JPS60791A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS60791A JPS60791A JP10883483A JP10883483A JPS60791A JP S60791 A JPS60791 A JP S60791A JP 10883483 A JP10883483 A JP 10883483A JP 10883483 A JP10883483 A JP 10883483A JP S60791 A JPS60791 A JP S60791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- wave guide
- laser
- fabry
- end surfaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/0632—Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
- H01S3/0635—Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film provided with a periodic structure, e.g. using distributed feed-back, grating couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1071—Ring-lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、分布帰還形レーザ（以下ＤＦＢレーザと称す
）及び分布反射形レーザ（以下ＤＢＲレーザと称す）の
増中度が大きい場合でも７アプリベロモ一ド発振を抑圧
出来る半導体レーザに関する。
）及び分布反射形レーザ（以下ＤＢＲレーザと称す）の
増中度が大きい場合でも７アプリベロモ一ド発振を抑圧
出来る半導体レーザに関する。
（ｂ）従来技術と問題点
高速度光信号伝送においてはモード分配雑音が支配的な
伝送距離制限要因となる。この制限を取シ除く手段とし
てＤＦＢレーザ及びＤＢＲレーザが開発されている。現
在開発されているＤＦＢレーザ及びＤＢＲレーザの問題
点は増中度が大きくなった時ファブリペローモードでの
発振が生じ、多縦モード発振をすることである。
伝送距離制限要因となる。この制限を取シ除く手段とし
てＤＦＢレーザ及びＤＢＲレーザが開発されている。現
在開発されているＤＦＢレーザ及びＤＢＲレーザの問題
点は増中度が大きくなった時ファブリペローモードでの
発振が生じ、多縦モード発振をすることである。
これは単−紋モード発振が請求される、ＤＦＢ；ＤＢＲ
レーザにとっては重要な問題である。この為両端面をテ
ーパ状にして反射を抑圧しているがこれでもさらに増中
度の大きい物では、ファブリペローモードでの発振が生
じ多縦モード発振が生ずる。
レーザにとっては重要な問題である。この為両端面をテ
ーパ状にして反射を抑圧しているがこれでもさらに増中
度の大きい物では、ファブリペローモードでの発振が生
じ多縦モード発振が生ずる。
従来のＤＦＢ、ＤＢＲレーザには上記のような欠府があ
る。
る。
（ｃ） 発明の目的
本発明の目的は上記の欠点に６み、ＤＦＢレーｆＤＢＲ
レーザの増巾度が非常に大きい場合でもファブリペロモ
ード発振を抑止出来る半導体レーザの提供にある。
レーザの増巾度が非常に大きい場合でもファブリペロモ
ード発振を抑止出来る半導体レーザの提供にある。
（ｄ） 発明の構成
本発明は上記の目的を連成するだめに、ＤＦＢレーザ及
びＤＢＲレーザにおいて、両端面を誘電体導波路又はレ
ーザ媒質を用いリング状に接続したことを特徴とする。
びＤＢＲレーザにおいて、両端面を誘電体導波路又はレ
ーザ媒質を用いリング状に接続したことを特徴とする。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例につき図に従って説明する。
第１図は従来例のＤＦＢレーザの断面図囚及び（５）の
丸印部分の拡大図ＣＢ）であり、第２図は本発明の実施
例のＤＦＢレーザの断面図で（４）は平面し１、（Ｂ）
は下側面図、（Ｃ）は右側面図を示す。
丸印部分の拡大図ＣＢ）であり、第２図は本発明の実施
例のＤＦＢレーザの断面図で（４）は平面し１、（Ｂ）
は下側面図、（Ｃ）は右側面図を示す。
図中１，５は活性層、２，３は端面、４，６は回折格子
、７は誘電体導波路（父はレーザ媒質へ８は出力結合導
波路、９は光７アイノくを示す。
、７は誘電体導波路（父はレーザ媒質へ８は出力結合導
波路、９は光７アイノくを示す。
ｉ１図のＤＦ”Ｂレーザの発振波長は次式の発振器条件
で与えられる。
で与えられる。
λ
−Ｎ ＝ ａ
ｎ
ここでＮは自然数でありＮ＝２の場合が多く製造されて
いる。ａは回折格子の間隔てあシはぼ４０゜ｎｍ位であ
る。λは真空中での波長、ｎはレーザ媒質の屈折率であ
る。
いる。ａは回折格子の間隔てあシはぼ４０゜ｎｍ位であ
る。λは真空中での波長、ｎはレーザ媒質の屈折率であ
る。
第１図の従来のＤＦＢレーザでは、端面２，３をテーパ
状にして反射を４抑圧しても活性層１の増中度が非常に
大きくなるとファブリペロモードでの発振が生ずる。
状にして反射を４抑圧しても活性層１の増中度が非常に
大きくなるとファブリペロモードでの発振が生ずる。
そこで本発明では第２図に示す如く活性層５の両端面を
透電体済波路（又はレーザ媒質）７でリング状に接続し
てファブリペロモード発振を抑圧している。この時、誘
電体導波路７の長さは可干渉長よシも長くとる。このよ
うにすれば活性層５の両端面は誘電体導波路（又はレー
ザ媒質）７でリング状に構成されているため活性層５の
増中度カ大キくなってもファブリペロモードの発振はし
ない。
透電体済波路（又はレーザ媒質）７でリング状に接続し
てファブリペロモード発振を抑圧している。この時、誘
電体導波路７の長さは可干渉長よシも長くとる。このよ
うにすれば活性層５の両端面は誘電体導波路（又はレー
ザ媒質）７でリング状に構成されているため活性層５の
増中度カ大キくなってもファブリペロモードの発振はし
ない。
又第２図に示す如く光ファイバ９で光を取出すのは、活
性層５より、誘電体導波路７、出力結合導波路８を介し
て取出すので、活性ＩＮ！５よりの距ｌｉ′１ｔが長い
ので光ファイバ９との結合部における反射の影譬を軽減
することも出来る。又誘電体導波路７内に異った間隔の
回折格子を複数設けることにより、多縦モード発振をさ
せることも可能でありマルナモードファイバ用光源とし
て用いることも出来る。
性層５より、誘電体導波路７、出力結合導波路８を介し
て取出すので、活性ＩＮ！５よりの距ｌｉ′１ｔが長い
ので光ファイバ９との結合部における反射の影譬を軽減
することも出来る。又誘電体導波路７内に異った間隔の
回折格子を複数設けることにより、多縦モード発振をさ
せることも可能でありマルナモードファイバ用光源とし
て用いることも出来る。
第３図は本発明の実施例のＤＢＲレーザの断面図で（４
）は平面図（Ｂ）は右側面図である。
）は平面図（Ｂ）は右側面図である。
回申１０は活性層、１１．１２は回折格子、１３は誘電
体導波路（又はレーザｆｆ質）、１４は出力結合導波路
、１５は光ファイバを示す。
体導波路（又はレーザｆｆ質）、１４は出力結合導波路
