JPS607843B2 - 信号分離結合回路 - Google Patents
信号分離結合回路Info
- Publication number
- JPS607843B2 JPS607843B2 JP54046093A JP4609379A JPS607843B2 JP S607843 B2 JPS607843 B2 JP S607843B2 JP 54046093 A JP54046093 A JP 54046093A JP 4609379 A JP4609379 A JP 4609379A JP S607843 B2 JPS607843 B2 JP S607843B2
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- Japan
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- dielectric
- line
- signal separation
- circuit
- lines
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2135—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using strip line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロストリップラインと誘電体系線路（
イメージライン、誘電体線路、ィンシュラーガィド）を
用いた信号分離結合回路に関するものである。
イメージライン、誘電体線路、ィンシュラーガィド）を
用いた信号分離結合回路に関するものである。
従来からマイクロストリップラインや譲電体系線路（誘
電体線路、イメージライン、インシュラーガィド）を用
いた信号分離結合回路としては、第１図に示したように
、マイクロストリップラインを用いた信号分離結合回路
が提案されており、下面に接地導体２が接着された誘電
体（比誘電率‘，）３の上のストリップ導体１の端子Ａ
，Ｂ，Ｃ，Ｄのいずれか１つの端子、例えば端子Ａから
信号を入れると、リング共振器の共振周波数の信号は端
子Ｄに、他の周波数は様子Ｂに出力として取り出すこと
ができ、信号の分離及び結合回路として動作することが
できる。
電体線路、イメージライン、インシュラーガィド）を用
いた信号分離結合回路としては、第１図に示したように
、マイクロストリップラインを用いた信号分離結合回路
が提案されており、下面に接地導体２が接着された誘電
体（比誘電率‘，）３の上のストリップ導体１の端子Ａ
，Ｂ，Ｃ，Ｄのいずれか１つの端子、例えば端子Ａから
信号を入れると、リング共振器の共振周波数の信号は端
子Ｄに、他の周波数は様子Ｂに出力として取り出すこと
ができ、信号の分離及び結合回路として動作することが
できる。
この回路を集積回路を構成する場合の信号分離結合回路
として用いる場合には、２導体系であるために、ダイオ
ードの結合は比較的容易に行なうことができるが、マイ
クロストリップラインの無負荷Ｑが低いため、ミリ波帯
以上の高周波帯で用いる場合には分波損失が大きくなる
という欠点がある。また第２図、第３図、第４図は、そ
れぞれ誘電体線路、イメージライン、ィンシュラーガィ
ドを用いた信号分離結合回路を示したもので、第２図、
第３図、第４図において、２は接地導体、４は誘電体（
比護電率ご２）、５は誘電体（比護電率ｚ３）であり、
これらの回路の動作原理は第１図の回路と同機である。
として用いる場合には、２導体系であるために、ダイオ
ードの結合は比較的容易に行なうことができるが、マイ
クロストリップラインの無負荷Ｑが低いため、ミリ波帯
以上の高周波帯で用いる場合には分波損失が大きくなる
という欠点がある。また第２図、第３図、第４図は、そ
れぞれ誘電体線路、イメージライン、ィンシュラーガィ
ドを用いた信号分離結合回路を示したもので、第２図、
第３図、第４図において、２は接地導体、４は誘電体（
比護電率ご２）、５は誘電体（比護電率ｚ３）であり、
これらの回路の動作原理は第１図の回路と同機である。
一般に、誘電体系線路は無負荷Ｑが高いため、ミリ波帯
以上の高周波帯で使う場合にも、曲りによる放射損失を
十分押えることができるようにリング共振器の半径を大
きく選んでおけば、分波損失の４・さし、信号分離結合
回路を実現することができる。
以上の高周波帯で使う場合にも、曲りによる放射損失を
十分押えることができるようにリング共振器の半径を大
きく選んでおけば、分波損失の４・さし、信号分離結合
回路を実現することができる。
しかし、譲亀体線路の場合には導体は皆無であり、また
イメージラインやインシユラーガイドの場合にも一導体
で構成されていたために、集積回路を構成する場合の信
号分離結合回路として用いる場合には、ダイオードの装
着が困難になるという欠点があった。本発明は、上記従
来例の欠点を解消するために、信号分離結合回路の共振
器に誘電体線路を用いて分波損失を小さくし、伝送線路
