JPS6184876A - 光導電素子の製造方法 - Google Patents
光導電素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6184876A JPS6184876A JP59207413A JP20741384A JPS6184876A JP S6184876 A JPS6184876 A JP S6184876A JP 59207413 A JP59207413 A JP 59207413A JP 20741384 A JP20741384 A JP 20741384A JP S6184876 A JPS6184876 A JP S6184876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- manufacturing
- heat treatment
- photoconductive element
- cds
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリや各種ＯＡ機器用読取りライセン
サ用の可視域の光センサとして使用される光導電素子の
製造方法に関するものである。
サ用の可視域の光センサとして使用される光導電素子の
製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、ＣｄＳやＣｄＳｅ を主体とする光センナは充
電流が大きく、特にこの種の化合物の固溶体Ｃｄ５−
ＣｄＳｅ を主体とする光センサでは可視光全域をカ
バーする感度を有するため、ファクシミリの密着型ライ
ンセンサ用などとして注目され開発されてきた。
電流が大きく、特にこの種の化合物の固溶体Ｃｄ５−
ＣｄＳｅ を主体とする光センサでは可視光全域をカ
バーする感度を有するため、ファクシミリの密着型ライ
ンセンサ用などとして注目され開発されてきた。
このＣｄＳ −ＣｄＳｅ 光センサの代表的製法は以
下の通りである。すなわち、適当な基板上にＣｄＳ −
ＣｄＳ ｅ 固溶体の薄膜を蒸着形成し、ＣｄＣ１□の
蒸発源としての例えばＣｄＳ ： ＣｄＣ１２（混合、
焼結、粉砕した）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密
閉容器に入れて５００°Ｃ程度の高温度に加熱して蒸発
したｃａｃｌ、、の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感
中心を形成させ大きな光電流を得るに至るのである（こ
の工程を活性化と称する）。上記の製法のま＼では暗電
流がかなり大きいので（ｄＳ −ＣｄＳｅ薄膜の蒸着時
に同時に蒸発源に（ｕ を例えばＣｄＳ、 −ｘＳｓｘ
： ＣｕＣ１，、（ｏ＜ｘ＜１； ＣｄＳ 、 ＣｄＳ
ｅ。
下の通りである。すなわち、適当な基板上にＣｄＳ −
ＣｄＳ ｅ 固溶体の薄膜を蒸着形成し、ＣｄＣ１□の
蒸発源としての例えばＣｄＳ ： ＣｄＣ１２（混合、
焼結、粉砕した）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密
閉容器に入れて５００°Ｃ程度の高温度に加熱して蒸発
したｃａｃｌ、、の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感
中心を形成させ大きな光電流を得るに至るのである（こ
の工程を活性化と称する）。上記の製法のま＼では暗電
流がかなり大きいので（ｄＳ −ＣｄＳｅ薄膜の蒸着時
に同時に蒸発源に（ｕ を例えばＣｄＳ、 −ｘＳｓｘ
： ＣｕＣ１，、（ｏ＜ｘ＜１； ＣｄＳ 、 ＣｄＳ
ｅ。
Ｃｕｒｌ ２を混合、焼結、粉砕したもの）の形で混入
しておき蒸着膜中にＣｕ を添加しておけば暗電流を
大巾に小さくすることができる。
しておき蒸着膜中にＣｕ を添加しておけば暗電流を
大巾に小さくすることができる。
さて、ＣｄＣｌ２蒸気による活性化で増感中心を形成し
、光電子の寿命を長くし、結果として大きな光電流を得
ることができる反面、基本的には光電子の寿命が光応答
時間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長くな
ってしまう。さらにこの様な多結晶薄膜では捕獲中心が
多いために低照度の場合には上記の光電子の寿命よりは
るかに光応答時間が長くなるという大きな欠点を有して
いる。
、光電子の寿命を長くし、結果として大きな光電流を得
ることができる反面、基本的には光電子の寿命が光応答
時間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長くな
ってしまう。さらにこの様な多結晶薄膜では捕獲中心が
多いために低照度の場合には上記の光電子の寿命よりは
