JPS6080225A - ドライプロセス処理方法及びその装置 - Google Patents
ドライプロセス処理方法及びその装置Info
- Publication number
- JPS6080225A JPS6080225A JP18839583A JP18839583A JPS6080225A JP S6080225 A JPS6080225 A JP S6080225A JP 18839583 A JP18839583 A JP 18839583A JP 18839583 A JP18839583 A JP 18839583A JP S6080225 A JPS6080225 A JP S6080225A
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- Japan
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- control
- flow rate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はドライエツチング処理装置等のドライプロセス
処理装置に関するものである。
処理装置に関するものである。
従来ドライプロセス処理装置の圧力コントロール機(i
fは第1図に示す如(構成されている。
fは第1図に示す如(構成されている。
即ちこの圧力コントロール機構は処理用ガスの流量と処
坤建の圧力を共に一足に保つように構成している。
坤建の圧力を共に一足に保つように構成している。
ガスの流量を一足に1呆つガス流部コントロール部2は
ガス源9、開閉パルプ8、ガス流量センサ5、コントロ
ールバルブ3、コントロールパルプ駆動部4、サーボア
ンプ6、流片設定部7からなっている。ガス流量は流量
センサ5で検知し、その流量と流量設定部7で設定され
た値の差をサーボアンプ6で増幅してコントロールパル
プMA ’A 部4 ヲ介してコントロールバルブ3を
動かし、一定のガスυを址を保つようにしている。
ガス源9、開閉パルプ8、ガス流量センサ5、コントロ
ールバルブ3、コントロールパルプ駆動部4、サーボア
ンプ6、流片設定部7からなっている。ガス流量は流量
センサ5で検知し、その流量と流量設定部7で設定され
た値の差をサーボアンプ6で増幅してコントロールパル
プMA ’A 部4 ヲ介してコントロールバルブ3を
動かし、一定のガスυを址を保つようにしている。
処理室1の圧力コントロール部10は、圧力センサ11
、排気コンダクタンスコントロールバルブ12、バルブ
駆動部15、サーボアンプ14、圧力設定部15、真空
排気装置16かもなっている。
、排気コンダクタンスコントロールバルブ12、バルブ
駆動部15、サーボアンプ14、圧力設定部15、真空
排気装置16かもなっている。
圧力のコントロールは処理室1の圧力を圧力センサ11
で検出し、圧力設定部15に設定された値との差をサー
ボアンプ14で増幅し、バルブ駆動部16を弁してコン
トロールパルプ12のコンダクタンスを変化させて排気
量716の排気能力を変え、行なっている。
で検出し、圧力設定部15に設定された値との差をサー
ボアンプ14で増幅し、バルブ駆動部16を弁してコン
トロールパルプ12のコンダクタンスを変化させて排気
量716の排気能力を変え、行なっている。
この排気コントロール部10ではコントロールパルプ1
2を変化させた場合、圧力は処理望1の容積とガス流入
量、排気量の関係から徐々に変化する。そのため測定圧
力と設定圧力との差に従ってバルブを開閉すれば、この
圧力コントロール系は振動し、安定に圧力を制御できな
くなる。そこでサーボアンプ14の応答を遅延させ、圧
力が安定にコントロールできるようにしている。
2を変化させた場合、圧力は処理望1の容積とガス流入
量、排気量の関係から徐々に変化する。そのため測定圧
力と設定圧力との差に従ってバルブを開閉すれば、この
圧力コントロール系は振動し、安定に圧力を制御できな
くなる。そこでサーボアンプ14の応答を遅延させ、圧
力が安定にコントロールできるようにしている。
ドライプロセス装置では処理を書現性よく行うため、処
理条件、すなわちガス流量ヤガス圧力を一定にして行う
必要かある。
理条件、すなわちガス流量ヤガス圧力を一定にして行う
必要かある。
しかし従来の圧力コントロール方法では圧力か一定にな
るまでに時間がかかり、ドライプロセス装置の処理能力
を向上する上でのネックとなっていた。
るまでに時間がかかり、ドライプロセス装置の処理能力
を向上する上でのネックとなっていた。
特に従来の圧力コントロール方法では設定圧力に遅する
までに1分程の時間かかかり、処理時間全体に対1−る
割合もドライプロセス処理の商速化に伴い、2〜3割を
しめるようになっている。したがって処理能力の向上に
はガス圧力コントロール時間の短縮が不可欠となってき
た。
までに1分程の時間かかかり、処理時間全体に対1−る
割合もドライプロセス処理の商速化に伴い、2〜3割を
しめるようになっている。したがって処理能力の向上に
はガス圧力コントロール時間の短縮が不可欠となってき
た。
本発明の目的はドライプロセス処理圧力の、コントロー
ル応答性を高めることが出来、処理能力の向上がはかれ
るようにしたドライプロセス処理装置を提供するにある
。
ル応答性を高めることが出来、処理能力の向上がはかれ
るようにしたドライプロセス処理装置を提供するにある
。
即ち本発明は、ドライプロセス処理のガス圧力が処理条
件として設定されていることを利用し、この設定圧力条
件とコントロールパルプの開閉割合の関係(プログラム
)をメモリに記憶し、この記憶されたプログラムを読み
出し、ガス供給生膜のガス倶給量及び排気手段の排気量
