JPS6080258A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPS6080258A
JPS6080258A JP58187817A JP18781783A JPS6080258A JP S6080258 A JPS6080258 A JP S6080258A JP 58187817 A JP58187817 A JP 58187817A JP 18781783 A JP18781783 A JP 18781783A JP S6080258 A JPS6080258 A JP S6080258A
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JP
Japan
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resin
frame
chips
semiconductor device
wires
Prior art date
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Pending
Application number
JP58187817A
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English (en)
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Masao Funada
雅夫 舟田
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Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法に係り、特
に、半導体チップ表面゛を樹脂によって被覆保護するに
あたり、樹脂の流出を防ぎ、均一な厚さに塗布すべくコ
ントロールするための方法に関する。
〔従来技術〕
従来、半導体チップの接合部（ジャンクション）を被覆
保護する方法の１つとして、ジャンクションコーティン
グレジン（ＪＣＢ）と呼ばれる樹脂を用いる方法が考え
られている。
これは、第１図に示す如く、基板１上に接着され、ワイ
ヤ２による電気的接続のなされた第１および第２の半導
体チップ３，４をジャンクションコーティングレジン５
によって被覆保護したものである。
しかしながら、この方法によると、樹脂を半導体チップ
に塗布するにあたり、粘度の低い（１０００センチボイ
ズ（ｃｐｓ）〜数千ｃｐｓ程度の）樹脂を使用すると樹
脂が流れ出し、所望の厚さに塗布することは困難である
と共に、周囲の不要な部分に樹脂が付着してしまうとい
う不都合があった。
才た、粘度の高い樹脂を用いると、半導体チップと基板
あるいは他の半導体チップとの間を接続するワイヤを押
し倒し、接続部を離脱させたり、隣接するワイヤを短絡
させたりするという危険がある上、被覆保護層の厚さが
不均一となり商品性に欠けるという不都合があった。
従って、所定の厚さの被覆層を得るには、比較的粘度の
低い樹脂を使用し、複数回にわたって塗布を繰り返すと
いう方法がとられていた。しかしながら、この方法によ
れば、塗布に数倍の時間を必要とし、作業性が悪いとい
う不都合があった。
〔発明の目的〕
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、半導体チ
ップあるいは接続用のワイヤ等に損傷を与えたり、樹脂
が流れ出し、不要部に付着したりするのを防ぎつつ、均
一な厚さの被覆保護層を作業性良く形成することを目的
とする。
〔発明の措成〕
上記目的を達成するため、本発明の方法は、半導体チッ
プを樹脂によって被覆保訛するにあたり、被覆すべき半
導体チップをとり囲むように第１の樹脂を堤状に塗布す
ることにより枠体を形成したのち、前記第１の樹脂より
も粘度の低い樹脂を前記枠体の中に充填することを特徴
とするものである。
〔実施例〕
以下、図面を参照しつつ、実施例に基づき、本発明の樹
脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
まず、第２図に示す如く、所定の配線パターンの形成さ
れた基板１上に、第１および第２の半導体チップ３，４
を塔載せしめ、ワイヤ２によって所定の電気的接続を行
い、半導体組立て構体を形成する。
次いで、第３図に示す如く、これらの第１および第２の
半導体チップ３，４および■ツイヤ２をとり囲むよ）に
、ＪＣＲ６１２０の商品名で市販されているトーレシリ
コーン製のジャンクションコーティングレジン（以下ｉ
ｔの樹脂と相称する）を堤状に塗布し、枠体６を形成す
る。
続いて、第４図に示す如く、前記枠体６の中に第１の樹
脂よりも粘度の低いンＣＲ６１２１の商品名で市販され
ているトーレシリコーン製のジャンクションコーティン
グレジン（以下、第２の樹脂と相称する）を充填し、硬
化せしめることによって、樹脂封止型半導体装置が形成
される。
このようにして形成された樹脂封止型半導体装置は、樹
脂の流れ出しもなく、樹脂層の高さも均一で美しく、商
品性に優れている。
また、この方法によれば、生産の作業性が極めて良好で
あり、製造時間が大幅に短縮される。
なお、実施例においては、第１．第２の樹脂共にシリコ
ン糸樹脂を用いたが、必ずしも、これに限定されること
なく、たとえば第１の樹脂をＨ−６１という商品名で市
販されているエポテク（ＥＰＯＴＥＫ）製のエポキシ樹
脂層こ換える等、他の樹脂を使用しても良いことは言う
までもない。
〔発明の効果〕
以上、説明してきたように、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法によれば、才ず半導体チップを囲むよう
に、所定の粘度を有する第１の樹脂を堤状に塗布するこ
とにより枠体を形成したのち、前記第１の樹脂よりも粘
度の低い樹脂を前記枠体中に充填することにより、樹脂
の流出もなく、樹脂層の高さが均一で商品性に優れた樹
脂封止型半導体装置が得られると共に、この方法によれ
ば製造に要する時間が大幅に短縮される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来法によって形成された樹脂封止型半導体
装置を示す図、 第２図乃至第３図は、本発明実施例の樹脂封止型半導体
装置の製造方法に基く工程図、第４図は、本発明実施例
の方法によって形成された樹脂封止型半導体装置を示す
図である。 １・・・基板、２・・・ワイプ、３・・・第１の半導体
チップ、４・・・第２の半導体チップ、５・・・ジャン
クションコーティングレジン、６・・・枠体（第１の樹
脂）、７・・・充填物（第２の樹脂）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に塔載された半導体チップを被覆保護するζこあ
    たり、まず半導体チップを囲むように、所定の粘度を有
    する第１の樹脂を堤状に塗布して枠体を形成し、その後
    、前記第１の樹脂よりも粘度の低い樹脂を前記枠体中に
    充填することにより前記半導体チップを被覆することを
    特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP58187817A 1983-10-07 1983-10-07 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPS6080258A (ja)

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ID=16212756

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63155645U (ja) * 1987-03-31 1988-10-12
US4999319A (en) * 1986-03-19 1991-03-12 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor device having package structure
EP0670595A1 (en) * 1994-02-08 1995-09-06 Dow Corning Toray Silicone Company, Limited Resin-sealed semiconductor device
EP0924756A3 (en) * 1997-12-16 2000-06-28 Nordson Corporation Method of encapsulating a wire bonded die

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54152161A (en) * 1978-05-19 1979-11-30 Fujitsu Ltd Method of producing hybrid integrated circuit

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