低下し
て、電極３．４間に大きな電流が検出される。各光導電
膜２・・・ごとの検出信号をファクシミリ受信部に送信
して記録再現する。
ところで光導電膜２・・・を作成するには、ＣｄＳｅあ
るいはＣｄＳのようなｎ−ｖｈ化合物を基板に蒸着して
光導電膜を形成し、光導電効果を得るための活性化熱処
理を炉内で行なった後、パターニングして第１図のよう
に島状に分離した多数の光導電膜２・・・を形成する。
るいはＣｄＳのようなｎ−ｖｈ化合物を基板に蒸着して
光導電膜を形成し、光導電効果を得るための活性化熱処
理を炉内で行なった後、パターニングして第１図のよう
に島状に分離した多数の光導電膜２・・・を形成する。
そしてこれらの光導電膜２・・・の両端に電極膜３．４
を蒸着し形成する。
を蒸着し形成する。
このようにＣｄＳやＣｄＳｅなどの■〜■化合物半導体
膜が用いられるが、基板に蒸着後に、光導電効果を得る
ための活性化熱処理をして多結晶を成長させるので、光
導電膜２は６００℃程度の高温雰囲気中にさらされる。
膜が用いられるが、基板に蒸着後に、光導電効果を得る
ための活性化熱処理をして多結晶を成長させるので、光
導電膜２は６００℃程度の高温雰囲気中にさらされる。
そのために高温多結晶の成長と同時に蒸着膜の表面から
蒸発分解が行なわれる。ところが蒸着膜は、ＣｄとＳ、
ＣｄとＳｅというように蒸気圧の異なる物質で構成され
ているために、蒸発によって組成が変化してしまう。
蒸発分解が行なわれる。ところが蒸着膜は、ＣｄとＳ、
ＣｄとＳｅというように蒸気圧の異なる物質で構成され
ているために、蒸発によって組成が変化してしまう。
本発明の目的は、従来のイメージセンサにおけるこのよ
うな問題を解消し、活性化熱処理の際に光導電膜を構成
するｎ−ｖｒ化合物の蒸着膜が蒸発分解するのを防止す
ることにある。
うな問題を解消し、活性化熱処理の際に光導電膜を構成
するｎ−ｖｒ化合物の蒸着膜が蒸発分解するのを防止す
ることにある。
〔発明の構成〕
この目的を達成するために講じた本発明による技術的手
段は、絶縁性の基板にｎ−ｖｉ化合物であるＣｄＳｅ、
ＣｄＳ等で光導電膜を形成して、その上に高融点絶縁
材料で保護膜を形成し、且つ該保護膜および基板の少な
くとも片方を透明体で構成したことを特徴とする。
段は、絶縁性の基板にｎ−ｖｉ化合物であるＣｄＳｅ、
ＣｄＳ等で光導電膜を形成して、その上に高融点絶縁
材料で保護膜を形成し、且つ該保護膜および基板の少な
くとも片方を透明体で構成したことを特徴とする。
次に本発明によるイメージセンサが実際上どのように具
体化されるかを実施例で説明する。第２図は本発明によ
るイメージセンサとその製造方法を示す断面図である。
体化されるかを実施例で説明する。第２図は本発明によ
るイメージセンサとその製造方法を示す断面図である。
（イ）に示すように基板１に、コモン電極３と個別電極
４をＣｒやＭなどの蒸着やスパックで形成し、その上に
（ロ）のようにＣｄＳｅなどのＩＩ−Ｖｌ化合物を蒸着
して光導電膜２を形成する。そして最後に（ハ）のよう
に、光導電膜２の上にガラスやＳｉＯｘを蒸着して保護
膜５を形成する。
４をＣｒやＭなどの蒸着やスパックで形成し、その上に
（ロ）のようにＣｄＳｅなどのＩＩ−Ｖｌ化合物を蒸着
して光導電膜２を形成する。そして最後に（ハ）のよう
に、光導電膜２の上にガラスやＳｉＯｘを蒸着して保護
膜５を形成する。
こうして保ｉＩ膜５を設けた状態の基板を、炉に入れて
６００℃前後で加熱し、活性化熱処理を行なってＣｄＳ
、ｅの多結晶を成長させる。このとき光導電膜２は、従
来と違って保護膜５で覆われているので、高温に加熱さ
れても、蒸発分解は抑制される。
６００℃前後で加熱し、活性化熱処理を行なってＣｄＳ
、ｅの多結晶を成長させる。このとき光導電膜２は、従
来と違って保護膜５で覆われているので、高温に加熱さ
れても、蒸発分解は抑制される。
したがって、活性化熱処理のために光導電膜の組成が変
化して、所定の光導電効果が得られなくなるような欠陥
が防止される。
化して、所定の光導電効果が得られなくなるような欠陥
が防止される。
基板１は、透明のガラスで構成したり、不透明のセラミ
ックなどで構成するが、基板１を不透明体で構成する場
合は、保護膜５を透明体で構成し、保護膜５側から原稿
の読み取りを行なう。基板１を透明体で構成する場合は
、保護膜５は不透明体で構成してもよい。そしてこの場
合は、透明の基板側から読み取りを行なう。基板１も保
護膜５も共に透明体で構成した場合は、基板１側または
保護膜５例のどちらから読み取ってもよい。
ックなどで構成するが、基板１を不透明体で構成する場
合は、保護膜５を透明体で構成し、保護膜５側から原稿
の読み取りを行なう。基板１を透明体で構成する場合は
、保護膜５は不透明体で構成してもよい。そしてこの場
合は、透明の基板側から読み取りを行なう。基板１も保
護膜５も共に透明体で構成した場合は、基板１側または
保護膜５例のどちらから読み取ってもよい。
第２図の例は、電極３．４を形成した後に光導電膜２を
形成しているが、第１図の場合と同様に光導電膜２を形
成した後に、その上から電極３．４を形成してもよい。
形成しているが、第１図の場合と同様に光導電膜２を形
成した後に、その上から電極３．４を形成してもよい。
また保護膜５をつけた状態で加熱処理するので、保護膜
５と基板１との熱膨張率が近いことが必要である。基板
１と熱膨張率が異なる材料を保護膜に使用する場合は、
まず第３図（イ）のよ・うに、基板１上に保護膜５と同
じ材料またば保護膜５と熱膨張率が等しい材料でスペー
サ６を形成する。
５と基板１との熱膨張率が近いことが必要である。基板
１と熱膨張率が異なる材料を保護膜に使用する場合は、
まず第３図（イ）のよ・うに、基板１上に保護膜５と同
じ材料またば保護膜５と熱膨張率が等しい材料でスペー
サ６を形成する。
このスペーサ６は、基板１の全面に設ける必要ばなく、
少な（とも保護膜５を形成する領域に設ければ足りる。
少な（とも保護膜５を形成する領域に設ければ足りる。
このスペーサ６の上にＣｄＳｅなどで光導電膜２を形成