、１５は光ファイバを示す。
第３図は、ＤＢＲレーザのＷ１合な小しており、回折格
子１１．１２のある誘電体導波路１３１−］：ＩＪング
状になっている為、端面がなくＤＦＢ形の場合で説明し
たと同様に活性層１０の増中度が非常に大きくなっても
ファブリペロモード発振を生ずることはない。
子１１．１２のある誘電体導波路１３１−］：ＩＪング
状になっている為、端面がなくＤＦＢ形の場合で説明し
たと同様に活性層１０の増中度が非常に大きくなっても
ファブリペロモード発振を生ずることはない。
（ｆ） 発明の効果
以上詳細に説明せる如く、本発明によれば、ＤＦＢレー
ザ及びＤＢＲレーザの増巾度が非常に大きい場合でもフ
ァブリペロモード発止を抑圧出来る効果がある。
ザ及びＤＢＲレーザの増巾度が非常に大きい場合でもフ
ァブリペロモード発止を抑圧出来る効果がある。
第１図は従来例の分布帰還形レーザの１６＋面図、第２
図は本発明の実施例の分布帰戚形レーザの断面図、第３
図は本発明の実施例の分布反射形レーザの断面図である
。 図中１．５．１０は活性層、２，３は端面、４，６゜１
１．１２は回折格子、７．１３は誘電体導波路（又はレ
ーザ媒質）、８．１４は出力結合導波路、９゜１５は光
ファイバを示す〇 第 ｌｌ２Ｉ □と□− 第 ２ 図 部３図
図は本発明の実施例の分布帰戚形レーザの断面図、第３
図は本発明の実施例の分布反射形レーザの断面図である
。 図中１．５．１０は活性層、２，３は端面、４，６゜１
１．１２は回折格子、７．１３は誘電体導波路（又はレ
ーザ媒質）、８．１４は出力結合導波路、９゜１５は光
ファイバを示す〇 第 ｌｌ２Ｉ □と□− 第 ２ 図 部３図
Claims (1)
- 分布帰還形レーザ及び分布反射形レーザにおいて、両端
面を誘電体導波路又はレーザ媒質を用いリング状に接続
したことを特徴とする半導体レーザ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10883483A JPS60791A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10883483A JPS60791A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60791A true JPS60791A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14494730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10883483A Pending JPS60791A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60791A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446720A (en) * | 1987-07-15 | 1989-02-21 | American Telephone & Telegraph | Fabry-perot cavity |
| JP2015002335A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 日本電信電話株式会社 | 集積型半導体光源 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10883483A patent/JPS60791A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446720A (en) * | 1987-07-15 | 1989-02-21 | American Telephone & Telegraph | Fabry-perot cavity |
| JP2015002335A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 日本電信電話株式会社 | 集積型半導体光源 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5208183A (en) | Method of making a semiconductor laser | |
| KR100519922B1 (ko) | 다영역 자기모드 잠김 반도체 레이저 다이오드 | |
| US5143864A (en) | Method of producing a semiconductor laser | |
| JP2845403B2 (ja) | 光通信装置用光結合装置 | |
| US4633474A (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
| JPS60791A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| US6259718B1 (en) | Distributed feedback laser device high in coupling efficiency with optical fiber | |
| JPH08334796A (ja) | 光波長変換集積素子 | |
| JPH05251812A (ja) | 量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3595677B2 (ja) | 光アイソレータ、分布帰還型レーザ及び光集積素子 | |
| JP2819557B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0319292A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3527061B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPH0147031B2 (ja) | ||
| JP4523131B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0410582A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPS6295886A (ja) | 分布帰還構造半導体レ−ザ | |
| JPS61125187A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS61171190A (ja) | 分布反射形レ−ザ | |
| JP3797735B2 (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JPS58199586A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS60240178A (ja) | 分布帰還形半導体レ−ザ | |
| JPS6289388A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS60165782A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04226094A (ja) | 半導体レーザ素子 |