の少なくとも一方はマイクロストリップラインを用いて
構成し、ダイオードの結合ができるようにしたことを特
徴とし、その目的はミリ波帯以上の高周波帯集積回路用
の信号分離結合回路を提供することにある。
イメージラインやインシユラーガイドの場合にも一導体
で構成されていたために、集積回路を構成する場合の信
号分離結合回路として用いる場合には、ダイオードの装
着が困難になるという欠点があった。本発明は、上記従
来例の欠点を解消するために、信号分離結合回路の共振
器に誘電体線路を用いて分波損失を小さくし、伝送線路
の少なくとも一方はマイクロストリップラインを用いて
構成し、ダイオードの結合ができるようにしたことを特
徴とし、その目的はミリ波帯以上の高周波帯集積回路用
の信号分離結合回路を提供することにある。
以下、図面により実施例を詳細に説明する。
第５図は、本発明の実施例であるマイクロストリップラ
インと誘電体線路を用いた信号分離結合回路を示したも
ので、１はストリップ導体、２は接地導体、３はマイク
ロストリップラインの誘電体基板、４は誘電体、６はマ
イクロストリップラインおよび誘電体共振器を支持する
ための誘電体であり、この誘電体６の誘電率は誘電体３
，４の誘導率よりも低くなければならない。なお、第５
図ａは伝送線路を両方ともマイクロストリップラインに
した実施例を示したものであり、第５図ｂは片方をマイ
クロストリップラインにした実施例を示したものである
。第６図ａはマイクロストリップラインの電磁界分布を
ｂは誘電体系線路（イメージ線路）の基本モードである
Ｅｙｌｌモードの電磁界分布を示したものであり図中実
線は電界を破線は磁界を示す。
インと誘電体線路を用いた信号分離結合回路を示したも
ので、１はストリップ導体、２は接地導体、３はマイク
ロストリップラインの誘電体基板、４は誘電体、６はマ
イクロストリップラインおよび誘電体共振器を支持する
ための誘電体であり、この誘電体６の誘電率は誘電体３
，４の誘導率よりも低くなければならない。なお、第５
図ａは伝送線路を両方ともマイクロストリップラインに
した実施例を示したものであり、第５図ｂは片方をマイ
クロストリップラインにした実施例を示したものである
。第６図ａはマイクロストリップラインの電磁界分布を
ｂは誘電体系線路（イメージ線路）の基本モードである
Ｅｙｌｌモードの電磁界分布を示したものであり図中実
線は電界を破線は磁界を示す。
また、誘電体線路、ィソシュラーガィドの電磁界分布も
イメージ線路の電磁界分布と同様のものとなる。本図か
ら判るように、マイクロストリップラインの誘電体の内
部における電磁界分布と、譲亀体系線路の電磁界分布は
非常に似た分布をしている。このため、マイクロストリ
ップラインと誘電体系線路の伝播波長が等しくなるよう
にそれぞれの形状を決めておけば、主線路（伝送線路）
とりング共振器で構成される方向性結合器の結合度を十
分大きくとることができる。次に、本実施例第５図の動
作を説明する。
イメージ線路の電磁界分布と同様のものとなる。本図か
ら判るように、マイクロストリップラインの誘電体の内
部における電磁界分布と、譲亀体系線路の電磁界分布は
非常に似た分布をしている。このため、マイクロストリ
ップラインと誘電体系線路の伝播波長が等しくなるよう
にそれぞれの形状を決めておけば、主線路（伝送線路）
とりング共振器で構成される方向性結合器の結合度を十
分大きくとることができる。次に、本実施例第５図の動
作を説明する。
まず、端子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのいずれか１つの端子、例え
ば端子Ａから信号を入力すると、マイクロストリップラ
インと譲蚕体線路の伝播波長を等しくしておくことによ
り、このリング共振器の半径Ｒから決まる共振波長に対
応する周波数成分は端子Ｃに、その他の周波数成分は端
子Ｂに出力として取り出すことができる。本実施例は、
このような作用をするので、その効果として、集積回路
を構成する場合の信号分離結合回路や分波器に応用する
ことができる。上記実施例は共振器を誘電体線路で構成
した場合について説明したが、リング共振器をイメージ
ライン、ィンシュラーガィドで構成しても、これらの線
路の電磁界分布は同様の分布をしているため、上記実施
例と同様の原理で動作する回路を実現することができる
。
ば端子Ａから信号を入力すると、マイクロストリップラ
インと譲蚕体線路の伝播波長を等しくしておくことによ
り、このリング共振器の半径Ｒから決まる共振波長に対
応する周波数成分は端子Ｃに、その他の周波数成分は端
子Ｂに出力として取り出すことができる。本実施例は、
このような作用をするので、その効果として、集積回路
を構成する場合の信号分離結合回路や分波器に応用する
ことができる。上記実施例は共振器を誘電体線路で構成
した場合について説明したが、リング共振器をイメージ
ライン、ィンシュラーガィドで構成しても、これらの線
路の電磁界分布は同様の分布をしているため、上記実施