るかに光応答時間が長くなるという大きな欠点を有して
いる。
発明の目的
本発明は光電流の大きさを損わずして、その光応答時間
が短かい光導電素子を製造する方法を提供する。
が短かい光導電素子を製造する方法を提供する。
発明の構成
本発明はＣｄＳ 、 ＣｄＳｅ あるいはこれら２種
の化合物の固溶体（ｄＳ −ＣｄＳｅ を生成分とし
て成り、これに微量の−を含んだ薄膜を基板上に形成し
、ＣｄＣ１２の蒸発源と共に半密閉容器に入れ、高温度
にて該薄膜をＣｄＣｌ２の蒸気に暴露して結晶成長と共
に活性化し、電極を形成して後、さらに真空中において
、しかも暗中で加熱処理することを特徴とする光導電素
子の製造方法である。
の化合物の固溶体（ｄＳ −ＣｄＳｅ を生成分とし
て成り、これに微量の−を含んだ薄膜を基板上に形成し
、ＣｄＣ１２の蒸発源と共に半密閉容器に入れ、高温度
にて該薄膜をＣｄＣｌ２の蒸気に暴露して結晶成長と共
に活性化し、電極を形成して後、さらに真空中において
、しかも暗中で加熱処理することを特徴とする光導電素
子の製造方法である。
実施例の説明
薄膜の厚さは２０００〜１００００人であり、結晶成長
の温度は４５０〜６００°Ｃである。
の温度は４５０〜６００°Ｃである。
真空中処理時の温度は１２０〜２００’Ｃが好ましい。
１２０’Ｃ以下だと効果がでるのに時間がか＼り過ぎ、
２００°Ｃ以上だと変化が大きすぎコントロールが難し
くなるからである。真空中熱処理の時間は０．２５〜４
時間が好ましい。０．２５時間以下では効果が得られ難
く、４時間以上だと変化特に光電流の減少が著しい。真
空中熱処理時の真空度は広い範囲の真空度で有効である
が０．０１気圧以下であることが好ましい。０．０１気
圧以上だと効果が小さかったり、変化が起るのに時間が
か＼りすぎたりする。また真空中熱処理時は暗中である
ことが好ましく、明るいと変化が起り難く、また変化量
が小さい。特に１Ｑルｙクス以下の方が効果が大きい。
２００°Ｃ以上だと変化が大きすぎコントロールが難し
くなるからである。真空中熱処理の時間は０．２５〜４
時間が好ましい。０．２５時間以下では効果が得られ難
く、４時間以上だと変化特に光電流の減少が著しい。真
空中熱処理時の真空度は広い範囲の真空度で有効である
が０．０１気圧以下であることが好ましい。０．０１気
圧以上だと効果が小さかったり、変化が起るのに時間が
か＼りすぎたりする。また真空中熱処理時は暗中である
ことが好ましく、明るいと変化が起り難く、また変化量
が小さい。特に１Ｑルｙクス以下の方が効果が大きい。
以下、本発明の具体実施例について説明する。
図は本発明に用いるボートの断面を示し、１はボート本
体、２はボートふた、３はガラス基板、４はＣｄＳ ：
ＣｄＣｌ２粉末である。
体、２はボートふた、３はガラス基板、４はＣｄＳ ：
ＣｄＣｌ２粉末である。
ガラス基板（コーニング社７０５９．２３０×５０Ｘ
１．２ ｎｅｓｔ’ ）の上にＣｄ５（，６５ｓｏ４：
０１１０１□ を蒸発源として約４０００人の厚さ
に蒸着した。蒸着膜中には含まれるＣｕ の量は、０
．００８モル％であった。この基板３を図に見る様にア
ルミナ製ボート１に上向きに置きボートの中央底部にＣ
ｄＳ ： ＣｄＣ１１２（２モル％）粉末４を０．２
！ｙ／ｃｙｎの割合で長さ方向に置き、ふた２をして６
００°Ｃで１時間加熱した。この様にして得た膜ｉＣＮ
ｉＣｒ ／ムＵの電極を蒸着形成（巾２朋、ギャップ１
羽）して後、真空中（０，０１気圧）、しかも暗中（１
０ルックス）で１７５°Ｃにて０．２５ 、０．５ 。
１．２ ｎｅｓｔ’ ）の上にＣｄ５（，６５ｓｏ４：
０１１０１□ を蒸発源として約４０００人の厚さ
に蒸着した。蒸着膜中には含まれるＣｕ の量は、０
．００８モル％であった。この基板３を図に見る様にア
ルミナ製ボート１に上向きに置きボートの中央底部にＣ
ｄＳ ： ＣｄＣ１１２（２モル％）粉末４を０．２
！ｙ／ｃｙｎの割合で長さ方向に置き、ふた２をして６
００°Ｃで１時間加熱した。この様にして得た膜ｉＣＮ
ｉＣｒ ／ムＵの電極を蒸着形成（巾２朋、ギャップ１
羽）して後、真空中（０，０１気圧）、しかも暗中（１
０ルックス）で１７５°Ｃにて０．２５ 、０．５ 。
１．２および４時間加熱処理した。この様にして得た光
導電素子にＤＣｌｏｖを印加して１００ルックスの緑色
光（波長５５５ｎｍ）を照射（１−で０．ｓ ｓｅａず
つ）して光電流Ｊ、とその立上り時間τｒ （ｏから飽
和値の９ｏ％に上がるまでの時間）、立下り時間τｄ
（飽和値からその１０％に下がるまでの時間）を測定し
た。結果をこの様な真空中加熱処理のない場合の結果と
共に次表に載せる。
導電素子にＤＣｌｏｖを印加して１００ルックスの緑色
光（波長５５５ｎｍ）を照射（１−で０．ｓ ｓｅａず