を制御することを特徴とするものである。
件として設定されていることを利用し、この設定圧力条
件とコントロールパルプの開閉割合の関係(プログラム
)をメモリに記憶し、この記憶されたプログラムを読み
出し、ガス供給生膜のガス倶給量及び排気手段の排気量
を制御することを特徴とするものである。
第2図に本発明による実jl!i例を示し、以下に説明
する。
する。
ドライプロセス処理を行う処:lil!室20には処理
用ガスを供給するガス供給・u22、処理室内を排気す
る排気ハ32が設けられている。
用ガスを供給するガス供給・u22、処理室内を排気す
る排気ハ32が設けられている。
ガス供給部はガス源61、開閉バルブ60、流量センサ
27、コントロールパルプ26かう成っティる。
27、コントロールパルプ26かう成っティる。
流量センサ27の信号はA/D変換器2Bを介して、マ
イクロコンピュータ21に送られる。コントロールパル
プ26は駆動モータ24により動かされ、モータにはエ
ンコーダ25か連結してあり、エンコーダ25の信号は
マイクロコンピュータ21に送られる。
イクロコンピュータ21に送られる。コントロールパル
プ26は駆動モータ24により動かされ、モータにはエ
ンコーダ25か連結してあり、エンコーダ25の信号は
マイクロコンピュータ21に送られる。
駆動モータ24はマイクロコンピュータ21ニコントロ
ールされたドライバ26により動かされる。
ールされたドライバ26により動かされる。
ガス流量の設定は流量設定部29かも設定(g号をマイ
クロコンピュータ21に送り行う。
クロコンピュータ21に送り行う。
排% t+ls ハコンダクタンスのコントロールパル
プ66、真をJJI’気装置4〔〕からなっている。
プ66、真をJJI’気装置4〔〕からなっている。
コントロールパルプ66は駆動モータ64により動かさ
れ、七−夕にはエンコーダ25が連結してあり、その情
号はマイクロコンピュータ21に送られる。
れ、七−夕にはエンコーダ25が連結してあり、その情
号はマイクロコンピュータ21に送られる。
駆動モータ34はマイクロコンピュータ21ニコント四
−ルされたドライバ66により動かされる。
−ルされたドライバ66により動かされる。
処理室20に取付けた圧力センサ67の1d号はA/D
変換器38を介してマイクロコンピュータ21に送られ
る。ガス圧力の設定は圧力設定部39からの設定信号を
マイクロコンピータ21に送り行う。
変換器38を介してマイクロコンピュータ21に送られ
る。ガス圧力の設定は圧力設定部39からの設定信号を
マイクロコンピータ21に送り行う。
以上の構成において圧力コントロール時の谷部の動作に
ついて以下に説明する。
ついて以下に説明する。
処理室20はコントロールバルブ63を全開にして処理
室内を低圧に排気している。処理室2oに図示しない搬
送系により図示しない被処理物を搬入する。搬入完了を
構出すると第3図に示すように圧力コントロールバルブ
66を閉じ、ガス供給のガス流量コントロールバルブ2
6を全開にする。このBCls 、CF4.02等の2
種類以上のガスを混合して使用する場合、各ガスの混合
比率を設定されたガス流量の比よりマイクロコンピュー
タ21により昇出し、ガスの組ノ戎をかえないため、そ
の比率で匝せる最大流量なυILずようコントロールす
る。この時圧力は処理条件によっても異なるが数秒で設
定圧力に近ずく。マイクロコンピュータ21には前回処
理した時の、設定条件に対するバルブ駆動モータ24
、54 、の回転角かエンコーダ25.35からの信号
により、メモリに記憶されている。圧力センサ67で処
理室内の圧力をチェックし、設定圧力の±20%以内の
圧力範囲に入ると、マイクロコンピュータ21の指示に
よりドライバ26 、36を介して圧力及びガス流団コ
ントロールバルブの開閉割合をメモリに記憶された状態
に固定する。
室内を低圧に排気している。処理室2oに図示しない搬
送系により図示しない被処理物を搬入する。搬入完了を
構出すると第3図に示すように圧力コントロールバルブ
66を閉じ、ガス供給のガス流量コントロールバルブ2
6を全開にする。このBCls 、CF4.02等の2
種類以上のガスを混合して使用する場合、各ガスの混合
比率を設定されたガス流量の比よりマイクロコンピュー
タ21により昇出し、ガスの組ノ戎をかえないため、そ
の比率で匝せる最大流量なυILずようコントロールす
る。この時圧力は処理条件によっても異なるが数秒で設
定圧力に近ずく。マイクロコンピュータ21には前回処
理した時の、設定条件に対するバルブ駆動モータ24
、54 、の回転角かエンコーダ25.35からの信号
により、メモリに記憶されている。圧力センサ67で処
理室内の圧力をチェックし、設定圧力の±20%以内の
圧力範囲に入ると、マイクロコンピュータ21の指示に
よりドライバ26 、36を介して圧力及びガス流団コ
ントロールバルブの開閉割合をメモリに記憶された状態
に固定する。
さらに処理室内の圧力が設定圧力の±10%に入るとコ
ントロールバルブ25.65の制御を設定圧力と処理室
内の圧力差に応じて制御する従来方式により行う。次に
処理室内が設定圧力の±6%の圧力に1分間入った時の
コントロールバルブの開閉割合をエンコーダ25 、5
5から読み取り、マイクロコンピュータ内のバルブ開閉
割合を記憶したメモリをクリアし、新しいデータを惰き
込む。
ントロールバルブ25.65の制御を設定圧力と処理室
内の圧力差に応じて制御する従来方式により行う。次に
処理室内が設定圧力の±6%の圧力に1分間入った時の
コントロールバルブの開閉割合をエンコーダ25 、5
5から読み取り、マイクロコンピュータ内のバルブ開閉