例と同様の原理で動作する回路を実現することができる
。
第７図は、本発明の他の実施例であるマイクロストリッ
プラインとイメージラインを用いた信号分離結合回路を
示したもので、第５図と同一符号のものは同一の部分を
示しているが、この実施例では、マイクロストリップラ
インの接地導体とイメージラインの金属板を共通に使う
ことができるので、共振器を誘電体線路で構成する場合
よりも回路構成が簡単になる。
プラインとイメージラインを用いた信号分離結合回路を
示したもので、第５図と同一符号のものは同一の部分を
示しているが、この実施例では、マイクロストリップラ
インの接地導体とイメージラインの金属板を共通に使う
ことができるので、共振器を誘電体線路で構成する場合
よりも回路構成が簡単になる。
第８図は、本発明のまた他の実施例であるマイクロスト
リップラインとインシユラーガイドを用いた信号分離回
路を示したもので、第５図と同一符号のものは同一の部
分を示している。
リップラインとインシユラーガイドを用いた信号分離回
路を示したもので、第５図と同一符号のものは同一の部
分を示している。
第８図ａ，ｂはマイクロストリップラインの基板とィン
シュラーガィドの誘電体基板を同一の誘電体で構成して
おり、この場合はマイクロストリップラインの誘電体基
板３の誘電率ご，は誘電体４の誘電率ご２に比べて低く
選ばなければならない。第８図ｂは電磁界の結合を強く
するために、マイクロストリップラインの誘電体基板の
厚みとィンシュラ−ガイドの誘電体シートの厚みの間に
段差をつけたものである。また、第８図ｃはマイクロス
トＩＪップラィンの基板とィンシュラーガィドの誘電体
基板を別の誘電体で構成した実施例であり、図中５は誘
電体であり、誘電体５の誘電率は誘電体４の誘電率より
も低くなければならない。以上説明したように、本発明
によれば、誘電体系線路はミリ波帯においても低損失で
あるため、これをリング共振器として使うことにより、
抵損失の信号分離結合回路を実現することができ、また
ダイオードの装着には二導体系であるマイクロストリッ
プラインが適しているので、方向性結合器の部分でマイ
クロストリップラインと誘電体系線路の変換を行なうこ
とにより、信号分離結合回路を構成し、低損失で、かつ
ダイオードの装着にも適した信号分離結合回路ができ、
更にこの回路は平面構成であり、低損失で、しかもダイ
オードの装着にも適しているため、集積回路を構成する
場合の信号分離結合回路として利用できる。
シュラーガィドの誘電体基板を同一の誘電体で構成して
おり、この場合はマイクロストリップラインの誘電体基
板３の誘電率ご，は誘電体４の誘電率ご２に比べて低く
選ばなければならない。第８図ｂは電磁界の結合を強く
するために、マイクロストリップラインの誘電体基板の
厚みとィンシュラ−ガイドの誘電体シートの厚みの間に
段差をつけたものである。また、第８図ｃはマイクロス
トＩＪップラィンの基板とィンシュラーガィドの誘電体
基板を別の誘電体で構成した実施例であり、図中５は誘
電体であり、誘電体５の誘電率は誘電体４の誘電率より
も低くなければならない。以上説明したように、本発明
によれば、誘電体系線路はミリ波帯においても低損失で
あるため、これをリング共振器として使うことにより、
抵損失の信号分離結合回路を実現することができ、また
ダイオードの装着には二導体系であるマイクロストリッ
プラインが適しているので、方向性結合器の部分でマイ
クロストリップラインと誘電体系線路の変換を行なうこ
とにより、信号分離結合回路を構成し、低損失で、かつ
ダイオードの装着にも適した信号分離結合回路ができ、
更にこの回路は平面構成であり、低損失で、しかもダイ
オードの装着にも適しているため、集積回路を構成する
場合の信号分離結合回路として利用できる。
第１図は、従釆のマイクロストリップラインを用いた信
号分離結合回路の構成図、第２図は、誘電体線路を用い
た信号分離結合回路の構成図、第３図は、イメージライ
ンを用いた信号分離結合回路の構成図、第４図は、ィン
シュラーガィドを用いた信号分離結合回路の構成図、第
５図は、本発明の一実施例の構成図で、第５図ａは伝送
線路を両方ともマイクロストリップラインにした回路の
構成図、第５図ｂは伝送線路を片側だけマイクロストリ
ップにした回路の構成図、第５図ｃは、第５図ａの１−
１断面図、第６図はマイクロストリップラインと誘電体
系線路（イメージ線路）の電磁界分布を示した図、第７
図は、本発明の他の実施例の構成図で、第７図ａは斜視
図、第７図ｂは第７図ａのローロ断面図、第８図は、本
発明の更に他の実施例の断面図である。 １・…・・ストリップ導体、２…・・・接地導体、３・
・・…誘電体基板（比護電率ご，）、４・・…・誘電体
（比誘電率ご２）、５……誘電体（比誘電率ご３ ）、
６・・・・・・支持用誘電体（比誘電率ご４ ）、Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄ・・・・・・信号分離結合回路の端子。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