し、その上に蒸発分解防止用の保護膜５を設ける。
し、その上に蒸発分解防止用の保護膜５を設ける。
こうして保護膜５を被せた状態で、活性化熱処理を行な
い光導電膜２の多結晶化を行なう。次に（ロ）のように
、保護膜５を選択的に工、チングして、電極３．４を形
成する領域を除去する。そしてこの保護膜材料を除去し
た領域に、（ハ）のように電極導体を蒸着して電極３．
４を形成する。
い光導電膜２の多結晶化を行なう。次に（ロ）のように
、保護膜５を選択的に工、チングして、電極３．４を形
成する領域を除去する。そしてこの保護膜材料を除去し
た領域に、（ハ）のように電極導体を蒸着して電極３．
４を形成する。
このようにスペーサ６を設けることにより、光導電膜２
や保護膜５と基板１との熱膨張率が異なる場合でも、光
導電膜２や保護膜５にクランクが発生したりする恐れは
ない。なお保護膜５として不透明体を使用し、基板１側
から読み取りを行なう場合は、スペーサ６も基板１と同
様に透明体で構成する。
や保護膜５と基板１との熱膨張率が異なる場合でも、光
導電膜２や保護膜５にクランクが発生したりする恐れは
ない。なお保護膜５として不透明体を使用し、基板１側
から読み取りを行なう場合は、スペーサ６も基板１と同
様に透明体で構成する。
なお第３図（ロ）の保護膜材料のエツチングは、活性化
熱処理の前に行なってもよい。また保護膜５の蒸着を、
マスクを通して選択的に行なうことにより、電極形成部
以外のみに蒸着されるようにすることもできる。
熱処理の前に行なってもよい。また保護膜５の蒸着を、
マスクを通して選択的に行なうことにより、電極形成部
以外のみに蒸着されるようにすることもできる。
以上のように本発明によれば、絶縁性の基板にＩＪ −
Ｖｌ化合物であるＣｄＳｅ、 ＣｄＳ等で光導電膜を形
成して、その上に高融点絶縁材料で保護膜を形成してい
るので、光導電膜の活性化熱処理の際に光導電膜材料が
蒸発分解して組成が変化するのを未然に防止することが
できる。このように保護膜を設けるが、該保護膜および
基板の少な（とも片方を透明体で構成している。保護膜
として不透明体を使用する場合は、基板側から読み取り
を行なうことができ、透明体を使用する場合は、保護膜
側から読み取ることができる。そのため基板や保護膜の
利料選択が容易になる。
Ｖｌ化合物であるＣｄＳｅ、 ＣｄＳ等で光導電膜を形
成して、その上に高融点絶縁材料で保護膜を形成してい
るので、光導電膜の活性化熱処理の際に光導電膜材料が
蒸発分解して組成が変化するのを未然に防止することが
できる。このように保護膜を設けるが、該保護膜および
基板の少な（とも片方を透明体で構成している。保護膜
として不透明体を使用する場合は、基板側から読み取り
を行なうことができ、透明体を使用する場合は、保護膜
側から読み取ることができる。そのため基板や保護膜の
利料選択が容易になる。
第１図は密着型のイメージセンサの一般構成を示す平面
図と断面図、第２図は本発明によるイメージセンサの実
施例を示す製造工程と完成状態の断面図、第３図は本発
明の別の実施例の製造工程と完成状態を示す断面図であ
る。 図において、１は基板、２は光導電膜、３．４は電極、
５ば保護膜、６はスペーサをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 青 柳 稔
図と断面図、第２図は本発明によるイメージセンサの実
施例を示す製造工程と完成状態の断面図、第３図は本発
明の別の実施例の製造工程と完成状態を示す断面図であ
る。 図において、１は基板、２は光導電膜、３．４は電極、
５ば保護膜、６はスペーサをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 青 柳 稔
Claims (1)
- 絶縁性の基板にＩＩ−ＶＩ化合物であるＣｄＳｅ、 Ｃ
ｄＳ等で光導電膜を形成して、その上に高融点絶縁材料
で保護膜を形成し、且つ該保護膜および基板の少なくと
も片方を透明体で構成したことを特徴とするイメージセ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116734A JPS607769A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116734A JPS607769A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607769A true JPS607769A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14694461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116734A Pending JPS607769A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231282A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子式スチルカメラ |
| JPS6231281A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子式スチルカメラ |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP58116734A patent/JPS607769A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231282A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子式スチルカメラ |
| JPS6231281A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子式スチルカメラ |
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