割合を記憶したメモリをクリアし、新しいデータを惰き
込む。
以上述へたように本発明による圧力コントロール方法で
はまず流入ガス量を最大にし、排気バルブを閉じるため
、最短時間で圧力は上昇し、かつ設定圧に近1いた時に
はバルブ弁の開閉割合は設定圧力を保持する状態にある
ため、従来の方法にあったような圧力がオーバシュート
し振動してしまう問題も発生しない。
はまず流入ガス量を最大にし、排気バルブを閉じるため
、最短時間で圧力は上昇し、かつ設定圧に近1いた時に
はバルブ弁の開閉割合は設定圧力を保持する状態にある
ため、従来の方法にあったような圧力がオーバシュート
し振動してしまう問題も発生しない。
以上述べた本実施例では設定圧力に10秒程で到達する
ことができ、従来の一程の時間に短縮することができる
。
ことができ、従来の一程の時間に短縮することができる
。
また本実施例では処理を開始するまでの圧力コントロー
ル方法について述べたが、カス流量、ガスライン、ガス
圧力など処理条件の途中での変更の場合にも、同様に行
うことができる。その場合にも中途変更後の処理条件で
のコントロールバルブ開閉割合を記憶し、変更後の圧力
条件が商い場合は本実施例に述べた方法により行い、変
更後の圧力条件が低い場合は逆に、ガス・供給を止め、
排気パルプを全開にして同様に設定圧力に近ずけること
かできる。
ル方法について述べたが、カス流量、ガスライン、ガス
圧力など処理条件の途中での変更の場合にも、同様に行
うことができる。その場合にも中途変更後の処理条件で
のコントロールバルブ開閉割合を記憶し、変更後の圧力
条件が商い場合は本実施例に述べた方法により行い、変
更後の圧力条件が低い場合は逆に、ガス・供給を止め、
排気パルプを全開にして同様に設定圧力に近ずけること
かできる。
また本実施例ではコントロールバルブの開閉により圧力
コントロールを行う例について述べだが、基本的には排
気蓋を変えることかでさる排気方法であるならば同様の
方法を行うことができることは明らかである。たとえば
、機械式の真空排気ポンプにより排気し、真空ポンプの
回転数により排気量を変え、圧力をコントロールする場
合、各処理条件での回転数を記憶し、コントロールする
ことにより行うことができる。
コントロールを行う例について述べだが、基本的には排
気蓋を変えることかでさる排気方法であるならば同様の
方法を行うことができることは明らかである。たとえば
、機械式の真空排気ポンプにより排気し、真空ポンプの
回転数により排気量を変え、圧力をコントロールする場
合、各処理条件での回転数を記憶し、コントロールする
ことにより行うことができる。
以上’i43?、明したように本発明によれは、被処理
物を処理室に入れてから設定圧にするまでの時間、処理
条件を途中で変更し、変更後の朱件に達するまでの時間
を短縮することかでき、被処理物の処理1c7間を短縮
し、ドライプロセス装置の処1!If化力を向上させる
効果がある。
物を処理室に入れてから設定圧にするまでの時間、処理
条件を途中で変更し、変更後の朱件に達するまでの時間
を短縮することかでき、被処理物の処理1c7間を短縮
し、ドライプロセス装置の処1!If化力を向上させる
効果がある。
たとえは本発明をエツチング処理に2.5分、ローディ
ング、アンローディングに0.5分かかるドライエツチ
ングに適用すれば従来合計4分かかっていた1回の処理
を6.2分に短縮することができ、2割の処理能方向上
を計ることができる。
ング、アンローディングに0.5分かかるドライエツチ
ングに適用すれば従来合計4分かかっていた1回の処理
を6.2分に短縮することができ、2割の処理能方向上
を計ることができる。
第1図は従来のドライプロセス装置における圧力コント
ロールシステムを示す図、 第2図は本発明のドライプロセス装置における圧力コン
トロールシステムの一実施例を示す図、 第6図は本発明のドライプロセス装置における圧力コン
トロールフローを示した図である。 20・・・処理室、21・・・マイクロコンピュータ、
23・・・コントロールバルブ、25・・・エンコーダ
、27・・・流?ft セン?、35・・・コントロー
ルパルプ、35・・・エンコーダ、37・・・圧力セン
サ、40・・・真空排気装置。 第1図 第 Z 図 第1頁の続き 0発 明 者 相 内 進 黄浜市戸塚区吉田町2乾番地 株式会社日立製作所生産
技術研究所内
ロールシステムを示す図、 第2図は本発明のドライプロセス装置における圧力コン
トロールシステムの一実施例を示す図、 第6図は本発明のドライプロセス装置における圧力コン
トロールフローを示した図である。 20・・・処理室、21・・・マイクロコンピュータ、
23・・・コントロールバルブ、25・・・エンコーダ
、27・・・流?ft セン?、35・・・コントロー
ルパルプ、35・・・エンコーダ、37・・・圧力セン
サ、40・・・真空排気装置。 第1図 第 Z 図 第1頁の続き 0発 明 者 相 内 進 黄浜市戸塚区吉田町2乾番地 株式会社日立製作所生産
技術研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t 処理用ガスの流量コントロール供給手段と、排気量
のコントロールできる排気手段とを有するドライプロセ
ス処理装置であって、設定された各処理条件でのプログ
ラムされた流量及び排気量コントロール状態を記憶する
記憶手段と、該記憶手段に記憶されたプログラムコント
ロールデータにもとづき、上記ガス供給手段及び排′気
手段を制御する制御手段を備え伺けたことを特徴とする
ドライプロセス処理装置。 2、 上記制御手段は、ガス供給量、排気量を最大ある
いは最小にして一定の圧力範囲になった後記憶データに