つ）して光電流Ｊ、とその立上り時間τｒ （ｏから飽
和値の９ｏ％に上がるまでの時間）、立下り時間τｄ
（飽和値からその１０％に下がるまでの時間）を測定し
た。結果をこの様な真空中加熱処理のない場合の結果と
共に次表に載せる。
（以下余白）
特性表（Ｊｐ、τ１．τ、）
発明の効果
以上のように、この電極形成後の暗中における真空中加
熱処理によって光電流が大きいま＼でその立上り時間、
立下り時間を著しく短くすることができる。この光セン
ナを用いれば大電流で信号処理の容易な高速の密着型イ
メージセンナを作ることかでさ、その工業的価値は太き
い。
熱処理によって光電流が大きいま＼でその立上り時間、
立下り時間を著しく短くすることができる。この光セン
ナを用いれば大電流で信号処理の容易な高速の密着型イ
メージセンナを作ることかでさ、その工業的価値は太き
い。
図はアルミナ製ボートの断面図である。
１−・・・・ホード本体、２・・・・・・ボートふた、
３・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ ：
ＣｄＣ１□粉末。
３・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ ：
ＣｄＣ１□粉末。
Claims (5)
- （１）ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはこれら２種の化合物の
固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成り、これに微量
のＣｕを含んだ薄膜を基板上に形成し、前記薄膜をＣｄ
Ｃｌ＿２の蒸気中にて加熱処理して結晶成長と共に活性
化し、電極を形成して後、さらに真空中において、しか
も暗中で加熱処理することを特徴とする光導電素子の製
造方法。 - （２）真空中での加熱処理の温度が１２０〜２０００℃
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
導電素子の製造方法。 - （３）真空中での加熱処理の時間が０．２５〜４時間で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項に記載の光導電素子の製造方法。 - （４）真空中での熱処理の際の真空度が０．０１気圧以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３
項の何れかに記載の光導電素子の製造方法。 - （５）真空中において、しかも暗中において加熱処理す
る際の照度が１０ルックス以下であることを特徴とする
特許請求の範囲第１〜４項の何れかに記載の光導電素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207413A JPS6184876A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 光導電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207413A JPS6184876A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 光導電素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184876A true JPS6184876A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH058593B2 JPH058593B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16539331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207413A Granted JPS6184876A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 光導電素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184876A (ja) |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59207413A patent/JPS6184876A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058593B2 (ja) | 1993-02-02 |
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