号分離結合回路の構成図、第２図は、誘電体線路を用い
た信号分離結合回路の構成図、第３図は、イメージライ
ンを用いた信号分離結合回路の構成図、第４図は、ィン
シュラーガィドを用いた信号分離結合回路の構成図、第
５図は、本発明の一実施例の構成図で、第５図ａは伝送
線路を両方ともマイクロストリップラインにした回路の
構成図、第５図ｂは伝送線路を片側だけマイクロストリ
ップにした回路の構成図、第５図ｃは、第５図ａの１−
１断面図、第６図はマイクロストリップラインと誘電体
系線路（イメージ線路）の電磁界分布を示した図、第７
図は、本発明の他の実施例の構成図で、第７図ａは斜視
図、第７図ｂは第７図ａのローロ断面図、第８図は、本
発明の更に他の実施例の断面図である。 １・…・・ストリップ導体、２…・・・接地導体、３・
・・…誘電体基板（比護電率ご，）、４・・…・誘電体
（比誘電率ご２）、５……誘電体（比誘電率ご３ ）、
６・・・・・・支持用誘電体（比誘電率ご４ ）、Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄ・・・・・・信号分離結合回路の端子。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- １ ２つの伝送線路とその間にはさまれたリング状の共
振器を用いて前記伝送線路を各々共振器に結合させ、前
記共振器の共振周波数の信号を一方の伝送線路から他方
の伝送線路に結合し、非共振の周波数の信号を他方の伝
送線路に結合しないように構成した信号の分離結合回路
において、リング状の共振器を誘電体線路、イメージラ
インまたはインシユラーガイドで構成し、前記２つの伝
送線路のうち、少なくとも一方をマイクロストリツプラ
インを用いて構成することを特徴とする信号分離結合回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54046093A JPS607843B2 (ja) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | 信号分離結合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54046093A JPS607843B2 (ja) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | 信号分離結合回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55138902A JPS55138902A (en) | 1980-10-30 |
| JPS607843B2 true JPS607843B2 (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=12737366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54046093A Expired JPS607843B2 (ja) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | 信号分離結合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607843B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525945A (en) * | 1994-01-27 | 1996-06-11 | Martin Marietta Corp. | Dielectric resonator notch filter with a quadrature directional coupler |
| DE19747253A1 (de) * | 1997-10-25 | 1999-05-06 | Bosch Gmbh Robert | Ringresonator |
| KR100665256B1 (ko) | 2005-08-31 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 고조파 제거특성을 개선한 전송선로 구조 |
| US9780834B2 (en) * | 2014-10-21 | 2017-10-03 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves |
-
1979
- 1979-04-17 JP JP54046093A patent/JPS607843B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55138902A (en) | 1980-10-30 |
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