基ついた状態に設定し、その後圧力コントロールを設定
された圧力と測定値の差に基づいてコントロールするよ
うに構成したことを特徴とする特許請求範囲第1項記載
のドライプロセス処理装置。 3、 上記記憶手段は、設定された各処理条件での流量
、排気量コントロール状態の記憶を、各処理ごとに設定
圧力状態に対し所定の圧力範囲になった時のデータを取
込み、すでに記憶されたデータに置侯え記1.ハするよ
う構成したこと特徴とする特許請求範囲第1項記載のド
ライプロセス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188395A JPH06104909B2 (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | ドライプロセス処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188395A JPH06104909B2 (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | ドライプロセス処理方法及びその装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7328575A Division JP2892980B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | ドライプロセス処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080225A true JPS6080225A (ja) | 1985-05-08 |
| JPH06104909B2 JPH06104909B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=16222883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58188395A Expired - Lifetime JPH06104909B2 (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | ドライプロセス処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104909B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369227A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Hitachi Ltd | エツチング装置の圧力制御方法および装置 |
| JPS6377533A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-07 | Fujitsu Ltd | 減圧処理装置の圧力切り替え方法 |
| JPS63304620A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用熱処理炉 |
| JPH0210826A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 拡散炉装置 |
| JP2012094911A (ja) * | 2012-02-02 | 2012-05-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589320A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-19 | Agency Of Ind Science & Technol | シリコン薄膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-11 JP JP58188395A patent/JPH06104909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589320A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-19 | Agency Of Ind Science & Technol | シリコン薄膜の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369227A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Hitachi Ltd | エツチング装置の圧力制御方法および装置 |
| JPS6377533A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-07 | Fujitsu Ltd | 減圧処理装置の圧力切り替え方法 |
| JPS63304620A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用熱処理炉 |
| JPH0210826A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 拡散炉装置 |
| JP2012094911A (ja) * | 2012-02-02 | 2012-05-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104909B2 (ja) | 1994-12-21 |
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